專利名稱：透明導(dǎo)電性積層體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，特別是結(jié)晶化透明導(dǎo)電層的成形 方法。
背景技術(shù)：
人們熟知透明導(dǎo)電膜早期為于玻璃上形成一氧化銦錫層，而成為所謂的導(dǎo)電性玻 璃，但玻璃材質(zhì)的可撓性、加工性較差，且耐沖擊及輕質(zhì)化表現(xiàn)亦不佳。故現(xiàn)在透明導(dǎo)電膜 已漸被以聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)為主的各種塑料所取代。目前市售的前述透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)中，具有一個(gè)前述塑料材質(zhì)的透明基材，在所述 基材表面有復(fù)數(shù)層的積層體；如圖1所示，透明導(dǎo)電膜1具有一個(gè)由透明塑料材質(zhì)制成的基材11，該基材11為
有機(jī)聚合物形成的透明薄板如PC、PET......，在基材11表面有復(fù)數(shù)層的積層體12，該積層
體12至少包含導(dǎo)電層121、硬質(zhì)涂層122及接著處理層123。其中導(dǎo)電層121用于導(dǎo)通電 流，一般選用銦錫氧化物(ITO)的材料為主，并以真空蒸鍍法、濺鍍法、離子被覆法、噴霧熱 分解法、化學(xué)鍍覆法、電鍍法或它們的組合法形成，其中優(yōu)選真空蒸鍍法、濺鍍法。另外，為了得到更好的光穿透度、電阻率下降等光學(xué)和電性特性表現(xiàn)，對(duì)經(jīng)鍍膜完 成的導(dǎo)電層121會(huì)再進(jìn)行加工處理，而一般的做法是進(jìn)行加熱處理，使該原非晶導(dǎo)電層121 中ITO轉(zhuǎn)成結(jié)晶化之態(tài)樣，如此，借由已結(jié)晶化的ΙΤ0，其光穿透度將會(huì)變好，電阻率也會(huì)下 降，從而可具備較好的光學(xué)及電性特性表現(xiàn)，對(duì)導(dǎo)電層121乃至于對(duì)整體透明導(dǎo)電膜1而言 其信賴性也會(huì)提升，如圖2、3、4所示。然而，加熱處理雖可達(dá)成將原非晶導(dǎo)電層121中的 ITO轉(zhuǎn)化成結(jié)晶化態(tài)樣的目的，但在對(duì)導(dǎo)電層121的ITO加熱過程中，另一方面高溫會(huì)對(duì)基 材11產(chǎn)生不良之影響，如圖5所示，常見的有機(jī)聚合物形成的基材11對(duì)溫度的物理特性有 其一定的反應(yīng)表現(xiàn)，因此除非在加熱過程中很小心地控制基材11的張力，否則經(jīng)加熱后的 基材11容易造成應(yīng)力殘留，導(dǎo)致翹曲及膨脹系數(shù)異方向性等問題。此為目前相關(guān)從業(yè)者亟 待解決的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，其主要是指透明 導(dǎo)電膜中導(dǎo)電性積層體的制造方法，透明導(dǎo)電膜至少包含一有機(jī)聚合物基材，基材的表面 形成至少一積層體，且積層體中至少包含一由銦錫氧化物(ITO)形成的導(dǎo)電性積層，而為 一導(dǎo)電層。將形成有ITO導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電膜經(jīng)特定波長(zhǎng)的光源施以照射，使其導(dǎo)電層的 ITO成結(jié)晶化，使ITO導(dǎo)電層之光穿透度變佳、電阻率下降，從而可具備較好的光學(xué)及電性 特性表現(xiàn)。其中，為使ITO導(dǎo)電層受光照射時(shí)，不至于使基材本身因光照產(chǎn)生變性問題， 該照射的光源體應(yīng)選擇特定單一波長(zhǎng)或特定范圍寬帶譜的光源，而該照射的光源體的 波長(zhǎng)應(yīng)小于等于350nm( ^ 350nm)，或在大于等于IOOOnm至小于等于3000nm波長(zhǎng)之間(1000nm≤X≤3000nm)。因此，用所述光波長(zhǎng)的光源體照射透明導(dǎo)電膜時(shí)，該光源的能量 將會(huì)被ITO導(dǎo)電層所吸收，但對(duì)于由有機(jī)聚合物(PC、PET)形成的基材而言，該光源卻是高 穿透性的，其能量并不被基材所吸收，故基材自然不會(huì)產(chǎn)生變性問題。


圖1為已知的透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為ITO膜結(jié)晶性與熱處理溫度的關(guān)系圖。
圖3為ITO膜穿透度與熱處理溫度的關(guān)系圖。
圖4為ITO膜電阻率與熱處理溫度的關(guān)系圖。
圖5為常見有機(jī)聚合物基材(PC、PET...等)物理特性表。
圖6為本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為本發(fā)明方法的流程示意圖。
圖8為ITO膜在UV/Vis/IR等波段其穿透、反射與吸收的光譜圖。
