專利名稱：柔性發(fā)光裝置、電子設(shè)備及柔性發(fā)光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置及其制造方法。此外，本發(fā)明還涉及搭載了該種發(fā)光裝置的
電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，顯示器領(lǐng)域的技術(shù)顯著地發(fā)展，特別是在高精細(xì)化、薄型化方面，因市場 需要的推動(dòng)而取得了顯著的進(jìn)步。 作為該領(lǐng)域的下一個(gè)階段(phase)，能夠再現(xiàn)曲面的柔性顯示器的商品化引人注 目，關(guān)于顯示器的柔性化，已提出各種各樣的提案(例如參照專利文件l)。此外，使用了柔 性襯底的發(fā)光裝置與使用了玻璃等的情況相比可以大幅度地輕量化。
但是，這種柔性顯示器的實(shí)用化中最大的難關(guān)在于其壽命。 這是因?yàn)槿缦戮壒首鳛樾枰谥С职l(fā)光元件的同時(shí)保護(hù)元件不受到外界的水 分、氧等影響的襯底，不能使用不具有柔性的玻璃襯底，而必須使用雖具有柔性但透水性高 且耐熱性低的塑料襯底。因塑料襯底的耐熱性低，因此不能以高溫制造優(yōu)質(zhì)的保護(hù)膜，從 使用了塑料襯底的一側(cè)侵入的水分給發(fā)光元件乃至發(fā)光裝置的壽命帶來大的不利影響。例 如，在非專利文獻(xiàn)1中介紹了制造在以聚醚砜(PES)為基礎(chǔ)的襯底上制造發(fā)光元件并使用 鋁膜進(jìn)行了密封的柔性發(fā)光裝置的例子，然而其壽命是230小時(shí)左右，難以實(shí)用。在非專利 文獻(xiàn)2及非專利文獻(xiàn)3中介紹了在不銹鋼襯底上制造了發(fā)光元件的柔性發(fā)光裝置的例子， 雖然抑制了從不銹鋼襯底側(cè)的水分的侵入，但不能有效地防止從發(fā)光元件側(cè)的水分的侵 入。因此，在不銹鋼襯底上制造柔性發(fā)光裝置，在發(fā)光元件側(cè)通過應(yīng)用將多種材料反復(fù)層疊 多層的密封膜，從而嘗試壽命的改善。 另外，鋁膜這樣的金屬薄膜或不銹鋼襯底同時(shí)具有柔性和低透水性，但在通常的 厚度下不透過可見光，所以在發(fā)光裝置中限于只將其用于夾持發(fā)光元件的一對襯底中的任一方。[專利文獻(xiàn)l]日本專利申請公開2003-204049號公報(bào) [非專利文獻(xiàn)l]Gi Heon Kim等，IDW， 03,2003， p. 387_p. 390 [非專利文獻(xiàn)2]Dong Un Jin等，SID 06 DIGEST, 2006， p. 1855-p. 1857 [非專利文獻(xiàn)3]Anna Chwang等，SID 06 DIGEST, 2006， p. 1858-p. 1861 非專利文獻(xiàn)1的壽命短認(rèn)為是以下的結(jié)果雖然抑制了從使用鋁膜進(jìn)行了密封的
上部的水分的侵入，但不能阻止從PES襯底側(cè)的水分的侵入。此外，由于用于這種發(fā)光裝置
的發(fā)光元件的耐熱性也低，因此也難以在形成發(fā)光元件之后形成優(yōu)質(zhì)的保護(hù)膜。 在非專利文獻(xiàn)2及非專利文獻(xiàn)3中，看起來獲得了與用玻璃襯底夾持的發(fā)光裝置
相同程度的壽命，但這是通過如上所述使用反復(fù)層疊由多種材料構(gòu)成的層而成的密封膜而
實(shí)現(xiàn)的，生產(chǎn)率低。低生產(chǎn)率造成價(jià)格上漲，所以不太現(xiàn)實(shí)。 這樣，在柔性發(fā)光裝置中，因使用耐熱性比以往使用的玻璃襯底低的塑料襯底，因 此不能使用致密的高溫成膜的保護(hù)膜，發(fā)光元件及發(fā)光裝置的壽命短。此外，為對其補(bǔ)充而使用的密封膜的生產(chǎn)率非常低。 此外，因?yàn)槿嵝园l(fā)光裝置使用塑料襯底，所以與玻璃襯底等相比容易帶電。由此有 如下憂慮由于某種原因例如從人體放出靜電而將電荷蓄積在柔性發(fā)光裝置中，產(chǎn)生起因 于靜電的不利情況。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一在于簡便地提供壽命長的柔性發(fā)光裝置。此 外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一還在于提供使用了該柔性發(fā)光裝置的電子設(shè)備。此外，本 發(fā)明的課題之一還在于提供進(jìn)行了抗靜電處理的柔性發(fā)光裝置。 借助于一種柔性發(fā)光裝置能夠解決上述課題，該柔性發(fā)光裝置如下制造在玻璃 襯底等耐熱性高的襯底上在適當(dāng)?shù)臏囟认滦纬杀Ｗo(hù)膜，以使它具有充分低的透水性；在保 護(hù)膜上形成TFT、發(fā)光元件的電極或發(fā)光元件等的必要部分之后，將它們與保護(hù)膜一起轉(zhuǎn)置 到塑料襯底；最后使用粘合劑粘合金屬襯底。 也就是說，在本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置，包括具有柔性及 對于可見光的透光性的襯底；設(shè)置在襯底上的第一粘合劑層；位于第一粘合劑層上的包含 氮及硅的絕緣膜；具備形成在絕緣膜上的第一電極、與第一電極相對的第二電極及設(shè)置在 第一電極和第二電極之間的EL層的發(fā)光元件；形成在第二電極上的第二粘合劑層；以及設(shè) 置在第二粘合劑層上的金屬襯底，其中金屬襯底的厚度為10 ii m 200 ii m。
此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置，包括具有柔性及對于可 見光的透光性的襯底；設(shè)置在襯底上的第一粘合劑層；位于第一粘合劑層上的包含氮及硅 的絕緣膜；設(shè)置在絕緣膜上的TFT形成層；具備與設(shè)置在TFT形成層的TFT的一部分電連接 的第一電極、與第一電極相對的第二電極及設(shè)置在第一電極和第二電極之間的EL層的發(fā) 光元件；形成在第二電極上的第二粘合劑層；以及設(shè)置在第二粘合劑層上的金屬襯底，其 中金屬襯底的厚度為10 ii m 200 ii m。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中形 成在TFT形成層的TFT的活性層(active layer)使用晶體硅。 此外，本說明書中所公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，包括 含有多個(gè)發(fā)光元件的像素部；以及設(shè)置在像素部的外側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路部，驅(qū)動(dòng)電路部由形成 在TFT形成層的TFT構(gòu)成。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中在 發(fā)光元件的第二電極和第二粘合劑層之間形成膜密封層。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中金 屬襯底由選自不銹鋼、鋁、銅、鎳、鋁合金中的材料構(gòu)成。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中第 一粘合劑層由選自環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂中的一種或多種材料構(gòu) 成。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中第 二粘合劑層由選自環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂中的一種或多種材料構(gòu) 成。
此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中在 金屬襯底上還設(shè)置有樹脂層。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中樹 脂層包含由選自環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂或聚酯樹脂中的一種或多種 構(gòu)成的熱固性樹脂或由選自聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚醚酮、氟樹脂 或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一種或多種構(gòu)成的熱塑性樹脂。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中具 有柔性及對于可見光的透光性的襯底、第一粘合劑層、第二粘合劑層和樹脂層中的至少一 個(gè)還含有纖維體。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中在
具有柔性及對于可見光的透光性的襯底和第一粘合劑層之間形成有透水性低的膜。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中透
水性低的膜是包含硅和氮的膜或包含鋁和氮的膜。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中與
具有柔性及對于可見光的透光性的襯底中與金屬襯底相對的面的反面具有涂敷膜。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種具有上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置，其中涂
敷膜具有對于可見光的透光性，是高硬度的膜。此外，上述結(jié)構(gòu)中，將具有對于可見光的透
光性的導(dǎo)電膜用作涂敷膜時(shí)能夠保護(hù)柔性發(fā)光裝置不受靜電影響。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種將上述結(jié)構(gòu)的柔性發(fā)光裝置用于顯示部 的電子設(shè)備。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置的制造方法，包括在制 造襯底上形成剝離層；在剝離層上形成包含氮和硅的絕緣膜；在絕緣膜上形成第一電極； 在第一電極上覆蓋第一電極的端部而形成隔壁；在第一電極和隔壁上粘合臨時(shí)支撐襯底； 通過在剝離層和絕緣膜之間剝離，將絕緣膜、第一電極、隔壁和臨時(shí)支撐襯底從制造襯底 分離；使用第一粘合劑層將具有柔性及對于可見光的透光性的襯底粘合到通過分離而露 出的絕緣膜的表面；去除臨時(shí)支撐襯底而使第一電極的表面露出；覆蓋露出了的第一電極 而形成包含有機(jī)化合物的EL層；覆蓋EL層而形成第二電極；使用第二粘合劑層將厚度為 10 ii m 200 ii m的金屬襯底粘合到第二電極的表面。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置的制造方法，包括在制造 襯底上形成剝離層；在剝離層上形成包含氮和硅的絕緣膜；在絕緣膜上形成包含多個(gè)TFT 的TFT形成層；在TFT形成層上形成與設(shè)置在TFT形成層的一部分的TFT電連接的第一電 極；覆蓋第一電極的端部而形成隔壁；在第一電極和隔壁上粘合臨時(shí)支撐襯底；通過在剝 離層和絕緣膜之間剝離，將絕緣膜、TFT形成層、第一電極、隔壁和臨時(shí)支撐襯底從制造襯 底分離；使用第一粘合劑層將具有柔性及對于可見光的透光性的襯底粘合到通過分離而露 出的絕緣膜的表面；除去臨時(shí)支撐襯底，使第一電極的表面露出；覆蓋露出了的第一電極 而形成包含有機(jī)化合物的EL層；覆蓋EL層而形成第二電極；使用第二粘合劑層將厚度為 10 ii m 200 ii m的金屬襯底粘合到第二電極的表面。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置的制造方法，在上述制造 方法中，在粘合金屬襯底之后，在金屬襯底上形成樹脂層。
此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置的制造方法，其中在第二 電極和第二粘合劑層之間形成膜密封層。 此外，本說明書中公開的發(fā)明之一是一種柔性發(fā)光裝置的制造方法，其中通過等 離子體CVD法在250°C 40(TC的溫度條件下形成絕緣膜。 本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置是柔性發(fā)光裝置，而且是長壽命且可簡便地制造的 柔性發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式能夠提供能制造柔性發(fā)光裝置的制造方法。


圖1是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的圖。圖2是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的圖。圖3是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的制造工序的圖。圖4是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的圖。圖5是說明實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備的圖。圖6是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖。圖7是說明實(shí)施例涉及的發(fā)光裝置的圖。圖8是說明實(shí)施例涉及的發(fā)光裝置的圖。圖9是說明實(shí)施例涉及的發(fā)光裝置的圖。圖10是說明實(shí)施例涉及的發(fā)光裝置的圖。圖11是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的圖。圖12是說明實(shí)施方式涉及的發(fā)光裝置的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖給予說明。但是，本發(fā)明可以以多個(gè)不同
方式來實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易理解，在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的
情況下，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可各種各樣地變化。因此，不應(yīng)該限定在本實(shí)施方式記載的內(nèi)容
