專利名稱：圖像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含電致發(fā)光裝置的圖像顯示系統(tǒng)，尤其涉及包含全彩有機(jī)電致發(fā)光 裝置的圖像顯示系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子產(chǎn)品技術(shù)的進(jìn)步及其日益廣泛的應(yīng)用，例如行動(dòng)電話及筆記本 型電腦 的問市，使得對(duì)與傳統(tǒng)顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器的需 求與日俱增，成為目前最重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由于有機(jī)電致發(fā)光 件具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高響應(yīng)速度及工藝容易等特性，使得有機(jī)電致發(fā)光件無疑 將成為下一代平面顯示器的最佳選擇。為了形成上發(fā)光(top-emission)有機(jī)電致發(fā)光件，美國(guó)專利5，739，545披露一種 具有透明陰極的有機(jī)電致發(fā)光件，其中該透明陰極包含低功函數(shù)金屬層，并在其上形成寬 能隙層。該寬能隙層可作為保護(hù)層防止其下的低功函數(shù)金屬層及有機(jī)材料層在后續(xù)工藝中 受到損傷。然而，由于該寬能隙層所形成的位置(形成于陰極金屬層上)，該寬能隙層對(duì)于 有機(jī)電致發(fā)光件本身的性質(zhì)(例如色純度(color purity)及發(fā)光強(qiáng)度)并沒有任何的幫 助。美國(guó)專利6，984，934披露一種避免光散失在玻璃基板及陽極間的方法，其在玻璃 基板上形成微透鏡結(jié)構(gòu)。雖然上述方法可增加光取出(light extraction)率，但該微透鏡 結(jié)構(gòu)形成于元件之外，除微透鏡工藝?yán)щy，有機(jī)電致發(fā)光件本身的色純度也沒有因該結(jié)構(gòu) 而有所增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一實(shí)施例提供一種圖像顯示系統(tǒng)，包括全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置，該全彩有 機(jī)電致發(fā)光裝置包括下基板；反射層、第一透明電極、有機(jī)電致發(fā)光單元、及第二透明電 極，依序配置于該反射層上；以及，光增強(qiáng)層，配置于該下基板與該第一透明電極之間。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，該透明連結(jié)層的上表面、該第一透明電極的上表面、及該 保護(hù)層的下表 面中的至少一個(gè)可具有多個(gè)凸塊(bump)。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖面示意圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖面示意圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖面示意圖；圖4是示出本發(fā)明對(duì)比示例的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置⑴的剖面示意圖；圖5是示出本發(fā)明對(duì)比示例的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(1)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色 的發(fā)光強(qiáng)度關(guān)系圖；圖6是示出本發(fā)明實(shí)施例1的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置⑵的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度關(guān)系圖； 圖7是示出本發(fā)明實(shí)施例2的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)的剖面示意圖；圖8是示出本發(fā)明實(shí)施例2的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色 的發(fā)光強(qiáng)度關(guān)系圖；圖9是示出本發(fā)明實(shí)施例3的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置⑷的剖面示意圖；圖10是示出本發(fā)明實(shí)施例3的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(4)的紅綠藍(lán)(RGB)三基 色的發(fā)光強(qiáng)度關(guān)系圖；圖11是示出本發(fā)明實(shí)施例4的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)的剖面示意圖；圖12是示出本發(fā)明實(shí)施例4的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)的紅綠藍(lán)(RGB)三基 色的發(fā)光強(qiáng)度關(guān)系圖；以及圖13是繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖像顯示系統(tǒng)的方塊示意圖。
