專(zhuān)利名稱(chēng)：：拋光用組合物及拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在形成例如半導(dǎo)體器件的配線(xiàn)用的拋光中所使用的拋光用組合物，及使用該拋光用組合物的拋光方法。
背景技術(shù)：
：作為半導(dǎo)體器件的形成導(dǎo)體配線(xiàn)的方法，現(xiàn)在，以采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)的Damassin方法為主流。在形成導(dǎo)體配線(xiàn)之際，首先，在由設(shè)置在半導(dǎo)體基片上的絕緣體(伊J如Si02)組成的絕緣層上形成溝槽(配線(xiàn)槽)。接著，在絕緣層上形成由導(dǎo)體金屬(例如Cu)組成的導(dǎo)體層，以使其至少埋沒(méi)溝槽。其后，通過(guò)拋光去除位于溝槽之外的導(dǎo)體層部分。這樣殘留在絕緣層上的位于溝槽中的導(dǎo)體層部分具有導(dǎo)體配線(xiàn)的功能。在去除位于溝槽之外的導(dǎo)體層部分用的拋光中，一般使用含有磨粒、氧化劑、保^"膜形成劑等的拋光用組合物。第WO00/13217號(hào)國(guó)際專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)、特開(kāi)平8-83780公報(bào)及特開(kāi)平11-21546號(hào)公報(bào)所揭示的拋光用組合物中含有氨等氮化合物、苯并三唑及表面活'性劑等的保護(hù)膜形成劑。特開(kāi)平7-233485號(hào)公報(bào)所揭示的拋光用組合劑含有氨基乙酸等有豐幾酸和氧化劑。去除位于溝槽之外的導(dǎo)體層部分用的拋光，通過(guò)分為用高拋光效率對(duì)拋光對(duì)象物進(jìn)4亍預(yù)備拋光的工序和為得到良好的表面品質(zhì)對(duì)拋光對(duì)象物進(jìn)行精拋光的工序，以期達(dá)到高郊(率。使用預(yù)備拋光用的拋光用組合物的預(yù)備拋光和使用加工拋光用的拋光用組合物的精拋光通常用具有多個(gè)拋光定盤(pán)的一臺(tái)拋光裝置連續(xù)進(jìn)行。因此，精拋光用的拋光用組合物附著殘留在拋光裝置上，在下次的預(yù)備拋光中，該殘留的精拋光用組合物就會(huì)混入到預(yù)備拋光用的拋光用組合物中。一部分的精拋光用的拋光用組合物含有苯丙三唑或聚乙烯吡咯院酮等保護(hù)膜形成劑。若精拋光用的拋光用組合物混入到預(yù)備拋光用的拋光用組合物中，貝ij由于精拋光用的拋光用組合物中的保護(hù)膜形成劑的作用在導(dǎo)體層表面形成保護(hù)膜，所以大大地降低預(yù)備拋光時(shí)的拋光效率。還有，因?yàn)槊看尉珤伖庥玫膾伖庥媒M合物混入到預(yù)備拋光用的拋光用組合物的量不是一定的，所以每次預(yù)備拋光時(shí)的拋光效率的降低程度也不是一定的。這是預(yù)備拋光時(shí)的拋光效率產(chǎn)生偏差的原因。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種更合適地使用在形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)體配線(xiàn)用的拋光上的拋光用組合物，及使用該拋光用組合物的拋光方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種拋光用組合物。該拋光用組合物含有作為磨料的二氧化硅、選自多糖類(lèi)及聚乙烯醇中的至少一種的抑制降低劑，作為螯合劑的a-氨基酸、防腐劑和氧化劑，拋光用組合物中的所述抑制降低劑的含量為0.01~5質(zhì)量％，拋光用組合物中的所述防腐劑的含量為0.0001-0.02質(zhì)量％。。本發(fā)明還提供一種拋光方法，所述拋光方法包括配制所述拋光用組合物的工序；及為形成半導(dǎo)體器件的配線(xiàn)，用配制的拋光用組合物對(duì)拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的工序。圖1(a)~圖1(d)是對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的拋光方法進(jìn)行說(shuō)明用的拋光對(duì)象物的剖視圖。-具體實(shí)施例方式下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)半導(dǎo)體器件的導(dǎo)體配線(xiàn)的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)體配線(xiàn)的場(chǎng)合，首先，如圖1(a)所示，在具有溝槽12的絕緣層11上形成阻擋層13及導(dǎo)體層14。