來解釋本發(fā)明。(實(shí)施方式1) 在玻璃、陶瓷等耐熱性高的制造襯底上隔著剝離層形成包含保護(hù)膜的被剝離層 (可以包含TFT、發(fā)光元件的第一電極、發(fā)光元件等)，然后以剝離層為界面分離制造襯底和 被剝離層，使用粘合劑將分離的被剝離層粘合到塑料襯底上而制造本實(shí)施方式中的發(fā)光裝 置。因此，在透水性高的塑料襯底側(cè)設(shè)置透水性充分低的保護(hù)膜。因此，本實(shí)施方式中的發(fā) 光裝置，在塑料襯底和保護(hù)膜之間存在第一粘合劑層。本說明書中所謂塑料襯底，是指具有 柔性及對于可見光的透光性的襯底。作為塑料襯底，只要是具有柔性及對于可見光的透光 性的襯底就沒有特別的限制，優(yōu)選使用聚酯樹脂例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二 甲酸乙二醇酯(PEN)等，聚丙烯腈樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯 樹脂(PC)、聚醚砜樹脂(PES)、聚酰胺樹脂、環(huán)烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹 脂、聚氯乙烯樹脂等。此外，第一粘合劑層由具有對于可見光的透光性的材料形成。例如， 能夠使用紫外線固化型等光固化型粘合劑、反應(yīng)固化型粘合劑、熱固化型粘合劑、厭氧型粘 合劑等各種固化型粘合劑等。作為這些粘合劑，使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂等。保護(hù)膜由透水性低且具有對于可見光的透光性的材料形成。例如，可以舉出氮 化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等，優(yōu)選使用包含氮和硅的絕緣膜。 此外，夾持發(fā)光元件與塑料襯底相對側(cè)的襯底，使用金屬襯底。為了使其具有柔 性，使用膜厚為10 ii m 200 ii m的金屬襯底。另外，因其柔性高而優(yōu)選20 y m 100 y m的 金屬襯底。作為構(gòu)成金屬襯底的材料沒有特別的限制，可優(yōu)選使用鋁、銅、鎳或鋁合金或不 銹鋼等金屬合金等。雖然金屬襯底具有充分低的透水性和充分的柔性，但該范圍的膜厚不 具有對于可見光的透光性，所以本實(shí)施方式中的發(fā)光裝置成為所謂底部發(fā)射型發(fā)光裝置， 其中從設(shè)置有TFT層的塑料襯底側(cè)取出發(fā)光。另外，由于金屬襯底與塑料襯底同樣地隔著 粘合劑層與發(fā)光元件粘合，因此在發(fā)光元件的第二電極或膜密封層與金屬襯底之間存在第 二粘合劑層。作為第二粘合劑層的材料，能夠使用反應(yīng)固化型粘合劑、熱固化型粘合劑、厭 氧型粘合劑等粘合劑。作為這些粘合劑的材質(zhì)，使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚 醛樹脂等。 具有這種結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式中的柔性發(fā)光裝置，設(shè)置有在透水性高的塑料襯底側(cè) 以該塑料襯底的耐熱溫度以上的溫度制造的透水性充分低的保護(hù)膜，因此能夠有效地減少 從塑料襯底側(cè)侵入的水分的影響。此外，作為夾持發(fā)光元件位于塑料襯底相對側(cè)的密封襯 底，通過使用具有充分的柔性且透水性低的金屬襯底，可以良好地抑制從密封襯底側(cè)的水 分的侵入的影響。這樣，在發(fā)光元件的兩側(cè)，即使不層疊多個(gè)膜也能有效地減少水分侵入， 因此本實(shí)施方式中的柔性發(fā)光裝置可以說是能夠簡便地制造的壽命長的柔性發(fā)光裝置。
在形成在制造襯底上的被剝離層中，除了保護(hù)膜外，還可以形成TFT、發(fā)光元件等。 作為TFT，可以制造使用了非晶硅的TFT、使用了氧化物半導(dǎo)體的TFT等不外加高溫也能夠 制造的TFT，因?yàn)槟軌蛟谀蜔嵝愿叩闹圃煲r底上制造TFT，所以還可以制造使用晶體硅等需 要一定程度的加熱或激光處理的結(jié)晶半導(dǎo)體層的TFT。由此，本實(shí)施方式的柔性發(fā)光裝置能 夠成為具有使用了結(jié)晶半導(dǎo)體的TFT的有源矩陣型柔性發(fā)光裝置。此外，由于能夠采用使 用了結(jié)晶半導(dǎo)體的TFT，也能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路部、CPU形成在與像素部相同的襯底上，也可以 制造與另外安裝驅(qū)動(dòng)電路、CPU相比，在成本、制造工序方面非常有利的柔性發(fā)光裝置。
圖1A至1C示出表示本實(shí)施方式中發(fā)光裝置的圖。 圖1A是設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路部及像素TFT的柔性發(fā)光裝置的例子。在塑料襯底110 上設(shè)置有第一粘合劑層111。第一粘合劑層111將保護(hù)膜112和塑料襯底110粘合。在保 護(hù)膜112上設(shè)置有基底絕緣膜113、像素TFT114、驅(qū)動(dòng)電路部的TFT115、與像素TFT114電 連接的發(fā)光元件的第一電極117及覆蓋第一電極117的端部的隔壁118，圖1A中示出它們 的一部分。發(fā)光元件127包括從隔壁118露出的第一電極117和至少覆蓋露出的第一電極 117而形成的包含有機(jī)化合物的EL層119以及覆蓋EL層119而設(shè)置的第二電極120。使 用第二粘合劑層121將金屬襯底122粘合到第二電極120上。另外，不需要必須設(shè)置驅(qū)動(dòng) 電路部。此夕卜，還可以包括CPU部。此外，在圖1A中，被剝離層116至少包括保護(hù)膜112、 基底絕緣膜113、像素TFT114、驅(qū)動(dòng)電路部的TFT115、第一層間絕緣膜128、第二層間絕緣膜 129、第一電極117及隔壁118，但是以上示出易于制造的一個(gè)例子，構(gòu)成被剝離層116的要 素不限于此。 圖1B示出無源矩陣型的柔性發(fā)光裝置的例子。與圖1A同樣，在塑料襯底110上設(shè) 置有第一粘合劑層111。第一粘合劑層111將被剝離層116和塑料襯底110粘合。在被剝離層116中設(shè)置有保護(hù)膜112、發(fā)光元件的第一電極117以及隔壁118，圖中示出了它們的 一部分。發(fā)光元件127包括從隔壁118露出的第一電極117、至少覆蓋露出的第一電極117 而形成的包含有機(jī)化合物的EL層119以及覆蓋EL層119而設(shè)置為條狀的第二電極120。 使用第二粘合劑層121將金屬襯底122粘合到第二電極120上。在圖1B中，被剝離層116 至少包括保護(hù)膜112、第一電極117及隔壁118而構(gòu)成，但是以上示出易于制造的一個(gè)例子， 構(gòu)成被剝離層116的要素不限于此。另外，在圖1B中示出了隔壁118的形狀是正錐型的無 源矩陣型發(fā)光裝置的例子，但也可以是倒錐型的無源矩陣型發(fā)光裝置。在此情況下，因?yàn)槟?借助隔壁118的錐形分離形成EL層119及第二電極120，所以它們的成膜時(shí)，不必使用掩模 進(jìn)行構(gòu)圖。 另外，如圖1C所示，還可以在金屬襯底122上進(jìn)一步設(shè)置樹脂層123來保護(hù)金屬 襯底122。或者，也可以在塑料襯底110的與第一粘合劑層111相接的面的反面?zhèn)仍O(shè)置涂 敷膜124以保護(hù)塑料襯底表面免受擠壓及刮傷。此外，也可以形成如下結(jié)構(gòu)通過將預(yù)先 形成有透水性低的保護(hù)膜125的襯底用作塑料襯底110或在第二電極120上設(shè)置膜密封層 126，進(jìn)一步抑制水分的侵入。可以使用選自環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂、 聚酯樹脂等熱固性樹脂中的一種或多種樹脂材料或選自聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙 烯、聚酰胺、聚醚酮、氟樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯等熱塑性樹脂中的一種或多種樹脂材料 形成樹脂層123。此外，涂敷膜124可以由有機(jī)膜、無機(jī)膜或使用這兩者的疊層膜等各種材 料形成，是指能夠保護(hù)柔軟的塑料襯底110的表面免受損傷等的硬質(zhì)涂敷膜(例如，氮化硅 膜等)、可以對擠壓進(jìn)行分散的材質(zhì)的膜(例如，芳族聚酰胺樹脂膜等)。另外，涂敷膜124 優(yōu)選具有對于可見光的透光性且是高硬度的膜。作為預(yù)先形成于塑料襯底的保護(hù)膜125、膜 密封層126，例如可以使用氮化硅膜、氮氧化硅膜等包含氮及硅的膜。 圖1C的柔性發(fā)光裝置，因?yàn)橥ㄟ^保護(hù)膜112及金屬襯底122有效地抑制了從襯底 面方向的水分的侵入，所以從進(jìn)一步輔助性地降低透水性的意義上，保護(hù)膜125或膜密封 層126是有效的結(jié)構(gòu)。再有，可以采用這四個(gè)結(jié)構(gòu)，即樹脂層123、涂敷膜124、保護(hù)膜125 及膜密封層126中的任一個(gè)，也可以采用多個(gè)或全部。此外，圖1C根據(jù)圖1A制作，這些結(jié) 構(gòu)當(dāng)然也可以與圖1B組合使用。 在圖1A至1C中只示出一個(gè)發(fā)光元件127，但是當(dāng)將本實(shí)施方式中的柔性發(fā)光裝 置用在顯示圖像的顯示器用途中時(shí)，形成具有多個(gè)發(fā)光元件127的像素部。此外，當(dāng)顯示全 色的圖像時(shí)，需要獲得至少三種顏色的光，即紅色、綠色、藍(lán)色。作為其方法，有如下方法對 EL層119的需要的部分分別涂敷各種顏色的方法；通過使整個(gè)發(fā)光元件為白色發(fā)光并透過 濾色(color filter)層，獲得各種顏色的方法；以及使整個(gè)發(fā)光元件為藍(lán)色發(fā)光或波長比 藍(lán)色發(fā)光短的發(fā)光并介由顏色轉(zhuǎn)換層來獲得各種顏色的方法等。 圖2A至2D示出說明濾色層或顏色轉(zhuǎn)換層的設(shè)置方法的圖。在圖2A至2D中，附 圖標(biāo)記300表示濾色層(或顏色轉(zhuǎn)換層)，附圖標(biāo)記301為阻隔膜。為了使發(fā)光元件或TFT 不受從濾色層300(或顏色轉(zhuǎn)換層)產(chǎn)生的氣體的影響而設(shè)置阻隔膜301，但是不需要必須 設(shè)置。濾色層300(或顏色轉(zhuǎn)換層)對應(yīng)于發(fā)光元件127，設(shè)置在每個(gè)顏色中，相鄰的濾色層 之間也可以在發(fā)光元件127的開口區(qū)域(第一電極、EL層、第二電極直接重疊的部分)以 外的地方重疊?？梢詫V色層300和阻隔膜301僅形成在像素部中，還可以形成在驅(qū)動(dòng)電 路部中。
圖2A中，在形成TFT的電極307之后，在TFT的層間絕緣膜304上形成濾色層
300，使用有機(jī)絕緣膜形成使濾色層產(chǎn)生的臺階高差平坦化的平坦化膜306。然后在平坦化
膜306中形成接觸孔，形成連接發(fā)光元件的第一電極117和TFT的電極307的電極305，設(shè)
置發(fā)光元件的第一電極117。此外，也可以在平坦化膜306上設(shè)置阻隔膜301。 此外，也可以如圖2B所示在層間絕緣膜304的下面設(shè)置濾色層300。圖2B中，在
形成阻隔膜301之后，在阻隔膜301上形成濾色層300。然后，形成層間絕緣膜304及TFT
的電極305，設(shè)置發(fā)光元件的第一電極117。 另外，雖然在圖2A至2D中僅示出一種顏色的濾色層(或顏色轉(zhuǎn)換層)，但是在 發(fā)光裝置中，適當(dāng)?shù)匾灶A(yù)定的配置及形狀形成有紅色、藍(lán)色和綠色的濾色層(或顏色轉(zhuǎn) 換層)。作為濾色層(或顏色轉(zhuǎn)換層)的排列圖案，有條狀排列、傾斜鑲嵌排列、三角鑲 嵌排列等，可以采用任何排列。此外，在使用白色發(fā)光元件和濾色層的情況下，也可以采 用RGBW4像素排列。RGBW4像素排列是具有設(shè)置有紅色、藍(lán)色、綠色三種顏色的濾色層 的像素和不設(shè)置濾色層的像素的像素配置，其對于耗電量的降低等發(fā)揮效果。此外，白 色發(fā)光元件例如是如下結(jié)構(gòu)則優(yōu)選包含紅色、藍(lán)色及綠色的光，包含由NTSC(National TelevisionStandards Committee ;國家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會)規(guī)定的紅色、藍(lán)色及綠色的光。
濾色層可以使用公知的材料形成。作為濾色層的圖案，在使用感光性樹脂的情況 下可以對濾色層本身進(jìn)行曝光及顯影來形成，但是由于該圖案是微細(xì)的圖案，所以優(yōu)選通 過干蝕刻形成圖案。 圖2C是設(shè)置設(shè)置有濾色層300的濾色襯底302的結(jié)構(gòu)的例子。當(dāng)使用與第一粘 合劑層111相同的材料構(gòu)成的粘合劑層308將濾色襯底302的沒有形成濾色層300的面貼 合到塑料襯底110時(shí)，也可以在濾色襯底302設(shè)置用來保護(hù)濾色層300免受損傷等的涂敷 膜303。涂敷膜303由具有對于可見光的透光性的材料構(gòu)成，可以使用與涂敷膜124相同的 材料。此外，雖然未圖示，但是也可以將濾色襯底302的形成有濾色層300的一側(cè)朝向塑料 襯底110側(cè)貼合。另外，所謂濾色襯底302是通過將濾色層300形成在具有柔性及對于可 見光的透光性的各種襯底例如與塑料襯底110同樣的材料而形成的。 圖2D是以下結(jié)構(gòu)的例子，其中將預(yù)先在塑料襯底110設(shè)置濾色層300的濾色襯底 302直接貼合到具有第一電極的被剝離層116。通過將由設(shè)置有濾色層300的塑料襯底110 構(gòu)成的濾色襯底302直接貼合到具有第一電極的被剝離層116，能夠縮減部件數(shù)目而降低 制造成本。以上對濾色層(或顏色轉(zhuǎn)換層)的設(shè)置進(jìn)行了簡單說明。此外，還可以在各發(fā) 光元件之間設(shè)置黑矩陣，也可以采用其他公知的結(jié)構(gòu)。 接著，使用圖3A至3E以及圖1A至1C，作為一個(gè)例子說明具有TFT的本實(shí)施方式 中柔性發(fā)光裝置的制造方法。 首先，在具有絕緣表面的制造襯底200上隔著剝離層201形成包括TFT及第一電 極117等的被剝離層116(參照圖3A)。 作為制造襯底200，可以使用玻璃襯底、石英襯底、藍(lán)寶石襯底、陶瓷襯底、表面形
成有絕緣層的金屬襯底等能夠形成優(yōu)質(zhì)保護(hù)膜程度的高耐熱性的襯底。 制造襯底使用用于制造通常的顯示器的柔性低的襯底，所以也能設(shè)置用于高清晰
顯示的像素TFT。 剝離層201是通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等將由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀 (Pd)、鋨(0s)、銥(Ir)以及硅(Si)中的元素、或以上述元素為主要成分的合金材料、或以上 述元素為主要成分的化合物材料構(gòu)成的層以單層或?qū)盈B方式形成的。包含硅的層的結(jié)晶結(jié) 構(gòu)可以是非晶、微晶、多晶中的任何一種。此外，在此，涂敷法包括旋涂法、液滴噴射法、分配 器法、噴嘴印刷法、狹縫模涂法。 在剝離層201為單層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成鎢層、鉬層、或含有鎢和鉬的混合物 的層。或者，形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或包 含鴇和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。另外，鴇和鉬的混合物相當(dāng)于例如鴇和鉬的 在剝離層201為疊層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成鎢層、鉬層或包含鎢和鉬的混合物 的層作為第一層，形成包含鎢、鉬或鎢和鉬的混合物的氧化物、氮化物、氧氮化物或氮氧化 物的層作為第二層。 在形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結(jié)構(gòu)作為剝離層201的情況下， 也可以通過形成包含鎢的層，在其上層形成由氧化物形成的絕緣層，而在鎢層和絕緣層的 界面形成包含鎢的氧化物的層。在形成包含鎢的氮化物、氧氮化物和氮氧化物的層的情況 下也與其相同，在形成包含鎢的層后，可以在其上層形成氮化硅層、氧氮化硅層、氮氧化硅 層。再者，也可以通過對包含鎢的層表面進(jìn)行熱氧化處理、氧等離子體處理、利用臭氧水等 的強(qiáng)氧化力的溶液的處理等，來形成包含鎢的氧化物的層。另外，也可以在氧、氮、一氧化二 氮、一氧化二氮單體、或所述氣體和其他氣體的混合氣體氣氛下進(jìn)行等離子體處理或加熱 處理。 接著，在剝離層201上形成被剝離層116。作為被剝離層116，首先在剝離層201 上形成保護(hù)膜112。作為保護(hù)膜112，可以通過采用等離子體CVD形成包含氮和硅的絕緣膜 如氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等，將其成膜溫度設(shè)定為25(TC至40(TC，其他條件采用公知 的條件，來形成致密且透水性非常低的膜。 接著，為了使后面要制造的TFT的特性穩(wěn)定，形成基底絕緣膜113?？梢允褂醚趸?br> 硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等無機(jī)絕緣膜，以單層或多層制造基底絕緣膜113。另外，在
