專(zhuān)利名稱：半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管及其制造工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種半自對(duì)準(zhǔn)雙極(Bipolar)晶體 管。本發(fā)明還涉及所述晶體管的制造工藝方法。
背景技術(shù)：
在信息技術(shù)高速發(fā)展中，雙極集成電路具有CMOS電路不可取代的優(yōu)勢(shì)而被設(shè)計(jì) 者們廣泛使用。它的優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)在雙極集成電路速度高，跨導(dǎo)大，輸出阻抗大，大電流特性好； 與傳統(tǒng)CMOS工藝集成后的BiCMOS (雙極-CMOS集成電路)工藝，更是被廣泛使用在高速膨 脹的消費(fèi)電子類(lèi)產(chǎn)品以及無(wú)線通信產(chǎn)品的射頻/中頻部分中?；贗C(集成電路)快速發(fā) 展的不同需求，目前已開(kāi)發(fā)的基于Si-Bipolar (硅-雙極)，SiGe-Bipolar (硅鍺-雙極)， 以及相應(yīng)與CMOS工藝兼容的BiCMOS工藝，已可以涵蓋大部分的無(wú)線通信市場(chǎng)的需求，它的 應(yīng)用頻率范圍可涵蓋高至25GHz。傳統(tǒng)的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管如圖1所示，主要由本征集電極區(qū)3，本征基區(qū)6a和多 晶硅發(fā)射極區(qū)7組成，還包括連接區(qū)6b，非硅化物外基區(qū)6c，硅化物摻雜外基區(qū)6d，發(fā)射極 與基極連接區(qū)的隔離介質(zhì)層9，發(fā)射極與基極的隔離側(cè)墻8，寄生的電容電阻等其他部分。 這些區(qū)域的特征及尺寸不同程度的影響器件的性能。比如基區(qū)/集電極區(qū)/發(fā)射極區(qū)的 寬度以及摻雜濃度，發(fā)射極區(qū)內(nèi)原位摻雜/注入雜質(zhì)在熱預(yù)算后與基區(qū)摻雜的雜質(zhì)的實(shí)際 交匯面所形成的真正的EB結(jié)的位置，這些都是與放大倍數(shù)，擊穿電壓，截止頻率等器件性 能直接相關(guān)的參數(shù)；寄生的電容電阻產(chǎn)生的滯后效應(yīng)會(huì)降低器件的最高截止頻率等。圖1所示的基于現(xiàn)有的工藝所制備的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管存在以下問(wèn)題由于不 同器件發(fā)射極窗口即本征基區(qū)6a的橫向尺寸(假設(shè)為χ)大小不同，一定厚度的多晶硅發(fā) 射極層(假設(shè)其厚度為y)生長(zhǎng)時(shí)，受隔離介質(zhì)窗口高度(假設(shè)為ζ)的影響；對(duì)x<2y的器 件，發(fā)射極窗口上方有效的多晶硅發(fā)射極層厚度約為y+z，而對(duì)χ > 2y的器件，發(fā)射極窗口 正上方的有效多晶硅發(fā)射層厚度為y，而在靠近隔離側(cè)墻8的多晶硅發(fā)射極層厚度為y+z， 整個(gè)器件的發(fā)射極窗口內(nèi)厚度均一性差。為了優(yōu)化器件EB結(jié)，提高器件RF(射頻)性能， 多晶硅發(fā)射極層的形成通常是在摻雜或未摻雜的多晶硅上重?fù)诫s注入形成。由于不同尺寸 器件發(fā)射極窗口多晶硅發(fā)射極層厚度不同，其器件性能最佳的EB結(jié)的位置所要求的注入 能量和劑量會(huì)存在差異。即在同樣的發(fā)射極注入條件下，不同發(fā)射極窗口尺寸的器件并不 能同時(shí)達(dá)到器件性能的最優(yōu)化。當(dāng)一個(gè)發(fā)射極窗口尺寸的器件的性能得到滿足時(shí)，其他發(fā) 射極窗口尺寸的器件可能工作在臨界區(qū)。從而使得結(jié)合不同發(fā)射極窗口尺寸器件的電路產(chǎn) 品量產(chǎn)窗口小，量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，能使器件的各項(xiàng)性能 同時(shí)達(dá)到最優(yōu)；為此，本發(fā)明還要提供一種所述半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管的制造工藝方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管包括一硅片，該硅片包括在硅襯底中形成的埋層，在所述硅襯底和埋層上形成的集電極區(qū)，包括外集電極區(qū)和本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、以及集電極引出區(qū)；所述集電極引出區(qū)與本征集電極區(qū)通過(guò)所述埋層實(shí)現(xiàn) 