專利名稱：：用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置及加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體工藝期間用以承載半導(dǎo)體晶片的裝置，且特別涉及可于高熱應(yīng)力工藝中維持均勻晶片溫度的晶片承載裝置(waferholdingapparatus)及方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體集成電路(IC)的制造一般包括許多需升高晶片溫度以進(jìn)行所需步驟的工藝技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、干蝕刻(dryetching)、或其他工藝技術(shù)。對(duì)于公知晶片承載裝置而言，通常會(huì)利用包括加熱裝置(heatingelement)的靜電吸座(electrostaticchunk)以將半導(dǎo)體晶片支撐于固定位置，并于各種工藝期間將產(chǎn)生自加熱裝置的熱能轉(zhuǎn)移至晶片。圖1顯示公知用作晶片承載與加熱裝置的偶極型靜電吸座(dipole-typeelectrostaticchunk)10。靜電吸座10包括埋置于晶片支撐臺(tái)座(wafersupportingstage)中的一對(duì)或多對(duì)的電極12，晶片支撐臺(tái)座一般包括由熱傳導(dǎo)介電材料(例如導(dǎo)熱陶瓷)所制成的底座表面(mountingsurface)15。當(dāng)于電極12之間施加交流電壓時(shí)，通常會(huì)于晶片基底18中誘發(fā)反極性電荷(reversepolaritycharge)。因此，可使用產(chǎn)生于晶片基底與電極之間的力量將晶片基底18靜電吸引(electrostaticallyattracted)至支撐臺(tái)座。也使用加熱電路以提供電力至支撐臺(tái)座而加熱靜電吸座10的底座表面15。底座表面15與承載于其上的晶片基底18之間接著發(fā)生熱能轉(zhuǎn)移，以使晶片基底18到達(dá)適于進(jìn)行下一段工藝的所需溫度范圍。然而，公知的靜電吸座具有下述問(wèn)題。第一，在晶片制造工藝期間，例如CVD或摻雜(impuritydoping)工藝，半導(dǎo)體晶片可能被升溫至80(TC或更高的溫度等級(jí)。在如此高溫范圍中進(jìn)行工藝的晶片可能遭受重大的熱應(yīng)力，其通常造成晶片弓起(bowing)或彎曲(warping)，如圖1所示。此問(wèn)題造成晶片基底18于弓起或彎曲發(fā)生之處失去與底座表面15的直接緊靠接觸(directabuttingcontact)。由底座表面15所產(chǎn)生的熱能中，有相當(dāng)多部分會(huì)轉(zhuǎn)移至晶片與底座表面15接觸的位置，但不會(huì)轉(zhuǎn)移至晶片基底18的弓起或彎曲部分，造成晶片基底18中的溫度更為不均勻。此外，就對(duì)電極12施加交流電壓的系統(tǒng)而言，當(dāng)晶片被吸住時(shí)，電荷會(huì)累積于晶片基底18的背表面中，而所累積的電荷會(huì)使自吸座分離基底變得困難。再者，雖然通過(guò)交流電壓運(yùn)行的靜電吸座對(duì)承載于其上的晶片基底施加一吸附力，但吸附力一般對(duì)晶片基底中由不均勻熱分布所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力(mechanicalstress)不適應(yīng)。結(jié)果，當(dāng)累積于晶片基底中的機(jī)械應(yīng)力超出臨界點(diǎn)(criticalpoint)時(shí)，晶片基底可能產(chǎn)生裂縫或毀壞。再者，在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域中，增加晶片直徑的趨勢(shì)仍持續(xù)，以致力于增加半導(dǎo)體制造的產(chǎn)能，并抵消先進(jìn)工藝技術(shù)中所需負(fù)擔(dān)的昂貴工藝設(shè)備成本。