保護(hù)膜112能夠兼作成為基底的絕緣膜的情況下，可不形成基底絕緣膜113。 作為形成晶體管具有的半導(dǎo)體層的材料，可以使用如下半導(dǎo)體通過氣相生長法
或?yàn)R射法使用以硅烷及鍺烷為代表的半導(dǎo)體材料氣體制造的非晶(無定形，下面也稱為
"AS")半導(dǎo)體；利用光能或熱能使該非晶半導(dǎo)體結(jié)晶化的多晶半導(dǎo)體；或者微晶(也稱為半
非晶或微結(jié)晶。下面也稱為"SAS")半導(dǎo)體；以有機(jī)材料為主要成分的半導(dǎo)體等。可以通
過濺射法、LPCVD法或等離子體CVD法等將半導(dǎo)體層成膜。 作為微晶半導(dǎo)體層，在考慮到吉布斯自由能時(shí)，其屬于非晶和單晶的中間的準(zhǔn)穩(wěn) 定狀態(tài)。也就是說，其是自由能方面具有穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體并具有短程序列以及晶 格變形。柱狀或針狀結(jié)晶在相對于襯底表面的法線方向上成長。微晶半導(dǎo)體的典型例子的 微晶硅的拉曼光譜遷移到比表示單晶硅的520cm—H氏的波數(shù)一側(cè)。S卩，微晶硅的拉曼光譜的 峰位于表示單晶硅的520cm—1和表示非晶硅的480cm—1之間。此外，包含至少1原子％或其 以上的氫或鹵素，以將未結(jié)合端(懸空鍵)封端。再者，通過包含氦、氬、氪、氖等稀有氣體 元素而進(jìn)一步促進(jìn)晶格變形，可以獲得穩(wěn)定性提高的良好的微晶半導(dǎo)體層。
該微晶半導(dǎo)體層可以使用頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的高頻等離子體CVD法或 頻率為1GHz以上的微波等離子體CVD法形成。例如，可以使用氫稀釋SiH4、SiA、S叫Cly SiHCl3、 SiCl4、 SiF4等氫化硅來形成微晶半導(dǎo)體層。此外，在氫化硅及氫的基礎(chǔ)上，還可以 使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素稀釋，形成微晶半導(dǎo)體層。相對于此時(shí) 的氫化硅，將氫的流量比設(shè)定為5倍以上200倍以下，優(yōu)選設(shè)定為50倍以上150倍以下，更 優(yōu)選設(shè)定為100倍。 作為非晶半導(dǎo)體，例如可舉出氫化非晶硅。作為結(jié)晶性半導(dǎo)體，例如可舉出多晶硅 等。多晶硅包括如下多晶硅使用通過80(TC以上的工藝溫度形成的多晶硅作為主要材料 的所謂高溫多晶硅；使用通過60(TC以下的工藝溫度形成的多晶硅作為主要材料的所謂低 溫多晶硅；以及使用促進(jìn)結(jié)晶化的元素等使非晶硅結(jié)晶化的多晶硅等。當(dāng)然，如上所述，也 可以使用微晶半導(dǎo)體或在半導(dǎo)體層的一部分包含結(jié)晶相的半導(dǎo)體。 另外，除了硅(Si)、鍺(Ge)等單質(zhì)之外，還可以使用化合物半導(dǎo)體如GaAs、 InP、 SiC、 ZnSe、 GaN、 SiGe等作為半導(dǎo)體層的材料。另外，可以使用作為氧化物半導(dǎo)體的氧化鋅 (ZnO)、氧化錫(Sn02)、氧化鎂鋅、氧化鎵、銦氧化物、以及由上述氧化物半導(dǎo)體中的多種構(gòu) 成的氧化物半導(dǎo)體等。例如，也可以使用由氧化鋅、銦氧化物和氧化鎵構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體 等。另外，在將氧化鋅用于半導(dǎo)體層的情況下，可以使用Y203、 A1203、 Ti(^、這些的疊層等作 為柵極絕緣層，可以使用氧化銦錫(ITO)、Au、Ti等作為柵電極層、源電極層、漏電極層。此 外，也可以在ZnO中添加In、 Ga等。另外，作為像素部的晶體管，也可以應(yīng)用將利用透過可 見光的氧化物半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體層的透明晶體管。通過在這種透明晶體管重疊形成發(fā)光 元件，能夠提高在像素中發(fā)光元件所占的面積率，即所謂的開口率，并以高亮度形成高分辨 率的柔性顯示裝置。此外，通過使用透過可見光的導(dǎo)電膜形成透明晶體管的柵電極、源電極 乃至漏電極，能夠進(jìn)一步提高開口率。 在將結(jié)晶性半導(dǎo)體層用于半導(dǎo)體層的情況下，作為該結(jié)晶性半導(dǎo)體層的制造方法 可以采用各種方法(激光結(jié)晶化法、熱結(jié)晶化法、或使用了促進(jìn)結(jié)晶化的元素如鎳等的熱 結(jié)晶化法等)。此外，也可以對作為SAS的微晶半導(dǎo)體進(jìn)行激光照射來結(jié)晶化，以提高其結(jié) 晶性。當(dāng)不引入促進(jìn)結(jié)晶化的元素時(shí)，在將激光照射到非晶硅膜之前，通過在氮?dú)夥障乱?50(TC加熱一個(gè)小時(shí)，以使非晶硅膜中所含的氫濃度釋放到1Xl(Tatoms/cm3以下。這是因 為當(dāng)對含有大量氫的非晶硅膜照射激光時(shí)，非晶硅膜會被破壞。 對于將金屬元素引入到非晶半導(dǎo)體層的方法沒有特別的限制，只要是能在非晶半 導(dǎo)體層的表面或其內(nèi)部存在該金屬元素的方法，例如，可以使用濺射法、CVD法、等離子體處 理法(也包括等離子體CVD法)、吸附法、涂敷金屬鹽溶液的方法等。在上述方法中，使用溶 液的方法簡便并有易于調(diào)節(jié)金屬元素濃度的優(yōu)點(diǎn)。此外，此時(shí)為了改善非晶半導(dǎo)體層表面 的潤濕性并使水溶液擴(kuò)展到非晶半導(dǎo)體層的整個(gè)表面，優(yōu)選通過在氧氣氛中的UV光照射、 熱氧化法、使用包含羥自由基的臭氧水或過氧化氫的處理等而形成氧化膜。
此外，在使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶化來形成結(jié)晶性半導(dǎo)體層的結(jié)晶化工序中，也可以 向非晶半導(dǎo)體層添加促進(jìn)結(jié)晶化的元素(也表示為催化劑元素、金屬元素)并進(jìn)行熱處理 (在55(TC至75(TC下3分鐘至24小時(shí))，以進(jìn)行結(jié)晶化。作為促進(jìn)結(jié)晶化的元素，可以使用 選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉬(Pt)、銅(Cu) 以及金(Au)中的一種或多種。
與結(jié)晶性半導(dǎo)體層相接，形成包含雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層，并且將該半導(dǎo)體層用作
吸雜裝置，以從結(jié)晶性半導(dǎo)體層去除或減輕促進(jìn)結(jié)晶化的元素。作為雜質(zhì)元素，可使用賦予
n型的雜質(zhì)元素、賦予p型的雜質(zhì)元素、稀有氣體元素等，例如，可以使用選自磷(P)、氮(N)、
砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氤(Xe)中的一種或多
種。在包含促進(jìn)結(jié)晶化的元素的結(jié)晶性半導(dǎo)體層形成包含稀有氣體元素的半導(dǎo)體層，進(jìn)行
熱處理(以55(TC至75(TC進(jìn)行3分鐘至24小時(shí))。包含在結(jié)晶性半導(dǎo)體層中的促進(jìn)結(jié)晶
化的元素移動(dòng)到包含稀有氣體元素的半導(dǎo)體層中，去除或減輕結(jié)晶性半導(dǎo)體層中的促進(jìn)結(jié)
晶化的元素。然后，去除成為吸雜裝置的包含稀有氣體元素的半導(dǎo)體層。 作為非晶半導(dǎo)體層的結(jié)晶化，既可以組合利用熱處理和激光照射的結(jié)晶化，又可
以單獨(dú)進(jìn)行多次的熱處理或激光照射。 此外，可以通過等離子體法直接在制造襯底的基底絕緣膜上形成結(jié)晶性半導(dǎo)體層。另外，也可以使用等離子體法在制造襯底的基底絕緣膜上選擇性地形成結(jié)晶性半導(dǎo)體層。 作為以有機(jī)材料為主要成分的半導(dǎo)體層，可以使用與其他元素組合以由一定量的碳或碳的同素異形體(除金剛石外)構(gòu)成的物質(zhì)為主要成分的半導(dǎo)體層。具體而言，可以舉出并五苯、并四苯、噻吩低聚物衍生物、苯撐衍生物、酞菁化合物、聚乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、花青染料等。 可以使用公知的結(jié)構(gòu)、方法制造柵極絕緣膜、柵電極。例如，柵極絕緣膜可采用氧化硅的單層或氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)等公知的結(jié)構(gòu)制造，柵電極可通過使用CVD法、濺射法、液滴噴射法等，使用選自Ag、 Au、 Cu、 Ni、 Pt、 Pd、 Ir、 Rh、 W、 Al、 Ta、 Mo、 Cd、 Zn、 Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba中的元素、或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料來形成。此外，也可以使用以摻雜有磷等雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體層、AgPdCu合金。另外，可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。 另外，在圖1中示出頂柵型的晶體管的一例，當(dāng)然還可以使用底柵型或其他公知結(jié)構(gòu)的晶體管。 接著，形成層間絕緣膜?？梢允褂脽o機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料以單層或疊層形成層間絕緣膜。作為有機(jī)絕緣材料，例如可以使用丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺-酰胺、苯并環(huán)丁烯等。另外，在圖1中示出由兩層構(gòu)成的層間絕緣膜128、129，但是這示出了其一例，層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)不局限于此。 在形成層間絕緣膜之后，通過進(jìn)行構(gòu)圖及蝕刻，在層間絕緣膜、柵極絕緣膜等形成到達(dá)晶體管的半導(dǎo)體層的接觸孔，通過濺射法或真空蒸鍍法形成導(dǎo)電性的金屬膜，通過蝕刻形成晶體管的電極及布線。像素晶體管的漏電極以設(shè)置與作為像素電極的第一電極重疊的部分從而獲得電連接的方式形成。 接著，使用具有對于可見光的透光性的導(dǎo)電膜形成第一電極117。在第一電極117是陽極的情況下，作為具有對于可見光的透光性的導(dǎo)電膜的材料，可以使用濺射法或真空蒸鍍法等形成氧化銦(ln203)或氧化銦氧化錫合金(In203-Sn02;IT0)等而使用。也可以使用氧化銦氧化鋅合金(In203-Zn0)。此外，氧化鋅(Zn0)也是適合的材料，還可以使用為提高可見光的透過率及電導(dǎo)率而添加有鎵(Ga)的氧化鋅(Zn0 :Ga)等。在第一電極117是陰極的情況下，可以使用鋁等功函數(shù)低的材料的極薄膜或者使用這種物質(zhì)的薄膜和上述具有對于可見光的透光性的導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)來制造。 然后，使用有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料覆蓋層間絕緣膜、第一電極117而形成絕緣膜，將該絕緣膜加工為使第一電極117的表面露出且覆蓋第一電極117的端部來形成隔壁118。 通過上述工序，能夠形成被剝離層116。 接著，使用剝離用粘合劑203粘合被剝離層116和臨時(shí)支撐襯底202，使用剝離層201將被剝離層116從制造襯底200剝離。由此，將被剝離層116設(shè)置在臨時(shí)支撐襯底202側(cè)(參照圖3B)。 作為臨時(shí)支撐襯底202，可以使用玻璃襯底、石英襯底、藍(lán)寶石襯底、陶瓷襯底、金屬襯底等。此外，可以使用具有可耐受本實(shí)施方式的處理溫度的耐熱性的塑料襯底，也可以使用薄膜那樣的柔性襯底。 此外，作為在此使用的剝離用粘合劑203，使用可溶于水或溶劑的粘合劑、可通過紫外線等的照射使其可塑化的需要時(shí)可以化學(xué)或物理上分離臨時(shí)支撐襯底202和被剝離層116的粘合劑。 另外，作為向臨時(shí)支撐襯底的轉(zhuǎn)置工序，可以適當(dāng)?shù)厥褂酶鞣N方法。例如，當(dāng)在與被剝離層接觸的一側(cè)形成包括金屬氧化膜的膜作為剝離層時(shí)，可以通過結(jié)晶化使該金屬氧化膜脆弱化來將被剝離層從制造襯底剝離。此外，當(dāng)在耐熱性高的制造襯底和被剝離層之間形成包含氫的非晶硅膜作為剝離層時(shí)，可以通過激光照射或蝕刻去除該非晶硅膜，將被剝離層從制造襯底剝離。此外，作為剝離層，在與被剝離層接觸的一側(cè)形成包括金屬氧化膜的膜，通過結(jié)晶化使該金屬氧化膜脆弱化，進(jìn)而通過使用溶液或氟化鹵素氣體如NF3、 BrF3、C1F3等進(jìn)行蝕刻去除剝離層的一部分后，能夠在脆弱化了的金屬氧化膜進(jìn)行剝離。再者，還可以使用如下方法使用包含氮、氧、氫等的膜(例如，包含氫的非晶硅膜、含氫的合金膜、含氧的合金膜等)作為剝離層，對剝離層照射激光使剝離層內(nèi)含有的氮、氧及氫作為氣體釋放，促進(jìn)被剝離層和襯底的剝離。 或者，可以使用如下方法等機(jī)械地削除形成有被剝離層的制造襯底或通過使用溶液或NF3、 BrF3、 C1F3等氟化鹵素氣體的蝕刻去除形成有被剝離層的制造襯底。在此情況下，也可以不設(shè)置剝離層。 此外，通過組合多種上述剝離方法，能夠更容易地進(jìn)行轉(zhuǎn)置工序。也就是說，也可以進(jìn)行激光的照射、使用氣體或溶液等的對剝離層的蝕刻、使用鋒利的刀子或手術(shù)刀等的機(jī)械削除，以使剝離層和被剝離層成為容易剝離的狀態(tài)，然后通過物理力(利用機(jī)械等)進(jìn)行剝離。 此外，也可以使液體浸透到剝離層和被剝離層的界面，從制造襯底剝離被剝離層。另外，當(dāng)進(jìn)行剝離時(shí)，也可以一邊澆水等液體，一邊剝離。 作為其他剝離方法，當(dāng)使用鎢形成剝離層201時(shí)，可以一邊使用氨水和過氧化氫水的混合溶液對剝離層201進(jìn)行蝕刻，一邊進(jìn)行剝離。 接著，使用由與剝離用粘合劑203不同的粘合劑構(gòu)成的第一粘合劑層111將塑料襯底110粘合到從制造襯底200剝離且剝離層201或保護(hù)膜112露出的被剝離層116(參照圖3C)。 作為第一粘合劑層111的材料，可以使用各種固化型粘合劑如紫外線固化型粘合劑等光固化型粘合劑、反應(yīng)固化型粘合劑、熱固化型粘合劑或厭氧型粘合劑等。
