專利名稱：減少hdp cvd工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種減少高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法。
背景技術：
隨著半導體制造技術的飛速發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度的不斷提高，半導體 襯底的單位面積上有源器件的密度越來越高，各有源器件之間的距離也越來越小，從而使 得半導體器件的特征尺寸顯著減小。在現(xiàn)有的65納米甚至更小工藝尺寸的半導體制造工 藝中，半導體器件之間的縫隙的深寬比(即縫隙深度與縫隙寬度之比)已經(jīng)達到了4 1 甚至更高，從而對絕緣介質在各個薄膜層之間均勻無孔的填充工藝提出了更高的要求。在現(xiàn)有技術中，一般可使用HDP CVD工藝來實現(xiàn)在較低溫度下對高深寬比縫隙的 優(yōu)良填充。由于在HDP CVD工藝中，可在同一個反應腔中同步地進行沉積和刻蝕的工藝，使 得所沉積的絕緣介質膜具有高密度、低雜質缺陷、對硅片有優(yōu)良的粘附能力等優(yōu)點，從而使 得HDP CVD工藝以卓越的填孔能力、穩(wěn)定的沉積質量、可靠的電學特性等諸多優(yōu)勢被廣泛地 運用到各種半導體制造工藝中。圖1為現(xiàn)有技術中的HDP CVD工藝的流程圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術中的HDP CVD 工藝包括如下所述的步驟步驟101，將所需處理的晶圓放置于高密度等離子體反應腔中。步驟102，進行穩(wěn)定壓力(Pressuring)處理工藝。在本步驟中，將向高密度等離子體反應腔中通入反應氣體，即通過氣體噴嘴將所 需的反應氣體輸入到所述高密度等離子體反應腔中。該步驟大約持續(xù)10秒鐘。一般來說， 本步驟中所通入的反應氣體可以是氬氣(Ar)，而所述Ar的流量一般為64kccm。步驟103，進行等離子體激發(fā)(Strike)處理工藝。在本步驟中，將對所通入的反應氣體進行等離子體激發(fā)處理工藝，即將所通入的 反應氣體通過所設置的源功率進行等離子體化。步驟104，進行氣體流通處理工藝。在本步驟中，將通入氧氣(O2)和Ar，打開節(jié)流閥(TV，Throttle valve)，并通過渦 輪分子泵使得反應腔內的氣體處于流通狀態(tài)，從而保持一定的氣壓，在反應腔內形成均勻 而穩(wěn)定的氣體氛圍，使得所形成的高密度等離子體在低壓下以高密度混合氣體的形式直接 與所需處理的晶圓的表面充分而均勻地接觸。其中，所述Ar的流量一般可為M0sCCm，02的 流量一般可為^Osccm。步驟105，進行加熱(Heat up)處理工藝。在本步驟中，將對所需處理的晶圓進行加熱處理工藝。具體來說，將在上述的高密 度等離子體反應腔的頂部使用源功率的同時，還將在上述的高密度等離子體反應腔的兩側 也使用源功率，從而引導上述所形成的高密度等離子體轟擊所述晶圓的表面，使得晶圓的 溫度上升到預定的溫度，從而完成對所述晶圓的加熱處理。
步驟106，進行轉變(Transition)處理工藝。在本步驟中，所述轉變處理工藝包括將所通入的Αι^Π &的流量降低到預先設置 的流量值，并使上述氣體的流量在預先設定的持續(xù)時間內保持不變。例如，可將上述Ar的 流量降為6kccm，將&的流量降為HOsccm，而本步驟的持續(xù)時間為4秒。步驟107，進行第一次保護層(Liner)沉積工藝。在本步驟中，將進行第一次保護層沉積工藝。具體來說，在注入&的同時，打開 位于反應腔頂部的硅烷閥，注入硅烷氣體(SiH4),沉積一保護層。此時，所述O2的流量為 68sCCm，所述從頂部注入的SiH4W流量為14 sccm，本步驟的持續(xù)時間為4秒。由于所注入 的氣體中氧氣的比例比較大，因此所沉積的保護層的主要成分為富氧的二氧化硅。步驟108，進行第二次保護層沉積工藝。在本步驟中，將進行第二次保護層沉積工藝。在繼續(xù)注入O2的同時，打開位于反 應腔頂部和側面的硅烷閥，注入SiH4，繼續(xù)沉積保護層；此時，所述O2的流量仍為68sCCm，所 述從頂部注入的SiH4的流量為Ssccm，所述從側面注入的SiH4的流量為6sCCm，本步驟的持 續(xù)時間為2秒。此時，由于所注入的氣體中氧氣的比例比較大，因此所沉積的保護層的主要 成分仍為富氧的二氧化硅。通過上述步驟107和步驟108所生成的保護層覆蓋在晶圓表面已形成的金屬層 上，可用于保護上述已形成的金屬層，減小在后續(xù)的主體層沉積工藝中的對金屬層的等離 子體誘發(fā)損傷(PID，Plasma Induced Damage)，即由于高密度等離子體的轟擊而造成的對 金屬層的損傷。步驟109，進行預置偏壓(PRE Bias)處理工藝。在本步驟中，將通過偏置功率發(fā)生器產(chǎn)生一個預置的偏置功率(BiasPower)，引導 上述所形成的高密度等離子體垂直于所需處理的晶圓運動，轟擊所述晶圓的表面，為后續(xù) 的主體層沉積(Main Dep)工藝做好相應的準備。其中，所述預置的偏置功率為1000W。