專利名稱：微波等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能較佳地用于超微細化半導體裝置的制造、包 括液晶顯示裝置的高析像度平面顯示裝置的制造等的微波等離 子處理裝置。
背景技術(shù)：
等離子處理工序及等離子處理裝置對近年來被稱作所謂的
深亞孩i米(deep sub-micron )元件或深亞四分之一樣i米(deep sub-quarter micron)元件的、具有接近O.lpm或0.lpm以下 的柵極長度(gate length)的超微細化半導體裝置的制造、包 括液晶顯示裝置的高析像度平面顯示裝置的制造來說是不可缺 少的技術(shù)。
作為制造半導體裝置、液晶顯示裝置所使用的等離子處理 裝置，以往使用了各種各樣的等離子體激發(fā)方式，但通常使用 平行平板型高頻激發(fā)等離子處理裝置或電感耦合型等離子處理 裝置。
但是，上述以往的等離子處理裝置存在以下的問題等離 子體形成不均勻，電子密度較高的區(qū)域被限定，因此，難以以 較大的處理速度即生產(chǎn)率在被處理基板的整面上進行均勻的處 理。該問題在處理直徑特別大的基板時更為明顯。并且，上述 以往的等離子處理裝置存在下述幾個本質(zhì)性的問題由于電子 溫度較高，因此對形成于被處理基板上的半導體元件產(chǎn)生損傷， 還有由處理室壁的陰極濺鍍產(chǎn)生的金屬污染較大等。因此，以 往的等離子處理裝置難以滿足對半導體裝置、液晶顯示裝置的 進 一 步微細化及進 一 步提高生產(chǎn)率的苛刻的要求。鑒于上述問題，提出了不使用直流磁場而使用由微波電場 激發(fā)的高密度等離子體的微波等離子處理裝置。例如，提出如
下結(jié)構(gòu)的等離子處理裝置從具有為了產(chǎn)生均勻的微波而排列 的多個縫隙的平面狀的天線(徑向線縫隙天線)向處理容器內(nèi) 放射微波，利用該微波電場將真空容器內(nèi)的氣體電離而激發(fā)等 離子體(例如，參照日本特開平9-63793號公報)。
用這樣的方法激發(fā)的微波等離子體，能在天線正下方的整 個寬闊的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)高等離子體密度，能在短時間內(nèi)進行均勻的 等離子處理。并且，用這樣的方法形成的微波等離子體，由于 利用微波激發(fā)等離子體，因此電子溫度較低，能避免被處理基 板的損傷、金屬污染。另外，由于也能容易在大面積基板上激 發(fā)均勻的等離子體，因此也能容易地應對使用大直徑半導體基 板的半導體裝置的制造工序、大型液晶顯示裝置的制造等。
專利文獻l:日本特開平9一63793號公報
圖l是表示以往的微波等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的 一個例子 的剖視圖，圖2是放大表示圖1所示的微波等離子處理裝置的縫 隙板端部和頂板之間的固定部位的周邊的剖視圖。另外，通常 的微波等離子處理裝置、特別是其微波天線部分的平面形狀為 圓形，雖未特別圖示，但以下所示的裝置的各結(jié)構(gòu)元件的平面 形狀也呈圓形。
圖l所示的微波等離子處理裝置10包括處理容器11和配置 在處理容器ll內(nèi)的氣體簇射極板12及氣體導入管17，上述處理 容器ll在內(nèi)部具有用于支承被處理基板S的支承臺111。氣體導 入管17形成為貫穿處理容器11的內(nèi)壁11B,并且由內(nèi)壁11B保 持，主要將等離子體生成用的惰性氣體供給到處理容器ll內(nèi)。 氣體簇射極板12由未圖示的夾具固定于處理容器ll的內(nèi)壁上， 能從同樣未圖示的氣體供給源通過開口部12A將處理用的氣體
5供給到處理容器ll內(nèi)。另外，在處理容器ll的下方形成有用于
與未圖示的真空泵等排氣系統(tǒng)相連接的開口 11A。
另外，在處理容器ll上設(shè)有真空密閉該處理容器ll的微波 天線13。在微波天線13的大致中心設(shè)有向鉛直上方延伸的同軸 波導管14,在該同軸波導管14的、與微波天線13相對一側(cè)的端 部設(shè)有同軸轉(zhuǎn)換器15。