作為塑料襯底110，可以使用具有柔性及對于可見光的透光性的各種襯底，優(yōu)選使用有機(jī)樹脂的薄膜等。作為有機(jī)樹脂，例如可以使用聚酯樹脂如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、丙烯酸樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚砜樹脂(PES)、聚酰胺樹脂、環(huán)烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酰胺_酰亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。 也可以預(yù)先在塑料襯底110形成氮化硅或氧氮化硅等包含氮和硅的膜、氮化鋁等包含氮和鋁的膜、氧化鋁膜這樣的透水性低的保護(hù)膜125。 然后，將剝離用粘合劑203溶解或可塑化，去除臨時(shí)支撐襯底202。在去除臨時(shí)支撐襯底202后，使用水、溶劑等去除剝離用粘合劑203以使發(fā)光元件的第一電極117露出(參照圖3D)。 如上所述，可以將形成到TFT及發(fā)光元件的第一電極117的被剝離層116制造在塑料襯底110上。 第一電極117露出后，接著形成EL層119。對于EL層119的疊層結(jié)構(gòu)并沒有特別限制，可適當(dāng)組合包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層或包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層、包含電子注入性高的物質(zhì)的層、包含空穴注入性高的物質(zhì)的層、包含雙極性(電子及空穴的傳輸性高的物質(zhì))的物質(zhì)的層等來構(gòu)成。例如，可以適當(dāng)組合空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等來構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，對于具有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層的EL層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。以下具體地示出構(gòu)成各層的材料。
空穴注入層與陽極相接設(shè)置，是包含空穴注入性高的物質(zhì)的層。也可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鴇氧化物、錳氧化物等。此外，酞菁(簡稱H^c)、酞菁銅(CuPC)等酞菁類化合物；4， 4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DPAB)、4，4'-雙(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基卜N-苯基氨基)聯(lián)苯(簡稱DNTPD)等芳香族胺化合物；或者聚(亞乙基二氧(ethylenedioxy)噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)等高分子等來形成空穴注入層。 此外，作為空穴注入層，可以使用使空穴傳輸性高的物質(zhì)含有受體性物質(zhì)的復(fù)合材料。通過使用使空穴傳輸性高的物質(zhì)含有受體性物質(zhì)的復(fù)合材料，能夠不依賴于電極的功函數(shù)來選擇形成電極的材料。就是說，作為第一電極117，不僅可以使用功函數(shù)大的材料，還可以使用功函數(shù)小的材料。作為受體性物質(zhì)，可以舉出7， 7， 8， 8-四氰基-2， 3， 5， 6-四氟醌二甲烷(簡稱F廠TCNQ)、氯醌等。此外，可以舉出過渡金屬氧化物。此外，可以舉出屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地說，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸由于電子接受性高所以優(yōu)選。其中，氧化鉬在大氣中穩(wěn)定，吸濕性低，容易處理，所以特別優(yōu)選。 作為用于復(fù)合材料的空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以使用各種化合物如芳香族胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。另外，作為用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物，優(yōu)選是空穴傳輸性高的有機(jī)化合物。具體而言，優(yōu)選是具有10—6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。然而，只要是空穴傳輸性比電子傳輸性高的物質(zhì)，也可以使用其他物質(zhì)。以下，具體地列舉可用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物。
例如，作為芳香族胺化合物，可以舉出N， N' -二 (對-甲苯基)-N， N' -二苯基-對-苯二胺(簡稱DTDPPA)、4，4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DPAB)、4，4'-雙(N-{4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基卜N-苯基氨基)
聯(lián)苯(簡稱DNTPD)、l，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱DPA3B)等。 作為可用于復(fù)合材料的咔唑衍生物，具體地可以舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl) 、3，6-雙[N_(9_苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2) 、3-[N-(l-萘基)_N_(9-苯基咔唑_3-基)氨基]_9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)等。 此外，作為可用于復(fù)合材料的咔唑衍生物，還可以使用4，4' - 二 (N-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱CBP)、l，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱:TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)、l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2， 3， 5， 6-四苯基苯等。
此外，作為可用于復(fù)合材料的芳烴，例如可以舉出2-叔-丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱t-BuDNA)、2-叔-丁基-9，10-二 (l-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA) 、2-叔-丁基-9， 10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱t-BuDBA) 、9， 10- 二 (2-萘基)蒽(簡稱:DNA)、9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、2-叔-丁基蒽(簡稱t-BuAnth) 、9，10-雙(4-甲基-l-萘基)蒽(簡稱DMNA)、2-叔-丁基-9，10-雙[2-(l-萘基)苯基]蒽、9，10-雙[2-(l-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二 (l-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二 (2-萘基)蒽、9，9'-聯(lián)蒽、10，10' -二苯基-9，9'-聯(lián)蒽、10，10'-雙(2-苯基苯基)-9，9' _聯(lián)蒽、10，10'-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，ll-四(叔-丁基)二萘嵌苯等。此外，還可以使用并五苯、暈苯等。這樣，更優(yōu)選使用具有1X10—6cm7Vs以上的空穴遷移率且碳數(shù)為14至42的芳烴。 可用于復(fù)合材料的芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4，4'-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DPVBi)、9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱DPVPA)等。 另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱PVTPA)、聚[N-(4-{N' -[4-(4- 二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱PTPDMA)、聚[N，N'-雙(4-丁基苯基)-N，N' _雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡稱Poly-TPD)等高分子化合物。 空穴傳輸層是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。作為空穴傳輸性高的物質(zhì)，例如，可以使用4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)、N， N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[l，l'-聯(lián)苯]-4，4'-二胺(簡稱:TPD)、4，4，，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡稱TDATA) 、4， 4' ， 4"-三[N- (3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱MTDATA)、4，4'-雙[N-(螺-9，9'-聯(lián)荷-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱BSPB)等芳香族胺化合物等。在此所述的物質(zhì)主要是具有10—6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是，只要是其空穴傳輸性比電子傳輸性高的物質(zhì)，就可以使用其他物質(zhì)。另外，包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層既可以為單層，又可以為層疊有兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層的疊層。
此外，作為空穴傳輸層，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱PVTPA)等高分子化合物。
發(fā)光層是包含發(fā)光性物質(zhì)的層。作為發(fā)光層的種類，可以是以發(fā)光物質(zhì)為主要成分的所謂單膜的發(fā)光層，也可以是將發(fā)光材料分散在主體材料中的所謂主體-客體型的發(fā)光層。 對于使用的發(fā)光材料沒有限制，可以使用公知的發(fā)熒光或磷光的材料。作為熒光發(fā)光性材料，例如，除了可以舉出N， N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N， N' -二苯基均二苯乙烯-4，4' -二胺(簡稱YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4 ' -(lO-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱YGAPA)等以外，還可以舉出發(fā)光波長為450nm以上的4-(9H-咔唑-9-基)-4' -(9， 10- 二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱:2YGAPPA) 、 N，9- 二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四_叔_ 丁基二萘嵌苯(簡稱TBP) 、4-(10-苯基-9-蒽基)-4' -(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA) 、N，N〃 -(2-叔-丁基蒽-9， 10- 二基二 -4， 1-亞苯基)雙[N， N' ， N'-三苯基-1，4-苯二胺](簡稱DPABPA)、 N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]_9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPPA) 、N-[4-(9， 10- 二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N' ，N'-三苯基_1，4-苯二胺(簡稱2DPAPPA)、N，N，N' ， N' ， N〃 ， N〃 ，N〃 '，N"'-八苯基二苯并[g， p]篇-2，7，10，15-四胺(簡稱DBCl)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、 N-[9，10-雙(l，l'-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCABPhA) 、 N-(9， 10-二苯基-2-蒽基)-N，N' ，N'-三苯基_1，4-苯二胺(簡稱2DPAPA)、N-[9，10-雙(l，l'-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N， N' ，N'-三苯基_1，4-苯二胺(簡稱2DPABPhA)、9，10-雙(1，1'-聯(lián)苯-2-基)-N- [4- (9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱2YGABPhA)、N， N，9-三苯基蒽-9-胺(簡稱DPhAPhA)、香豆素545T、 N， N' -二苯基喹吖啶酮(簡稱DPQd)、紅熒烯、5，12-雙(l，l'-聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡稱BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}_6-甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(簡稱DCMl)、2-(2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-妣卩南-4-亞基l丙二腈(簡稱DCM2)、N，N，N' ，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡稱p-mPhTD)、7，13-二苯基-N，N，N' ，N' _四(4-甲基苯基)苊并[1， 2-a]熒蒽-3， 10- 二胺(簡稱:p-mPhAFD) 、2-{2_異丙基-6_[2_(1， 1， 7， 7-四甲基-2， 3， 6， 7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基l丙二腈(簡稱DCJTI)、2-{2-叔-丁基-6-[2-(1， 1， 7， 7-四甲基-2， 3， 6， 7-四氫_1H， 5H-苯并[i j]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱DCJTB)、2-(2，6-雙{2_[4_( 二甲基氨基)苯基]乙烯基卜4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱BisDCM)、2-(2，6-雙[2_(8_甲氧基-1， 1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱BisDCJTM)等。作為磷光發(fā)光性材料，除了例如雙[2-(4' ，6' -二氟苯基)吡啶-N，C"]銥(III)四(l-吡唑基)硼酸鹽(簡稱FIr6)以外，還可以舉出發(fā)光波長在470nm至500nm的范圍內(nèi)的雙[2-(4' ，6' - 二氟苯基)妣啶-N，C2,]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱FIrpic)、雙[2-(3' ，5' _雙三氟甲基苯基)吡啶_N，C2']銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱Ir(CF3卯y)2(pic))、雙[2-(4' ，6' - 二氟苯基)吡啶-N， C2']銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱:FIracac);發(fā)光波長為500nm(綠色發(fā)光)以上的三(2-苯基吡啶)銥(III)(簡稱lr(卯y)3)、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙酰丙 化物(簡稱Ir(卯y)2(acac))、三(乙酰丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡稱Tb(acac)3(Phen))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱lr(bzq)2(acac))、雙(2， 4_ 二苯基_1， 3_噁唑_N， C2')銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4' _全氟苯基苯基)吡啶]銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱lr(p-PF-ph)2(acac))、雙(2_苯基苯并噻唑_N， C2')銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2'-苯并[4， 5_ a ]噻吩基)吡啶_N， C3']銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱:lr(btp)2(織c))、雙(l-苯基異喹啉-N，C2')銥(III)乙酰丙酮化物(簡稱Ir(piq)2(acaC))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4_氟苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡稱:Ir(Fdpq)2(acaC))、(乙酰丙酮)雙(2， 3， 5_三苯基吡嗪合)銥(III)(簡稱:Ir(tppr)2(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H- 口卜啉鉬(II)(簡稱PtOEP)、三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(單菲咯啉)銪(III)(簡稱Eu(DBM)3(Phen))、三[l-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮合](單菲咯啉)銪(ni)(簡稱Eu(TTA)3(Phen))等?？梢钥紤]各發(fā)光元件中的發(fā)光顏色從上述材料或其他公知材料中選擇。 在使用主體材料的情況下，例如可以舉出三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡稱BeBcg、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡稱BAlq)、雙(S-羥基喹啉)鋅(n)(簡稱Znq)、雙[2-(2_苯并噁唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱ZnPB0)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱ZnBTZ)等金屬絡(luò)合物；2-(4-聯(lián)苯基)_5- (4-叔-丁基苯基)-1 ， 3 ， 4-噁二唑(簡稱PBD) 、 1 ， 3-雙[5-(對-叔-丁基苯基)_1 ，3， 4-噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD-7) 、3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5- (4-叔-丁基苯基)_1 ，2，4-三唑(簡稱TAZ)、2，2' ，2〃 -(l， 3， 5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(簡稱TPBI)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(bathocuproine，簡稱BCP) 、9-[4_(5_苯基-1，3， 4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱COll)等雜環(huán)化合物；NPB(或a -NPD) 、TPD、BSPB等芳香族胺化合物。另外，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、篇衍生物、二苯
并[g，P]篇衍生物等稠合多環(huán)芳香族化合物，具體而言，可以舉出9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、N，N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱CzAlPA)、4- (10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱DPhPA) 、4- (9H-咔唑-9-基)-4' - (10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱YGAPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱PCAPA)、N，9-二苯基-N-(4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基)-9H-咔唑_3-胺(簡稱PCAPBA) 、N， 9- 二苯基-N- (9， 10- 二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、6，12-二甲氧基-5，ll-二苯基篇、N，N，N' ，N' ，N〃 ，N〃 ，N〃 ' ，N〃 '-八苯基二苯并[g， p]篇_2，7，10，15-四胺(簡稱DBCl)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱DPCzPA) 、9， 10-雙(3， 5- 二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA) 、9， 10- 二 (2-萘基)蒽(簡稱DNA) 、2-叔-丁基-9， 10- 二 (2-萘基)蒽(簡稱t-BuDNA) 、9， 9 '-聯(lián)蒽(簡稱BANT)、9，9'-(均二苯乙烯_3，3' -二基)二菲(簡稱DPNS)、9，9' _(均二苯乙烯_4，4' -二基)二菲(簡稱DPNS2)、3，3' ，3〃 -(苯_1，3，5-三基)三芘(簡稱TPB3)等?？梢詮倪@些材料及公知的物質(zhì)中選擇如下物質(zhì)具有各自具有比分散的發(fā)光物質(zhì)的能隙(在磷光發(fā)光時(shí)是三重激發(fā)態(tài)能量)大的能隙(三重激發(fā)態(tài)能量)的物質(zhì)，并呈現(xiàn)符合各層應(yīng)該具有的傳輸性。 電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。它是由例如三(8-羥基喹啉)鋁 (簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹 (簡稱BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱BAlq)等具有喹啉骨架 或者苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物等構(gòu)成的層。此外，還可以使用雙[2-(2-羥基苯基)苯并 噁唑]鋅(簡稱Zn(B0X)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等具有 噁唑類、噻唑類配位體的金屬絡(luò)合物等。再者，除了金屬絡(luò)合物之外，還可以使用2-(4-聯(lián) 苯基)-5- (4-叔-丁基苯基)-1 ， 3， 4-噁二唑(簡稱PBD) 、 1 ， 3-雙[5-(對-叔-丁基苯 基)-1 ， 3， 4-噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD-7) 、3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5- (4-叔-丁基 苯基)-l，2，4-三唑(簡稱TAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)等。在此 所述的物質(zhì)主要是具有10—6cm7Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。另外，只要是電子傳輸性比 空穴傳輸性高的物質(zhì)，也可以使用上述以外的物質(zhì)作為電子傳輸層。 此外，電子傳輸層既可以為單層，也可以為層疊有兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的 層而成的疊層。 此外，也可以在電子傳輸層和發(fā)光層之間設(shè)置控制電子載流子的移動(dòng)的層。這是 對上述電子傳輸性高的材料添加少量的電子俘獲性高的物質(zhì)的層，通過抑制電子載流子的 移動(dòng)，可以調(diào)節(jié)載流子平衡。這種結(jié)構(gòu)對由于電子穿過發(fā)光層而發(fā)生的問題(例如，元件壽 命的降低)的抑制發(fā)揮大的效果。 此外，也可以與成為陰極的電極相接地設(shè)置電子注入層。作為電子注入層，可以 使用堿金屬或堿土類金屬或者它們的化合物如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2) 等。例如，可以使用將堿金屬或堿土類金屬或者它們的化合物包含在由具有電子傳輸性的 物質(zhì)構(gòu)成的層中而成的層，例如，可以使用將鎂(Mg)包含在Alq中而成的層等。另外，通過 使用將堿金屬或堿土類金屬包含在由具有電子傳輸性的物質(zhì)構(gòu)成的層中而成的層作為電 子注入層，可以高效地進(jìn)行從第二電極120的電子注入，所以更優(yōu)選。 接著，在EL層119上形成第二電極120。作為形成第二電極120的物質(zhì)，在將第二 電極120用作陰極的情況下，可以使用功函數(shù)小(具體為3.8eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電 性化合物以及它們的混合物等。作為這種陰極材料的具體例子，可以舉出屬于元素周期表 的第一族或第二族的元素，即鋰(Li)、銫(Cs)等堿金屬；鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等堿土 類金屬；包含這些金屬的合金(MgAg、 AlLi);銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土類金屬以及包含這些 金屬的合金等。然而，通過在陰極和電子傳輸層之間設(shè)置電子注入層，可以與功函數(shù)的大小 無關(guān)地將A1、 Ag、 ITO、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種導(dǎo)電性材料用作陰極。這 些導(dǎo)電性材料可以通過濺射法、噴墨法、旋涂法等來成膜。 此外，在將第二電極120用作陽極的情況下，優(yōu)選使用功函數(shù)大(具體為4.0eV 以上)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物以及它們的混合物等。具體地說，例如，可以舉出氧化 銦_氧化錫(ITO :Indium TinOxide)、包含硅或氧化硅的氧化銦_氧化錫、氧化銦_氧化鋅 (IZO:Indium Zinc Oxide)、包含氧化鴇及氧化鋅的氧化銦(IWZO)等。這些導(dǎo)電性金屬氧 化物膜通常通過濺射來形成，但也可以通過應(yīng)用溶膠_凝膠法等來制造。例如，氧化銦_氧 化鋅(IZO)可以通過濺射法并使用對于氧化銦加入了 lwt^至20wt^的氧化鋅的耙材來形 成。此外，包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦(IWZO)可以通過濺射法并使用對于氧化銦加入了0. 5wt^至5wt^的氧化鴇及0. lwt^至lwt^的氧化鋅的耙材來形成。此外，可以舉出金 (Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鴇(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或者金 屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。此外，通過與陽極相接地設(shè)置上述復(fù)合材料，可以與 功函數(shù)的高低無關(guān)地選擇電極的材料。 另外，上述EL層也可以如圖6A所示在第一電極600和第二電極601之間多個(gè)層 疊。在此情況下，優(yōu)選在層疊的EL層800和EL層801之間設(shè)置電荷產(chǎn)生層803。電荷產(chǎn)生 層803可以由上述復(fù)合材料形成。此外，電荷產(chǎn)生層803也可以具有由復(fù)合材料構(gòu)成的層 和由其他材料構(gòu)成的層的疊層結(jié)構(gòu)。在此情況下，作為由其他材料構(gòu)成的層，可以使用包含 電子給予性物質(zhì)和電子傳輸性高的物質(zhì)的層、由具有對于可見光的透光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成的 層等。具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件不容易發(fā)生能量移動(dòng)及猝滅等問題，可選擇的材料的范圍 更廣，從而容易得到兼有高發(fā)光效率和長壽命的發(fā)光元件。此外，可以容易地在一個(gè)EL層 中得到磷光發(fā)光，而在另一個(gè)EL層中得到熒光發(fā)光。這種結(jié)構(gòu)可以與上述EL層的結(jié)構(gòu)組 合來使用。 接著，說明兩層以上的多個(gè)EL層層疊在第一電極和第二電極之間的情況。如圖6B 所示，例如當(dāng)EL層1003具有n (n是2以上的自然數(shù))層的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，具有在第m(m是自 然數(shù)，l《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間分別夾有電荷產(chǎn)生層1004的結(jié)構(gòu)。