具體實(shí)施例方式以下將配合附圖，說明根據(jù)本發(fā)明提供的包含全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置的圖像顯示 系統(tǒng)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的圖像顯示系統(tǒng)包含的全彩有機(jī)電致 發(fā)光裝置100。全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置100包含下基板12，在下基板12上依序包含反射層 14、透明連結(jié)層16、光增強(qiáng)層18、第一透明電極20 (例如作為陽極)、有機(jī)電致發(fā)光單元22、 及第二透明電極24(例如作為陰極)。值得注意的是，由于本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置 具有反射層14/透明連結(jié)層16/光增強(qiáng)層18/第一透明電極20這一特定順序的結(jié)構(gòu)，可提 高元件本身的發(fā)光強(qiáng)度，并改善紅綠藍(lán)(RGB)三基色的色純度。此外，全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置100可還包含上基板(封裝基板)32，并在上基板32 的下方依序形成彩色濾光片層30、及保護(hù)層(passivation layer) 28。接著，可通過緩沖層 (buffer layer) 26將具有保護(hù)層28及彩色濾光片層30的上基板32配置于第二透明電極 24上，最后再以封裝膠層34密封上基板32及下基板12，請(qǐng)參照?qǐng)D1。根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選 實(shí)施例，彩色濾光片層(color filter) 30也可形成于上基板32上，請(qǐng)參照?qǐng)D2。下基板12可為玻璃基板、塑膠基板、或是半導(dǎo)體基板，基板12上可以已經(jīng)形成任 何所需的元件(例如薄膜晶體管)，不過此處為了簡(jiǎn)化附圖，僅以平整的基板表示。反射層 14可為布拉格反射板(distributed Bragg reflector ；DBR)，將朝下基板12散射的光全反 射，其中反射層14的材料可包含銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、或其組合。透明連結(jié)層16具有 高穿透率，其材料可包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅 (ZnO)、或其組合。光增強(qiáng)層18由具有高折射率的材料構(gòu)成，光增強(qiáng)層18的折射率可大于 透明連結(jié)層16、及第一透明電極20。光增強(qiáng)層18包含折射率大于2. 1的材料，例如硒化鋅 (ZnSe)(折射率2. 6)、或硫化鋅ZnS (折射率2. 4)。作為陽極的第一透明電極20的材料可 為透光的金屬或金屬氧化物，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO) 或是氧化鋅(ZnO)。上述膜層(反射層14、透明連結(jié)層16、光增強(qiáng)層18、第一透明電極20) 的形成方法沒有限定，可例如為濺鍍、電子束蒸鍍、熱蒸鍍、或是化學(xué)氣相沉積。有機(jī)電致發(fā)光單元22可至少包含一發(fā)光層(light emitting layer)，且還可以包 含空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、或是電子注入層。有機(jī)電致發(fā)光單元22的各膜層可分別為小分子有機(jī)電致發(fā)光材料或高分子有機(jī)電致發(fā)光材料。若為小分子有機(jī)發(fā)光二極 管材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層；若為高分子有機(jī)發(fā)光二極管材 料，則可使用旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨或網(wǎng)版印刷等方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層。此外，有機(jī)電 致發(fā)光單元22的每一發(fā)光層可包含有機(jī)電致發(fā)光材料及摻雜物(dopant)，本領(lǐng)域技術(shù)人 員可根據(jù)所使用的有機(jī)電致發(fā)光材料及所需的元件特性而改變所搭配的摻雜物的摻雜量。 摻雜物可為能量傳移(energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集(carrier trapping) 型摻雜材料。有機(jī)電致發(fā)光材料可為熒光(fluorescence)發(fā)光材料。而在本發(fā)明的某些 優(yōu)選實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光材料也可為磷光(phosphorescence)發(fā)光材料。本領(lǐng)域技術(shù) 人員可根據(jù)所使用的有機(jī)電致發(fā)光材料及所需的元件特性而改變有機(jī)電致發(fā)光單元22，因 此，有機(jī)電致發(fā)光單元22的膜層組成及材料不是本發(fā)明的特征，不是限制本發(fā)明范圍的依 據(jù)。