絕緣層11可以由Si02、SiOF及SiOC的任何一種形成。絕緣層11通過(guò)使用例如四乙氧基硅垸(TEOS)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)的化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成。溝槽12由例如已知的平板印刷技術(shù)及圖像蝕刻技術(shù)形成，以使其具有規(guī)定的設(shè)計(jì)圖案。阻擋層13先于導(dǎo)體層14形成，如每覆絕緣層ll的表面般地設(shè)置在絕緣層ll上，起著防止導(dǎo)體層14中的金屬原子向絕緣層11中擴(kuò)散的作用。阻擋層13由例如物理吸附、法(PVD)或CVD形成。希望阻擋層13的厚度與溝槽12的深度相比充分小。阻擋層13可以由例如氮化鉭等含鉭化合物、鉭或鉅合金形成，也可以由氮化鈦等含鈦化合物、鈦或豐太合金形成。將導(dǎo)體層14設(shè)置在阻擋層13上，以使其至少埋沒(méi)溝槽12。導(dǎo)體層14由例如PVD、CVD或電鍍形成。導(dǎo)體層14由鎢、銅、鋁等導(dǎo)體金屬形成。接著，用化學(xué)機(jī)械拋光去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14的部分及阻擋層13的部分。其結(jié)果，如圖1(d)所示，位于溝槽12中的阻擋層13的部分及導(dǎo)體層14的部分殘留在絕緣層11上，該殘留的導(dǎo)體層14部分具有作為導(dǎo)體配線(xiàn)15的功能。去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14部分及阻擋層13部分用的化學(xué)機(jī)械拋光通常包括第1~第3拋光工序。如圖1(b)所示，在第1拋光工序中，由化學(xué)機(jī)械拋光法去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14部分中的一部分。第1拋光工序中的拋光在阻擋層13露出之前結(jié)束。接著，如圖1(c)所示，在第2拋光工序中，由化學(xué)機(jī)械拋光法去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14部分中的另一部分，以使阻擋層13的上表面露出。最后，如圖l(d)戶(hù)萬(wàn)示，在第3拋光工序中，由化學(xué)機(jī)械拋光法去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14部分中的殘余部分及位于溝槽12之外的阻擋層13的部分，使絕緣層11的上表面露出。第1~第3拋光工序的化學(xué)機(jī)械拋光由一臺(tái)拋光裝置連續(xù)地進(jìn)行。拋光裝置具備支承拋光對(duì)象物用的支承臺(tái)和多個(gè)拋光定盤(pán)。支承臺(tái)具有多個(gè)分別固定拋光對(duì)象物的支承部，可轉(zhuǎn)動(dòng)地支承在拋光裝置上。各拋光定盤(pán)的表面張貼有對(duì)拋光對(duì)象物的表面進(jìn)行拋光用的拋光墊。用拋光裝置進(jìn)行拋光時(shí)，在將固定在支承臺(tái)上的拋光對(duì)象物按壓在拋光墊上的狀態(tài)下，一面向拋光墊供給拋光用組合物，一面使支承墊與拋光定盤(pán)相互轉(zhuǎn)動(dòng)。在第l拋光工序結(jié)束后，轉(zhuǎn)動(dòng)支承臺(tái)，將拋光對(duì)象物移動(dòng)到第2拋光工序的實(shí)施位置。第2拋光工序結(jié)束后，再次轉(zhuǎn)動(dòng)支承臺(tái)，將拋光對(duì)象物移動(dòng)到第3拋光工序的實(shí)施位置。本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物可以在第1~第3拋光工序任一個(gè)中使用，其中，理想的是，用于第1拋光工序中的拋光，即在用于去除位于溝槽12之外的導(dǎo)體層14部分的一部分的拋光。該拋光用組合物含有抑制降低劑、磨料及水。拋光用組合物所含的抑制降低劑具有，抑制由于像例如在第2拋光工序或第3拋光工序中用的拋光用組合物這樣的其他拋光用組合物的混入而導(dǎo)致對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力降低的作用。拋光用組合物所含的抑制降低劑是選自多糖類(lèi)及聚乙烯醇中的至少一種。多糖類(lèi)，可以是淀粉、支鏈淀粉及糖原等儲(chǔ)存多糖類(lèi)，也可以是纖維素、果膠、半纖維素等結(jié)構(gòu)多糖類(lèi)，也可以是苗霉多糖及艾魯西南(工》〉于:/)等細(xì)胞外多糖類(lèi)。