同軸波導管14具有內(nèi)導體141及外導體142，內(nèi)導體141的 上端部141A和同軸轉(zhuǎn)換器15的上壁面用小螺釘21固定，外導 體142的上端部142A和同軸轉(zhuǎn)換器15的下壁面用小螺釘22固 定。由此，同軸波導管14和同軸轉(zhuǎn)換器15之間被機械連接及電 連接。
微波天線13具有冷卻套131、與該冷卻套131相對地設(shè)置的 滯波板132、縫隙板133,該縫隙板133形成在該滯波板132的、 與設(shè)有冷卻套131 —側(cè)的主面相對一側(cè)的主面上。另外，在縫 隙板133上設(shè)有用于放射微波的未圖示的多個縫隙。
另外，冷卻套131、滯波板132及縫隙板133設(shè)于作為上述 天線13的構(gòu)成元件的頂板135上。頂板135由處理容器11的壁面 IIB的上端部支承。
同軸波導管14的外導體142的下端部142B與冷卻套131用 小螺釘23固定。由此，同軸波導管14及天線13被機械連接及電 連接。
另外，冷卻套131主要是為了抑制天線13被在處理容器11 內(nèi)生成的等離子體的輻射熱加熱而設(shè)置的，構(gòu)成為使制冷劑在 設(shè)于內(nèi)部的流通孔131A內(nèi)流動。另外，在冷卻套131的上表面 隔著O型密封圈28利用小螺釘24緊固連結(jié)有蓋134,利用蓋134 封閉流通孔131A。
另外，如圖1及圖2所示，縫隙板133的端部133A利用小螺
6釘26固定在冷卻套131上。
但是，當在處理容器ll內(nèi)生成等離子體、開始對設(shè)置于支 承臺lll上的被處理基板S進行加工處理等時，即使如上述那樣 利用冷卻套131冷卻整個天線13,也會使天線13的溫度被加熱 到10(TC以上。因此，即使利用小螺釘26將縫隙板133固定于冷 卻套131上，形成于縫隙板133上的縫隙的位置也會發(fā)生變化。
另 一方面，從未圖示的微波電源經(jīng)由同軸轉(zhuǎn)換器15及同軸 波導管14導入到天線13中的微波，在滯波板132內(nèi)傳播后，從 縫隙板133經(jīng)由頂板135放射到處理容器11內(nèi)。因此，當如上所 述那樣縫隙的位置發(fā)生變化時，來自上述縫隙的上述微波的放 射狀態(tài)會發(fā)生變動，因此，不能將上述微波穩(wěn)定地放射到處理 容器ll內(nèi)，不能進行均勻的處理。因此，其結(jié)果，有損裝置的 穩(wěn)定性、可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于防止構(gòu)成微波等離子處理裝置的微波天 線的縫隙板的位置變化，抑制作為目標的微波的傳播的變動， 生成均勻的等離子體。
為了達到上述目的，本發(fā)明涉及一種微波等離子處理裝置， 其特征在于，該微波等離子處理裝置包括
處理容器，其在內(nèi)部具有用于支承被處理基板的支承臺；
排氣系統(tǒng)，其與上述處理容器相結(jié)合；
氣體供給部，其與上述處理容器相結(jié)合，用于供給等離子 體生成用氣體；
微波天線，其在上述處理容器上設(shè)置為真空密閉上述處理 谷II";
同軸波導管，其設(shè)置為在上述微波天線的大致中心向鉛直上方延伸；
同軸轉(zhuǎn)換器，其設(shè)于上述同軸波導管的、與上述微波天線 相對 一 側(cè)的端部；
微波電源，其經(jīng)由上述同軸波導管及上述同軸轉(zhuǎn)換器與上 述微波天線電結(jié)合，用于對上述微波天線供給規(guī)定的微波，
上述微波天線具有冷卻套、與該冷卻套相對地設(shè)置的滯波 板、縫隙板，該縫隙板形成在該滯波板的、與設(shè)有上述冷卻套 一側(cè)的主面 一目只于 一 側(cè)的主面上，
上述縫隙板通過其端部被金屬體夾持而被支承及固定。
采用本發(fā)明，構(gòu)成微波天線的縫隙板不利用以往的小螺釘 等緊固連結(jié)及固定于冷卻套上，而由金屬體夾持地支承、固定 于冷卻套上。因此，與以往不同，上述縫隙々反在面內(nèi)方向自由 伸縮，因此，上述縫隙板能沿徑向伸縮。
因此，即使在上述處理容器內(nèi)生成等離子體、開始對設(shè)于 支承臺上的被處理基板進行加工處理等、由此上述天線的溫度 上升的情況下，也能使上述縫隙板的熱膨脹產(chǎn)生在其徑向上。