步驟110，進行主體層沉積工藝。在本步驟中，將通過偏置功率發(fā)生器產(chǎn)生的偏置功率，引導上述所形成的高密度 等離子體在晶圓的表面進行主體層的沉積。其中，所述預置的偏置功率為1450W。所述的主 體層即為層間絕緣層(ILD，Inter Layer Dielectric)。在上述的由步驟101 110所描述的HDP CVD工藝中，由于可形成高密度的等離 子體，因此可以填充深寬比為4 1甚至更高的間隙。在常用的HDP CVD工藝中，沉積工藝 通常是由SiH4和&的反應來實現(xiàn)，而蝕刻工藝通常是由Ar和&的濺射來完成。在上述的 蝕刻工藝中，濺射離子在偏置功率的作用下將以一定的能量對晶圓進行轟擊，而在上述步 驟107和步驟108中所生成的保護層的成分為富氧的二氧化硅，致密度較小，因此部分濺 射離子仍然可以穿透該保護層，從而對保護層之下的金屬層造成損傷；另外，在上述的HDP CVD工藝中，在沉積保護層(步驟107)之前即進行了加熱處理工藝(步驟105)，在該加熱 處理工藝中，需要使用高密度等離子體轟擊晶圓的表面以提高晶圓的溫度。此時，由于還尚 未在金屬層上沉積保護層，因此在使用高密度等離子體轟擊晶圓時，上述高密度等離子體 將直接轟擊在金屬層上，從而也很容易造成金屬層的損傷。由此可知，在現(xiàn)有技術中的HDP CVD工藝中，仍然會對金屬層造成較大的損傷，從 而對所形成的半導體器件的良率和可靠性造成不良的影響。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種減少HDP CVD工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法，從而 減少PID現(xiàn)象的出現(xiàn)，提高半導體器件的良率和可靠性。根據(jù)上述目的，本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的一種減少HDP CVD工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法，該方法包括將所需處理的晶圓放置于高密度等離子體反應腔中，依次進行穩(wěn)定壓力處理工 藝、等離子體激發(fā)處理工藝和氣體流通處理工藝；進行第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝；進行富硅二氧化硅保護層沉積工藝，以沉積一富硅二氧化硅保護層；進行加熱處理工藝；依次進行第二次富氧二氧化硅保護層沉積工藝、預置偏壓處理工藝和主體層沉積 工藝。在所述第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和硅 烷；所述氧氣的流量為40 80sccm，所述硅烷的流量為10 30sccm。所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等 離子體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W。所述第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間為0. 2 5秒。在所述富硅二氧化硅保護層沉積工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和硅烷；所述氧氣的流量為10 30sccm，所述硅烷的流量為10 30sccm。所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等 離子體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W。所述富硅二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間為5 20秒。在所述加熱處理工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和氬氣；所述氧氣的流量為100 500sccm，所述氬氣的流量為100 500sccm。所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等 離子體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W ；所述加熱處理工藝的持續(xù)時間為10 50秒。所述沉積的富硅二氧化硅保護層的厚度為50 300埃。由上可知，本發(fā)明提供了一種減少HDP CVD工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法。在 該方法中，可以在沉積主體層之前，先在金屬層上沉積一個富硅二氧化硅保護層。由于富硅 二氧化硅保護層的致密度比較大，因此可以有效地阻止高密度等離子體對金屬層的轟擊； 同時，由于在該方法中，在進行加熱處理工藝之前，已在金屬層上沉積了富硅二氧化硅保護 層，因此可避免加入處理工藝中的高密度等離子體對金屬層的直接轟擊，從而可以有效地 減少PID現(xiàn)象的出現(xiàn)，提高半導體器件的良率和可靠性。