如上所述的不均勻熱分布可能于尺寸較大的晶片基底中產(chǎn)生更大的機(jī)械應(yīng)力，其造成弓起或彎曲現(xiàn)象更趨嚴(yán)重。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，包括導(dǎo)熱層，設(shè)置于支撐基座上，導(dǎo)熱層耦接至加熱電路；多個(gè)孔洞，穿過(guò)導(dǎo)熱層及支撐基座；以及多個(gè)導(dǎo)熱支撐桿，耦接至加熱電路且延伸穿過(guò)孔洞并超出導(dǎo)熱層，每一導(dǎo)熱支撐桿具有頂端，用以與晶片直接接觸。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，包括導(dǎo)熱層，設(shè)置于支撐基座上，導(dǎo)熱層耦接至加熱電路；固定夾承載環(huán)，固定于支撐基座的邊緣上；多個(gè)晶片基底固定夾，連接至固定夾承載環(huán)；以及控制電路，耦接至晶片基底固定夾，使晶片基底固定夾夾緊或松開。本發(fā)明又一實(shí)施例提供一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的加熱器，包括導(dǎo)熱層，設(shè)置于支撐基座上，導(dǎo)熱層耦接至加熱電路；多個(gè)第一孔洞，穿過(guò)導(dǎo)熱層，多個(gè)第一孔洞分布于導(dǎo)熱層中靠近中心的內(nèi)區(qū)，以及分布于導(dǎo)熱層中靠近邊緣的外區(qū)；第一真空源，連接至內(nèi)區(qū)中的孔洞；以及第二真空源，連接至外區(qū)中的孔洞。本發(fā)明能夠使晶片在制造過(guò)程中保持基底溫度均勻一致，不會(huì)造成弓起或彎曲現(xiàn)象產(chǎn)生，提高產(chǎn)品良率及降低制造成本。圖1顯示公知的偶極型靜電吸座。圖2A、圖2B、圖3、圖4A及圖4B顯示本發(fā)明實(shí)施例的剖面圖。圖5顯示本發(fā)明實(shí)施例的平面圖。圖6A-圖6B分別顯示本發(fā)明實(shí)施例的剖面圖及平面圖。圖7A-圖7B分別顯示本發(fā)明實(shí)施例的剖面圖及平面圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下10靜電吸座；12~電極；15底座表面；18、50~晶片基底；20、120、150晶片承載裝置；22導(dǎo)熱層(或稱"晶片承載表面")；30支撐基座；28~支撐桿；32、132~孔洞;23、24、75彈性彈簧；21加熱電路；40升降平臺(tái)；42、62~圓柱；25吸附電極；26直流或交流吸附電壓源；43、143較內(nèi)區(qū)；45、145~較外區(qū)；65~固定夾；78固定夾承載環(huán)；65a緊固物；81控制電路。具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明將以晶片承載裝置及方法為例作敘述，其可于包含提高晶片溫度的工藝中維持均勻的晶片基底溫度分布，工藝?yán)缡腔瘜W(xué)氣相沉積、雜質(zhì)摻雜、快速熱工藝(rapidthermalprocess,RTP)、退火(ammeal)、和/或金屬沉積。在較佳實(shí)施例中，可對(duì)各種不同尺寸的晶片基底加熱，使晶片基底達(dá)到一致的溫度分布以進(jìn)行所需工藝。較佳實(shí)施例也可提供適應(yīng)于產(chǎn)生于晶片基底中的機(jī)械應(yīng)力的承載機(jī)制，使得在升高的溫度工藝期間所產(chǎn)生于晶片基底中的熱致(heat-induced)機(jī)械應(yīng)力可于溫度減低的工藝中釋放。應(yīng)注意的是，雖然本發(fā)明以特定實(shí)施例作描述，然應(yīng)可了解本發(fā)明不受限于這些實(shí)施例，許多修飾或變化可在不脫離實(shí)施例所界定的本發(fā)明的范圍與精神的情形下進(jìn)行。例如，可于其他半導(dǎo)體工藝中使用本發(fā)明的實(shí)施例，其中為了工藝的進(jìn)行，需使半導(dǎo)體工作物件(workingpiece)具有均勻的熱分布。