地向上下方向變形，能在平坦的狀態(tài)下沿徑向膨脹，因此，不 會使上述微波的傳播路徑發(fā)生變動。其結(jié)果，能均勻地放射微 波，能生成均勻的等離子體。
另外，由于上述縫隙板即使發(fā)生熱膨脹也保持平坦的狀態(tài)， 因此，上述滯波板與上述頂板能保持隔著上述縫隙板緊貼的狀 態(tài)。因此，也能避免利用上述冷卻套特別是對上述頂板的冷卻 效率降低的問題。的伸縮，能更有效地獲得上述作用效果。
另外，在本發(fā)明的一技術(shù)方案中，上述金屬體可以為將金 屬線材沿與上述縫隙板的上述主面大致平行的軸線巻繞而成的 螺旋狀的金屬體。另外，上述金屬體可以為將金屬帶沿與上述 縫隙板的上述主面大致平行的軸線巻繞而成的螺旋狀的金屬 體。
這樣的金屬體由于具有較高的彈性，因此，能在確保了由 上述縫隙板的熱膨脹引起的徑向的伸縮的狀態(tài)下，更有效地進 行上述縫隙板的支承及固定。
播，從上述縫隙板的縫隙經(jīng)由上述頂板放射到上述處理容器內(nèi)。 另外，由上述微波產(chǎn)生的電流在上述金屬體的表面及上述冷卻 套的與滯波板相對的表層部分內(nèi)傳播。此時，當上述縫隙板與 上述金屬體的電接觸不充分時，會妨礙上述微波電流的傳播， 結(jié)果，有時不能良好地保持上述微波的傳播。
但是，在本技術(shù)方案中，能充分地確保上述金屬體的與上 述縫隙板的接觸面積，因此，能充分確保上述縫隙板與上述金 屬體的電接觸面積。因此，不會產(chǎn)生由上述的電接觸引起的對 微波傳播的不利情況。
另外，在本發(fā)明的一技術(shù)方案中，上述金屬體可以為金屬 制的板簧。在該情況下，由于上述金屬體具有較高的彈性，因 此，能在確保了由上述縫隙板的熱膨脹引起的徑向的伸縮的狀 態(tài)下，更有效地進行上述縫隙板的支承及固定。另外，通過控 制板簧的形狀及大小等，能充分確保上述縫隙板與上述金屬體 之間的電接觸面積，因此，不會產(chǎn)生由電接觸引起的對微波傳 播的不利情況。
另外，在本發(fā)明的一技術(shù)方案中，上述金屬體可以由具有彈性的第1金屬構(gòu)件和形成于該第1金屬構(gòu)件表面上的良好導
電性的第2金屬構(gòu)件構(gòu)成。在該情況下，能在利用第l金屬構(gòu)件 的彈性效果確保了由縫隙板的熱膨脹引起的徑向的伸縮的狀態(tài) 下，能更有效地進行上述縫隙板的支承及固定，并且能利用第 2金屬構(gòu)件的良好導電性進行上述縫隙板與金屬體的電接觸， 能均勻地保持微波電流的傳播，結(jié)果，能良好地保持上述微波 的整體的傳播。
以上，采用本發(fā)明，能防止構(gòu)成微波等離子處理裝置的微 波天線的縫隙;板的上下方向的熱變形，抑制作為目標的^f敫波的 傳播的變動，生成均勻的等離子體。


圖l是表示以往的微波等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的 一個例子 的剖視圖。
圖2是放大表示圖l所示的微波等離子處理裝置的縫隙板 端部與頂板之間的固定部位的周邊的剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明的微波等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的 一 個例 子的剖視圖。
圖4是放大表示圖3所示的微波等離子處理裝置的縫隙板 端部與頂板之間的固定部位的周邊的剖視圖。
圖5是表示圖l所示的微波等離子處理裝置的金屬體的一 個例子的結(jié)構(gòu)圖。
圖6是表示圖l所示的微波等離子處理裝置的金屬體的另 一個例子的結(jié)構(gòu)圖。
圖7是表示圖l所示的微波等離子處理裝置的金屬體的又 一個例子的結(jié)構(gòu)圖。
10
具體實施例方式
以下，根據(jù)用于實施本發(fā)明的最佳方式說明本發(fā)明的具體特征。
圖3是表示本發(fā)明的微波等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的 一 個例 子的剖視圖，圖4是放大表示圖3所示的微波等離子處理裝置的 縫隙板端部與頂板之間的固定部位的周邊的剖視圖。另外，通 常的微波等離子處理裝置、特別是其微波天線部分的平面形狀 為圓形，雖未特別圖示，但以下所示的裝置的各結(jié)構(gòu)元件的平 面形狀也呈圓形。另外，對與圖1及圖2所示的結(jié)構(gòu)元件相同或 類似的結(jié)構(gòu)元件，使用相同的附圖標記。
