專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術(shù)。所述光刻工藝通常包括如 下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后，通過(guò)曝光機(jī)臺(tái)將光掩模版 上的掩模圖形以特定光源曝在所述的感光材料上，隨后，再以顯影劑將感光材料顯影，并利 用顯影出來(lái)的圖形作為屏蔽，進(jìn)行蝕刻等工藝，并最終完成掩模圖形的轉(zhuǎn)移。光刻工藝需要一整套(幾塊多至十幾塊)相互間能精確套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖 形的光掩模版。由于光掩模版的質(zhì)量是影響集成電路功能和芯片成品率的重要因素之一， 隨著大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)光掩模版的質(zhì)量，包括各種掩模精度、缺陷密 度和掩模版的耐用性能等都提出了極高的要求?，F(xiàn)有情況下，一個(gè)光掩模版對(duì)應(yīng)一個(gè)工藝，例如離子注入工藝或刻蝕工藝都有特 定的光掩模版與之對(duì)應(yīng)。在進(jìn)行一個(gè)完整流片時(shí)，其中會(huì)涉及上百步的工藝流程，而如果每 個(gè)工藝都采用一個(gè)光掩模版，則不但工藝成本高，且增加了工藝復(fù)雜程度。例如現(xiàn)有制造半導(dǎo)體器件的工藝中，在形成低壓PMOS阱時(shí)需要使用一個(gè)光掩模 版以進(jìn)行N型離子注入，在形成低壓NMOS阱時(shí)則需要使用另一個(gè)光掩模版以進(jìn)行P型離子 注入；然后，再要利用一個(gè)光掩模版以同時(shí)刻蝕去除低壓PMOS區(qū)和低壓NMOS區(qū)的柵氧化 層。在這一工藝過(guò)程中，一共采用了三個(gè)光掩模版，即離子注入工藝和刻蝕工藝分別使用一 個(gè)光掩模版，提高了工藝成本，增加了工藝復(fù)雜度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，防止每個(gè)工藝都采用一個(gè) 光掩模版，則不但工藝成本高，且增加了工藝復(fù)雜程度。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光掩模版的形成方法，包括提供依次形成有膜 層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底；將第一光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上， 形成第一刻蝕開(kāi)口 ；以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第一預(yù)定器 件；繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第一預(yù)定 摻雜區(qū)；去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層；將第二光掩模版上的刻蝕圖 形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二刻蝕開(kāi)口 ；以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口刻 蝕膜層，形成第二預(yù)定器件；繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)
注入離子，形成第二預(yù)定摻雜區(qū)；......去除第n-1光刻膠層后，在膜層上形成第η光刻膠
層；將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第η刻蝕開(kāi)口 ；以第η光刻 膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η預(yù)定器件；繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿 第η刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第η預(yù)定摻雜區(qū)?？蛇x的，所述第一預(yù)定摻雜區(qū)、第二預(yù)定摻雜區(qū)......第η預(yù)定摻雜區(qū)為完整的離子注入工藝區(qū)域。可選的，所述第一預(yù)定摻雜區(qū)、第二預(yù)定摻雜區(qū)......第η預(yù)定摻雜區(qū)的功能是
相同的。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供依次形成有膜層及第一光 刻膠層的半導(dǎo)體襯底；將第一光掩模版上的離子注入圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成第 一離子注入開(kāi)口 ；以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子， 形成第一預(yù)定摻雜區(qū)；繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成第 一預(yù)定器件；去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層；將第二光掩模版上的離 子注入圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二離子注入開(kāi)口 ；以第二光刻膠層為掩膜，沿第 二離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第二預(yù)定摻雜區(qū)；繼續(xù)以第二光刻膠層為
掩膜，沿第二離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成第二預(yù)定器件；......去除第η-1光刻膠層后，
在膜層上形成第η光刻膠層；將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第 η離子注入開(kāi)口 ；以第η光刻膠層為掩膜，沿第η離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子， 形成第η預(yù)定摻雜區(qū)；繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η預(yù) 定器件?？蛇x的，所述第一預(yù)定器件、第二預(yù)定器件......第η預(yù)定器件的功能是相同的?？蛇x的，所述第一預(yù)定器件、第二預(yù)定器件......第η預(yù)定器件為完整的刻蝕工