圖1為現(xiàn)有技術中的HDP CVD工藝的流程圖。
圖2為本發(fā)明實施例中的HDP CVD工藝的流程圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下舉具體實施例并參照 附圖，對本發(fā)明進行進一步詳細的說明。圖2為本發(fā)明實施例中的HDP CVD工藝的流程圖。如圖2所示，本發(fā)明實施例中 的HDP CVD工藝包括如下所述的步驟步驟201，將所需處理的晶圓放置于高密度等離子體反應腔中。步驟202，進行穩(wěn)定壓力(Pressuring)處理工藝。在本步驟中，將向高密度等離子體反應腔中通入反應氣體，即通過氣體噴嘴將所 需的反應氣體輸入到所述高密度等離子體反應腔中。該步驟大約持續(xù)10秒鐘，以使得在 高密度等離子體反應腔中的氣壓達到一個預先設定的穩(wěn)定值。在本發(fā)明的實施例中，所通 入的反應氣體可以是Ar ；其中，Ar的流量為635 655標準毫升/分鐘(sccm，Standard Cubic Centimeter perMinute)；優(yōu)選的，所述 Ar 的流量為 645sccm。步驟203，進行等離子體激發(fā)(Strike)處理工藝。在本步驟中，將對所通入的反應氣體進行等離子體激發(fā)處理工藝，即將所通入的 反應氣體等離子體化。具體來說，當射頻(RF)源所產(chǎn)生的射頻電流通過線圈(coil)時，將 產(chǎn)生一個具有相應源功率(Source Power)的高頻電磁場，使得上述所通入反應氣體的分子 或原子發(fā)生電離，從而在低壓狀態(tài)(一般為幾個毫托)下產(chǎn)生高密度的等離子體。為了更 好地形成高密度的等離子體和對所形成的高密度的等離子體進行控制，可在上述的高密度 等離子體反應腔的頂部和兩側使用功率大小不同的源功率。在本步驟中，所述高密度等離 子體反應腔的頂部的源功率(簡稱為頂部源功率)的大小可以為1500瓦(W)，而所述高密 度等離子體反應腔的兩側的源功率(簡稱為側面源功率)的大小為0，即僅使用頂部源功 率，而未使用側面源功率。步驟204，進行氣體流通處理工藝。在本步驟中，將通入&和Ar，打開節(jié)流閥，并通過渦輪分子泵使得反應腔內的氣 體處于流通狀態(tài)，從而保持一定的氣壓，在反應腔內形成均勻而穩(wěn)定的氣體氛圍，使得所形 成的高密度等離子體在低壓下以高密度混合氣體的形式直接與所需處理的晶圓的表面充 分而均勻地接觸。其中，在本發(fā)明的實施例中，Ar的流量為230 250sCCm，O2的流量為 270 ^Osccm ；優(yōu)選的，所述Ar的流量為MOsccm，O2的流量為^Osccm。步驟205，進行第一次富氧二氧化硅保護層(Liner)沉積工藝。在本步驟中，將進行第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝。具體來說，在注入& 的同時，打開位于反應腔頂部的硅烷閥，注入SiH4，從而沉積一第一富氧二氧化硅保護層。 此時，所述A的流量為40 SOsccm，所述SiH4的流量為10 30sCCm，所述高密度等離子 體反應腔的頂部源功率的大小可以為2000 5000W，所述高密度等離子體反應腔的側面源 功率的大小可以為3000 6000W ；較佳的，所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大 小為3500W，所述高密度等離子體反應腔的側面源功率的大小為4000W，所述&的流量為 68sCCm，所述SiH4W流量為Hsccm。在此階段中，由于所注入的反應氣體中氧氣的含量比 較大，因此所沉積的保護層的主要成分為富氧的二氧化硅。但是，本步驟中的第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間比較短，一般為0. 2 5秒；較佳的，本步驟中的第一次 富硅二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間為1秒。由于本步驟的持續(xù)時間較短，因此所形 成的第一富氧二氧化硅保護層的厚度比較薄，一般為5 10埃(入)。步驟206，進行富硅二氧化硅保護層(SRO Liner)沉積工藝。在本步驟中，將進行SRO Liner沉積工藝，以沉積一富硅二氧化硅保護層。具體來 說，在注入O2的同時，從位于反應腔頂部的硅烷閥繼續(xù)注入SiH4，從而沉積SRO Liner0此 時，所述A的流量為10 30sCCm，所述SiH4的流量為10 30sCCm。在此階段中，由于所 注入的氣體中硅的含量相對較大，因此所沉積的保護層的主要成分將為SR0，而不是富氧二 氧化硅保護層。所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小可以為2000 5000W，所 述高密度等離子體反應腔的側面源功率的大小可以為3000 6000W ；較佳的，所述化的流 量為20Sccm，所述SiH4的流量為16sCCm，所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小 為3500W，所述高密度等離子體反應腔的側面源功率的大小為4000W。