圖3所示的微波等離子處理裝置30包括處理容器11和配置 于處理容器ll內(nèi)的氣體簇射基板12及氣體導入管17,上述處理 容器ll在內(nèi)部具有用于支承被處理基板S的支承臺111。支承臺 lll可以為以氧化鋁或SiC等為主要材料的基座(susceptor)。 在該情況下，被處理基板S利用由設(shè)于上述基座內(nèi)部的電極產(chǎn) 生的靜電力被吸附固定于上述基座的主面上。另外，在上述基 座內(nèi)根據(jù)需要可以內(nèi)置用于加熱被處理基板S的加熱器。
氣體導入管17形成為貫穿處理容器11的內(nèi)壁11B，并且由 內(nèi)壁11B保持。氣體簇射極板12利用未圖示的夾具固定于處理 容器ll的內(nèi)壁IIB上，能從同樣未圖示的氣體供給源經(jīng)由開口 部12A將規(guī)定的氣體供給到處理容器11內(nèi)。另外，由于開口部 12A在氣體簇射基板12的長度方向上以規(guī)定間隔形成有多個，
被處理基板S均勻地進行作為目標的微波等離子處理。
另外，在處理容器ll的下方形成有用于與未圖示的真空泵 等排氣系統(tǒng)相連接的開口 IIA。處理容器ll內(nèi)的真空度(壓力) 利用由經(jīng)由開口 IIA的上述真空泵等進行的排氣保持為適當?shù)闹怠?br> Ar等惰性氣體主要從氣體導入管17被導入到處理容器11 內(nèi)，氟系氣體等氣體主要從氣體簇射極板12被導入到處理容器 ll內(nèi)。
另外，在處理容器ll上設(shè)有真空密閉該處理容器ll的微波 天線13。微波天線13包括由例如A1等傳熱性優(yōu)良的材料構(gòu)成 冷卻套131;與該冷卻套131相對地設(shè)置的、由例如氧化鋁等電 介質(zhì)構(gòu)成的滯波々反132;形成于該滯波^1132的與設(shè)有冷卻套 131 —側(cè)的主面相對 一側(cè)的主面上的、由例如Cu等導電性良好 的導體構(gòu)成的縫隙板133。
冷卻套131、滯波板132及縫隙板133設(shè)于作為上述天線13 的結(jié)構(gòu)元件的頂板135上。頂板135被支承在處理容器11的側(cè)壁 IIB的上端部。
另外，冷卻套131是為了冷卻天線13、特別是頂板135而設(shè) 置的，主要是為了抑制天線13被在處理容器11內(nèi)生成的等離子 體的輻射熱加熱而i殳置的，構(gòu)成為^f吏制冷劑在i更于內(nèi)部的流通 孔131A內(nèi)流動。另外，在冷卻套131的上表面上隔著0型密封 圈28利用小螺釘24緊固連結(jié)有蓋134 ，利用蓋134封閉流通孔 131A。
另外，如圖3及圖4所示，縫隙板133的端部133A被一對金 屬體36從上下夾持地支承及固定。另外，也可以使用單獨的金 屬體代替這樣一對金屬體，相對于縫隙板133從上方按壓上述 金屬體，將金屬體夾持在縫隙板133和頂板135之間。
另外，在微波天線13的大致中心設(shè)有向鉛直上方延伸的同 軸波導管14,在該同軸波導管14的、與微波天線13相對一側(cè)的 端部設(shè)有同軸轉(zhuǎn)換器15。
同軸波導管14具有內(nèi)導體141及外導體142,內(nèi)導體141的
12上端部141A和同軸轉(zhuǎn)換器15的上壁面用小螺釘21固定，外導 體142的上端部142A和同軸轉(zhuǎn)換器15的下壁面用小螺釘22固 定。由此，同軸波導管14和同軸轉(zhuǎn)換器15被機械連接及電連接。
另外，通過將內(nèi)導體141的內(nèi)部做成空洞、使制冷劑在該 空洞內(nèi)流動，也能冷卻內(nèi)導體141。
另 一方面，同軸波導管14的外導體142的下端部142B和冷 卻套131用小螺釘23固定。由此，同軸波導管14及天線13被機 械連接及電連接。
從未圖示的微波電源供給的微波被導入到同軸轉(zhuǎn)換器15 中，從而除了 TE模式的微波之外混合TM模式的微波，該混合 波在同軸波導管14中傳播而被供給到微波天線13中。此時，上 述TM模式的微波在由內(nèi)導體141及外導體142形成的空洞143 內(nèi)傳播后，在滯波板132內(nèi)傳播。然后，從縫隙板133的未圖示 的縫隙放射出而經(jīng)由頂板135被供給到處理容器11內(nèi)。
