專利名稱：芯片型繞線式抗流線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種芯片型繞線式抗流線圈，特別是指一種于固定尺寸條件下，可 由線圈及芯材條件的改變而提供不同電氣特性的一種芯片型繞線式抗流線圈。
背景技術(shù)：
如圖1A、1B所示，為現(xiàn)有插件式(Dip type)繞線式抗流線圈的正視圖及側(cè)視圖， 包含抗流線圈1、線圈11、端子111以及芯材12，若欲將其設(shè)計成小尺寸時，不僅不易制造， 且會因尺寸過小，于實際插件使用時困難度極高。如圖2A、圖2B所示，為表面著裝型(SMD type)繞線式抗流線圈的正視圖及側(cè)視 圖，包含抗流線圈1、線圈11、端子111以及芯材12，將現(xiàn)有插件式(Dip type)繞線式抗流 線圈變更為表面著裝型(SMD type)抗流線圈時，雖然成本較低且可大量生產(chǎn)，但卻由于其 為圓柱型的構(gòu)造，而衍生出著裝機(jī)的吸嘴不易吸取且著裝于電路板上通過回焊爐時易滾動 而造成焊接不良的情形。如圖3A、圖;3B所示，為改良式表面著裝型(SMD type)抗流線圈的正視圖及側(cè)視 圖，包含抗流線圈1、線圈11、端子111以及芯材12，為了改善圖2所述的圓柱型表面著裝型 (SMD type)抗流線圈的吸取不易及易于滾動的缺點，設(shè)置包覆材15，但也因此包覆材15的 設(shè)置，造成制造成本及制造困難度的提高。因此，上述現(xiàn)有的插件式(Dip type)繞線式抗流線圈及表面著裝型(SMD type) 繞線式抗流線圈，或因尺寸過大，或因使用及生產(chǎn)不易，于現(xiàn)今被動組件高頻化，且尺寸日 漸小型化、標(biāo)準(zhǔn)化的發(fā)展下，已不符市場需求，如何將抗流線圈制作成規(guī)格化芯片型尺寸實 為當(dāng)務(wù)之急。由此可見，上述現(xiàn)有繞線式抗流線圈仍有眾多缺失，實非一完好的設(shè)計，而亟待加 以改良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種規(guī)格化芯片型尺寸的繞線式抗流線圈，以符合標(biāo) 準(zhǔn)化、小型化、高頻應(yīng)用的趨勢，且可提供各種不同特性供使用者選擇。可達(dá)成上述發(fā)明目的的一種芯片型繞線式抗流線圈，包括線圈，其外形為芯片型零件的尺寸，由變化導(dǎo)線線徑的絕緣被覆導(dǎo)線或變化絕緣 膜厚度的絕緣被覆導(dǎo)線卷繞而成，該絕緣被覆導(dǎo)線的兩端在剝除所需長度的絕緣膜并施以 表面處理后即形成線圈兩端焊接所需的端子；芯材，該芯材與線圈緊密配合，該芯材長度固定不變，但寬度及高度隨線圈選用不 同導(dǎo)線線徑或不同絕緣膜厚度的絕緣被覆導(dǎo)線而互相增減；該抗流線圈在規(guī)格化芯片型零件的固定尺寸條件下，使用不同導(dǎo)線線徑或不同絕 緣膜厚度的絕緣被覆導(dǎo)線，而產(chǎn)生不同圈數(shù)的變化。本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈，于各種規(guī)格化芯片型零件尺寸條件下，改變抗流線圈所使用的絕緣被覆導(dǎo)線的線徑及其絕緣膜厚度，或改變抗流線圈所使用的絕緣 被覆導(dǎo)線的斷面形狀，或抗流線圈本體與兩端端子的圈數(shù)互相增減，或不同芯材材質(zhì)(例 如陶瓷、錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體等)的使用，或增減抗流線圈的高度等方式，使該抗流線 圈在同一尺寸下，可提供各種不同電氣特性的選擇。本發(fā)明與其它現(xiàn)有技術(shù)相互比較時，具備下列優(yōu)點可提供標(biāo)準(zhǔn)芯片型尺寸的繞線式抗流線圈，并提供各種不同電氣特性的選擇。本發(fā)明可提供縮減抗流線圈的制作流程及時間，達(dá)到大量生產(chǎn)及降低成本的目 的。