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其顯示晶片承載裝置20，包括導(dǎo)熱層(heat-conductivelayer)22。導(dǎo)熱層22設(shè)置于支撐基座30上，導(dǎo)熱層22的上表面形成了一晶片承載表面。因此，在以下的敘述中，導(dǎo)熱層22有時(shí)也稱作晶片承載表面22。導(dǎo)熱層22可包括廣大范圍的材料。在一實(shí)施例中，導(dǎo)熱層22包括介電材料，例如氮化鋁和/或熱分解氮化硼(pyrolyticboronnitride)。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)熱層22包括導(dǎo)電材料，例如熱分解石墨(pyrolyticgraphite)。多個(gè)支撐桿(liftpins)28延伸穿過(guò)形成于導(dǎo)熱層22與支撐基座30中的孔洞32。支撐桿28由類似于用以形成導(dǎo)熱層22的導(dǎo)熱材料制成，例如是氮化鋁、熱分解氮化硼、和/或熱分解石墨。每一支撐桿28由連接至支撐基座30上的彈性彈簧23所支撐。加熱電路21用以提供電力至晶片承載表面22(或?qū)釋?2)及支撐桿28以加熱放置于晶片承載表面22上的晶片基底(未顯示)，使得晶片基底到達(dá)適合進(jìn)行工藝所需的溫度范圍。在一實(shí)施例中，晶片基底經(jīng)歷CVD工藝，在此工藝期間溫度提升至高于800°C。在如此高的工藝溫度下，一般會(huì)于晶片基底中形成顯著的熱應(yīng)力，其可能造成晶片基底弓起或彎曲。圖2B顯示另一較佳實(shí)施例，其中每一支撐桿28皆由連接至升降平臺(tái)(lifttable)40的彈性彈簧24所支撐。升降平臺(tái)40懸掛自一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(rotationmotor)及圓柱42的頂端，其中圓柱42通過(guò)一升降馬達(dá)模塊(liftmotorassembly)而軸向調(diào)動(dòng)(axiallytranslated)。支撐桿28的其余部分通過(guò)將升降平臺(tái)40放置于適當(dāng)位置而可軸向調(diào)整。在其他實(shí)施例中，升降平臺(tái)40可固定于(fastenedto)支撐基座30。在一較佳實(shí)施例中，每一支撐桿28由密封的空氣圓筒所支撐，其中壓縮的空氣用以取代彈性彈簧。在較佳實(shí)施例中，支撐桿28可軸向地自由上下移動(dòng)。優(yōu)選地，當(dāng)晶片承載裝置20閑置時(shí)，支撐桿28的頂端(tips)突出于晶片承載表面22至一特定延伸量，使得當(dāng)將進(jìn)行工藝的晶片基底靜置于晶片承載表面22上時(shí)，晶片基底的重量將支撐桿28下壓，而使晶片基底與晶片承載表面22之間直接緊靠接觸。圖3顯示具有晶片基底50靜置于其上的晶片承載裝置20。晶片基底50的背面端與晶片承載表面22及支撐桿28直接緊靠接觸。選擇性地，當(dāng)晶片承載裝置20于等離子體反應(yīng)室(plasmareactorchamber)中使用時(shí)(例如是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積工具，PEVCD)，導(dǎo)熱層22中也可裝入一薄平面吸附電極(thinplanarchuckingelectrode)25或?qū)щ娋W(wǎng)格(conductivegrid),其耦接至一直流或交流吸附電壓源(DCoralternatingchuckvoltagesource)26，形成直流形式(DC-type)或偶極形式(dipole-type)的靜電吸附結(jié)構(gòu)。對(duì)吸附電極25施加大直流電壓將產(chǎn)生大靜電力，其將晶片保持在晶片承載表面22上。當(dāng)交流電壓施加于吸附電極25之間時(shí)，一般會(huì)于晶片基底50的背側(cè)誘發(fā)反極性電荷(reversepolaritycharge)。因此，晶片基底50通過(guò)產(chǎn)生于晶片基底50與吸附電極25之間的靜電力而被吸引至晶片承載表面22。