另夕卜，電荷產(chǎn)生層1004當(dāng)對第一電極1001和第二電極1002施加電壓時(shí)具有如下 功能對接觸于電荷產(chǎn)生層1004而形成的一方的EL層1003注入空穴；以及對另一方的EL 層1003注入電子。 作為電荷產(chǎn)生層1004，例如可以使用有機(jī)化合物和金屬氧化物的復(fù)合材料。此外， 電荷產(chǎn)生層1004也可以組合有機(jī)化合物和金屬氧化物的復(fù)合材料和其他材料(例如，堿金 屬、堿土類金屬或它們的化合物)而形成。例如，還可以采用由有機(jī)化合物和金屬氧化物的 復(fù)合材料構(gòu)成的層和由其他材料(例如，堿金屬、堿土類金屬或它們的化合物)構(gòu)成的層的 疊層結(jié)構(gòu)。作為有機(jī)化合物和金屬氧化物的復(fù)合材料，例如包含有機(jī)化合物和、05、1003及 W03等的金屬氧化物。作為有機(jī)化合物，可以使用各種化合物如芳香族胺化合物、咔唑衍生 物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。另外，作為有機(jī)化合物，優(yōu) 選應(yīng)用空穴遷移率為10—6cm7Vs以上的空穴傳輸性有機(jī)化合物。但是，只要是其空穴傳輸 性比電子傳輸性高的物質(zhì)而還可以使用這種以外的物質(zhì)。另外，因?yàn)橛糜陔姾僧a(chǎn)生層1004 的這些材料具有優(yōu)良的載流子注入性及載流子傳輸性，所以能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的低電流驅(qū) 動(dòng)。 特別是，在獲得白色發(fā)光時(shí)優(yōu)選采用圖6A的結(jié)構(gòu)，通過與圖2的結(jié)構(gòu)組合能夠制 造長壽命和高效率的全色柔性發(fā)光裝置。 作為多個(gè)發(fā)光層的組合，只要是包括紅色、藍(lán)色及綠色的光而發(fā)射白色的光的結(jié) 構(gòu)即可。例如可以舉出如下結(jié)構(gòu)具有包括用作發(fā)光物質(zhì)的藍(lán)色的熒光材料的第一EL層和 包括用作發(fā)光物質(zhì)的綠色和紅色的磷光材料的第二EL層。此外，采用具有發(fā)射處于補(bǔ)色關(guān) 系的光的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)也可以獲得白色發(fā)光。在層疊兩層EL層的疊層型元件中，當(dāng)將從第 一 EL層獲得的發(fā)光的發(fā)光色和從第二 EL層獲得的發(fā)光的發(fā)光色設(shè)定為補(bǔ)色關(guān)系時(shí)，作為 補(bǔ)色關(guān)系可以舉出藍(lán)色和黃色或藍(lán)綠色和紅色等。作為發(fā)射藍(lán)色、黃色、藍(lán)綠色、紅色的光 的物質(zhì)，例如可以適當(dāng)?shù)貜闹傲信e的發(fā)光物質(zhì)中選擇。
下面，示出第一EL層及第二EL層分別具有處于補(bǔ)色關(guān)系的多個(gè)發(fā)光層，并可獲得 白色發(fā)光的結(jié)構(gòu)的一例。 例如，第一EL層包括呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長區(qū)具有峰值的發(fā)射光譜的第一 發(fā)光層和呈現(xiàn)在黃色至橙色的波長區(qū)具有峰值的發(fā)射光譜的第二發(fā)光層，而第二 EL層包 括呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長區(qū)具有峰值的發(fā)射光譜的第三發(fā)光層和呈現(xiàn)在橙色至紅色 的波長區(qū)具有峰值的發(fā)射光譜的第四發(fā)光層。 在此情況下，由于從第一EL層的發(fā)光是組合從第一發(fā)光層及第二發(fā)光層雙方的 發(fā)光，因此呈現(xiàn)在藍(lán)色至藍(lán)綠色的波長區(qū)及黃色至橙色的波長區(qū)的雙方具有峰值的發(fā)射光 譜。即，第一 EL層呈現(xiàn)2波長型的白色或接近白色的顏色的發(fā)光。 此外，由于從第二EL層的發(fā)光是組合了從第三發(fā)光層及第四發(fā)光層雙方發(fā)射的 光的發(fā)光，因此呈現(xiàn)在藍(lán)綠色至綠色的波長區(qū)及橙色至紅色的波長區(qū)的雙方具有峰值的發(fā) 射光譜。也就是，第二 EL層呈現(xiàn)與第一 EL層不同的2波長型的白色或接近白色的顏色的 發(fā)光。 因此，通過重疊從第一 EL層的發(fā)光及從第二 EL層的發(fā)光，能夠獲得包括藍(lán)色至藍(lán) 綠色的波長區(qū)、藍(lán)綠色至綠色的波長區(qū)、黃色至橙色的波長區(qū)、橙色至紅色的波長區(qū)的白色 發(fā)光。 另外，在上述疊層型元件的結(jié)構(gòu)中，通過在層疊的EL層之間配置電荷產(chǎn)生層，可 以在保持低電流密度的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)高亮度區(qū)中的長壽命元件。此外，由于可以減少電極材 料的電阻所引起的電壓降低，因此可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻發(fā)光。 在形成第二電極120之后，使用第二粘合劑層121將金屬襯底122粘合到在第二 電極120上。第二粘合劑層121可以由與第一粘合劑層111相同的材料形成。對于構(gòu)成金 屬襯底的材料沒有特別的限制而優(yōu)選使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不銹鋼等金屬的合金等(圖 3E)。另外，對于金屬襯底122，優(yōu)選在使用第二粘合劑層121粘合之前，通過在真空中進(jìn)行 焙燒或等離子體處理來預(yù)先去除附著在其表面的水。 也可以使用層壓機(jī)進(jìn)行金屬襯底122的粘合。例如，有如下方法首先使用層壓機(jī) 將片狀的粘合劑貼合到金屬襯底，再使用層壓機(jī)將它粘合到發(fā)光元件上；以及通過絲網(wǎng)印 刷等在金屬襯底上印刷粘合劑，并使用層壓機(jī)將它粘合到發(fā)光元件上等。優(yōu)選在減壓下進(jìn) 行該工序，以減少氣泡的侵入。 如上所述，能夠制造如圖1A至1C所示的本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置。
在本實(shí)施方式中例示出作為具有TFT的柔性發(fā)光裝置，在制造襯底上形成到發(fā)光 元件的第一電極117并進(jìn)行剝離的方法，但是本說明書中所公開的發(fā)明不局限于此，也可 以在形成發(fā)光元件127之后(S卩，在形成發(fā)光元件的第二電極120之后)進(jìn)行剝離及轉(zhuǎn)置。 此外，也可以只將保護(hù)膜112形成在制造襯底上，并將它剝離并轉(zhuǎn)置到塑料襯底110上，然 后制造TFT、發(fā)光元件。另外，在不設(shè)置TFT的情況下，通過在保護(hù)膜112上從發(fā)光元件的第 一電極117開始形成，可以同樣地制造。 另外，也可以在形成到發(fā)光元件的第二電極120之后，如圖1C所示，形成膜密封層 126，來謀求進(jìn)一步減少透水性。此外，也可以在塑料襯底110的與第一粘合劑層111相接 的面相反的面一側(cè)設(shè)置涂敷膜124來防止屏幕的刮傷及擠壓所引起的破損。另外，也可以 在金屬襯底122上設(shè)置樹脂層123來謀求保護(hù)金屬襯底。
此外，在塑料襯底110、第一粘合劑層111、第二粘合劑層121及樹脂層123中，在 這些材料中也可以包含纖維體。作為纖維體，使用有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維。 高強(qiáng)度纖維具體地是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。作為其代表例子，可以舉出聚 乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚酰胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚酰胺類纖維、聚對苯撐苯 并雙噁唑纖維、玻璃纖維、或碳纖維。作為玻璃纖維，可以舉出使用了 E玻璃、S玻璃、D玻 璃、Q玻璃等的玻璃纖維。也可以將結(jié)構(gòu)體用作塑料襯底IIO，該結(jié)構(gòu)體是將這些纖維以織 布或無紡布的狀態(tài)使用，且使該纖維體浸滲有機(jī)樹脂并使有機(jī)樹脂固化而成的。作為塑料
襯底iio通過使用由纖維體和有機(jī)樹脂構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體，可以提高對彎曲或局部擠壓所引起
的破損的可靠性，所以這是優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。 另外，在塑料襯底IIO或第一粘合劑層111中含有上述的纖維體的情況下，優(yōu)選 采用直徑為100nm以下的納米纖維作為該纖維體，以減少阻礙來自發(fā)光元件的光發(fā)射到外 部。此外，優(yōu)選使纖維體和有機(jī)樹脂或粘合劑的折射率一致。 此外，也可以將使纖維體浸滲有有機(jī)樹脂并使有機(jī)樹脂固化的結(jié)構(gòu)體用作承擔(dān)第 一粘合劑層111和塑料襯底110兩者作用的結(jié)構(gòu)體。此時(shí)，作為該結(jié)構(gòu)體的有機(jī)樹脂，優(yōu)選 使用通過實(shí)施反應(yīng)固化型、熱固化型、紫外線固化型等追加處理而進(jìn)行固化的有機(jī)樹脂。
接著，使用各向異性導(dǎo)電材料將FPC(柔性印刷電路)貼附到輸出入端子部的各電 極。如果需要，也可以安裝IC芯片等。 通過以上工序，連接有FPC的模塊型發(fā)光裝置完成。 接著，圖4示出模塊型發(fā)光裝置(也稱為EL模塊)的俯視圖及截面圖。 圖4A是示出EL模塊的俯視圖，圖4B是沿著A-A'截?cái)鄨D4A的截面圖。在圖4A
中，隔著第一粘合劑層500在塑料襯底110上設(shè)置有保護(hù)膜501，在其上還形成有像素部
502、源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路504及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503。 此夕卜，附圖標(biāo)記400是第二粘合劑層，附圖標(biāo)記401是金屬襯底，在像素部及驅(qū)動(dòng) 電路部上形成有第二粘合劑層400，由該第二粘合劑層400粘合有金屬襯底401。再者，也 可以在金屬襯底401上設(shè)置樹脂層來保護(hù)金屬襯底401。 另外，附圖標(biāo)記508是用來傳送輸入到源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路504及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503 的信號的布線，從成為外部輸入端子的FPC402 (柔性印刷電路)接收視頻信號及時(shí)鐘信號。 此外，在此只圖示出FPC402，但是該FPC還可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中所公 開的柔性發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置主體，而且還包括還安裝有FPC或PWB的狀態(tài)的發(fā)光裝置。 接著，參照圖4B說明截面結(jié)構(gòu)。與第一粘合劑層500上相接地設(shè)置保護(hù)膜501 ，在 保護(hù)膜501的上方形成有像素部502、柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503，像素部502由包括電流控制用 TFT511和電連接到其漏極的像素電極512的多個(gè)像素形成。此外，柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503使 用組合了 n溝道型TFT513和p溝道型TFT514的CMOS電路形成。 圖4C示出與圖4B不同的截面結(jié)構(gòu)的例子。在圖4C的例子中，使用氮化硅、氧氮 化硅、氮氧化硅及氧化硅這樣的無機(jī)材料形成隔壁118。而且，以與隔壁118的周邊端部相 比，其周邊端部近于柔性發(fā)光裝置的中心部的方式設(shè)置第二粘合劑層400和金屬襯底401。 即，使第二粘合劑層400及金屬襯底401的面積小于隔壁118的面積，以將它們設(shè)置在隔壁 118的面積內(nèi)。而且，覆蓋第二粘合劑層400的側(cè)面地形成低熔點(diǎn)金屬520。由此，可以非常有效地遮斷從第二粘合劑層400的側(cè)面端部的水分的侵入，從而可以實(shí)現(xiàn)柔性發(fā)光裝置 的壽命的進(jìn)一步提高。對于低熔點(diǎn)金屬520并沒有特別限制，但是優(yōu)選可以以大致45t:至 30(TC熔接的金屬材料。如果是30(TC左右的熔接溫度，在像素部周邊且隔壁上的部分的溫 度上升，因此可以不損壞發(fā)光元件及塑料襯底地熔接。作為這種材料，可以舉出包含錫、銀、 銅、銦等的金屬材料。此外，其中還可以包含鉍等。 圖IIA和IIB示出更有效地防止從發(fā)光裝置的周邊端部的水分的侵入的其他結(jié) 構(gòu)。圖11A所示的發(fā)光裝置的金屬襯底401大于第二粘合劑層400、發(fā)光元件518、被剝離 層116及塑料襯底110，并且金屬襯底401的端部延伸到第二粘合劑層400、發(fā)光元件518、 被剝離層116及塑料襯底110的外周部的外側(cè)。此外，密封膜521覆蓋第二粘合劑層400、 發(fā)光元件518、被剝離層116及塑料襯底110，并與金屬襯底401的表面相接。使用透水性 低且具有對于可見光的透光性的材料形成密封膜521。典型地舉出氮化硅膜、氮氧化硅膜、 氧氮化硅膜那樣的無機(jī)材料等，優(yōu)選使用包含氮和硅的絕緣膜。通過使密封膜521采用這 種結(jié)構(gòu)，可以防止水分從構(gòu)成發(fā)光裝置的第二粘合劑層400、發(fā)光元件518、被剝離層116及 塑料襯底110的端部及界面侵入到發(fā)光裝置內(nèi)部。 此外，圖11B所示的發(fā)光裝置在第二粘合劑層400、發(fā)光元件518、被剝離層116及 塑料襯底110的端部具有平坦化層522。作為平坦化層522可以使用樹脂。平坦化層522緩 和第二粘合劑層400、發(fā)光元件518、被剝離層116及塑料襯底110構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生 的臺階高差。借助于平坦化層522臺階高差得到了緩和的端部可以更容易地被密封膜521 覆蓋。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以使用密封膜521更有效地防止從構(gòu)成發(fā)光裝置的第二粘合 劑層400、發(fā)光元件518、被剝離層116及塑料襯底110的端部及界面的水分的侵入。另外， 也可以以不僅覆蓋塑料襯底110的端部，而且覆蓋其整個(gè)面的方式涂敷平坦化層522。
