專利名稱：：一種led電極結構及其制備方法
技術領域：
：本發(fā)明屬于光電子器件
技術領域：
，具體涉及一種發(fā)光二極管(LED)的電極結構及其制備方法。
背景技術：
：發(fā)光二極管(LED)是一種電致發(fā)光器件，由pn接面實現(xiàn)電能向光能的轉(zhuǎn)化。LED具有發(fā)光效率高、耗電量少、使用壽命長、反應時間短、可靠性高、安全環(huán)保等優(yōu)點，廣泛應用于手機，汽車，照明燈領域，更有取代白熾燈，熒光燈燈成為新一代的照明光源的可能。目前，發(fā)光二極管中具有低電阻率電極普遍采用金屬電極，而金屬電極多為單層結構，即使由兩種或兩種以上金屬組成，每個金屬層也多為單種金屬單層的情況，由于能使用作為LED電極的金屬元素種類有限，LED電極退火溫度改變范圍有限，不能在目前已有技術的基礎上進一步顯著降低比接觸電阻率，因此我們采用工藝改進的方法，使用金屬混合層技術降低LED電極的比接觸電阻率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種具有較低比接觸電阻率的LED電極結構及其制備方法。本發(fā)明解決其技術問題所采取的技術方案是該LED電極結構包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。進一步地，本發(fā)明所述每個周期的金屬混合層含有三層單金屬層，同一周期的金屬混合層中互不相鄰的單金屬層的金屬相同。進一步地，本發(fā)明所述每個周期的金屬混合層含有三層單金屬層，所述三層單金屬層的金屬互不相同。本發(fā)明具有上述電極結構的LED，主要包括基底，在所述基底的一面上自下而上依次沉積有基底過渡層、n型半導體層、n型過渡層、多量子阱層、多量子阱過渡層、P型半導體層，所述n型半導體層上還沉積有n型半導體層電極，所述p型半導體層還沉積有P型半導體層電極；所述n型半導體層電極和p型半導體層電極均包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。本發(fā)明具有上述電極結構的LED，主要包括n型單晶基底，在所述n型單晶基底的一面上自下而上依次沉積n型單晶基底緩沖層、n型單晶基底過渡層、多量子阱層、多量子阱過渡層、P型半導體層，所述n型單晶基底的另一面上沉積有n型半導體層電極，所述p型半導體層還沉積有P型半導體層電極；所述n型半導體層電極和p型半導體層電極均包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。本發(fā)明LED電極的制備方法主要包括如下步驟(a)在n型半導體層表面依次進行勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，形成具有光刻圖形的n型半導體層；(b)將具有光刻圖形的n型半導體層放入真空室，轉(zhuǎn)動靶材或者坩堝依次沉積第一周期的金屬混合層中的各單金屬層，所述單金屬層有兩層以上，且相鄰的單金屬層的金屬不同；接著至少再沉積一個周期的金屬混合層，形成n型半導體層電極；(c)在p型半導體層表面依次進行勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，形成具有光刻圖形的p型半導體層；(d)將具有光刻圖形的p型半導體層放入真空室，轉(zhuǎn)動靶材或者坩堝依次沉積第一周期的金屬混合層中的各單金屬層，所述單金屬層有兩層以上，且相鄰的單金屬層的金屬不同；接著至少再沉積一個周期的金屬混合層，形成P型半導體層電極；(e)將具有所述n型半導體層電極和p型半導體層電極的LED器件進行快速退火。進一步地，本發(fā)明所述n型半導體層為n型單晶基底。進一步地，本發(fā)明在步驟(b)中，在具有光刻圖形的n型半導體層上先沉積第一功能金屬層，再在第一功能金屬層上沉積金屬混合層，在n型半導體層的最后一個周期的金屬混合層上沉積第二功能金屬層；和/或在步驟(d)中，在具有光刻圖形的p型半導體層上先沉積第一功能金屬層，再在第一功能金屬層上沉積金屬混合層，在P型半導體層的最后一個周期的金屬混合層上沉積第二功能金屬層。進一步地，本發(fā)明所述快速退火是在氮氣氣氛中進行，退火溫度為400°C-700°C，退火時間為50-150s。進一步地，本發(fā)明所述退火溫度為500°C_650°C。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點是l)LED電極結構采用金屬混合層比單種金屬單層具有更低的比接觸電阻率；2)適用于多種薄膜生長技術完成的p型半導體層和n型半導體層，薄膜生長技術可以是脈沖激光沉積技術，分子束外延技術，化學氣相沉積技術和磁控濺射技術；3)可采用多種儀器實現(xiàn)電極生長，電極生長技術可以是磁控濺射技術或電子束蒸發(fā)技術。