連接，將集電極引出；其中，還包括位于所述本征集電極區(qū)上方的本征基區(qū)，位于本征基區(qū)兩側(cè)的連接 區(qū)，位于該連接區(qū)外側(cè)且設(shè)置于所述外集電極區(qū)和隔離區(qū)上方的重?fù)诫s外基區(qū)，位于所述 本征基區(qū)上方的多晶硅發(fā)射極區(qū)，位于所述連接區(qū)上方且設(shè)置于所述多晶硅發(fā)射極區(qū)兩側(cè) 的兼作側(cè)墻保護(hù)的連接區(qū)隔離介質(zhì)膜，位于所述重?fù)诫s外基區(qū)、多晶硅發(fā)射極區(qū)和集電極 引出區(qū)上方的金屬硅化物層，淀積在該金屬硅化物層和硅片上的介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中 形成的接觸孔。所述半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管的制造工藝方法包括如下步驟步驟一、在已準(zhǔn)備好的硅片上淀積介質(zhì)膜；所述已準(zhǔn)備好的硅片是指，在硅襯底中 形成埋層，在所述硅襯底和埋層上形成集電極區(qū)包括外集電極區(qū)和本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、 以及集電極引出區(qū)；在所述低阻集電極區(qū)、本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、集電極引出區(qū)上形成多 晶硅的基區(qū)；所述介質(zhì)膜形成在基區(qū)的上表面；步驟二、通過(guò)光刻、刻蝕在所述介質(zhì)膜中形成發(fā)射極窗口 ；步驟三、在所述發(fā)射極窗口中及介質(zhì)膜的表面淀積多晶硅發(fā)射極層；步驟四、采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝方法對(duì)所述多晶硅發(fā)射極層進(jìn)行平坦化處理，研 磨至所述介質(zhì)層時(shí)停止，形成多晶硅發(fā)射極區(qū)；步驟五、對(duì)所述多晶硅發(fā)射極區(qū)進(jìn)行無(wú)光罩注入摻雜，形成低阻重?fù)诫s多晶硅發(fā) 射極；步驟六、在所述介質(zhì)膜和多晶硅發(fā)射極區(qū)的表面涂覆光刻膠，采用光刻刻蝕定義 帶連接區(qū)的多晶硅發(fā)射極區(qū)，刻蝕到所述基區(qū)時(shí)停止，保留多晶硅發(fā)射極區(qū)上方的光刻 膠；步驟七、帶光刻膠重?fù)诫s離子注入基區(qū)，形成重?fù)诫s外基區(qū)；步驟八、在所述重?fù)诫s外基區(qū)、多晶硅發(fā)射極區(qū)、集電極引出區(qū)上形成金屬硅化物 層；在所述金屬硅化物層以及硅片的表面淀積介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成接觸孔。本發(fā)明有效解決了由于不同發(fā)射極窗口尺寸導(dǎo)致器件發(fā)射極層厚度不同，使注入 摻雜后雜質(zhì)濃度分布不一致進(jìn)而導(dǎo)致器件各項(xiàng)性能不能同時(shí)達(dá)到最優(yōu)化的問(wèn)題；并且，消 除了帶連接區(qū)的多晶硅發(fā)射極區(qū)與連接區(qū)之間垂直方向上的耦合電容，減少了本征基區(qū)外 沒(méi)有金屬硅化物層的基區(qū)(即連接區(qū))的寬度，降低了基區(qū)寄生電阻；降低了器件工藝復(fù)雜 度，減免了額外的側(cè)墻工藝，提高了器件性能。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1是現(xiàn)有的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管結(jié)構(gòu)一實(shí)施例示意圖；圖3-8是實(shí)現(xiàn)圖2所示半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管工藝流程一實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管制作工藝流程包括如下步驟步驟一、結(jié)合圖3所示，在已準(zhǔn)備好的硅片上淀積介質(zhì)膜13。所述已準(zhǔn)備好的硅片 是指，在硅襯底5中通過(guò)離子注入或熱氧化形成埋層4，在所述硅襯底5和埋層4上形成外 集電極區(qū)2、本征集電極區(qū)3、隔離區(qū)1、集電極引出區(qū)15 ；在所述外集電極區(qū)2、本征集電極 區(qū)3、隔離區(qū)1、集電極引出區(qū)15上形成多晶硅的基區(qū)6 ；所述介質(zhì)膜13形成在基區(qū)6的上 表面，可以采用PVD(物理氣相淀積)或CVD(化學(xué)氣相淀積)方式實(shí)現(xiàn)。