如上所述，在本實(shí)施方式所記載的柔性發(fā)光裝置中，因能夠在耐熱性高的制造襯 底上制造TFT而能夠采用使用了遷移率高的結(jié)晶硅等結(jié)晶半導(dǎo)體層的TFT，由此能夠同時(shí) 形成這種驅(qū)動(dòng)電路部，并更廉價(jià)地制造柔性發(fā)光裝置。
實(shí)施方式2 在本實(shí)施方式中，說明其一部分包括實(shí)施方式1所示的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。
作為具有實(shí)施方式1所示的發(fā)光元件的電子設(shè)備的一例，可以舉出影像拍攝裝置 如攝像機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(汽車音響、音響組件 等)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(便攜式計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)或電子書 籍等)、具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體為數(shù)字通用光盤(DVD)等再現(xiàn)記錄媒體且具有 可以顯示其圖像的顯示裝置的裝置)等。在圖5中示出這些電子設(shè)備的具體例。
圖5A是一種電視裝置，包括框體9101、支架臺9102、顯示部9103、揚(yáng)聲器部9104、 視頻輸入端子9105等。在該電視裝置中，顯示部9103通過使用實(shí)施方式1所示的發(fā)光裝 置來制造。安裝有具有柔性且壽命長的可以簡單地制造的實(shí)施方式1所記載的發(fā)光裝置的 電視裝置在顯示部9103中可以提供一種在實(shí)現(xiàn)曲面顯示和輕量化的同時(shí)，使用壽命長且 較廉價(jià)的產(chǎn)品。 圖5B是一種計(jì)算機(jī)，包括主體9201、框體9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接 端口 9205、定位裝置9206等。該計(jì)算機(jī)的顯示部9203通過使用實(shí)施方式1所示的發(fā)光裝 置來制造。安裝具有柔 且壽命長的可以簡單地制造的實(shí)施方式l所記載的發(fā)光裝置的計(jì)算機(jī)在顯示部9203中可以提供一種在實(shí)現(xiàn)曲面顯示和輕量化的同時(shí)，壽命長且較廉價(jià)的
A 口 圖5C是一種移動(dòng)電話，包括主體9401 、框體9402、顯示部9403、聲音輸入部9404、 聲音輸出部9405、操作鍵9406、外部連接端口 9407等。該移動(dòng)電話的顯示部9403通過使 用實(shí)施方式l所示的發(fā)光裝置來制造。安裝有具有柔性且壽命長的可以簡單地制造的實(shí)施 方式l所記載的發(fā)光裝置的移動(dòng)電話在顯示部9403中可以一邊實(shí)現(xiàn)曲面顯示和輕量化，一 邊提供高圖像質(zhì)量的圖像。此外，由于實(shí)現(xiàn)了輕量化的實(shí)施方式的移動(dòng)電話即使具有各種 各樣的附加價(jià)值也可以形成為適合于攜帶的重量內(nèi)，因此，該移動(dòng)電話還具有適合于高功 能的移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)。 圖5D是一種影像拍攝裝置，包括主體9501、顯示部9502、框體9503、外部連接端 口 9504、遙控接收部9505、圖像接收部9506、電池9507、聲音輸入部9508、操作鍵9509、以 及取景器9510等。該影像拍攝裝置的顯示部9502通過使用實(shí)施方式1所示的發(fā)光裝置來 制造。安裝有具有柔性且壽命長的可以簡單地制造的實(shí)施方式1所記載的發(fā)光裝置的影像 拍攝裝置在顯示部9502中可以提供一種在實(shí)現(xiàn)曲面顯示和輕量化的同時(shí)，壽命長且較廉 價(jià)的產(chǎn)品。 圖5E是一種顯示器，包括主體9601、顯示部9602、外部存儲器插入部9603、揚(yáng)聲
器部9604、操作鍵9605等。主體9601還可以安裝有電視的圖像接收天線、外部輸入端子、
外部輸出端子、電池等。該顯示器的顯示部9602通過使用實(shí)施方式1所示的發(fā)光裝置來制
造。柔性顯示部9602在主體9601中可以巻起來收納，所以適合于攜帶。安裝具有柔性且
壽命長的可以簡單地制造的實(shí)施方式1所記載的發(fā)光裝置的顯示器在顯示部9602中可以
提供一種在實(shí)現(xiàn)攜帶適合性和輕量化的同時(shí)，壽命長且較廉價(jià)的產(chǎn)品。 如上所述，實(shí)施方式l所示的發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍極廣，且可以將該發(fā)光裝置應(yīng)
用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。
實(shí)施方式3 因?yàn)槿嵝园l(fā)光裝置使用塑料襯底，所以與玻璃襯底等相比容易帶電。于是，在本實(shí) 施方式中，示出作為圖1C的涂敷膜124使用透明導(dǎo)電膜來制造進(jìn)行了抗靜電處理的柔性發(fā) 光裝置的例子。 形成在塑料襯底110的與第一粘合劑層111相接的面相反的面一側(cè)設(shè)置作為透明 導(dǎo)電膜的涂敷膜124的結(jié)構(gòu)。既可以在貼合FPC402之后形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124， 又可以在貼合金屬襯底401之后形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124，還可以在貼合FPC402 之前形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124。 此外，作為用于涂敷膜124的透明導(dǎo)電膜，通過濺射法、印刷法或真空蒸鍍法等形 成氧化銦(111203)、氧化錫、氧化銦氧化錫合金(I化OfSn(^，簡稱為ITO)、包含氧化鴇的銦氧 化物、包含氧化鴇的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦 錫氧化物、氧化銻等。 即使當(dāng)帶有靜電的人體的手、手指等接觸被作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124覆蓋的 塑料襯底110時(shí)發(fā)生放電，也可以保護(hù)TFT(n溝道型TFT513及p溝道型TFT514等)及像 素部502。 此外，作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124也可以保護(hù)柔軟的塑料襯底110的表面免受損傷等。 此外，優(yōu)選將作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124和金屬襯底401導(dǎo)通，圖12示出其構(gòu)
成的一例。另外，在此情況下，作為金屬襯底401使用具有導(dǎo)電性的襯底。 此外，因?yàn)閳D12的一部分與圖4不同而其他部分都一樣，所以對相同的部分使用
相同的符號進(jìn)行說明。 圖12A是示出EL模塊的俯視圖，圖12B是沿著虛線A-A'截?cái)鄨D12A的截面圖。 此外，圖12C是沿著虛線X-Y截?cái)鄨D12A的截面圖。 在圖12A中，在塑料襯底110上隔著第一粘合劑層500設(shè)置保護(hù)膜501，并且在其 上形成有像素部502、源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路504及柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503。根據(jù)上述實(shí)施方式1可 以獲得這些像素部及驅(qū)動(dòng)電路。 此夕卜，附圖標(biāo)記400是第二粘合劑層，附圖標(biāo)記401是金屬襯底。在像素部及驅(qū)動(dòng) 電路部上形成第二粘合劑層400，并且由該第二粘合劑層400粘合有金屬襯底401。金屬襯 底401具有不與塑料襯底110重疊的區(qū)域，并且在該區(qū)域中形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜 124。此外，在塑料襯底110的側(cè)面、第一粘合劑層500的側(cè)面、保護(hù)膜501的側(cè)面、柵極絕 緣膜的側(cè)面、層間絕緣膜的側(cè)面、第二粘合劑層400的側(cè)面等形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷 膜124。通過在這些側(cè)面形成作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124，使金屬襯底401和涂敷膜124 導(dǎo)通。 如圖12C所示，圍繞塑料襯底110地配置金屬襯底401和涂敷膜124，并使金屬襯 底401和涂敷膜124導(dǎo)通，從而能夠有效地抑制帶靜電。 在本實(shí)施方式中，在塑料襯底110及作為不銹鋼襯底的金屬襯底401形成110nm 的氧化銦氧化錫合金膜。 另外，當(dāng)通過濺射法形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選在利用金屬箔等覆蓋FPC402的端部
來進(jìn)行保護(hù)的狀態(tài)下進(jìn)行成膜，以便透明導(dǎo)電膜不形成于FPC402的端部，并優(yōu)選將其形成
于側(cè)面及金屬襯底401的一部分(與塑料襯底110不重疊的部分)上。此外，雖然未圖示，
但是若不利用金屬箔等覆蓋而進(jìn)行保護(hù)，在FPC402上也形成透明導(dǎo)電膜。 此外，作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124也可以保護(hù)柔軟的塑料襯底110的表面免受
損傷等。此外，設(shè)置于側(cè)面的作為透明導(dǎo)電膜的涂敷膜124還用作抑制水分的侵入的保護(hù)膜。 另外，本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式自由地組合。
實(shí)施例1 在本實(shí)施中例示可用作圖像顯示裝置的有源矩陣型的柔性發(fā)光裝置。圖7A、圖7B 示出本實(shí)施例所例示的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。圖7A是示出有源矩陣型發(fā)光裝置的俯視圖，而圖 7B是沿著A-A'截?cái)鄨D7A的截面圖。 本實(shí)施例所例示的柔性發(fā)光裝置包括塑料襯底110、被剝離層116、發(fā)光元件518 和金屬襯底401。 被剝離層116被轉(zhuǎn)置的塑料襯底110具有90%以上的對于可見光的透光性，并且 它由熱膨脹率大約為10ppm/K的20 P m厚的芳族聚酰胺薄膜構(gòu)成。此外，粘合塑料襯底110 和被剝離層116的第一粘合劑層500由二液型環(huán)氧粘合劑(株式會社7 &于-制造，產(chǎn)品 名稱R2007/H-1010)構(gòu)成。
被剝離膜116包括保護(hù)膜501、像素部502、柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路503、源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路 504。此外，像素部502包括電流控制用TFT511和像素電極512。像素電極512電連接到電 流控制用TFT 511的漏電極層。另外，所例示的電流控制用TFT511是p型，像素電極512 相當(dāng)于發(fā)光元件518的陽極。 保護(hù)膜501由200nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層、200nm厚的氮化硅(SiNy) 層、200nm厚的氧氮化硅(SiOxNy，x > y)層、140nm厚的氮氧化硅(SiNyOx，x < y)層、100nm 厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層的多層膜構(gòu)成。通過采用這種疊層結(jié)構(gòu)，可以防止從襯底 下部的水蒸汽和氧的侵入。 本實(shí)施例所例示的TFT具有正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的TFT，該正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的TFT包括半導(dǎo)體層 上的柵極絕緣膜，隔著柵極絕緣膜與半導(dǎo)體層重疊的柵電極層以及與半導(dǎo)體層的源極區(qū)及 漏極區(qū)電連接的源電極層及漏電極層。該TFT的半導(dǎo)體層由50nm厚的多晶硅層構(gòu)成，而柵 極絕緣膜由110nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)膜構(gòu)成。 另外，雖然未圖示，但是柵電極層由兩層構(gòu)成，并具有下層的柵電極層比上層的柵 電極層長的形狀。下層的柵電極層由30nm厚的氮化鉭層構(gòu)成，上層的電極層由370nm厚的 鎢(W)層構(gòu)成。通過采用這種形狀，可以不追加光掩模地形成LDD(輕摻雜漏極)區(qū)。
形成在柵極絕緣膜和柵電極層上的第一層間絕緣膜515a由層疊50nm厚的氧氮化 硅(SiOxNy，x > y)層、140nm厚的氮氧化硅(SiNyOx，x < y)層、520nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x>y)層的多層膜構(gòu)成。 通過第一層間絕緣膜515a的接觸孔形成有與TFT的源極區(qū)及漏極區(qū)連接的源電
極層及漏電極層。源電極層及漏電極層由100nm厚的鈦層、700nm厚的鋁層、100nm厚的鈦
層的多層膜構(gòu)成。這樣，通過層疊電阻低的鋁和耐熱性高的鈦，可以抑制布線電阻并防止在
工序中產(chǎn)生小丘。另外，雖然未圖示，但是也可以使用相同的層形成布線層。此外，形成在TFT上的第二層間絕緣膜515b由150nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x >
y)層構(gòu)成。 像素電極(第一電極)512由125nm厚的包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)膜構(gòu)成。 此外，像素電極512的端部被由感光性聚酰亞胺構(gòu)成的隔壁519覆蓋。隔壁519的端部接 觸于像素電極512的表面，并具有平緩的角度。與像素電極512的表面接觸且具有平緩的 角度的隔壁519的端部的臺階高差被緩和，并且在將像素電極512用作一方電極的發(fā)光元 件中，像素電極512和另一方電極之間不容易發(fā)生短路。 另外，將本實(shí)施例的被剝離層116制造于形成在0. 7mm厚的玻璃襯底(旭硝子社 制造，產(chǎn)品名稱ANIOO)上的剝離層上。此外，剝離層由層疊100nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層和50nm厚的鎢層的多層膜構(gòu)成。 圖7C示出將像素電極512用作一方電極的發(fā)光元件518的結(jié)構(gòu)。在發(fā)光元件518
中，將像素電極512用作第一電極，并在與第二電極517之間具有EL層516。下面示出本實(shí)
施例中使用的材料的化學(xué)式。
<formula>formula see original document page 29</formula>DPQd .