作為陰極的第二透明電極M的材料可為透光的金屬或金屬氧化物，例如銦錫氧 化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)或是氧化鋅(ZnO)，第二透明電極M的形 成方法沒有限定，可例如為濺鍍、電子束蒸鍍、熱蒸鍍、或是化學(xué)氣相沉積。緩沖層(buffer layer) 26可形成于第二透明電極M上，用來組裝上基板32及下基板12，由于緩沖層沈 會(huì)與保護(hù)層觀緊密結(jié)合，由此可將殘留的空氣及水氣去除。當(dāng)緩沖層沈與保護(hù)層緊密結(jié) 合后，即可進(jìn)行硬化(curing)以完成組裝。緩沖層的材料可為紫外光或可見光可聚合材 料，例如光可聚合樹脂，形成方式可為旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨或網(wǎng)版印刷。保護(hù)層(passivation layer)觀用來避免環(huán)境的水氣或氧氣滲透進(jìn)有機(jī)電致發(fā)光裝置內(nèi)，防止電極或有機(jī)材料受 損所造成的元件使用壽命的減少。保護(hù)層的材料可為氧化硅、氧化鈦、氧化鋁、氮化硅、氮氧 化硅或其結(jié)合。所使用的彩色濾光片層(color filter) 30并沒有限定，可為綠色濾光片、 紅色濾光片、藍(lán)色濾光片、白色濾光片、或其所構(gòu)成的排列組合，達(dá)到全彩顯示的效果。封裝 基板32為透光基板，材料可為玻璃或塑膠。所使用的封裝膠并無限制，可為已知的用來封 裝有機(jī)發(fā)光裝置所使用的任何膠材。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，本發(fā)明所述的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置100的工藝方式，可 分為兩部分。首先，第一部分的工藝包括在下基板12上依序形成反射層14、透明連結(jié)層 16、光增強(qiáng)層18、第一透明電極20、有機(jī)電致發(fā)光單元22、第一透明電極M、及緩沖層26。 接著，進(jìn)行第二部分的工藝在上基板32下依序形成彩色濾光片30、及保護(hù)層觀。接著，將 第一部分及第二部分組裝，使得緩沖層26與保護(hù)層觀結(jié)合，再對(duì)緩沖層沈進(jìn)行硬化(例 如UV curing)。最后，以封裝膠34封合上下基板間的空隙。
根據(jù)本發(fā)明其他優(yōu)選實(shí)施例，透明連結(jié)層56的上表面15、第一透明電極60的上表 面17、及保護(hù)層68的下表面19的至少一個(gè)可具有多個(gè)凸塊(bump)(請(qǐng)參照?qǐng)D3)，使得透 明連結(jié)層56、光增強(qiáng)層58、第一透明電極60、及保護(hù)層68在其界面上具有不同的厚度。從 而，除了有機(jī)電致發(fā)光裝置100所發(fā)出的光容易射出到外部(增強(qiáng)光取出率)，還可同時(shí)提 高有機(jī)電致發(fā)光裝置本身紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，并且改善色純度。凸塊的圖形 并無限制，可例如為圓形、橢圓形、多邊形、或其結(jié)合，且圖形尺寸也無限制。凸塊或凹陷的 形成方法可例如為微形蝕刻工藝或是采用半色調(diào)(halftoe)相移掩模工藝。在本發(fā)明一實(shí) 施例中，凸塊的高度X與具有凸塊的膜層的高度Y的比值可在1 1 1 3的范圍內(nèi)，凸 塊的高度X可例如為70nm，膜層的高度Y可例如為130nm。
以下，列舉對(duì)比示例及數(shù)個(gè)實(shí)施例，并請(qǐng)配合附圖，以說明已知技術(shù)的電致發(fā)光裝 置及根據(jù)本發(fā)明的包含電致發(fā)光裝置的圖像顯示系統(tǒng)。
對(duì)比示例
首先，通過中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振蕩將玻璃基板洗凈。于烘箱中將 基板120烘干(120°C)，進(jìn)一步以UV/臭氧清潔。請(qǐng)參照?qǐng)D4，反射層140、第一透明電極 200、有機(jī)電致發(fā)光單元220、第二透明電極M0、緩沖層沈0、保護(hù)層觀0、彩色濾光片層300 及封裝基板320依序配置于基板120上。最后，以封裝膠340將封裝基板320與玻璃基板 120封合，獲得有機(jī)電致發(fā)光裝置(1)。
以下列出各層的材料及厚度。
反射層140 材料為鋁(Al)，厚度為150nm。
第一透明電極200 材料為氧化銦錫andium tin oxide、I TO)，厚度為30nm。
有機(jī)電致發(fā)光單元220，由下而上依序包含
空穴注入層厚度為5nm，材料為4，4'，4〃 -三[N_3_甲基苯基-N-苯基氨 基]三苯胺(4，4'，4〃 -tris[N, (3-methylphenyl)-N-phenyl-amino]-triphenylamine> m-TDATA)；空穴傳輸層厚度為lOnm，材料為4，4’ -雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯(lián)苯 (4,4' -bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl> α -NPD)；
第一發(fā)光層(紅光)厚度為40nm，主體材料為8_羥基喹啉-鋁 (8-hydroxyquinoline aluminum、Alq3)，并摻雜有紅光摻雜物(產(chǎn)品號(hào)為RD3，由Kodak制 造銷售)，其紅光摻雜物的重量百分比為0. 5wt% ；
第二發(fā)光層(綠光)厚度為40nm，主體材料為8_羥基喹啉-鋁 (8-hydroxyquinoline aluminum、Alq3)，并摻雜有摻雜物 10-苯并噻唑基)-2，3， 6，7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H，5H，11H-[1]苯并吡喃[6，7_8_i，j]_ 喹啉-11-酮 (10-(2-Benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-l,1,7,7-tetramethyl-lH,5H,1IH-(I) benzopyropyrano (6, 7-8-1, j) quinolizin-ll-one、C545T)，其綠光摻雜物的重量百分比為 IOwt % ；
第三發(fā)光層(藍(lán)光)厚度為40nm，主體材料為9，10-雙_(2_萘基)(9， 10-bis (2-naphthyl) anthracene, ADN)，并摻雜有摻雜物雙( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯 基]聯(lián)苯(Bis W-(di-p-tolylamino) styryl]biphenyl、DPAVBi)，其藍(lán)光摻雜物的重量百 分比為7. 5wt% ；