應(yīng)注意的是，雖然上述較佳實(shí)施例與CVD工藝設(shè)備有關(guān)，此領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可明白，較佳實(shí)施例也可應(yīng)用于其他有提升晶片溫度需求的晶片制造工藝及設(shè)備中，例如使用熱夾盤(hotchuck)的快速熱工藝(RTP)、熱退火工藝(例如硅化工藝，silicidation)、金屬沉積工藝、雜質(zhì)摻雜(impuritydoping)工藝、及其他相似工藝，在不脫離本發(fā)明的特定較佳實(shí)施例所界定的本發(fā)明范圍及精神下，皆可據(jù)以實(shí)施。8圖4A-圖4B共同用以說(shuō)明當(dāng)熱應(yīng)力發(fā)生時(shí)，晶片基底50可能發(fā)生的弓起及彎曲。附圖中弓起及彎曲效應(yīng)被夸大以便于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例所能達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)。如圖4A-圖4B所示，當(dāng)因?yàn)榫墓鸹驈澢箍諝忾g隔或間隙(airgap)形成于晶片基底50與晶片承載表面22之間時(shí)，連接至壓縮彈簧的支撐桿28將向上延伸于晶片承載表面22之上，使得支撐桿28的頂端仍與晶片基底50的背面端直接接觸。因?yàn)橹螚U28借著耦接至用以加熱晶片承載表面22的供應(yīng)電路(supplyelectricity)而也被加熱，所以晶片基底50可借著支撐桿28而連續(xù)地受熱，即使在與晶片承載表面22的直接緊靠接觸因晶片弓起或彎曲而失去之后。因此，導(dǎo)致晶片基底50的均勻溫度分布。圖5顯示一較佳實(shí)施例的晶片承載裝置20的平面圖，其包括多個(gè)支撐桿28，以同心圓的樣式分布于一較內(nèi)區(qū)43及一較外區(qū)45。應(yīng)注意的是，顯示于圖5中的支撐桿28的圖案僅用以說(shuō)明舉例，不可用以限制其圖案。在實(shí)際應(yīng)用中，可將晶片承載裝置20形成為包括多種支撐桿28圖案，取決于將進(jìn)行工藝的晶片基底50的尺寸、所需工藝溫度、及不明顯影響良率下所需的工藝溫度均勻度。然應(yīng)注意的是，支撐桿28的尺寸及支撐桿28的密度可沖擊晶片基底50與晶片承載表面22之間直接緊靠接觸的緊靠程度，因而于晶片基底50上提供一致的溫度分布。在較佳實(shí)施例中，支撐桿28的尺寸(例如，直徑)較佳介于晶片尺寸的約1/100至約1/10之間。支撐桿28的密度，以桿與桿之間的間距(pin-to-pinpitch)界定，可將之最佳化而于具有數(shù)種材料及尺寸的晶片基底上提供一致的溫度分布，密度(指桿與桿之間的間距)較佳介于晶片尺寸(例如，直徑)的約1/50至約1/10之間。在較佳實(shí)施例中，形成于晶片承載裝置上的支撐桿的數(shù)目介于僅很少數(shù)至超出一百個(gè)之間，例如可介于九個(gè)至一百個(gè)之間，取決于將進(jìn)行工藝的晶片基底的尺寸、所需工藝溫度、及不明顯影響良率下所需的工藝溫度均勻度。以圖5為例，具有八個(gè)支撐桿于較內(nèi)區(qū)43及八個(gè)支撐桿于較外區(qū)45的晶片承載裝置可用于直徑四英寸的三-五族半導(dǎo)體晶片(III-Vsemiconductorwafer)的工藝中。在其他實(shí)施例中，具有一百個(gè)支撐桿的晶片承載裝置可用來(lái)進(jìn)行十二英寸硅晶片(twelve-inchsiliconwafer)工藝。也應(yīng)注意的是，施加于吸附電極25的直流或交流吸附電壓可經(jīng)由控制電路而有所變化，因而形成在晶片基底50與吸附電極25之間的靜電力可連續(xù)變化或間歇地開啟及關(guān)閉，適于具有不同熱應(yīng)力程度的工藝。例如，在有一致溫度分布高度需求的高溫工藝期間，可于晶片基底50與吸附電極25之間形成大靜電力，使晶片基底50與晶片承載表面22之間依需求而直接緊靠接觸。