本步驟中的富硅二氧 化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間一般為5 20秒；較佳的，本步驟中的富硅二氧化硅保護 層沉積工藝的持續(xù)時間為7秒。通過本步驟中的富硅二氧化硅保護層沉積工藝，可以沉積一富硅二氧化硅保護 層。在本發(fā)明的實施例中，在所形成的富硅二氧化硅保護層中，硅氧比(Si/o Ratio) 一般 為0. 8，而現(xiàn)有技術的保護層中的硅氧比一般僅為0. 2，因此，相對于現(xiàn)有技術中的保護層 而言，本發(fā)明的實施例中所形成的保護層是一種富硅的二氧化硅保護層。由于所形成的富硅二氧化硅保護層中的硅的含量比較大，因此所形成的保護層的 致密度也比較大，所以該保護層的光子吸收效應(photon absorptionefficiency)也比較 明顯，從而可以阻擋較多的高密度等離子體的轟擊，可用于在后續(xù)的主體層沉積工藝中保 護已形成的金屬層，減少對金屬層的等離子體誘發(fā)損傷。因此，上述所形成的富硅二氧化硅保護層的厚度既不能太薄也不能太厚，厚度太 薄則無法有效阻擋高密度等離子體對金屬層的轟擊，而厚度太厚則容易在所沉積的富硅二 氧化硅保護層中形成空洞。所以，在本發(fā)明的實施例中，上述通過步驟206所形成的富硅二 氧化硅保護層的總厚度可為50 300埃；例如，富硅二氧化硅保護層的厚度可以為139埃。此外，根據(jù)實際情況下的實驗數(shù)據(jù)可知，根據(jù)上述方法所形成的富硅二氧化硅保 護層在波長為633nm的光波下的折光系數(shù)為1. 82，遠大于同等情況時的由富氧二氧化硅構 成的保護層的折光系數(shù)。由此可知，與由富氧二氧化硅構成的保護層相比，本發(fā)明中的富硅 二氧化硅保護層可以更好地阻擋高密度等離子體對金屬層的轟擊。步驟207，進行加熱(Heat up)處理工藝。在本步驟中，將對所需處理的晶圓進行加熱處理工藝。具體來說，可通過偏置功率 發(fā)生器產(chǎn)生一個偏置功率(Bias Power)，引導上述所形成的高密度等離子體垂直于所需處 理的晶圓運動，轟擊所述晶圓的表面，使得晶圓的溫度上升到預定的溫度，從而完成對所述 晶圓的加熱處理。此時，所注入的氣體為Ar和02。其中，所述高密度等離子體反應腔的頂 部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等離子體反應腔的側面源功率的大小可以為 3000 6000W，所述Ar的流量為100 500sccm，所述O2的流量為100 500sccm，本步驟中 的加熱處理工藝的持續(xù)時間為10 50秒；較佳的，在本發(fā)明的實施例中，所述頂部源功率 為3500W，所述側面源功率為4000W，所述Ar的流量為MOsccm，所述化的流量為^Osccm，本步驟中的加熱處理工藝的持續(xù)時間為40秒。步驟208，進行第二次富氧二氧化硅保護層沉積工藝。在本步驟中，將進行第二次富氧二氧化硅保護層沉積工藝。在繼續(xù)注入O2的同時， 打開位于反應腔頂部和側面的硅烷閥，注入SiH4，從而沉積一第二富氧二氧化硅保護層；此 時，所述A的流量為68SCCm，所述從頂部注入的SiH4的流量為kccm，所述從側面注入的 SiH4的流量為6sCCm。由于所注入的氣體中氧氣的比例比較大，因此在本步驟中所沉積的 保護層的主要成分為富氧的二氧化硅。但是，本步驟中的第二次富氧二氧化硅保護層沉積 工藝的持續(xù)時間較短，一般為1秒。由于本步驟的持續(xù)時間較短，因此所形成的第二富氧二 氧化硅保護層的厚度比較薄，一般為5 10埃。步驟209，進行預置偏壓(PRE Bias)處理工藝。在本步驟中，將注入作為反應氣體的O2和SiH4，并通過偏置功率發(fā)生器產(chǎn)生一個 預置的偏置功率(Bias Power)，引導上述所形成的高密度等離子體垂直于所需處理的晶 圓運動，轟擊所述晶圓的表面，為后續(xù)的主體層沉積(Main Dep)工藝做好相應的準備。其 中，所述預置的偏置功率為1000W，所述&的流量為68sCCm，從頂部注入的SiH4的流量為 Ssccm,從側面注入的SiH4的流量為Ssccm，本步驟中的預置偏壓處理工藝的持續(xù)時間較短， 一般為1秒。步驟210，進行主體層沉積工藝。在本步驟中，將注入作為反應氣體的&和SiH4,并通過偏置功率發(fā)生器產(chǎn)生的 偏置功率，引導由上述反應氣體所形成的高密度等離子體在晶圓的表面進行主體層(即 ILD)的沉積。其中，所述預置的偏置功率為1450W，所述02的流量為44sCCm，從頂部注入的 SiH4的流量為Ssccm，從側面注入的SiH4的流量為Ssccm，本步驟中的主體層沉積工藝的持 續(xù)時間可為205秒。通過上述的步驟201 210可知，在本發(fā)明所提供的上述減少HDP CVD工藝中的