然后，對從氣體簇射極板12供給到處理容器11內(nèi)的氣體進 行等離子化，使用該等離子化了的氣體對被處理基板S進行加 工等。
另外，由上述微波產(chǎn)生的電流在縫隙板133的與滯波板132 相對一側(cè)的表層部分、金屬體36的表面及滯波板132的表面(冷 卻套131的與滯波板132相對一側(cè)的表層部分)傳播(參照圖4 的實線)。
如上所述，當將上述微波供給到處理容器ll中而生成等離 子體后對被處理基板S進行加工等時，微波天線13會被上述等 離子體的輻射熱加熱。此時，雖然通過使制冷劑在冷卻套131 內(nèi)的流通孔131A內(nèi)流動來冷卻天線13,但即使進行這樣的溫度 調(diào)節(jié)，天線13也會被加熱到100°C以上。
特別是由于縫隙板133如上所述地由Cu等導電性良好的導200910202907.5
說明書第11/13頁
體構(gòu)成，因此，與位于縫隙板133上方的由氧化鋁等構(gòu)成的滯 波板132相比，熱影響較大，熱膨脹的程度也較大。
但是，在本例中，如上所述，縫隙板133的端部133A由一 對金屬體36從上下夾持地支承及固定。因此，即使在微波天線 13的溫度上升、縫隙板133的熱膨脹較大的情況下，由于縫隙 板133的端部133A在徑向上能自由伸縮，因此能使上述熱膨脹 產(chǎn)生在縫隙板13 3的徑向上。
其結(jié)果，能抑制縫隙板133的上下方向的熱膨脹，不會因 縫隙板133的變形等而導致平坦性變差。換言之，縫隙板133 即使被來自處理容器ll內(nèi)的輻射熱加熱，也能保持平坦性，因 此能抑制伴隨縫隙板133的位置變動的微波的變動。因此，能 經(jīng)由縫隙板133均勻地放射上述微波，能在上述處理容器ll內(nèi) 生成均勻的等離子體。
另外，由于縫隙板13 3即使發(fā)生熱膨脹也能保持平坦的狀 態(tài)，因此，在滯波板132與頂板135之間不會產(chǎn)生空隙，滯波板 132與頂板135之間隔著縫隙板133相互緊貼。因此，不會有損 冷卻套131的冷卻效率、特別是對頂板135的冷卻效率。
接著，說明上述金屬體36的具體結(jié)構(gòu)。圖5是表示金屬體 36的一個例子的結(jié)構(gòu)圖。在本例中，將金屬體36做成將金屬線 材36A沿與縫隙板133的上述主面大致平行的軸線I - I巻繞 而成的螺旋狀的金屬體。這樣的金屬體由于具有較高的彈性， 因此，能在確保了由縫隙板133的熱膨脹引起的徑向的伸縮的 狀態(tài)下，更有效地進行縫隙板133的支承及固定。
另外，能充分均勻地確保金屬體36的與縫隙板133的接觸 面積，因此，能充分確?？p隙板133與金屬體36的電接觸面積。 因此，能確保由上述微波產(chǎn)生的電流在如圖4的實線所示那樣 傳播時的路徑，結(jié)果，能良好地保持上述微波的傳播。圖6是表示金屬體36的另一例子的結(jié)構(gòu)圖。在本例中，將 金屬體36做成將金屬帶36B沿與縫隙板133的上述主面大致平 行的軸線II - II巻繞而成的螺旋狀的金屬體。在本例中，金屬 體36由于具有較高的彈性，因此，能在確保了由縫隙板133的 熱膨脹引起的徑向的伸縮的狀態(tài)下，更有效地進行縫隙板133 的支承及固定。
另外，在圖5及圖6所示的例子中，僅表示單一的金屬體， 但這些金屬體能沿縫隙板133的外周呈圓形狀配置多個。
圖7是表示金屬體36的另 一例的結(jié)構(gòu)圖。在本例中，金屬 體36為金屬制的板簧36C。在該情況下，金屬體36由于具有較 高的彈性，因此，能在確保了由縫隙板133的熱膨脹引起的徑 向的伸縮的狀態(tài)下，更有效地進行縫隙板133的支承及固定。 另外，通過控制板簧的形狀及大小，能充分確?？p隙板133與 金屬體36的電接觸面積，因此，不會產(chǎn)生由電接觸引起的對微 波傳播的不利情況。
另外，在圖7中，表示將多個板簧36C與圓形狀的支承構(gòu)件 36D連結(jié)、并沿縫隙板133的外周呈圓形狀排列的狀態(tài)的 一部 分。