圖1是具有本發(fā)明LED電極結構的一種LED示意圖，圖中1為基底；2為基底過渡層；3為第一n型半導體層；4為n型過渡層；5為第一多量子阱層，6為第一多量子阱過渡層；7為第一p型半導體層；8為n型半導體層電極；9為p型半導體層電極；圖2是具有本發(fā)明LED電極結構的另一種LED示意圖，圖中10為n型單晶基底；11為n型單晶基底緩沖層；12為n型單晶基底過渡層；13為第二多量子阱層；14為第二多量子阱過渡層；15為第二p型半導體層；8為n型半導體層電極；9為p型半導體層電極；圖3是本發(fā)明一個周期金屬混合層具有2個單金屬層時的LEDn型電極結構示意圖，圖中16為單金屬層Pt;17為單金屬層Ti;圖4是本發(fā)明一個周期金屬混合層具有2個單金屬層時的LEDp型電極結構示意圖，圖中16為單金屬層Pt;18為單金屬層Ni;圖5是本發(fā)明一個周期金屬混合層具有3個單金屬層時的LEDn型電極結構示意圖，圖中19為單金屬層All;16為單金屬層Pt;17為單金屬層Ti;圖6是本發(fā)明一個周期金屬混合層具有3個單金屬層時的LEDp型電極結構示意圖，圖中19為單金屬層Au;16為單金屬層Pt;18為單金屬層Ni。具體實施例方式以下結合具體實例進一步說明本發(fā)明。實施例1:按以下步驟制備本發(fā)明的LED電極，具體如下1)燒結陶瓷靶制備純ZnO陶瓷耙稱量純ZnO粉末32克，將純ZnO粉末球磨壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到純的ZnO陶瓷耙；制備Zn。.8Mg。.20陶瓷耙稱量純ZnO粉末32.55克、MgO粉末4.03克，將純ZnO、MgO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到Zn。.8Mg。.20陶瓷靶；制備Zn。.9Mg。.^陶瓷靶稱量純ZnO粉末36.62克、MgO粉末2.015克，將純ZnO、MgO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到Zn。.9Mgai0陶瓷靶；制備摻有Na的Zn。.8Mg。.20陶瓷靶稱量純ZnO粉末32.55克、MgO粉末4.03克，Na2C03粉末0.292克，將ZnO、MgO、Na2C03粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到摻有Na的Zn。.8Mg。.20陶瓷靶，Na的摩爾百分含量為1%;制備摻有Na的ZnO陶瓷靶稱量純ZnO粉末38克、Na2C03粉末0.25克，將ZnO、Na2C03粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到摻有Na的ZnO陶瓷靶，其中Na的摩爾百分含量為1%;2)沉積薄膜將燒結得到的純ZnO陶瓷靶、Zn。.8Mg。.20陶瓷靶、Zn^Mg^O陶瓷靶、摻有Na的Zn。.8Mg。.20陶瓷靶、摻有Na的ZnO陶瓷靶和已經(jīng)廠家預處理過的n-ZnO(0001)單晶基底放入脈沖激光沉積系統(tǒng)的生長室中，生長室真空度抽至10—3Pa以下，基底加熱升溫到350700°C，生長室通入02氣體，控制壓強為0.150Pa，激光能量為200350mJ，頻率3lOHz。依次轉(zhuǎn)換使用的所述靶材，生長時所用的靶材與基底之間的距離保持在46cm，在n-ZnO(0001)單晶基底如圖2中n型單晶基底10的一面上自下而上依次使用純ZnO陶瓷靶沉積n型ZnO緩沖層如圖2中n型單晶基底緩沖層11，使用Zn。.8Mg。.20陶瓷靶沉積n型Zn。.8Mg。.20層如圖2中n型單晶基底過渡層12，交替使用Zn。.9Mg?！?陶瓷靶和純ZnO陶瓷靶生長8個周期的Zn。.9Mg^O(7nm)/ZnO(3nm)作為多量子阱層如圖2中第二多量子阱層13，使用摻有Na的Zn。.8Mg。.20陶瓷靶沉積p型Zn。.8Mg。.20層如圖2中第二多量子阱過渡層14，使用摻有Na的ZnO陶瓷靶沉積p型ZnO層如圖2中第二p型半導體層15，得到垂直結構ZnO基多量子阱發(fā)光二極管的原型器件；3)在n-Zn0(0001)單晶基底未沉積薄膜的表面第一次勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，出現(xiàn)具有光刻圖形的n型半導體層；將樣品放入電子束蒸發(fā)真空室，生長室抽至合適真空度，然后在n-Zn0(0001)單晶基底上如圖3先沉積厚度為lOnm的鈦Ti作為第一功能金屬層；再轉(zhuǎn)動坩堝沉積金屬混合層，金屬混合層的第一單金屬層是厚度為5nm的鉑Pt，如圖3中單金屬層Ptl6，金屬混合層的第二單金屬層是厚度為5nm的Ti，如圖3中單金屬層Til7，由此第一單金屬層和第二單金屬層構成一個周期的金屬混合層；繼續(xù)重復沉積上述金屬混合層四個周期；再沉積厚度為50nm的Pt作為第二功能金屬層，形成如圖2中n型半導體層電極8。