所述介質(zhì)膜13為 氧化膜，氧化膜和氮化膜形成的復(fù)合膜，氧化膜和氮氧化膜形成的復(fù)合膜等。所述本征集電 極區(qū)3和集電極引出區(qū)15通過(guò)埋層4相連接，將集電極引出。步驟二、結(jié)合圖4所示，通過(guò)光刻、刻蝕在所述介質(zhì)膜13中形成發(fā)射極窗口 16。當(dāng) 所述介質(zhì)膜13為復(fù)合膜時(shí)，刻蝕上層的氮化膜或氮氧化膜，停止在氧化膜上；當(dāng)所述介質(zhì) 膜I3為單層氧化膜時(shí)，采用干法刻蝕部分氧化膜，以保證發(fā)射極窗口 16下方還有剩余的氧 化膜保護(hù)后續(xù)需要形成的本征基區(qū)6a，然后采用濕法刻蝕去除剩余的氧化膜。步驟三、結(jié)合圖5所示，在所述發(fā)射極窗口 16中及介質(zhì)膜13的表面淀積多晶硅發(fā) 射極層7。步驟四、結(jié)合圖6所示，采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝方法對(duì)所述多晶硅發(fā)射極層 7進(jìn)行平坦化處理，研磨至所述介質(zhì)層13時(shí)停止，形成多晶硅發(fā)射極區(qū)7。上述方法中形成的發(fā)射極窗口 16的深度必須大于最終器件所要求的多晶硅發(fā)射 極的厚度(1500 A 4000 A )，在該發(fā)射極窗口 16內(nèi)生長(zhǎng)的多晶硅發(fā)射極厚度必須使窗口 內(nèi)完全填滿多晶硅發(fā)射極，利用CMP工藝磨去多余的發(fā)射極層7的多晶硅，并停止在用作發(fā) 射極窗口 16打開(kāi)的介質(zhì)層13上，CMP研磨完后多晶硅發(fā)射極層7的厚度即為最終發(fā)射極 的厚度。如此使得不同發(fā)射極窗口尺寸的器件其多晶硅發(fā)射極層7的厚度一致，去除了如 下步驟五中多晶發(fā)射極注入所帶來(lái)的插入(plug-in)效應(yīng)。它的優(yōu)點(diǎn)在于在不增加光罩的 基礎(chǔ)上，利用CMP工藝使不同發(fā)射極窗口尺寸的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管器件實(shí)現(xiàn)相同厚度的 多晶硅發(fā)射極層，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn)不同發(fā)射極窗口尺寸器件性能的最佳化，提高器件的性能。步驟五、結(jié)合圖6所示，對(duì)所述多晶硅發(fā)射極區(qū)7進(jìn)行無(wú)光罩注入摻雜，形成低阻 重?fù)诫s多晶硅發(fā)射極。步驟六、結(jié)合圖7所示，在所述介質(zhì)膜13和多晶硅發(fā)射極區(qū)7的表面涂覆光刻膠， 采用光刻刻蝕定義帶連接區(qū)6b的多晶硅發(fā)射極區(qū)7 (結(jié)合圖8)，刻蝕到所述基區(qū)6時(shí)停止， 保留帶連接區(qū)6b的多晶硅發(fā)射極區(qū)7上方的光刻膠。實(shí)施步驟六時(shí)，采用與現(xiàn)有的半自對(duì) 準(zhǔn)雙極晶體管工藝方法中發(fā)射極光刻時(shí)所用光罩相同的光罩。經(jīng)過(guò)本步驟，所述介質(zhì)膜13 成為位于連接區(qū)6b上方兼作側(cè)墻保護(hù)的連接區(qū)隔離介質(zhì)膜13。步驟七、結(jié)合圖8所示，帶光刻膠重?fù)诫s離子注入基區(qū)6，形成重?fù)诫s外基區(qū)6f。 位于介質(zhì)隔離區(qū)下方的基區(qū)由于未被注入摻雜，且不與重?fù)诫s的發(fā)射極接觸而形成連接區(qū) 6b。去除光刻膠后，采用光刻刻蝕方法去除多余部分的重?fù)诫s外基區(qū)6f。本發(fā)明的方法和傳統(tǒng)的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管的工藝方法中外基區(qū)摻雜一致，即在 實(shí)現(xiàn)多晶硅發(fā)射極區(qū)光刻的同時(shí)，可帶光刻膠注入形成重?fù)诫s外基區(qū)6f。步驟八、在所述重?fù)诫s外基區(qū)6f、多晶硅發(fā)射極區(qū)7、集電極引出區(qū)3上形成金屬 硅化物層12 ；在所述金屬硅化物層12以及硅片的表面淀積介質(zhì)層11，在所述介質(zhì)層11中形成接觸孔10。 