另外，雖未特別圖示，但金屬體36可以由具有彈性的第1 金屬構(gòu)件和形成于該第l金屬構(gòu)件表面上的導電性良好的第2 金屬構(gòu)件構(gòu)成。在該情況下，能在利用第l金屬構(gòu)件的彈性效 果確保了由縫隙板133的熱膨脹引起的徑向的伸縮的狀態(tài)下， 更有效地進行縫隙板133的支承及固定，并且利用第2金屬構(gòu)件 的良好導電性的效果，能良好地進行縫隙板133與金屬體36的 電接觸。因此，能確保微波電流的傳播路徑，能良好地保持上 述微波的整體的傳播。
以上，基于上述具體例詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于上述具體例，在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)，可進行所有變形、 變更。
例如，在上述具體例中，如圖4所示，利用一對金屬體從 上下夾持縫隙板的端部來進行支承及固定，-f旦也可以僅用任一 個金屬體進行支承。具體而言，也可以用設(shè)于縫隙板上方的金 屬體或設(shè)于縫隙板下方的金屬體支承上述縫隙板，用相對的頂 板或冷卻套進行固定。
權(quán)利要求
1.一種微波等離子處理裝置，其特征在于，該微波等離子處理裝置包括處理容器，其在內(nèi)部具有用于支承被處理基板的支承臺；排氣系統(tǒng)，其與上述處理容器相結(jié)合；氣體供給部，其與上述處理容器相結(jié)合，用于供給等離子體生成用氣體；微波天線，其在上述處理容器上設(shè)置為真空密閉上述處理容器；同軸波導管，其設(shè)置為在上述微波天線的大致中心向鉛直上方延伸；同軸轉(zhuǎn)換器，其設(shè)于上述同軸波導管的、與上述微波天線相對一側(cè)的端部；微波電源，其經(jīng)由上述同軸波導管及上述同軸轉(zhuǎn)換器與上述微波天線電結(jié)合，用于對上述微波天線供給規(guī)定的微波，上述微波天線具有冷卻套、與該冷卻套相對地設(shè)置的滯波板、縫隙板，該縫隙板形成在該滯波板的、與設(shè)有上述冷卻套一側(cè)的主面相對一側(cè)的主面上，上述縫隙板通過其端部被金屬體夾持而被支承及固定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微波等離子處理裝置，其特征在于，上述金屬體為一對金屬體，上述縫隙板的上述端部由上述 一對金屬體從上下夾持地進行支承及固定。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子處理裝置，其特征 在于，上述金屬體為將金屬線材沿與上述縫隙板的上述主面大致 平行的軸線巻繞而成的螺旋狀的金屬體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子處理裝置，其特征在于，上述金屬體為將金屬帶沿與上述縫隙板的上述主面大致平 行的軸線巻繞而成的螺旋狀的金屬體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子處理裝置，其特征 在于，上述金屬體為金屬制的板簧。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的微波等離子處理裝 置，其特征在于，上述金屬體由具有彈性的第l金屬構(gòu)件和形成在該第l金 屬構(gòu)件的表面上的導電性良好的第2金屬構(gòu)件構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微波等離子處理裝置。防止構(gòu)成微波等離子處理裝置的微波天線的縫隙板的熱變形，抑制作為目標的微波的傳播的變動，提高上述裝置的穩(wěn)定性及可靠性，并且也提高上述微波天線的冷卻效率。在構(gòu)成微波等離子處理裝置的微波天線中，利用一對金屬體從上下夾持縫隙板的端部地進行支承及固定。
文檔編號H01L21/00GK101599408SQ20091020290
公開日2009年12月9日 申請日期2009年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者坂田一成, 西本伸也 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社