圖1A-1B為現(xiàn)有插件式(Dip type)繞線式抗流線圈的正視圖及側(cè)視圖；圖2A-2B為圓柱形表面著裝型(SMD type)繞線式抗流線圈的正視圖及側(cè)視圖；圖3A-3B為改良式表面著裝型(SMD type)繞線式抗流線圈的正視圖及側(cè)視圖；圖4A-4G為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的示意圖；圖5A-5H為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈于絕緣被覆導(dǎo)線不同斷面形狀 時的實施示意圖；圖6為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的絕緣被覆導(dǎo)線于不同導(dǎo)線線徑時 的實施示意圖；圖7為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的絕緣被覆導(dǎo)線于不同絕緣膜厚度 時的實施示意圖；圖8為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的線圈本體與兩端端子的圈數(shù)互相 增減時的實施示意圖；圖9A-9B為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈于高度變化時的示意圖；圖10A-10F為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的另一示意圖；圖11A-11F為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈的又一示意圖。附圖標(biāo)記1、抗流線圈；11、線圈；111、端子；112、絕緣被覆導(dǎo)線；113、導(dǎo)線； 113a、導(dǎo)線；114、絕緣膜；114a、絕緣膜；12、芯材；13、電鍍層；14、焊錫包覆層；15、包覆材。
具體實施例方式以下通過具體實施例來說明本發(fā)明。實施例1 請參考圖4A-4G所示，為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈1的示意圖，為規(guī)格 化芯片型尺寸的被動組件，該被動組件的長度為1. 0 5. Omm,寬度及高度為0. 5 3. 5mm, 包含線圈11，如圖4A及圖4B所示，由絕緣被覆導(dǎo)線112卷繞而成，該絕緣被覆導(dǎo)線112 由絕緣膜114包覆導(dǎo)線113而成，該線圈1將絕緣被覆導(dǎo)線112的兩端剝除所需長度的絕 緣膜114后再將此剝除絕緣膜114的導(dǎo)線113施以沾錫的表面處理后卷繞而成；或于絕緣 被覆導(dǎo)線112的兩端剝除所需長度的絕緣膜114，且卷繞成線圈11后施以電鍍的表面處理; 該剝除絕緣膜114的導(dǎo)線113且施以沾錫或電鍍等表面處理的部分即形成線圈11兩端焊接用的端子111 ；芯材12，其與線圈11緊密配合，如圖4C及圖4D所示，可于絕緣被覆導(dǎo)線112兩 端剝除所需長度的絕緣膜114，且施以沾錫的表面處理并卷繞成線圈11后將該芯材12插 入線圈11內(nèi)；或可于絕緣被覆導(dǎo)線112兩端剝除所需長度的絕緣膜114且施以沾錫的表面 處理后直接卷繞于該芯材12上；或可于絕緣被覆導(dǎo)線112兩端剝除所需長度的絕緣膜114 且卷繞成線圈11并施以電鍍的表面處理后再將該芯材12插入線圈11內(nèi)；此即構(gòu)成抗流線 圈1，如圖4E及圖4F所示；上述規(guī)格化芯片型尺寸的抗流線圈于長度、寬度皆固定下，可改變線圈11或芯材 12的各種條件。相關(guān)實施例說明如下上述線圈11所使用絕緣被覆導(dǎo)線112的線徑為0. 1 0. 4mm，其斷面形狀可為正 方形或圓形，如圖4G所示，若為正方形時，其面積舉例而言為1X1 = 1，而直徑同為1的圓 型面積為0. 5X0.5X π = 0. 785，兩者比較后，正方形較圓型增加了 27%的面積，因此可提 高抗流線圈1的耐電流量。另外，如圖5A-5H所示，于芯片型零件的固定尺寸條件下，上述芯片型繞線式抗 流線圈所使用的絕緣被覆導(dǎo)線112，其斷面形狀也可為長方形或橢圓形，其線徑的長邊為 0. 1 0. 4mm，短邊則為小于長邊的任意比例；于芯材12長度不變的情況下，將長方形或橢 圓形絕緣被覆導(dǎo)線112以直立模式(圖5C、5D、5G、5H所示)或橫向模式(圖5A、5B、5E、5F 所示)卷繞于芯材12上，且與芯材12的寬度及高度互相增減時(意即，絕緣被覆導(dǎo)線112 以直立模式卷繞時芯材12的寬度及高度相對減小。