電子傳輸層厚度為30nm，材料為雙-10-羥基苯鈹(bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium、BeBq2)；以及
電子注入層厚度為lnm，材料為氟化鋰(LiF)。
第二透明電極MO 材料為氧化銦鋅andium zinc oxide、IZ0)，厚度為80nm。
緩沖層沈0 材料為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(印oxy)，厚度為6 μ m。
保護(hù)層280 材料為氮化硅(SiNx)，厚度為400nm。
彩色濾光片層30 厚度為1 μ m。
接著，測(cè)量有機(jī)電致發(fā)光裝置(1)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果請(qǐng)參照 圖5。如圖可知，有機(jī)電致發(fā)光裝置(1)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度分為別0. 013、 0. 015、以及 0. 022。6
實(shí)施例1
首先，使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振蕩將玻璃基板12洗凈。于烘箱 中將基板12烘干(120°C )，進(jìn)一步以UV/臭氧清潔。請(qǐng)參照?qǐng)D1，反射層14、透明連結(jié)層16、 光增強(qiáng)層18、第一透明電極20、有機(jī)電致發(fā)光單元22、第二透明電極M、緩沖層沈、保護(hù)層 觀、彩色濾光片層30及基板32依序配置于該基板12上。最后，以封裝膠34將封裝基板32 與玻璃基板12封合，獲得有機(jī)電致發(fā)光裝置(2)。
以下列出各層的材料及厚度。
反射層14 材料為鋁(Al)，厚度為150nm。
透明連結(jié)層16 材料為氧化銦錫andium tin oxide、IT0)，厚度為30nm。
光增強(qiáng)層18 材料為硒化鋅(Zinc selenide、，厚度為5nm。
第一透明電極20 材料為氧化銦錫andium tin oxide、I TO)，厚度為30nm。
有機(jī)電致發(fā)光單元22 膜層組成及順序與對(duì)比示例相同。
第二透明電極M 材料為氧化銦鋅andium zinc oxide、IZ0)，厚度為80nm。
緩沖層沈材料為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(印oxy)，厚度為6 μ m。
保護(hù)層28 材料為氮化硅(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測(cè)量有機(jī)電致發(fā)光裝置( 的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果請(qǐng)參照 圖6。如圖可知，有機(jī)電致發(fā)光裝置O)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度分為別0. 018、 0. 016、以及 0. 023。
由于對(duì)比示例的有機(jī)電致發(fā)光裝置⑴與實(shí)施例1的有機(jī)電致發(fā)光裝置(2)相比 缺少反射層/透明連結(jié)層/光增強(qiáng)層/第一透明電極的疊層結(jié)構(gòu)，因此實(shí)施例1的有機(jī)電 致發(fā)光裝置O)與對(duì)比示例相比具有較佳的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度。
實(shí)施例2
使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振蕩將玻璃基板12洗凈。于烘箱中將基 板12烘干(120°C)，進(jìn)一步以UV/臭氧清潔。請(qǐng)參照?qǐng)D7，反射層14、透明連結(jié)層56、光增 強(qiáng)層58、第一透明電極20、有機(jī)電致發(fā)光單元22、第二透明電極M、緩沖層沈、保護(hù)層觀、 彩色濾光片層30及基板32依序配置于基板12上。其中，透明連結(jié)層56的上表面1 5具 有多個(gè)凸塊，凸塊的高度&為70nm，透明連結(jié)層56的膜層厚度Y1為130nm。最后，以封裝 膠34將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲得有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)。
以下列出各層的材料及厚度。
反射層14 :材料為Al (鋁)，厚度為150nm。
透明連結(jié)層56 材料為氧化銦錫andium tin oxide、I TO)，凸塊的高度&為 70nm，膜層厚度￥1為130nm。
光增強(qiáng)層58 材料為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極20 材料為氧化銦錫andium tin oxide、I TO)，厚度為30nm。
有機(jī)電致發(fā)光單元22，膜層組成及順序與對(duì)比示例相同。
第二透明電極M 材料為氧化銦鋅andium zinc oxide、IZ0)，厚度為80nm。
緩沖層沈材料為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(印oxy)，厚度為6 μ m。
保護(hù)層28 材料為氮化硅(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測(cè)量有機(jī)電致發(fā)光裝置( 的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果請(qǐng)參照7圖8。如圖可知，有機(jī)電致發(fā)光裝置(2)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度分為別0. 0242, 0. 018、以及 0. 0293。