4)在p型Zn0層表面第二次勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，出現(xiàn)具有光刻圖形的p型半導體層；將樣品放入電子束蒸發(fā)真空室，生長室抽至合適真空度，然后在P型ZnO層上如圖4先沉積厚度為lOnm的鎳Ni作為第一功能金屬層，再轉(zhuǎn)動坩堝沉積金屬混合層，金屬混合層的第一單金屬層是厚度為5nm的Pt如圖4中單金屬層Ptl6，金屬混合層的第二單金屬層是厚度為5nm的Ni如圖4中單金屬層Nil8，重復沉積金屬混合層四個周期；再沉積厚度為50nm的Pt作為第二功能金屬層，形成如圖2中p型半導體層電極9。第一功能金屬層在電極和半導體層之間起更好的粘結作用，第二功能金屬層可進一步降低比接觸電阻率。5)將沉積完電極的LED樣品放入快速退火爐在N2氣氛中60(TC快速退火60s，獲得如圖3和圖4中所示結構的LED電極結構。具體地說，在圖3中電極包括四個周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積，每個周期的金屬混合層是由第一單金屬層如圖3中單金屬層Ptl6和第二單金屬層如圖3中單金屬層Til7組成的，單金屬層自下而上依次沉積。在圖4中電極包括四個周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積，每個周期的金屬混合層是由第一單金屬層如圖4中單金屬層Ptl6和第二單金屬層如圖4中單金屬層Nil8組成的，單金屬層自下而上依次沉積。如果電極只有兩個周期的金屬混合層，則在步驟3)和步驟4)中只要重復沉積金屬混合層兩個周期。表1示出了在N2氣氛中分別在400°C、500°C、600°C、650°C、700°C快速退火60s的各情況下得到的具有本發(fā)明金屬混合層組成的P型半導體層電極和具有單種金屬單層組成的p型半導體層電極的比接觸電阻率的比較結果。表l中A表示具有本發(fā)明金屬混合層組成的P型半導體層電極，表1中B表示現(xiàn)有技術中具有單種金屬單層組成的p型半導體層電極。表l顯示，本發(fā)明金屬混合層組成的P型半導體層電極具有更低的比接觸電阻率。從表1中可以得出在N2氣氛中60(TC快速退火60s具有最低比接觸電阻率的LED電極，具體地說，在退火溫度為500°C_6501:時電極具有較低的比接觸電阻率。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實施例2:按以下步驟制備本發(fā)明一種LED電極結構，具體如下l)燒結陶瓷靶制備純ZnO陶瓷耙稱量純ZnO粉末32克，將純ZnO粉末球磨壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到純的ZnO陶瓷耙；制備摻有Ga的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶稱量純ZnO粉末28.48克、MgO粉末6.05克，Ga203粉末1.03克，將ZnO、MgO、Ga203粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在10001300°C溫度下燒結得到摻有Ga的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶，Ga的摩爾百分含量為2%;制備Zn。.7Mg。.30陶瓷耙稱量純ZnO粉末28.48克、MgO粉末6.05克，將純ZnO、MgO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到Zn。.7Mg。.30陶瓷靶；制備Zn。.e5Mg。.