然而，可通過(guò)調(diào)整施加于吸附電極25的直流或交流吸附電壓而減少形成于晶片基底50與吸附電極25之間的靜電力，因而可快速地緩和或釋放產(chǎn)生于晶片基底50中的高機(jī)械應(yīng)力。圖6A-圖6B顯示另一較佳實(shí)施例的晶片承載裝置120的剖面示意圖及平面示意圖。晶片承載裝置120包括導(dǎo)熱層22，設(shè)置于支撐基座30上。導(dǎo)熱層22的頂表面形成一晶片承載表面。晶片承載裝置120還包括多個(gè)晶片基底固定夾65，固定于固定夾承載環(huán)(dampersupportingring)78，固定夾承載環(huán)78固定在支撐基座30的邊緣。固定夾65可于一鎖緊與一開啟位置(lockedandunlockedposition)之間水平旋轉(zhuǎn)以將晶片基底50固定于導(dǎo)熱層22(或稱晶片承載表面22)上?；蛘?，固定夾65可于一鎖緊與一開啟位置之間下降或上升。加熱電路用以提供電力至晶片承載表面22以加熱承載于其上的晶片基底50，使晶片基底50到達(dá)適合進(jìn)行工藝的溫度范圍。選擇性地，支撐基座30可固定于升降平臺(tái)40上，升降平臺(tái)40懸掛自一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(rotationmotor)或圓柱62的頂端，其中圓柱62通過(guò)一升降馬達(dá)模塊而軸向調(diào)動(dòng)。每一固定夾65可借著緊固物(fastener)65a而于一端連接至固定夾承載環(huán)78上。固定夾65用以在有一致溫度分布高度需求的高溫工藝期間，確保晶片基底50與晶片承載表面22之間的直接緊靠接觸。然而，彈性彈簧75可通過(guò)控制電路81而撤開或松開，使晶片基底50的邊緣上的夾置力(clampingforce)可立即解除或緩和。換言之，在一些實(shí)施例中，彈性彈簧75可具有一機(jī)電構(gòu)件(electromechanicalcomponent),例如是電磁鐵(electromagnent)或可包括于電場(chǎng)或電流存在時(shí)會(huì)變形的材料。因此，在高溫工藝期間產(chǎn)生于晶片基底50中的高機(jī)械應(yīng)力可借著移除晶片基底50上的夾置力而快速地緩和或釋放。在較佳實(shí)施例中，固定夾65中的彈性彈簧75間歇性地壓縮與釋放(activatedanddeactivated),適于具有不同熱應(yīng)力程度的工藝。例如，在有一致溫度分布高度需求的高溫工藝期間，將固定夾65啟動(dòng)以確保晶片基底50與晶片承載表面22之間的直接緊靠接觸。此后，因而形成于晶片基底50中10的高機(jī)械應(yīng)力可通過(guò)松開固定夾65而快速地舒緩或釋放，因而移除晶片基底50上的夾置力。在一些實(shí)施例中，固定夾65可與支撐桿28(例如，顯示于圖4A及圖4B)結(jié)合使用，可更靈活地控制對(duì)晶片基底50的熱傳。圖7A-圖7B顯示另一較佳實(shí)施例的晶片承載裝置150的剖面及平面示意圖。晶片承載裝置150包括導(dǎo)熱層22。導(dǎo)熱層22設(shè)置于支撐基座30上，其中導(dǎo)熱層22的頂表面形成一晶片承載表面，因此標(biāo)號(hào)22也指晶片承載表面。此領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可明白，也可采用升降平臺(tái)40(例如圖4A所示)于圖7A所示的實(shí)施例中。較佳使用加熱電路(未顯示)以提供電力至晶片承載表面22(即導(dǎo)熱層22)，并對(duì)放置于其上的晶片基底50加熱，使晶片基底50在適于進(jìn)行工藝的所需溫度范圍內(nèi)到達(dá)一致的溫度分布。導(dǎo)熱層22及支撐基座30中形成有多個(gè)貫穿的孔洞132。孔洞132較佳以同心圓的樣式分布于一較內(nèi)區(qū)143及一較外區(qū)145。在承載基座30背面端的較內(nèi)區(qū)143及較外區(qū)145可連接至相同或分離的真空源(vacuumsources)。