實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)由于具有反射層14/透明連結(jié)層56/光增強(qiáng)層 58/第一透明電極20的結(jié)構(gòu)，且其透明連結(jié)層56的上表面形成有多個(gè)凸塊，因此與對(duì)比示 例相比，實(shí)施例2所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置C3)具有較佳的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度。
實(shí)施例3
首先，使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振蕩將玻璃基板洗凈。于烘箱中 將基板12烘干(120°C)，進(jìn)一步以UV/臭氧清潔。請(qǐng)參照?qǐng)D9，反射層14、透明連結(jié)層16、 光增強(qiáng)層18、第一透明電極60、有機(jī)電致發(fā)光單元62、第二透明電極M、緩沖層沈、保護(hù)層 觀、彩色濾光片層30、及基板32依序配置于基板12上。其中，第一透明電極60的上表面 17具有多個(gè)凸塊，凸塊的高度\為70nm，膜層厚度\為130nm。最后，以封裝膠34將封裝 基板32與玻璃基板12封合，獲得有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)。
以下列出各層的材料及厚度。
反射層14 材料為鋁(Al)，厚度為150nm。
透明連結(jié)層16 材料為氧化銦錫andium tin oxide、IT0)，厚度為30nm。
光增強(qiáng)層18 材料為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極60 材料為氧化銦錫andium tin oxide、ΙΤ0)，凸塊高度&為 70nm，膜層厚度^為130nm。
有機(jī)電致發(fā)光單元62，膜層組成及順序與對(duì)比示例相同。
第二透明電極M 材料為氧化銦鋅andium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩沖層沈材料為丙烯酸樹脂(acrylic resin)，厚度為6 μ m。
保護(hù)層28 材料為氮化硅(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測(cè)量有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果請(qǐng)參 照?qǐng)D10。如圖可知，有機(jī)電致發(fā)光裝置(3)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度分為別 0. 0234,0. 021、以及 0. 0265。
實(shí)施例3的有機(jī)電致發(fā)光裝置由于具有反射層/透明連結(jié)層/光增強(qiáng)層/第 一透明電極的結(jié)構(gòu)，且其第一透明電極的上表面形成有多個(gè)凸塊，因此與對(duì)比示例的結(jié)構(gòu) (圖4)相比，實(shí)施例3的有機(jī)電致發(fā)光裝置(4)具有較佳的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度。
實(shí)施例4
使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振蕩將玻璃基板洗凈。于烘箱中將基板 12烘干(120°C)，進(jìn)一步以UV/臭氧清潔。請(qǐng)參照?qǐng)D11，反射層14、透明連結(jié)層56、光增強(qiáng) 層58、第一透明電極60、有機(jī)電致發(fā)光單元62、第二透明電極M、緩沖層66、保護(hù)層68、及 彩色濾光片層30及基板32依序配置于該基板12上。其中，透明連結(jié)層56的上表面15、第 一透明電極60的上表面17、及保護(hù)層68的下表面19皆具有多個(gè)凸塊。最后，以封裝膠34 將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲得有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)。
以下列出各層的材料及厚度。
反射層14 材料為Al，厚度為150nm。
透明連結(jié)層56 材料為氧化銦錫andium tin oxide、I TO)，凸塊的高度&為 70nm，透明連結(jié)層56膜層厚度Y1為130nm
光增強(qiáng)層58 材料為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極60 材料為氧化銦錫(Indium tin oxide、I TO)，凸塊的高度X2為 70nm,第一透明電極60膜層厚度\為130nm
有機(jī)電致發(fā)光單元62 膜層組成及順序與對(duì)比示例相同。
第二透明電極M 材料為氧化銦鋅andium zinc oxide、IZ0)，厚度為80nm。
緩沖層66 材料為丙烯酸樹脂(acrylic resin)，厚度為6 μ m。
保護(hù)層68 材料為氮化硅(SiNx)，其凸塊的高度\為70歷，膜層厚度Y3為lOOnm。
接著，測(cè)量有機(jī)電致發(fā)光裝置( 的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，結(jié)果請(qǐng)參照 圖12。如圖可知，有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)的紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度分為別0. 024、 0. 021、以及 0. 029。