其中，理想的是支鏈淀粉，因?yàn)槠湟种茖?duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物能力降低的作用強(qiáng)，且也具有使對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物能力穩(wěn)定化的作用。從強(qiáng)烈抑制對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力降低的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的抑制降低劑的含量，理想的是在0.01質(zhì)量％以上，更理想的是0.05質(zhì)量％以上。又從使對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力穩(wěn)定化的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的抑制降低劑的含量，理想的是在10質(zhì)量％以下，更理想的是5質(zhì)量％以下。拋光用組合物中的磨料起著對(duì)拋光對(duì)象物進(jìn)行機(jī)械拋光的作用。因?yàn)橐髵伖庥媒M合物所含的磨料對(duì)拋光用組合物進(jìn)行機(jī)械拋光的能力特別高，所以理想的是選自氧化鋁及二氧化硅中的至少一種，為了減少劃痕發(fā)生，提高拋光后的拋光對(duì)象物的表面品質(zhì)，理想的是選自氣相二氧化硅、氣相氧化鋁及膠體二氧化硅中的至少一種。從進(jìn)一步提高對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力的觀點(diǎn)看，由粒子密度禾口通過(guò)BET法測(cè)定的比表面積求得的磨料的平均粒徑，理想的是在10nm以上，更理想的是20nm以上。另一方面，從抑制磨料的凝聚提高拋光用組合物的分散穩(wěn)定性的觀點(diǎn)看，理想的是在200nm以下，更理想的是在120nm以下。將磨料的平均粒徑設(shè)定在所述范圍，對(duì)磨料為氣相二氧化硅與膠體二氧化硅等二氧化硅的場(chǎng)合特別有效。從進(jìn)一步提高對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的磨料含量，理想的是在0.1質(zhì)量％以上，更理想的是0.5質(zhì)量％以上。另一方面，從抑制磨料的凝聚提高拋光用組合物的分散穩(wěn)定性的觀點(diǎn)看，理想的是在10質(zhì)量％以下，更理想的是5質(zhì)量％以下。拋光用組合物所含的水起著使拋光用組合物中的水之外的成分溶解或分散的作用。理想的是水盡量不含雜質(zhì)以不妨礙其他成分作用。具體地說(shuō)，理想的是純水、超純水或蒸餾水。拋光用組合物還可以含有氧化劑。氧化劑具有通過(guò)氧化導(dǎo)體層14的表面，促進(jìn)磨$4對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行機(jī)械拋光的作用。拋光用組合物所含的氧化劑可以是過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸、過(guò)溴酸、過(guò)氯酸、過(guò)乙酸、過(guò)蟻酸、硝酸或這些酸的鹽，其中因?yàn)檫^(guò)氧化氫價(jià)格低、且易得到還金屬雜質(zhì)少而理想3拋光用組合物中的氧化劑的種類(lèi)數(shù)也可以是一種，也可以是兩種以上。從進(jìn)一步提高對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的氧化劑含量，理想的是在0.1質(zhì)量％以上，更理想的是1質(zhì)量％以上。另一方面，因?yàn)榧词固砑舆^(guò)量的氧化劑在拋光用組合物中也不能期待再提高拋光導(dǎo)體層14的拋光用組合物的能力，所以理想的是在10質(zhì)量％以下，更理想的是5質(zhì)量％以下。拋光用組合物還可以含有螯合劑，螯合劑具有通過(guò)捕捉因?qū)?dǎo)體層14的拋光而在拋光用組合物中產(chǎn)生的金屬粒子，促進(jìn)對(duì)導(dǎo)體層14的拋光的作用。拋光用組合物所含的螯合劑，從容易得到且螯合作用強(qiáng)的觀點(diǎn)來(lái)看，理想的是選自a-氨基酸及有機(jī)酸中的至少一種。a-氨基酸可以是甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、白氨酸、異白氨酸、別異白氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、別蘇氨酸、脯氨酸及胱氨酸等的中性氨基酸，也可以是精氨酸及組氨酸等堿性氨基酸，也可以是谷氨酸及天冬氨酸等的酸性氨基酸。其中，理想的是選自甘氨酸及a-丙氨酸中的至少一種，因?yàn)槠浯龠M(jìn)導(dǎo)體層14拋光的作用特別強(qiáng)。