當(dāng)一個(gè)或多個(gè)真空源開啟時(shí)，吸力(attractiveforce)形成于晶片承載表面22上，可固定其上的晶片基底50以進(jìn)行所需工藝。在此實(shí)施例中，在較內(nèi)區(qū)143及較外區(qū)145的真空吸力可借著真空源控制電路而間歇地開啟或關(guān)閉。例如，在有一致溫度分布高度需求的高溫工藝期間，可開啟所有的真空源以確保晶片基底50與晶片承載表面22之間的直接緊靠接觸。此后，可借著關(guān)閉一個(gè)或更多個(gè)真空源而使吸力快速地緩和，允許產(chǎn)生于晶片基底50中的高機(jī)械應(yīng)力得以快速地緩和或釋放。形成于晶片承載表面22上的孔洞132的尺寸(例如，直徑)及孔洞132的密度可沖擊晶片基底50與晶片承載表面22之間直接緊靠接觸的緊靠程度，因而于晶片基底50上提供一致的溫度分布。在較佳實(shí)施例中，孔洞132的尺寸(例如，直徑)較佳介于晶片尺寸的約1/100至約1/10之間?？锥?32的密度，以洞與洞之間的間距(hole-to-holepitch)界定，可將之最佳化以對(duì)具有數(shù)種材料及尺寸的晶片基底進(jìn)行工藝，其較佳介于晶片尺寸(例如，直徑)的約1/50至約1/10之間。在較佳實(shí)施例中，形成于晶片承載裝置上的孔洞的數(shù)目介于僅很少數(shù)至超出一百個(gè)之間，取決于將進(jìn)行工藝的晶片基底的尺寸、所需工藝溫度、及不明顯影響良率下所需的工藝溫度均勻度。例如，具有八個(gè)孔洞于晶片承載表面22上的晶片承載裝置可用于直徑四英寸的三-五ii族半導(dǎo)體晶片(III-Vsemiconductorwafer)的工藝中。在其他實(shí)施例中，具有一百個(gè)孔洞于晶片承載表面22上的晶片承載裝置可用來(lái)進(jìn)行十二英寸硅晶片制造工藝。圖7B所示實(shí)施例中，孔洞132組成四個(gè)同心圓，此領(lǐng)域普通技術(shù)人員由此當(dāng)可明白，通過(guò)重復(fù)性的試驗(yàn)可獲得許多孔洞在尺寸、圖案、及放置方式上的變化。雖然本發(fā)明較佳實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已詳細(xì)介紹，然應(yīng)可了解的是，各種變化、取代、及修改皆可在不脫離所附權(quán)利要求所界定的發(fā)明精神與范圍下進(jìn)行。例如，此領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可明白，根據(jù)上述的本發(fā)明較佳實(shí)施例，可在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，變化、取代、及修改實(shí)施例中的元件、材料、及結(jié)構(gòu)以形成更多型態(tài)的晶片承載裝置。雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，包括一導(dǎo)熱層，設(shè)置于一支撐基座上，該導(dǎo)熱層耦接至一加熱電路；多個(gè)孔洞，穿過(guò)該導(dǎo)熱層及該支撐基座；以及多個(gè)導(dǎo)熱支撐桿，耦接至該加熱電路且延伸穿過(guò)該孔洞并超出該導(dǎo)熱層，每一所述導(dǎo)熱支撐桿具有一頂端，用以與一晶片直接接觸。2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，其中每一所述導(dǎo)熱支撐桿由設(shè)置于該支撐基座上的一彈性彈簧所支撐。3.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，其中每一所述導(dǎo)熱支撐桿由設(shè)置于一升降平臺(tái)上的一彈性彈簧所支撐，該升降平臺(tái)懸掛自一升降馬達(dá)模塊的頂端。4.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括一薄平面吸附電極，設(shè)置于該導(dǎo)熱層中，該薄平面吸附電極耦接至一直流電壓源。5.