下面，示出本實(shí)施例的發(fā)光元件的制造方法。 首先，以使形成有像素電極512的面朝下的方式將形成有像素電極512的襯底固 定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置中的襯底支架。在減壓到10—乍a左右之后，通過在像素電極512 上共蒸鍍4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)和氧化鉬(VI)，形成包 含復(fù)合有機(jī)化合物和無機(jī)化合物而成的復(fù)合材料的第一層2111作為空穴注入層。其厚度 為140nm，并將NPB和氧化鉬(VI)的重量比調(diào)節(jié)為1 : 0. 11 ( = NPB :氧化鉬)。另外，共 蒸鍍法是指在一個(gè)處理室中從多個(gè)蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍的蒸鍍法。 接著，通過使用了電阻加熱的蒸鍍法，在包含復(fù)合材料的第一層2111上形成lOnm 厚的NPB，并形成第二層2112作為空穴傳輸層。 進(jìn)而，在第二層2112上共蒸鍍9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱 CzPA)和綠色的發(fā)光物質(zhì)N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡 稱2PCAPA)，形成第三層2113作為發(fā)光層。發(fā)光層的厚度為30nm，并將蒸鍍速率調(diào)節(jié)為使 CzPA和2PCAPA的重量比為1 : 0. 05( = CzPA : 2PCAPA)。 接著，通過在第三層2113上共蒸鍍?nèi)?8-羥基喹啉合)鋁(簡稱Alq)和作為電子捕捉性物質(zhì)的N， N' - 二苯基喹吖啶酮(簡稱DPQd)，形成第一電子傳輸區(qū)2114a。 第一 電子傳輸區(qū)2114a的厚度為10nm，并將蒸鍍速率調(diào)節(jié)為使Alq和DPQd的重量比為 1 : 0. 005( = Alq : DPQd)。 然后，蒸鍍用作第二電子傳輸區(qū)2114b的30nm的紅菲咯啉(簡稱BPhen)，并且形 成由第一電子傳輸區(qū)2114a和第二電子傳輸區(qū)2114b構(gòu)成的第四層2114作為電子傳輸層。
進(jìn)而，通過在第四層2114上蒸鍍氟化鋰(LiF)，形成第五層2115作為電子注入層。 此外，第五層2115的厚度為lnm。 最后，形成用作陰極的第二電極517。第二電極517由兩層構(gòu)成。共蒸鍍鋁(Al) 和NPB來形成接觸于第五層2115的第一導(dǎo)電層517a。在此，將鋁和NPB的重量比調(diào)節(jié)為 5 : 1( = A1 : NPB)。此外，厚度為100nm。再者，在第一導(dǎo)電層517a上蒸鍍lOOhm的鋁作 為第二導(dǎo)電層517b。另外，第二電極517通過共同電極層與端子部連接。
此外，在上述蒸鍍過程中，所有蒸鍍都可以使用電阻加熱法。 金屬襯底401隔著第二粘合劑層400貼合于被剝離層116和發(fā)光元件518(像 素電極512包含在發(fā)光元件518中)，以防止被剝離層116和發(fā)光元件518暴露于大氣。 金屬襯底401的熱膨脹率大約為10卯m/K，并由20iim厚的鐵素體類不銹鋼襯底(Ni卯on SteelMaterials Co. ， Ltd制造，產(chǎn)品名稱:YUS205-M1)構(gòu)成。第二粘合劑層400由25 ii m 厚的丙烯酸類片狀粘合劑(住友3M社制造，產(chǎn)品名稱8171J)構(gòu)成。 根據(jù)實(shí)施方式1所說明的制造方法制造本實(shí)施例所例示的發(fā)光裝置。即，首先，在 形成在制造襯底上的剝離層上形成具有保護(hù)膜501和用作第一電極的像素電極512等的被 剝離層116。接著，通過臨時(shí)支撐襯底將被剝離層116從制造襯底轉(zhuǎn)置到具有對于可見光的 透光性和柔性的塑料襯底110。接著，在像素電極512上形成EL層516和第二電極517來 形成發(fā)光元件518。最后，使用第二粘合劑層400由金屬襯底401密封被剝離層116和發(fā)光 元件518來制造發(fā)光裝置。 在將本實(shí)施例所例示的柔性發(fā)光裝置巻在直徑10mm的圓柱上的狀態(tài)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)， 并輸入視頻信號。該發(fā)光裝置以彎曲為圓筒狀的狀態(tài)響應(yīng)視頻信號，并進(jìn)行正常的工作。此 外，當(dāng)將其從圓柱卸下而進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，其在平面狀態(tài)下進(jìn)行正常的工作。圖9示出發(fā)光狀態(tài) 的照片。 本實(shí)施例所例示的發(fā)光裝置具有使用耐熱性高的制造襯底而制造的被剝離層。其 結(jié)果，可以對被剝離層使用高溫工藝，所以容易形成抗?jié)裥愿叩谋Ｗo(hù)膜，并且可以確實(shí)并廉 價(jià)地保護(hù)發(fā)光元件。此外，所例示的發(fā)光裝置具有柔性，因此可以在彎曲的狀態(tài)或平面狀態(tài) 下發(fā)光。 此外，所例示的發(fā)光裝置由薄膜和薄的金屬板構(gòu)成。因此，不僅重量輕且跌落時(shí)的 變形少，而且其平面性優(yōu)良且由于使用環(huán)境的變化所引起的彎曲少，所以顯示裝置的驅(qū)動(dòng) 電路不容易損壞。由此，所例示的發(fā)光裝置適用于柔性顯示器的用途。
實(shí)施例2 在本實(shí)施例中例示也可以用作顯示裝置及照明裝置的柔性發(fā)光裝置。本實(shí)施例的 發(fā)光裝置因?yàn)槠渲胁煌ㄟ^開關(guān)元件連接到端子部的多個(gè)發(fā)光元件的電極層配置為矩陣狀， 所以可以說是無源矩陣型，并且可以用作顯示裝置或顯示裝置的背光燈。另外，當(dāng)不配置多 個(gè)發(fā)光元件而配置一個(gè)發(fā)光元件時(shí)，也可以用作照明裝置。
圖8A和8B示出本實(shí)施例所例示的發(fā)光裝置的像素部的結(jié)構(gòu)。圖8A是示出無源 矩陣型發(fā)光裝置的俯視圖，而圖8B是沿著A-A'截?cái)鄨D8A的截面圖。 本實(shí)施例所例示的柔性發(fā)光裝置包括塑料襯底110、被剝離層116、發(fā)光元件518 和金屬襯底401。因?yàn)樗芰弦r底110、發(fā)光元件518和金屬襯底401與實(shí)施例1相同，所以 省略說明。 本實(shí)施例所例示的剝離層116包括保護(hù)膜501、像素電極512、層間絕緣膜(515a、 515b)和隔壁519。 保護(hù)膜501由200nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層、200nm厚的氮化硅(SiNy) 層、200nm厚的氧氮化硅(SiOxNy，x > y)層、140nm厚的氮氧化硅(SiNyOx，x < y)層、100nm 厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層的多層膜構(gòu)成。 第一層間絕緣膜515a由50nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層、140nm厚的氮氧
化硅(SiNyOx， x < y)層、520nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層的多層膜構(gòu)成。布線層由100nm厚的鈦層、700nm厚的鋁層、100nm厚的鈦層的多層膜構(gòu)成。此夕卜，
第二層間絕緣膜515b由150nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層構(gòu)成。 像素電極512通過第二層間絕緣膜515b的接觸孔與布線層電連接。像素電極512
由125nm厚的包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)膜構(gòu)成。 此外，像素電極512的端部被由感光聚酰亞胺構(gòu)成的隔壁519覆蓋。 另外，在形成在0. 7mm厚的玻璃襯底上的剝離層上制造本實(shí)施例的被剝離層116。
此外，剝離層由層疊100nm厚的氧氮化硅(SiOxNy， x > y)層和50nm厚的鎢層的多層膜構(gòu)成。 以將本實(shí)施例所例示的柔性發(fā)光裝置巻在直徑5mm至30mm的圓柱纏上的狀態(tài)驅(qū) 動(dòng)。該發(fā)光裝置以彎曲為圓筒狀的狀態(tài)點(diǎn)亮，并進(jìn)行正常的工作。此外，當(dāng)將其從圓柱卸下 而進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，其在平面狀態(tài)下進(jìn)行正常的工作。即使反復(fù)多次變?yōu)閺澢鸂顟B(tài)和卸下的狀 態(tài)，也能正常地發(fā)光。圖IO示出發(fā)光狀態(tài)的照片。 本實(shí)施例所例示的發(fā)光裝置具有使用耐熱性高的制造襯底制造的被剝離層。其結(jié) 果，可以對被剝離層使用高溫工藝，所以容易形成抗?jié)裥愿叩谋Ｗo(hù)膜，并且可以確實(shí)并廉價(jià) 地保護(hù)發(fā)光元件。此外，所例示的發(fā)光裝置具有柔性，因此可以在彎曲的狀態(tài)或平面狀態(tài)下 發(fā)光。 此外，所例示的發(fā)光裝置由薄膜和薄的金屬板構(gòu)成。由于其厚度薄，因此可以配置 于窄的地方或沿著曲面進(jìn)行變形而配置。另外，因?yàn)橹亓枯p，所以可以適用于對重量有嚴(yán)格 要求的裝置如便攜式設(shè)備及飛機(jī)等。
權(quán)利要求
一種柔性發(fā)光裝置，包括具有柔性及對于可見光的透光性的第一襯底；設(shè)置在所述第一襯底上的第一粘合劑層；設(shè)置在所述第一粘合劑層上的包含氮及硅的絕緣膜；發(fā)光元件，包括設(shè)置在所述絕緣膜上的第一電極；與所述第一電極相對的第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的EL層；設(shè)置在所述第二電極上的第二粘合劑層；以及設(shè)置在所述第二粘合劑層上的第二襯底，其中，所述第二襯底是金屬襯底，并且，所述第二襯底的厚度為10μm以上且200μm以下。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第二電極和所述第二粘合 劑層之間的膜密封層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第二襯底包括選自由不銹鋼、鋁、 銅、鎳及鋁合金構(gòu)成的組中的至少一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第一粘合劑層包括選自由環(huán)氧樹 脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂及酚醛樹脂構(gòu)成的組中的至少一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第二粘合劑層包括選自由環(huán)氧樹 脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂及酚醛樹脂構(gòu)成的組中的至少一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第二襯底上的樹脂層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述樹脂層包括選自由環(huán)氧樹脂、丙烯 酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚 醚酮、氟樹脂及聚萘二甲酸乙二醇酯構(gòu)成的組中的至少一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述樹脂層包括纖維體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第一襯底、所述第一粘合劑層及所 述第二粘合劑層中的至少一個(gè)包括纖維體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底和所述第一粘 合劑層之間的具有低透水性的膜。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述具有低透水性的膜是包含硅和氮的膜或包含鋁和氮的膜。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底的與所述第二 襯底相對的表面相反的表面上的涂敷膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述涂敷膜具有對于可見光的透光性 和高硬度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述涂敷膜是具有對于可見光的透光 性的導(dǎo)電膜。
15. —種將根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性發(fā)光裝置用于顯示部的電子設(shè)備。
16. —種柔性發(fā)光裝置，包括具有柔性及對于可見光的透光性的第一襯底； 設(shè)置在所述第一襯底上的第一粘合劑層； 設(shè)置在所述第一粘合劑層上的包含氮及硅的絕緣膜； 設(shè)置在所述絕緣膜上的包括薄膜晶體管的薄膜晶體管形成層； 發(fā)光元件，包括與所述薄膜晶體管電連接的第一電極； 與所述第一電極相對的第二電極；以及 設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的EL層； 設(shè)置在所述第二電極上的第二粘合劑層；以及 設(shè)置在所述第二粘合劑層上的第二襯底， 其中，所述第二襯底是金屬襯底，并且，所述第二襯底的厚度為10 m以上且200 m以下。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中形成在所述薄膜晶體管形成層中的薄 膜晶體管的活性層包括結(jié)晶硅。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中像素部包括多個(gè)所述發(fā)光元件，并且 驅(qū)動(dòng)電路部設(shè)置在所述像素部的外側(cè)，并且所述驅(qū)動(dòng)電路部包括形成在所述薄膜晶體管形 成層中的薄膜晶體管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第二電極和所述第二粘 合劑層之間的膜密封層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第二襯底包括選自由不銹鋼、鋁、 銅、鎳及鋁合金構(gòu)成的組中的至少一種。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第一粘合劑層包括選自由環(huán)氧樹 脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂及酚醛樹脂構(gòu)成的組中的至少一種。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第二粘合劑層包括選自由環(huán)氧樹 脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂及酚醛樹脂構(gòu)成的組中的至少一種。
23. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第二襯底上的樹脂層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述樹脂層包括選自由環(huán)氧樹脂、丙 烯酸樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、 聚醚酮、氟樹脂及聚萘二甲酸乙二醇酯構(gòu)成的組中的至少一種。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述樹脂層包括纖維體。
26. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述第一襯底、所述第一粘合劑層及 所述第二粘合劑層中的至少一個(gè)包括纖維體。
27. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底和所述第一粘 合劑層之間的具有低透水性的膜。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述具有低透水性的膜是包含硅和氮 的膜或包含鋁和氮的膜。
29. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置，還包括設(shè)置在所述第一襯底的與所述第二 襯底相對的表面相反的表面上的涂敷膜。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述涂敷膜具有對于可見光的透光性和高硬度。
31. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的柔性發(fā)光裝置，其中所述涂敷膜是具有對于可見光的透光 性的導(dǎo)電膜。
32. —種將根據(jù)權(quán)利要求16所述的柔性發(fā)光裝置用于顯示部的電子設(shè)備。
33. —種柔性發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟 在第一襯底上形成剝離層； 在所述剝離層上形成包含氮及硅的絕緣膜； 在所述絕緣膜上形成第一電極；在所述第一電極上形成隔壁以覆蓋所述第一電極的端部； 將第二襯底粘合到所述第一電極及所述隔壁；使用所述剝離層來將所述絕緣膜、所述第一電極、所述隔壁及所述第二襯底從所述第 一襯底分離；使用第一粘合劑層來將第三襯底粘合到通過所述分離而露出的所述絕緣膜的表面，其 中所述第三襯底具有柔性和對于可見光的透光性；去除所述第二襯底以使所述第一電極的表面露出； 形成包含有機(jī)化合物的EL層以覆蓋所述第一電極； 形成第二電極以覆蓋所述EL層；以及使用第二粘合劑層來將厚度為lOym以上且200ym以下的第四襯底粘合到所述第二 電極的表面，其中所述第四襯底是金屬襯底。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，還包括如下步驟在粘合所述 第三襯底之后，在所述第三襯底上形成樹脂層。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，還包括如下步驟在所述第二 電極上形成膜密封層。
36. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，其中通過等離子體CVD法在 250°C以上且400°C以下的溫度下形成所述絕緣膜。
37. —種柔性發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟 在第一襯底上形成剝離層； 在所述剝離層上形成包含氮及硅的絕緣膜；在所述絕緣膜上形成包括多個(gè)薄膜晶體管的薄膜晶體管形成層；在所述薄膜晶體管形成層上形成與所述多個(gè)薄膜晶體管中的一個(gè)電連接的第一電極；形成隔壁以覆蓋所述第一電極的端部； 將第二襯底粘合到所述第一電極及所述隔壁；使用所述剝離層來將所述絕緣膜、所述薄膜晶體管形成層、所述第一電極、所述隔壁及 所述第二襯底從所述第一襯底分離；使用第一粘合劑層來將第三襯底粘合到通過所述分離而露出的所述絕緣膜的表面，其 中所述第三襯底具有柔性及對于可見光的透光性；去除所述第二襯底以使所述第一電極的表面露出；形成包含有機(jī)化合物的EL層以覆蓋所述第一電極；形成第二電極以覆蓋所述EL層；以及使用第二粘合劑層來將厚度為10 m以上且200 m以下的第四襯底粘合到所述第二 電極的表面，其中所述第四襯底是金屬襯底。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，還包括如下步驟在粘合所述 第三襯底之后，在所述第三襯底上形成樹脂層。
39. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，還包括如下步驟在所述第二 電極上形成膜密封層。
40. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的柔性發(fā)光裝置的制造方法，其中通過等離子體CVD法在 250°C以上且400°C以下的溫度下形成所述絕緣膜。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于簡便地提供壽命長的柔性發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明的目的還在于提供使用了該柔性發(fā)光裝置的壽命長且廉價(jià)的電子設(shè)備。提供柔性發(fā)光裝置及使用了該柔性發(fā)光裝置的電子設(shè)備，該柔性發(fā)光裝置包括具有柔性及對于可見光的透光性的襯底；設(shè)置在襯底上的第一粘合劑層；位于第一粘合劑層上的包含氮及硅的絕緣膜；具備第一電極、與第一電極相對的第二電極及設(shè)置在第一電極和第二電極之間的EL層的發(fā)光元件；形成在第二電極上的第二粘合劑層；以及設(shè)置在第二粘合劑層上的金屬襯底，其中金屬襯底的厚度為10μm以上且200μm以下。
文檔編號H01L51/50GK101728420SQ20091020518
公開日2010年6月9日 申請日期2009年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月16日
發(fā)明者岡野達(dá)也, 永田貴章, 波多野薰, 瀨尾哲史 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所