采用上述方法最終形成的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括多晶硅 發(fā)射極區(qū)7，本征基區(qū)6a，重?fù)诫s外基區(qū)6f，連接區(qū)6b，位于連接區(qū)6b上方兼作側(cè)墻保護(hù)的 連接區(qū)隔離介質(zhì)膜13。所述本征基區(qū)6a的主要成分可以是Si (硅)，SiGe(硅鍺)，SiGeC(硅鍺碳)。本 征基區(qū)6a兩外側(cè)無(wú)金屬硅化物層12部分的區(qū)域?yàn)檫B接區(qū)6b，其寬度與連接區(qū)隔離介質(zhì)膜 13的寬度相同；連接區(qū)6b的高度與本征基區(qū)6a的高度相同。由于采用CMP方案后，多晶 硅發(fā)射極區(qū)7為I型而非傳統(tǒng)的T型，其僅存在于發(fā)射極窗口內(nèi)，連接區(qū)6b上方?jīng)]有多晶 硅發(fā)射極區(qū)7，因此無(wú)寄生在傳統(tǒng)器件連接區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的耦合電容，提高了器件的射 頻性能。由于利用多晶硅發(fā)射極區(qū)7光刻形成的兼作側(cè)墻保護(hù)的連接區(qū)隔離介質(zhì)膜13有 足夠的高度和寬度，已完全隔離了重?fù)诫s外基區(qū)6f與多晶硅發(fā)射極區(qū)7，因此不需要額外 的側(cè)墻工藝，直接在多晶硅發(fā)射極區(qū)7刻蝕的同時(shí)即形成多晶硅發(fā)射極區(qū)7與重?fù)诫s外基 區(qū)6f之間的側(cè)墻隔離(即連接區(qū)隔離介質(zhì)膜13)。與傳統(tǒng)的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管結(jié)構(gòu)相比， 由于不需要額外的側(cè)墻工藝，因此圖2所示的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管結(jié)構(gòu)的重?fù)诫s外基區(qū)6f 與本征基區(qū)6a之間的距離僅為連接區(qū)6b的寬度，而非傳統(tǒng)器件中連接區(qū)與發(fā)射極側(cè)墻寬 度之和；因此，降低了基區(qū)寄生電阻，提高了器件的射頻性能。本發(fā)明利用傳統(tǒng)的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管工藝方法中的多晶硅發(fā)射極光刻方法，形 成兼作側(cè)墻保護(hù)的連接區(qū)隔離介質(zhì)膜13，在與傳統(tǒng)工藝方法相同的發(fā)射極窗口和多晶硅發(fā) 射極尺寸設(shè)計(jì)下，未改變連接區(qū)6b的寬度，即未改變傳統(tǒng)工藝方法中形成的外基區(qū)與本征 基區(qū)之間的連接區(qū)特性。以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限 制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，包括一硅片，該硅片包括在硅襯底中形成的埋層，在所 述硅襯底和埋層上形成的集電極區(qū)、包括外集電極區(qū)和本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、以及集電極 引出區(qū)；所述集電極引出區(qū)與本征集電極區(qū)通過(guò)所述埋層實(shí)現(xiàn)連接，將集電極引出；其特 征在于，還包括位于所述本征集電極區(qū)上方的本征基區(qū)，位于本征基區(qū)兩側(cè)的連接區(qū)，位于該連接區(qū) 外側(cè)且設(shè)置于所述外集電極區(qū)和隔離區(qū)上方的重?fù)诫s外基區(qū)，位于所述本征基區(qū)上方的多 晶硅發(fā)射極區(qū)，位于所述連接區(qū)上方且設(shè)置于所述多晶硅發(fā)射極區(qū)兩側(cè)的兼作側(cè)墻保護(hù)的 連接區(qū)隔離介質(zhì)膜，位于所述重?fù)诫s外基區(qū)、多晶硅發(fā)射極區(qū)和集電極引出區(qū)上方的金屬 硅化物層，淀積在該金屬硅化物層和硅片上的介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成的接觸孔。
2.如權(quán)利要求1所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，其特征在于所述本征基區(qū)的成分為Si， SiGe,SiGeC0
3.如權(quán)利要求1所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，其特征在于所述介質(zhì)膜為氧化膜，氧化 膜和氮化膜形成的復(fù)合膜，氧化膜和氮氧化膜形成的復(fù)合膜。