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括一薄平面吸附電極，設(shè)置于該導(dǎo)熱層中，該薄平面吸附電極耦接至一交流電壓源。6.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括多個(gè)第二孔洞，穿過(guò)該導(dǎo)熱層，所述多個(gè)第二孔洞連接至一個(gè)或更多個(gè)真空源，提供吸力以將該晶片固定在該導(dǎo)熱層上。7.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括多個(gè)晶片基底固定夾，固定在該支撐基座的一邊緣上。8.—種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，包括一導(dǎo)熱層，設(shè)置于一支撐基座上，該導(dǎo)熱層耦接至一加熱電路；一固定夾承載環(huán)，固定于該支撐基座的一邊緣上；多個(gè)晶片基底固定夾，連接至該固定夾承載環(huán)；以及一控制電路，耦接至所述晶片基底固定夾，使所述多個(gè)晶片基底固定夾夾緊或松開。9.如權(quán)利要求8所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，其中每一所述晶片基底固定夾包括一彈性彈簧。10.如權(quán)利要求8所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置，還包括多個(gè)孔洞，穿過(guò)該導(dǎo)熱層；以及多個(gè)導(dǎo)熱支撐桿，耦接至該加熱電路，且延伸穿過(guò)所述孔洞并超出該導(dǎo)熱層，每一所述導(dǎo)熱支撐桿具有一頂端，用以與一晶片直接接觸。11.一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的加熱器，包括-一導(dǎo)熱層，設(shè)置于一支撐基座上，該導(dǎo)熱層耦接至一加熱電路；多個(gè)第一孔洞，穿過(guò)該導(dǎo)熱層，所述多個(gè)第一孔洞分布于該導(dǎo)熱層中靠近中心的一內(nèi)區(qū)，以及分布于該導(dǎo)熱層中靠近邊緣的一外區(qū)；一第一真空源，連接至該內(nèi)區(qū)中的所述孔洞；以及一第二真空源，連接至該外區(qū)中的所述孔洞。12.如權(quán)利要求11所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的加熱器，還包括一控制電路，用以分別開啟該第一真空源及該第二真空源。13.如權(quán)利要求ll所述的用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的加熱器，還包括多個(gè)第二孔洞，穿過(guò)該導(dǎo)熱層；以及多個(gè)導(dǎo)熱支撐桿，耦接至該加熱電路，且延伸穿過(guò)所述多個(gè)第二孔洞并超出該導(dǎo)熱層，每一所述導(dǎo)熱支撐桿具有一頂端，用以與一晶片直接接觸。全文摘要本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于半導(dǎo)體晶片制造工藝的晶片承載裝置及加熱器，該晶片承載裝置包括導(dǎo)熱層，設(shè)置于支撐基座上，導(dǎo)熱層耦接至加熱電路；多個(gè)孔洞，穿過(guò)導(dǎo)熱層及支撐基座；以及多個(gè)導(dǎo)熱支撐桿，耦接至加熱電路且延伸穿過(guò)孔洞并超出導(dǎo)熱層，每一導(dǎo)熱支撐桿具有頂端，用以與晶片直接接觸。本發(fā)明能夠使晶片在制造過(guò)程中保持基底溫度均勻一致，不會(huì)造成弓起或彎曲現(xiàn)象產(chǎn)生，提高產(chǎn)品良率及降低制造成本。文檔編號(hào)H01L21/683GK101645410SQ20091016032公開日2010年2月10日申請(qǐng)日期2009年8月7日優(yōu)先權(quán)日2008年8月8日發(fā)明者余振華,黃見翎申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司