反之，絕緣被覆導(dǎo)線112以橫向模式卷 繞時芯材12的寬度及高度相對加大)，即可因卷繞圈數(shù)的不同，而變化出各種不同的電氣 特性；至于其它結(jié)構(gòu)皆與圖4G相同，于此不再贅述。如圖6所示，于芯片型零件的固定尺寸條件下，為達(dá)到與圖4G不同圈數(shù)的目的，于 該芯材12的長度以及絕緣膜114厚度不變下，縮減導(dǎo)線113a的線徑，并相對增加芯材12的 寬度及高度，使得絕緣膜被覆導(dǎo)線112可在芯材12上卷繞較多的圈數(shù)，以達(dá)到不同特性的 目的。如此將導(dǎo)線113a的線徑與芯材12的寬度及高度互相增減時(意即，導(dǎo)線113a的線 徑減小時芯材12的寬度及高度相對加大。反之，導(dǎo)線113a的線徑加大時芯材12的寬度及 高度相對減小)，即可因圈數(shù)的不同而變化出各種不同的特性；至于其它結(jié)構(gòu)皆與圖4G相 同，于此不再贅述。如圖7所示，于芯片型零件的固定尺寸條件下，為達(dá)到與圖4G不同圈數(shù)的目的，于 芯材12的長度以及導(dǎo)線113的線徑不變下，增加絕緣膜114a厚度，并相對減少芯材12的寬 度及高度，使絕緣膜被覆導(dǎo)線112可在芯材12上卷繞較少的圈數(shù)，以達(dá)到不同特性的目的； 如此將絕緣膜IHa的厚度與芯材12的寬度及高度互相增減時(意即，絕緣膜IHa的厚度 加大時芯材12的寬度及高度相對減小。反之，絕緣膜IHa的厚度減小時芯材12的寬度及 高度相對加大)，即可因圈數(shù)的不同而變化出各種不同的特性；至于其它結(jié)構(gòu)皆與圖4G相 同，于此不再贅述。如圖8所示，于芯片型零件的固定尺寸條件下，為達(dá)到與圖4G不同特性的目的，線 圈11本體的圈數(shù)與線圈11兩端焊接用端子111的圈數(shù)可互相增減以變化抗流線圈1的圈 數(shù)或端子111焊接時所需的圈數(shù)(意即，線圈11本體的圈數(shù)增加時端子111的圈數(shù)相對減 少。反之，線圈11本體的圈數(shù)減少時端子111的圈數(shù)相對增加)；至于其它結(jié)構(gòu)皆與圖4G相同，于此不再贅述。如圖9A及圖9B所示，于芯片型零件的長度及寬度固定條件下，為達(dá)到與圖4G不 同特性的目的，可增減抗流線圈1的高度，以獲得各種不同特性的變化。另外，抗流線圈1的芯材12可使用不同材質(zhì)，例如陶瓷、錳鋅鐵氧體、鎳鋅鐵氧體 等，以獲得各種不同特性的變化。另外，如圖10A-10F所示，為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈1的另一實施示 意圖，其中該芯材12的兩端面，如圖IOC及圖IOD所示，可施以電鍍處理形成電鍍層13且 與線圈11組合成如圖IOE及圖IOF所示的抗流線圈1，以提升其焊錫性。另外，請參閱圖11A-11F所示，為本發(fā)明的一種芯片型繞線式抗流線圈1的又一實 施示意圖，其中該芯材12的兩端面，如圖IlC及圖IlD所示，可施以電鍍處理形成電鍍層13 且與線圈11組合后，再將抗流線圈1的兩端施以沾錫處理而形成如圖IlE及圖IlF所示具 有焊錫包覆層14的抗流線圈1，以提升其焊錫性。除此之外，本發(fā)明的芯片型繞線式抗流線圈，其可數(shù)個并聯(lián)或串聯(lián)組合、或與電容 并聯(lián)組合并焊接于各種基材上，例如導(dǎo)線架、玻璃纖維基板、陶瓷基板、BT樹脂基板或低溫 共燒陶瓷(LTCC)后，再將其封裝成各種不同的大電流濾波器、或L型、π型或T型的LC濾 波器。上述詳細(xì)說明是針對本發(fā)明的可行實施例的具體說明，該實施例并非用以限制本 發(fā)明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明的等效實施或變更，均應(yīng)包含于本發(fā)明的專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于包含線圈，其外形為芯片型零件的尺寸，由變化導(dǎo)線線徑的絕緣被覆導(dǎo)線卷繞而成，該絕緣 被覆導(dǎo)線的兩端在剝除所需長度的絕緣膜并施以表面處理后即形成線圈兩端焊接所需的 端子；芯材，該芯材與線圈緊密配合，該芯材長度固定不變，但寬度及高度隨線圈選用不同導(dǎo) 線線徑的絕緣被覆導(dǎo)線而互相增減；該抗流線圈在規(guī)格化芯片型零件的固定尺寸條件下，使用不同導(dǎo)線線徑的絕緣被覆導(dǎo) 線，而產(chǎn)生不同圈數(shù)的變化。