藝區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)將原有的一步離子注入工藝或刻蝕工藝 分多步去共享至其他離子注入工藝或刻蝕工藝中，即多步其他離子注入工藝或刻蝕工藝所 采用的光掩模版組合起來(lái)形成的圖形正好是原有的一步離子注入工藝或刻蝕工藝所需光 掩模版上圖形。也就是省去一步離子注入工藝或刻蝕工藝形成器件所需的光掩模版，而將 形成這一器件的過(guò)程分步在其它工藝中形成，不但簡(jiǎn)化了工藝步驟，而且還節(jié)省了制造成 本。


圖1是本發(fā)明工藝過(guò)程中形成半導(dǎo)體器件的第一具體實(shí)施方式
流程圖；圖2是本發(fā)明工藝過(guò)程中形成半導(dǎo)體器件的第二具體實(shí)施方式
流程圖；圖3是本發(fā)明將一步離子注入工藝或刻蝕工藝分幾步共享至其它工藝中的示意 圖；圖4至圖9是本發(fā)明在制作柵氧化層工藝過(guò)程中使用光掩模版的實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)在流片過(guò)程中，通常一個(gè)光掩模版對(duì)應(yīng)一個(gè)工藝，而在進(jìn)行一個(gè)完成流 片時(shí)，其中會(huì)涉及上百步的工藝流程，如果每個(gè)工藝都采用一個(gè)光掩模版，則不但工藝成本 高，且增加了工藝復(fù)雜程度。本發(fā)明省去一步離子注入工藝或刻蝕工藝形成器件所需的光 掩模版，而將形成這一器件的過(guò)程分步在其它工藝中形成，不但簡(jiǎn)化了工藝步驟，而且還節(jié) 省了制造成本。本發(fā)明工藝過(guò)程中形成半導(dǎo)體器件的第一具體實(shí)施方式
的流程如圖1所示，執(zhí)行步驟Sl，提供依次形成有膜層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底。執(zhí)行步驟S2，將第一光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成第一刻 蝕開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版102上的圖形為第一刻蝕圖形112，先將第一刻蝕圖形112 轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第一光刻膠層上形成第一刻蝕開(kāi)口。執(zhí)行步驟S3，以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第一預(yù)定器 件。執(zhí)行步驟S4，繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入 離子，形成第一預(yù)定摻雜區(qū)。結(jié)合圖3，掩模版102上的圖形作為第一刻蝕圖形112，其與掩模版100的離子注 入圖形110部分重合。因此，沿第一刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，可以形成完整的預(yù) 定摻雜區(qū)的一部分。執(zhí)行步驟S5，去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層。執(zhí)行步驟S6，將第二光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二刻 蝕開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版104上的圖形為第二刻蝕圖形114，先將第二刻蝕圖形112 轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第二光刻膠層上形成第二刻蝕開(kāi)口。執(zhí)行步驟S7，以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第二預(yù)定器 件。執(zhí)行步驟S8，繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入 離子，形成第二預(yù)定摻雜區(qū)。結(jié)合圖3，掩模版104上的圖形作為第二刻蝕圖形114，其與掩模版100的離子注 入圖形110部分重合。因此，沿第二刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子形成的第二預(yù)定摻 雜區(qū)為完整的預(yù)定摻雜區(qū)的一部分。執(zhí)行步驟S9，......去除第n-1光刻膠層后，在膜層上形成第η光刻膠層。執(zhí)行步驟S10，將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第η刻 蝕開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版106上的圖形為第η刻蝕圖形116，先將第η刻蝕圖形116 轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第η光刻膠層上形成第η刻蝕開(kāi)口。執(zhí)行步驟Sl 1，以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η預(yù)定器 件。執(zhí)行步驟S12，繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入 離子，形成第η預(yù)定摻雜區(qū)。結(jié)合圖3，掩模版106上的圖形作為第η刻蝕圖形116，其與掩模版100的離子注 入圖形110部分重合。因此，沿第η刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子形成的第η預(yù)定摻 雜區(qū)為完整的預(yù)定摻雜區(qū)的一部分。如圖3所示，如果掩模版100上的圖形為離子注入圖形，掩模版102、104、106上的 圖形為刻蝕圖形，則第一刻蝕圖形112、第二刻蝕圖形114……第η刻蝕圖形116與離子注 入圖形110完全重合。因此，通過(guò)在多個(gè)刻蝕工藝中進(jìn)行離子注入工藝，能形成一完整的離子注入?yún)^(qū)。本發(fā)明工藝過(guò)程中形成半導(dǎo)體器件的第二具體實(shí)施方式