圖9為不同表面粗度之AG或HC PET在等UV/Vis/IR波段的穿透光譜。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明是有關(guān)一種透明導(dǎo)電性積層體的制造方法。主要是指透明導(dǎo)電膜中導(dǎo)電性 積層體的制造方法，透明導(dǎo)電膜2至少包含一有機(jī)聚合物基材21，基材21的表面形成至少 一積層體22，其中有機(jī)聚合物基材21可以包含PC、PET...等等，該積層體22中至少一層 可以是銦錫氧化物(ITO)材料為主所形成的導(dǎo)電層221積層，該導(dǎo)電層221的形成可以是 通過真空蒸鍍法、濺鍍法、離子被覆法、噴霧熱分解法、化學(xué)鍍覆法、電鍍法或它們的組合法 形成，其中優(yōu)選真空蒸鍍法、濺鍍法，基材21的表面上形成導(dǎo)電層221之后，再用特定單一 波長(zhǎng)或特定范圍寬帶譜的光源施以照射，而使導(dǎo)電層221的ITO成結(jié)晶化，如圖6、7所示。另外，導(dǎo)電層221的ITO的透光范圍在短波長(zhǎng)的界線是由其能隙(bandgap)決定 的，當(dāng)入射光的能量大于能隙時(shí)，會(huì)將價(jià)帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶而被吸收，另外，積層體22的 ITO透光范圍在長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的界線則由電漿頻率決定，也就是在電漿波長(zhǎng)頻率附近具有高吸 收。一般而言，ITO的能隙介于3. 5eV(358nm)至4. 5eV之間，ITO的電漿頻率表現(xiàn)的波長(zhǎng)約 在IOOOnm至3000m之間。再如圖8所示，根據(jù)實(shí)驗(yàn)所得的ITO膜在UV/Vis/IR波段其穿透、反射與吸收之 光譜所示，本發(fā)明選用的單一波長(zhǎng)或特定范圍寬帶譜的光源的波長(zhǎng)宜小于等于350nm波長(zhǎng) (^ 350nm)，或在大于等于IOOOnm至小于等于3000nm波長(zhǎng)之間(IOOOnm ^ X ^ 3000nm)。 因此，以如此波長(zhǎng)的光源照射時(shí)，將會(huì)被透明導(dǎo)電膜2中的積層體221的ITO所吸收，但對(duì) 透明導(dǎo)電膜2的基材21而言該光源卻是高穿透性的，而可使基材21本身不受熱，如圖9所 示。于是，經(jīng)吸收足夠熱能的積層體221的ITO將會(huì)成結(jié)晶化，另一方面基材21因不受熱 可保持其不變性之特質(zhì)，故以本發(fā)明方法使積層體221的ITO結(jié)晶化后的透明導(dǎo)電膜2，應(yīng) 該不會(huì)根據(jù)熟知的加熱方式而有應(yīng)力殘留現(xiàn)象，終導(dǎo)致翹曲及膨脹系數(shù)異方向性等問題， 從而達(dá)到本發(fā)明透明導(dǎo)電性積層體制造方法的目的。綜上所述，本發(fā)明觸控面板用的透明導(dǎo)電膜通過上述的結(jié)構(gòu)，確實(shí)可改善已知的 缺點(diǎn)，與現(xiàn)有技術(shù)相比有增進(jìn)的功效。
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，其包括(1)由有機(jī)聚合物形成的一透明基材，基材表面具有至少一積層體，積層體具有至少一 銦錫氧化物(IT0)導(dǎo)電層；(2)以單一波長(zhǎng)或特定范圍寬帶譜的光源對(duì)上述基材施以照射；經(jīng)照射后，基材表面的導(dǎo)電層的IT0吸收該光源之熱能而成結(jié)晶化，使IT0導(dǎo)電層之光 穿透度變佳、電阻率下降，從而可具備較好的光學(xué)及電性特性表現(xiàn)，另外所述基材則不會(huì)吸 收該光源之熱能從而不產(chǎn)生變性，使IT0導(dǎo)電層結(jié)晶化后的透明導(dǎo)電膜提升其信賴性。
2.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，其中，用以照射的光源其波長(zhǎng) 小于等于 350nm( ^ 350nm)。
3.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，其中，用以照射的光源其波長(zhǎng) 在大于等于lOOOnm至小于等于3000nm波長(zhǎng)之間(lOOOnm ^ X ^ 3000nm)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電性積層體的制造方法，其主要是提供一種透明導(dǎo)電膜中導(dǎo)電性積層體的制造方法，利用單一波長(zhǎng)或特定范圍寬帶譜的光源照射透明導(dǎo)電膜，使透明導(dǎo)電膜表面的導(dǎo)電層成結(jié)晶化，加強(qiáng)其光學(xué)及電性特性之表現(xiàn)，從而完成并提升透明導(dǎo)電膜的可信賴性。
文檔編號(hào)H01B13/00GK101996713SQ20091017101
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者尹瑞堂, 王剴弘, 王湧鋒, 麥建進(jìn) 申請(qǐng)人:嘉威光電股份有限公司;麥建進(jìn)