4.如權(quán)利要求1所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，其特征在于所述重?fù)诫s外基區(qū)與本征 基區(qū)之間的間隔距離為所述連接區(qū)的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，其特征在于所述多晶硅發(fā)射極區(qū)為I 型，其僅存在于發(fā)射極窗口內(nèi)，所述連接區(qū)上方?jīng)]有多晶硅發(fā)射極區(qū)。
6.一種如權(quán)利要求1所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管制造工藝方法，包括如下步驟 步驟一、在已準(zhǔn)備好的硅片上淀積介質(zhì)膜；所述已準(zhǔn)備好的硅片是指，在硅襯底中形成埋層，在所述硅襯底和埋層上形成集電極區(qū)，包括外集電極區(qū)和本征集電極區(qū)，隔離區(qū)、以 及集電極引出區(qū)；在所述外集電極區(qū)、本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、集電極引出區(qū)上形成多晶硅 的基區(qū)；所述介質(zhì)膜形成在基區(qū)的上表面；其特征在于，還包括 步驟二、通過(guò)光刻、刻蝕在所述介質(zhì)膜中形成發(fā)射極窗口； 步驟三、在所述發(fā)射極窗口中及介質(zhì)膜的表面淀積多晶硅發(fā)射極層； 步驟四、采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝方法對(duì)所述多晶硅發(fā)射極層進(jìn)行平坦化處理，研磨至 所述介質(zhì)層時(shí)停止，形成多晶硅發(fā)射極區(qū)；步驟五、對(duì)所述多晶硅發(fā)射極區(qū)進(jìn)行無(wú)光罩注入摻雜，形成低阻重?fù)诫s的多晶硅發(fā)射極；步驟六、在所述介質(zhì)膜和多晶硅發(fā)射極區(qū)的表面涂覆光刻膠，采用光刻刻蝕定義帶連 接區(qū)的多晶硅發(fā)射極區(qū)，刻蝕到所述基區(qū)時(shí)停止，保留多晶硅發(fā)射極區(qū)上方的光刻膠； 步驟七、帶光刻膠重?fù)诫s離子注入基區(qū)，形成重?fù)诫s外基區(qū)；步驟八、在所述重?fù)诫s外基區(qū)、多晶硅發(fā)射極區(qū)、集電極引出區(qū)上形成金屬硅化物層； 在所述金屬硅化物層以及硅片的表面淀積介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成接觸孔。
7.如權(quán)利要求6所述的半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管制造工藝方法，其特征在于所述介質(zhì)膜 為氧化膜，氧化膜和氮化膜形成的復(fù)合膜，氧化膜和氮氧化膜形成的復(fù)合膜；當(dāng)所述介質(zhì)膜為復(fù)合膜時(shí)，刻蝕上層的氮化膜或氮氧化膜，停止在氧化膜上；當(dāng)所述介 質(zhì)膜為單層氧化膜時(shí)，干法刻蝕部分氧化膜，以保證發(fā)射極窗口下方有剩余的氧化膜保護(hù) 后續(xù)需要形成的本征基區(qū)，然后采用濕法刻蝕去除剩余的氧化膜。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管，包括在硅襯底中形成的埋層(即低阻集電極區(qū))，在硅襯底和埋層上形成的外集電極區(qū)、本征集電極區(qū)、隔離區(qū)、集電極引出區(qū)；位于本征集電極區(qū)上方的本征基區(qū)，位于本征基區(qū)兩側(cè)的連接區(qū)，位于連接區(qū)外側(cè)且設(shè)置于外集電極區(qū)和隔離區(qū)上方的重?fù)诫s外基區(qū)，位于本征基區(qū)上方的多晶硅發(fā)射極區(qū)，位于連接區(qū)上方且設(shè)置于多晶硅發(fā)射極區(qū)兩側(cè)的兼作側(cè)墻保護(hù)的連接區(qū)隔離介質(zhì)膜，位于重?fù)诫s外基區(qū)、多晶硅發(fā)射極區(qū)和集電極引出區(qū)上方的金屬硅化物層，淀積在金屬硅化物層和硅片上的介質(zhì)層，在介質(zhì)層中形成的接觸孔。本發(fā)明還公開(kāi)了一種半自對(duì)準(zhǔn)雙極晶體管的制造方法。本發(fā)明能使器件的各項(xiàng)性能同時(shí)達(dá)到最優(yōu)。
文檔編號(hào)H01L29/732GK102097463SQ200910201928
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者張海芳, 徐炯 , 范永潔, 陳帆 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司