的流程如圖2所示，執(zhí)行 步驟S101，提供依次形成有膜層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底。執(zhí)行步驟S102，將第一光掩模版上的離子注入圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成 第一離子注入開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版102上的圖形為第一離子注入圖形112，先將第一離子注入 圖形112轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第一光刻膠層上形成第一離子 注入開(kāi)口。執(zhí)行步驟S103，以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注 入離子，形成第一預(yù)定摻雜區(qū)。執(zhí)行步驟S104，繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成 第一預(yù)定器件。結(jié)合圖3，掩模版102上的圖形作為第一離子注入圖形112，其與掩模版100的刻 蝕圖形110部分重合。因此，沿第一離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，可以形成完整的預(yù)定器件的一 部分。執(zhí)行步驟S105，去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層。執(zhí)行步驟S106，將第二光掩模版上的離子注入圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成 第二離子注入開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版104上的圖形為第二離子注入圖形114，先將第二離子注入 圖形114轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第二光刻膠層上形成第二離子 注入開(kāi)口。執(zhí)行步驟S107，以第二光刻膠層為掩膜，沿第二離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注 入離子，形成第二預(yù)定摻雜區(qū)。執(zhí)行步驟S108，繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成 第二預(yù)定器件。結(jié)合圖3，掩模版104上的圖形作為第二離子注入圖形114，其與掩模版100的刻 蝕圖形110部分重合。因此，沿第二離子注入開(kāi)口刻蝕膜層形成的第二預(yù)定器件為完整的 預(yù)定器件的一部分。執(zhí)行步驟S109，......去除第n-1光刻膠層后，在膜層上形成第η光刻膠層。執(zhí)行步驟Sl 10，將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第η離 子注入開(kāi)口。結(jié)合圖3，如果掩模版106上的圖形為第η離子注入圖形116，先將第η離子注入 圖形116轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，在第η光刻膠層上形成第η離子注 入開(kāi)口。執(zhí)行步驟S111，以第η光刻膠層為掩膜，沿第η離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入 離子，形成第η預(yù)定摻雜區(qū)。執(zhí)行步驟S112，繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η 預(yù)定器件。結(jié)合圖3，掩模版106上的圖形作為第η離子注入圖形116，其與掩模版100的刻蝕圖形110部分重合。因此，沿第η離子注入開(kāi)口刻蝕膜層形成的第η預(yù)定器件為完整的 預(yù)定器件的一部分。如圖3所示，如果掩模版100上的圖形為刻蝕圖形，掩模版102、104、106上的圖形
為離子注入圖形，則第一離子注入圖形112、第二離子注入圖形114......第η離子注入圖
形116與刻蝕圖形110完全重合。因此，通過(guò)在多個(gè)離子注入工藝中進(jìn)行刻蝕工藝，形成一 完整的半導(dǎo)體器件。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的第二具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。圖4至圖9是本發(fā)明在制作柵氧化層工藝過(guò)程中使用光掩模版的實(shí)施例示意圖。如圖4所示，提供一半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)在經(jīng)過(guò)離子注入后形 成有高壓NMOS阱202和高壓PMOS阱204。采用熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底 200上形成柵氧化層206，柵氧化層206的材料為二氧化硅等。如果采用熱氧化法形成柵氧 化層206，則將半導(dǎo)體襯底206放入爐管內(nèi)，在預(yù)定溫度下通入氧氣氧化半導(dǎo)體襯底200的 硅表面。如圖5所示，用旋涂法在柵氧化層206上形成第一光刻膠層208 ；經(jīng)過(guò)曝光顯影工 藝后，將第一光掩模板(未示出)上低壓NMOS阱圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層208上，形成低 壓NMOS阱開(kāi)口 ；以第一光刻膠層208為掩膜，沿低壓NMOS阱開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底200注入P 型離子209，形成低壓NMOS阱210。其中P型離子209可以是硼離子。如圖6所示，繼續(xù)以第一光刻膠層208，沿低壓NMOS阱開(kāi)口刻蝕柵氧化硅206至露 出半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的低壓NMOS阱210。如圖7所示，灰化法去除第一光刻膠層208，然后再用濕法干法刻蝕法去除殘留的 第一光刻膠層208 ；用旋涂法在柵氧化層206和低壓NMOS阱210上形成第二光刻膠層212 ； 經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后，將第二光掩模板(未示出)上低壓PMOS阱圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層 212上，形成低壓PMOS阱開(kāi)口 ；以第二光刻膠層212為掩膜，沿低壓PMOS阱開(kāi)口向半導(dǎo)體 襯底200注入N型離子213，形成低壓PMOS阱214。其中N型離子213可以為磷離子或砷 罔子。如圖8所示，繼續(xù)以第二光刻膠層212，沿低壓PMOS阱開(kāi)口刻蝕柵氧化硅206至露 出半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的低壓PMOS阱214。如圖9所示，灰化法去除第二光刻膠層212，然后再用濕法干法刻蝕法去除殘留的 第一光刻膠層212。本實(shí)施例中，在注入離子形成低壓NMOS阱210時(shí)同時(shí)，刻蝕去除低壓NMOS阱210 上的柵氧化層206 ；在注入離子低壓PMOS阱214的同時(shí)，刻蝕去除低壓PMOS阱214上的柵 氧化層206。