ci-丙氨酸可以是互為鏡相異構(gòu)體關(guān)系的L體及D體中的任何一種，也可以是其混合物。有機(jī)酸舉例有草酸、檸檬酸、琥珀酸、順丁烯二酸、酒石酸、2-喹啉羧酸(喹哪啶酸)、2-吡啶羧酸、2,6-吡啶羧酸及醌酸。拋光用組合物中的螯合劑種類(lèi)數(shù)，可以是一種，也可以是兩種以上。從進(jìn)一步提高對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的螯合劑含量，理想的是在0.01質(zhì)量％以上，更理想的是0.1質(zhì)量％以上。另一方面，因?yàn)榧词固砑舆^(guò)量的氧化劑在拋光用組合物中也不能期待再提高拋光導(dǎo)體層14的拋光用組合物的能力，所以理想的是在20質(zhì)量％以下，更理想的是10質(zhì)量％以下。拋光用組合物還可以含有防腐劑。防腐劑，通過(guò)在導(dǎo)體層14表面形成保護(hù)膜，保護(hù)由于防腐劑而被氧化的導(dǎo)體層14，起著抑制拋光后的拋光對(duì)象物產(chǎn)生表面粗糙、小坑等表面缺陷提高拋光后的拋光對(duì)象物的表面品質(zhì)。防腐劑還起著使拋光后的拋光對(duì)象物的表面階差變小。拋光用組合物所含的防腐劑，可以是苯丙三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑、甲苯丙三唑或其衍生物和鹽，'其中，從防腐作用強(qiáng)看，理想的是選自苯并三唑及其衍生物中的至少一種。拋光用組合物中的防腐劑的種類(lèi)數(shù)，可以是一種，也可以是兩種以上。從提高拋光后的拋光對(duì)象物的表面品質(zhì)和減小表面階梯的觀點(diǎn)看，拋光用組合物中的防腐劑含量，理想的是在0.0001質(zhì)量％以上。另一方面，從下面的觀點(diǎn)看，理想的是在0.02質(zhì)量％以下，更理想的是0.01質(zhì)量％以下。拋光用組合物中的防腐劑在0.02質(zhì)量％以下，甚至在0.01質(zhì)量％以下的場(chǎng)合，即使有其他的拋光用組合物中的防腐劑混入到本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物中，也能抑制由于含有的防腐劑而使拋光導(dǎo)體層14的拋光用組合物的肯g力降低。根據(jù)需要，拋光用組合物還可以含有增粘劑、乳化劑、防銹劑、防腐劑、防霉劑、消沫劑、PH調(diào)整劑、表面活性劑等。本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物，可以水之外的成分以濃縮的狀態(tài)保存，用水稀釋后供使用。據(jù)此，能夠容易地進(jìn)行拋光用組合物的管理，且提高拋光用組合物的輸送效率。本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物含有氧化劑的場(chǎng)合，拋光用組合物可以是以將氧化物與其他成分分開(kāi)的狀態(tài)配制及保存。該場(chǎng)合，通過(guò)使用之前將氧化劑和其他成分混合，配制拋光用組合物。據(jù)此，能夠抑制保存時(shí)拋光用組合物中的氧化劑分解。根據(jù)本實(shí)施形態(tài)可得到以下的優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)楸緦?shí)施形態(tài)的拋光用組合物含有抑制降低劑，所以即使有像在例如第2拋光工序或第3拋光工序中所用的拋光用組合物這樣的其他的拋光用組合物混入，也能抑制本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物用于對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光時(shí)的拋光能力的降低。從而，提高制造半導(dǎo)體器件的效率，能降低成本。在第2拋光工序或第3拋光工序中所用的拋光用組合物，通常除磨料及含有具有促進(jìn)拋光作用的成分外，還含有具有提高拋光后的拋光對(duì)象物的表面品質(zhì)作用的成分。作為具有提高表面品質(zhì)作用的成分的例子，舉例有防腐劑。防腐劑具有在導(dǎo)體層14的表面形成保護(hù)膜防止對(duì)導(dǎo)體層14的腐蝕的作用，還具有抑制導(dǎo)體配線(xiàn)15上表面的水平面降低的碟形凹陷現(xiàn)象以及溝槽12緊密形成的區(qū)域的上表面水平面降低的腐蝕現(xiàn)象的發(fā)生的作用。在拋光用組合物不含抑制降低劑的場(chǎng)合，混入微量的防腐劑也會(huì)導(dǎo)致拋光導(dǎo)體層14的會(huì)g力降低對(duì)此，在本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物中，即使混入一定量的防腐劑也不會(huì)使拋光導(dǎo)體層14的拋光用組合物的能力降低。