等離子體誘發(fā)損傷的方法中，可以在沉積主體層之前，先后在金屬層上沉積了上、下兩個富 氧二氧化硅保護層以及位于兩個富氧二氧化硅保護層之間的富硅二氧化硅保護層。由于 富硅二氧化硅保護層的致密度比較大，因此可以有效地阻止高密度等離子體對金屬層的轟 擊；同時，由于在進行加熱處理工藝之前，已在金屬層上沉積了富氧二氧化硅保護層和富硅 二氧化硅保護層，因此可避免加入處理工藝中的高密度等離子體對金屬層的直接轟擊，從 而可以有效地減少PID現(xiàn)象的出現(xiàn)，提高半導體器件的良率和可靠性。另外，由于相對于富 硅二氧化硅保護層而言，富氧二氧化硅保護層的成分與金屬層和主體層的成分比較相似， 因此在上述的方法中，在所沉積的富硅二氧化硅保護層上下均沉積了一層較薄的富硅二氧 化硅保護層，從而盡可能地改善所形成的半導體器件的電學性能。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內所做的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
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權利要求
1.一種減少HDP CVD工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法，該方法包括將所需處理的晶圓放置于高密度等離子體反應腔中，依次進行穩(wěn)定壓力處理工藝、等 離子體激發(fā)處理工藝和氣體流通處理工藝； 進行第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝；進行富硅二氧化硅保護層沉積工藝，以沉積一富硅二氧化硅保護層； 進行加熱處理工藝；依次進行第二次富氧二氧化硅保護層沉積工藝、預置偏壓處理工藝和主體層沉積工藝。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于在所述第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和硅烷； 所述氧氣的流量為40 80SCCm，所述硅烷的流量為10 30SCCm。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等離子 體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W。
4.如權利要求1 3中任一所述的方法，其特征在于所述第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間為0. 2 5秒。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于在所述富硅二氧化硅保護層沉積工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和硅烷； 所述氧氣的流量為10 30SCCm，所述硅烷的流量為10 30SCCm。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等離子 體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W。
7.如權利要求1、5或6所述的方法，其特征在于所述富硅二氧化硅保護層沉積工藝的持續(xù)時間為5 20秒。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于在所述加熱處理工藝中，所注入的反應氣體為氧氣和氬氣； 所述氧氣的流量為100 500sccm，所述氬氣的流量為100 500sccm。
9.如權利要求1或8所述的方法，其特征在于所述高密度等離子體反應腔的頂部源功率的大小為2000 5000W，所述高密度等離子 體反應腔的側面源功率的大小為3000 6000W ； 所述加熱處理工藝的持續(xù)時間為10 50秒。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述沉積的富硅二氧化硅保護層的厚度為50 300埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種減少HDP CVD工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法，該方法包括將所需處理的晶圓放置于高密度等離子體反應腔中，依次進行穩(wěn)定壓力處理工藝、等離子體激發(fā)處理工藝和氣體流通處理工藝；進行第一次富氧二氧化硅保護層沉積工藝；進行富硅二氧化硅保護層沉積工藝，以沉積一富硅二氧化硅保護層；進行加熱處理工藝；依次進行第二次富氧二氧化硅保護層沉積工藝、預置偏壓處理工藝和主體層沉積工藝。通過上述的方法，可有效地減少等離子體誘發(fā)損傷現(xiàn)象的出現(xiàn)，提高半導體器件的良率和可靠性。
文檔編號H01L21/762GK102110635SQ200910200989
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權日2009年12月23日
發(fā)明者吳永堅, 吳永玉, 徐強, 李敏 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司