2.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述絕緣被覆導(dǎo)線 的斷面形狀為正方形、圓形、長方形或橢圓形。
3.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈本體的圈 數(shù)與兩端端子的圈數(shù)互相增減，以達(dá)到不同特性或符合焊接所需。
4.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述芯材材料為陶 瓷、錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體。
5.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈及芯材的 高度相對增減，以獲得各種不同特性的變化。
6.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述芯材兩端施以 電鍍處理，以提升其焊錫性。
7.如權(quán)利要求1所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈的兩端端 子及芯材的兩端面施以沾錫處理形成焊錫包覆層以提升其焊錫性。
8.—種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于包含線圈，其外形為芯片型零件的尺寸，由變化絕緣膜厚度的絕緣被覆導(dǎo)線卷繞而成，該絕 緣被覆導(dǎo)線的兩端在剝除所需長度的絕緣膜并施以表面處理后即形成線圈兩端焊接所需 的端子；芯材，該芯材與線圈緊密配合，該芯材長度固定不變，但寬度及高度隨線圈選用不同絕 緣膜厚度的絕緣被覆導(dǎo)線而互相增減；該抗流線圈在規(guī)格化芯片型零件的固定尺寸條件下，使用不同絕緣膜厚度的絕緣被覆 導(dǎo)線，而產(chǎn)生不同圈數(shù)的變化。
9.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述絕緣被覆導(dǎo)線 的斷面形狀為正方形、圓形、長方形或橢圓形。
10.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈本體的圈 數(shù)與兩端端子的圈數(shù)互相增減，以達(dá)到不同特性或符合焊接所需。
11.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述芯材材料為陶 瓷、錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體。
12.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈及芯材的 高度相對增減，以獲得各種不同特性的變化。
13.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述芯材兩端施以 電鍍處理，以提升其焊錫性。
14.如權(quán)利要求8所述的一種芯片型繞線式抗流線圈，其特征在于所述線圈的兩端端子及芯材的兩端面施以沾錫處理形成焊錫包覆層以提升其焊錫性。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種芯片型繞線式抗流線圈，主要是在各種規(guī)格化芯片型零件尺寸條件下，改變抗流線圈所使用的絕緣被覆導(dǎo)線的線徑及其絕緣膜厚度，或改變抗流線圈所使用的絕緣被覆導(dǎo)線的斷面形狀，或抗流線圈本體與兩端端子的圈數(shù)互相增減，或不同芯材材質(zhì)的使用，或增減抗流線圈的高度等方式，致使該抗流線圈在固定外形尺寸下，可提供各種不同電氣特性的選擇。
文檔編號H01F27/28GK102054558SQ20091019378
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月9日
發(fā)明者陳行誠 申請人:陳行誠