還有，在半導(dǎo)體器件具有多層配線(xiàn)的場(chǎng)合，反復(fù)地進(jìn)行絕緣層ll、阻擋層13及導(dǎo)體層14的成膜和通過(guò)拋光用組合物將其成膜的導(dǎo)體層14的一部分及阻擋層13的一部分去除的操作。本實(shí)施形態(tài)的拋光用組合物即使混入有用于形成下層配線(xiàn)使所用的拋光用組合物，也能抑制拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光能力的降低。下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例及比較例進(jìn)行說(shuō)明。將表1所示的各成分混合在水里，配制實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物。將實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物的PH的測(cè)定結(jié)果表示在表1中。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在表1的"抑制降低劑或其取代化合物"欄中，"茁霉多糖"是表示平均分子量為200000的茁霉多糖；"PVA""是表示平均分子量為100000的聚乙烯醇；"PVA'2"是表示平均分子量為10000的聚乙烯醇；"PEG*1"是表示平均分子量為600的聚乙二醇；"PEG'2"是表示平均分子量為2000的聚乙二醇；"聚丙烯酸"是表示平均分子量為IOOO的聚丙烯酸。在表l的"磨料"欄中，"膠體二氧化硅""是表示平均粒徑為35nm的膠體二氧化硅；"膠體二氧化硅""是表示平均粒徑為10nm的膠體二氧化硅；"氣相二氧化硅"是表示平均粒徑為30nm的氣相二氧化硅；"氣相氧化鋁"是表示平均粒徑為30nm的氣相氧化鋁。膠體二氧化硅、氣相二氧化硅及氣相氧化鋁的平均粒徑是由粒子密度和用micromeritics制造的"FlowSorbII2300"測(cè)定的比表面積求得。在表1的"防腐劑"欄中，"BTA"表示苯丙三唑。按照下述拋光條件，用實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物對(duì)銅蓋封晶片進(jìn)fi1拋光。銅蓋封晶片是通過(guò)電解法在8英寸硅片上形成銅膜。這時(shí)，用國(guó)際電氣、乂X亍厶廿一匕'7株式會(huì)社的電阻機(jī)"VR-120"測(cè)定拋光前的銅蓋封晶片的厚度及拋光后的銅蓋封晶片的厚度。這樣，通過(guò)下述計(jì)算式，求得對(duì)于銅蓋封晶片的各拋光用組合物的拋光效率值。該結(jié)果表示在表2的"拋光效率"欄中的"無(wú)添加"欄中。〈拋光條件〉拋光機(jī)器77，^K7亍y7少X公司制造的單面CMP用拋光機(jī)"Mirra";拋光墊口f'一》社的聚氨脂層疊拋光墊"1C-1000/Suba400";拋光壓力28kPa(-約2psi);拋光盤(pán)(定盤(pán))轉(zhuǎn)速每分10Q轉(zhuǎn)；拋光用組合物的供給速度200ml/分；載料塊轉(zhuǎn)速每分100轉(zhuǎn)；拋光時(shí)間l分；〈計(jì)算式〉拋光效率[nm/分^(拋光前的銅蓋封晶片的厚度[nm]—拋光后的銅蓋封晶片的厚度[nm])+拋光時(shí)間[分]在實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物中添加苯丙三唑，使苯丙三唑的含量為0.01質(zhì)量％。按照上述拋光條件，用添加該苯丙三唑的各拋光用組合物對(duì)銅蓋封晶片進(jìn)，亍拋光。將這時(shí)求得的對(duì)于銅蓋封晶片的各拋光用組合物的拋光效率值表示在表2的"拋光效率"欄中的"BTA""欄中。在實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物中添加苯丙三唑，使苯丙三唑的含量為0.02質(zhì)量％。按照上述拋光條件，用添加該苯丙三唑的各拋光用組合物對(duì)銅蓋封晶片進(jìn)^亍拋光。將這時(shí)求得的對(duì)于銅蓋封晶片的各拋光用組合物的拋光效率值表示在表2的"拋光效率"欄中的"BTA""欄中。在實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物中添加平均分子量為100000的聚乙婦醇，使聚乙烯醇的含量為0.1質(zhì)量％。按照上述拋光條件，用添加該聚乙烯醇的各拋光用組合物對(duì)銅蓋封晶片進(jìn)行拋光。將這時(shí)求得的對(duì)于銅蓋封晶片的各拋光用組合物的拋光效率值表示在表2的"拋光效率"欄中的"PVP"欄中。在實(shí)施例1~21及比較例1~20的拋光用組合物中添加乳酸，使乳酸的含量為0.1質(zhì)量%。按照上述拋光條件，用添加該乳酸的各拋光用組合物對(duì)銅蓋封晶片進(jìn)行拋光。