^0陶瓷靶稱量純ZnO粉末26.448克、MgO粉末7.053克，將純ZnO、MgO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到Zn。.65Mg。.350陶瓷靶；制備摻有Na的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶稱量純ZnO粉末28.48克、MgO粉末6.05克，Na2C03粉末0.584克，將ZnO、MgO、Na2C03粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到摻有Na的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶，Na的摩爾百分含量為2%;制備摻有Na的ZnO陶瓷靶稱量純ZnO粉末38克、Na2C03粉末0.5克，將ZnO、Na2C03粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000130(TC溫度下燒結得到摻有Na的ZnO陶瓷靶，其中Na的摩爾百分含量為2%;2)沉積薄膜石英基底在酒精中超聲清洗30分鐘，用氮氣吹干后待用，將燒結得到的純ZnO陶瓷靶、摻有Ga的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶、2%71%。.30陶瓷靶、Zn。iMg。.』陶瓷靶、摻有Na的Zn。.7Mg。.30陶瓷靶、摻有Na的ZnO陶瓷靶和已經(jīng)預處理過的石英基底放入脈沖激光沉積系統(tǒng)的生長室中，生長室真空度抽至10—3Pa以下，基底加熱升溫到35070(TC，生長室通入02氣體，控制壓強為0.150Pa，激光能量為200350mJ，頻率310Hz。依次轉(zhuǎn)換使用的所述靶材，生長時所用的靶材與基底之間的距離保持在46cm，在石英基底如圖1中基底1的一面上自下而上依次使用純ZnO陶瓷靶沉積基底過渡層如圖1中基底過渡層2，使用摻有Ga的ZnuMguO陶瓷靶沉積n型ZnuMguO層如圖1中第一n型半導體層3，使用Zn。.7Mg。.30陶瓷靶沉積n型Zn。.7Mg。.30層如圖1中n型過渡層4，交替使用Zn。.65Mg。.350陶瓷耙和純ZnO陶瓷耙生長16個周期的Zn。.65Mg。.350(9nm)/Zn0(5nm)多量子阱層如圖1中的第一多量子阱層5，使用摻有Na的Zn。.7MguO陶瓷靶沉積p型Zn。.7Mg。.30層如圖1中的第一多量子阱過渡層6，使用摻有Na的ZnO陶瓷靶沉積p型ZnO層如圖1中的第一p型半導體層7，得到ZnO基多量子阱發(fā)光二極管的原型器件。3)在n型半導體的表面第一次勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，出現(xiàn)具有光刻圖形的n型半導體層；將樣品放入電子束蒸發(fā)真空室，生長室抽至合適真空度，然后如圖5在n型半導體上先沉積厚度為15nm的Ti作為第一功能金屬層，再轉(zhuǎn)動坩堝沉積金屬混合層，金屬混合層的第一單金屬層是厚度為5nm的金Au如圖5中單金屬層Aul9，金屬混合層的第二單金屬層是厚度為5nm的Pt如圖5中單金屬層Ptl6，金屬混合層的第三單金屬層是厚度為5nm的Ti如圖5中單金屬層Til7，重復沉積金屬混合層三個周期；再依次沉積厚度為20nm的Au和厚度為20nm的Pt作為第二功能金屬層，形成如圖1中n型半導體層電極8。4)在p型半導體層表面第二次勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，出現(xiàn)具有光刻圖形的p型半導體層；將樣品放入電子束蒸發(fā)真空室，生長室抽至合適真空度，然后如圖6在p型ZnO層上先沉積厚度為15nm的Ni作為第一功能金屬層，再轉(zhuǎn)動坩堝沉積金屬混合層，金屬混合層的第一單金屬層是厚度為5nm的Au如圖6中單金屬層Aul9，金屬混合層的第二單金屬層是厚度為5nm的Pt如圖6中單金屬層Ptl6，金屬混合層的第三單金屬層是厚度為5nm的Ni如圖6中單金屬層Nil8，重復沉積金屬混合層三個周期；再依次沉積厚度為20nm的Au和厚度為20nm的Pt作為第二功能金屬層，形成如圖1中p型半導體層電極9。具體地說，在圖5中電極包括三個周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積，每個周期的金屬混合層是由第一單金屬層如圖5中單金屬層Aul9、第二單金屬層如圖5中單金屬層Ptl6和第三單金屬層如圖5中單金屬層Til7組成的，單金屬層自下而上依次沉積。在圖6中電極包括三個周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積，每個周期的金屬混合層是由第一單金屬層如圖6中單金屬層Aul9、第二單金屬層如圖6中單金屬層Ptl6和第三單金屬層如圖6中單金屬層Nil8組成的，單金屬層自下而上依次沉積。如果電極只有兩個周期的金屬混合層，則在步驟3)和步驟4)中只要重復沉積金屬混合層兩個周期；如果電極同一周期的金屬混合層中互不相鄰的單金屬層的金屬相同，則在本實施例的步驟3)和步驟4)中圖5中單金屬層Aul9金屬種類變?yōu)門i，圖6中單金屬層Aul9金屬種類變?yōu)镹i。