實(shí)施例4的有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)由于具有反射層/透明連結(jié)層/光增強(qiáng)層/第 一透明電極的結(jié)構(gòu)，且其透明連結(jié)層、第一透明電極、及保護(hù)層的上表面形成有多個(gè)凸塊， 因此與對(duì)比示例的結(jié)構(gòu)(圖4)相比，實(shí)施例4的有機(jī)電致發(fā)光裝置(5)同樣具有較佳的紅 綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度，且紅綠藍(lán)(RGB)三基色的半高寬也比實(shí)施例1的有機(jī)電致 發(fā)光裝置(1)窄，因此具有較高的色純度，請(qǐng)參照?qǐng)D12。
與對(duì)比示例相比，實(shí)施例1-4的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置具有特定順序的反射層/ 透明連結(jié)層/光增強(qiáng)層/第一透明電極結(jié)構(gòu)，因此可提高發(fā)光強(qiáng)度。此外，本發(fā)明可進(jìn)一步 形成具有多個(gè)凸塊或凹陷的上表面的透明連結(jié)層、第一透明電極、或/及保護(hù)層，如實(shí)施例 2 4所述的，還同時(shí)改善了紅綠藍(lán)(RGB)三基色的發(fā)光強(qiáng)度及色純度。
圖13繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖像顯示系統(tǒng)的方塊示意圖，其可實(shí)施于 顯示裝置300或電子裝置400，例如筆記本型電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、桌上型 電腦、電視機(jī)、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據(jù)本發(fā)明的全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置100(例 如圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光裝置)可設(shè)置于顯示裝置300，而顯示裝置300可為全彩有機(jī)電 致發(fā)光顯示器。在其他實(shí)施例中，顯示裝置300可設(shè)置于電子裝置400中。如圖13所示， 電子裝置400包括顯示裝置300及輸入單元350。輸入單元350耦接至平面顯示器裝置 300，用以提供輸入信號(hào)(例如，圖像信號(hào))至顯示裝置300以產(chǎn)生圖像。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的 保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示系統(tǒng)，包括有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括下基板；反射層，設(shè)置于該下基板上；第一透明電極、有機(jī)電致發(fā)光單元、及第二透明電極，依序 配置于該反射層上；以及光增強(qiáng)層，配置于該反射層與該第一透明電極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該光增強(qiáng)層的折射率大于該第一透明電極 的折射率。
3.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該光增強(qiáng)層的折射率大于2.1。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置還包含透明連結(jié) 層，配置于該光增強(qiáng)層與該反射層之間。
5.如權(quán)利要求4所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該光增強(qiáng)層的折射率大于該透明連結(jié)層的 折射率。
6.如權(quán)利要求4所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該透明連結(jié)層的上表面具有多個(gè)凸塊，且 該凸塊的高度與該透明連結(jié)層的高度的比值在11 13的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該第一透明電極的上表面具有多個(gè)凸塊， 且該凸塊的高度與該第一透明電極的高度的比值在11 13的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置還包含緩沖層， 形成于該第二透明電極上。
9.如權(quán)利要求8所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置還包含保護(hù)層，配置于該緩沖層上；以及上基板，配置于該保護(hù)層上。
10.如權(quán)利要求9所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中該保護(hù)層的下表面具有多個(gè)凸塊，且該凸 塊的高度與該保護(hù)層的高度的比值在11 13的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種圖像顯示系統(tǒng)。此系統(tǒng)包括全彩有機(jī)電致發(fā)光裝置，其包括下基板；反射層、第一透明電極、有機(jī)電致發(fā)光單元、及第二透明電極，依序配置于該反射層上；以及光增強(qiáng)層，配置于該下基板與該第一透明電極之間。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102034846SQ20091017733
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者蘇信遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司