將這時(shí)求得的對(duì)于銅蓋封晶片的各拋光用組合物的拋光效率值表示在表2的"拋光效率"欄中的"乳酸"欄中。為使苯丙三唑、聚乙烯醇及乳酸的添加對(duì)各拋光用組合物的拋光能力的影響數(shù)值化，用在添加了添加劑的拋光用組合物所求得的拋光效率的值除以在添加了添加劑前的拋光用組合物所求得的拋光效率的值，求得拋光能力的維持率。在各拋光用組合物中添加苯丙三唑、其含量為0.01質(zhì)量％的場(chǎng)合所求得的維持率表示在表2的"拋光能力維持率"欄中的"BTA""欄中。在各拋光用組合物中添加苯丙三唑、其含量為0.02質(zhì)量％的場(chǎng)合所求得的維持率表示在表2的"拋光能力維持率"欄中的"BTA'2"欄中。在各拋光用組合物中添加聚乙烯醇、其含量為0.1質(zhì)量％的場(chǎng)合所求得的維持率表示在表2的"拋光能力維持率"欄中的"PVP"欄中。在各拋光用組合物中添加乳酸、其含量為0.1質(zhì)量％的場(chǎng)合所求得的維持率表示在表2的"拋光能力維持率"欄中的"乳酸"欄中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1.一種拋光用組合物，其特征在于，含有作為磨料的二氧化硅、選自多糖類(lèi)及聚乙烯醇中的至少一種的抑制降低劑，作為螯合劑的α-氨基酸、防腐劑和氧化劑，拋光用組合物中的所述抑制降低劑的含量為0.01～5質(zhì)量％，拋光用組合物中的所述防腐劑的含量為0.0001～0.02質(zhì)量％。2.如權(quán)利要求1所述的拋光用組合物，其特征在于，拋光用組合物中的所述抑制降《氐劑的含量為0.05~0.5質(zhì)量％。3.如權(quán)利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，所述多糖類(lèi)是茁霉多糖。4.如權(quán)利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，還含有聚乙烯吡咯垸酮。5.如權(quán)利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，還含有乳酸。6.如權(quán)利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，a-氨基酸是選自甘氨酸及丙氨酸中的至少一種。7.如權(quán)利要求1或2所述的拋光用組合物，其特征在于，為了除去位于溝槽之外的導(dǎo)體層的部分的一部分而在將拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的用途中使用所述拋光用組合物，所述拋光對(duì)象物具備設(shè)置在具有溝槽的絕緣層之上的阻擋層禾口設(shè)置在阻擋層之上的導(dǎo)體層，所述阻擋層和所述導(dǎo)體層分別具有位于所述溝槽之外的部分及位于所述溝槽中的部分。8.—種形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)體配線(xiàn)的方法，其特征在于，該方法具有準(zhǔn)備具備阻擋層和導(dǎo)體層的拋光對(duì)象物的工序、和通過(guò)拋光去除位于溝槽之外的導(dǎo)體層部分和阻擋層部分的工序，所述阻擋層設(shè)置在具有溝槽的絕緣層之上，所述導(dǎo)體層設(shè)置在阻擋層之上，所述阻擋層及所述導(dǎo)體層分別具有位于所述溝槽之外的部分及位于溝槽中的部分，所述通過(guò)拋光去除位于溝槽之外的導(dǎo)體層部分和阻擋層部分的工序包括為去除位于所述溝槽之外的導(dǎo)體層的部分的一部分，用權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的拋光用組合物對(duì)所述拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光的工序。全文摘要本發(fā)明的拋光用組合物，合適地使用在形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)體配線(xiàn)用的拋光上。該拋光用組合物含有作為磨料的二氧化硅、選自多糖類(lèi)及聚乙烯醇中的至少一種的抑制降低劑，作為螯合劑的α-氨基酸、防腐劑和氧化劑，拋光用組合物中的所述抑制降低劑的含量為0.01～5質(zhì)量％，拋光用組合物中的所述防腐劑的含量為0.0001～0.02質(zhì)量％。文檔編號(hào)H01L21/304GK101638556SQ200910165248公開(kāi)日2010年2月3日申請(qǐng)日期2005年3月22日優(yōu)先權(quán)日2004年3月24日發(fā)明者吳俊輝,堀和伸,平野達(dá)彥,松田剛,河村篤紀(jì),酒井謙兒申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社