在N2氣氛中60(TC快速退火50s，獲得比接觸電阻率為5.83X10—6的LED電極。實施例3LED樣品制備、光刻工藝和金屬沉積過程同實施例1，將沉積完電極的LED樣品放入快速退火爐^氣氛中65(TC快速退火150s，獲得比接觸電阻率為1.31X10—5的LED電極。權利要求一種LED電極結構，其特征在于該電極包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構，其特征在于所述每個周期的金屬混合層含有三層單金屬層，同一周期的金屬混合層中互不相鄰的單金屬層的金屬相同。3.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構，其特征在于所述每個周期的金屬混合層含有三層單金屬層，所述三層單金屬層的金屬互不相同。4.一種具有權利要求1的電極結構的LED，其特征在于它包括基底，在所述基底的一面上自下而上依次沉積有基底過渡層、n型半導體層、n型過渡層、多量子阱層、多量子阱過渡層、P型半導體層，所述n型半導體層上還沉積有n型半導體層電極，所述p型半導體層還沉積有P型半導體層電極；所述n型半導體層電極和p型半導體層電極均包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。5.—種具有權利要求1的電極結構的LED，其特征在于它包括n型單晶基底，在所述n型單晶基底的一面上自下而上依次沉積n型單晶基底緩沖層、n型單晶基底過渡層、多量子阱層、多量子阱過渡層、P型半導體層，所述n型單晶基底的另一面上沉積有n型半導體層電極，所述P型半導體層還沉積有P型半導體層電極；所述n型半導體層電極和p型半導體層電極均包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。6.—種權利要求1的LED電極的制備方法，其特征在于包括如下步驟(a)在n型半導體層表面依次進行勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，形成具有光刻圖形的n型半導體層；(b)將具有光刻圖形的n型半導體層放入真空室，轉(zhuǎn)動靶材或者坩堝依次沉積第一周期的金屬混合層中的各單金屬層，所述單金屬層有兩層以上，且相鄰的單金屬層的金屬不同；接著至少再沉積一個周期的金屬混合層，形成n型半導體層電極；(c)在p型半導體層表面依次進行勻膠、前烘、光刻、顯影、后烘，形成具有光刻圖形的p型半導體層；(d)將具有光刻圖形的p型半導體層放入真空室，轉(zhuǎn)動靶材或者坩堝依次沉積第一周期的金屬混合層中的各單金屬層，所述單金屬層有兩層以上，且相鄰的單金屬層的金屬不同；接著至少再沉積一個周期的金屬混合層，形成P型半導體層電極；(e)將具有所述n型半導體層電極和p型半導體層電極的LED器件進行快速退火。7.根據(jù)權利要求6所述的LED電極的制備方法，其特征在于所述n型半導體層為n型單晶基底。8.根據(jù)權利要求6所述的LED電極的制備方法，其特征在于在步驟(b)中，在具有光刻圖形的n型半導體層上先沉積第一功能金屬層，再在第一功能金屬層上沉積金屬混合層，在n型半導體層的最后一個周期的金屬混合層上沉積第二功能金屬層；和/或在步驟(d)中，在具有光刻圖形的p型半導體層上先沉積第一功能金屬層，再在第一功能金屬層上沉積金屬混合層，在P型半導體層的最后一個周期的金屬混合層上沉積第二功能金屬層。9.根據(jù)權利要求6或8所述的一種LED電極的制備方法，其特征在于所述快速退火是在氮氣氣氛中進行，退火溫度為400°C_7001:，退火時間為50-150s。10.根據(jù)權利要求9所述的一種LED電極的制備方法，其特征在于所述退火溫度為500°C-650°C。全文摘要本發(fā)明公開了一種LED電極結構及其制備方法，屬于光電子器件
技術領域：
。該電極包括兩個以上周期的金屬混合層，所述金屬混合層之間依次沉積；所述每個周期的金屬混合層含有依次沉積的兩層以上的單金屬層，同一周期的相鄰的單金屬層的金屬不同。本發(fā)明LED電極結構采用金屬混合層比現(xiàn)有技術采用單種金屬單層具有更低的比接觸電阻率；適用于多種薄膜生長技術完成的p型半導體層和n型半導體層；可采用多種儀器實現(xiàn)電極生長。文檔編號H01L33/40GK101702423SQ20091015325公開日2010年5月5日申請日期2009年10月29日優(yōu)先權日2009年10月29日發(fā)明者葉志鎮(zhèn),薛雅,黃靖云申請人:杭州蘭源光電材料有限公司