該工藝節(jié)省了一道注入離子形成低壓NMOS阱210和低壓PMOS阱214后，需要 一步定義低壓NMOS阱210和低壓PMOS阱214上的柵氧化層206刻蝕區(qū)域的光掩模版及相 應(yīng)的光刻過(guò)程。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括 提供依次形成有膜層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底； 將第一光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成第一刻蝕開(kāi)口 ； 以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第一預(yù)定器件；繼續(xù)以第一光 刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第一預(yù)定摻雜區(qū)； 去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層； 將第二光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二刻蝕開(kāi)口 ； 以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第二預(yù)定器件； 繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第二預(yù) 定摻雜區(qū)；去除第n-1光刻膠層后，在膜層上形成第η光刻膠層； 將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第η刻蝕開(kāi)口 ； 以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η預(yù)定器件； 繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第η預(yù)定 摻雜區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一預(yù)定摻雜區(qū)、第 二預(yù)定摻雜區(qū)......第η預(yù)定摻雜區(qū)的功能是相同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一預(yù)定摻雜區(qū)、第 二預(yù)定摻雜區(qū)......第η預(yù)定摻雜區(qū)為完整的離子注入工藝區(qū)域。
4.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括 提供依次形成有膜層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底；將第一光掩模版上的離子注入圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成第一離子注入開(kāi)口 ； 以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第一預(yù) 定摻雜區(qū)；繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成第一預(yù)定器件； 去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層；將第二光掩模版上的離子注入圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二離子注入開(kāi)口 ； 以第二光刻膠層為掩膜，沿第二離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第二預(yù) 定摻雜區(qū)；繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二離子注入開(kāi)口刻蝕膜層，形成第二預(yù)定器件；去除第n-1光刻膠層后，在膜層上形成第η光刻膠層；將第η光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第η光刻膠層上，形成第η離子注入開(kāi)口 ； 以第η光刻膠層為掩膜，沿第η離子注入開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第η預(yù)定 摻雜區(qū)；繼續(xù)以第η光刻膠層為掩膜，沿第η刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第η預(yù)定器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一預(yù)定器件、第二預(yù)定器件......第η預(yù)定器件的功能是相同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一預(yù)定器件、第二 預(yù)定器件......第η預(yù)定器件為完整的刻蝕工藝區(qū)域。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括提供依次形成有膜層及第一光刻膠層的半導(dǎo)體襯底；將第一光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第一光刻膠層上，形成第一刻蝕開(kāi)口；以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第一預(yù)定器件；繼續(xù)以第一光刻膠層為掩膜，沿第一刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第一預(yù)定摻雜區(qū)；去除第一光刻膠層后，在膜層上形成第二光刻膠層；將第二光掩模版上的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移至第二光刻膠層上，形成第二刻蝕開(kāi)口；以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口刻蝕膜層，形成第二預(yù)定器件；繼續(xù)以第二光刻膠層為掩膜，沿第二刻蝕開(kāi)口向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入離子，形成第二預(yù)定摻雜區(qū)。本發(fā)明不但簡(jiǎn)化了工藝步驟，而且還節(jié)省了制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101996945SQ20091019444
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月17日
發(fā)明者倪紅松, 李政皓, 羅雙強(qiáng), 蔡志軍 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司