專(zhuān)利名稱(chēng)：應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種繞線(routing)軌跡的分析方法及其裝置，尤其是關(guān)于單層繞 線軌跡的分析方法及其裝置。
背景技術(shù)：
隨著制程的發(fā)展，現(xiàn)今的集成電路相較于以往具有更高的復(fù)雜度及更小的體積， 而此種特性也增加芯片輸出/入連接的困難度。據(jù)此，一種具有較高集成密度及較多輸出 /入接腳數(shù)的倒裝芯片封裝技術(shù)即孕育而生。倒裝芯片封裝是一種可將半導(dǎo)體器件連接至 外部電路的技術(shù)，其中所述的外部電路可包含封裝裝載器(package carrier)或是印刷電 路板(printed circuit board)等。相較于其它封裝技術(shù)，倒裝芯片封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)包含 具有更多可用于輸出入連接的面積、可以較少的干擾達(dá)到較高的傳輸速率，以及可防止外 在環(huán)境因素干擾信號(hào)。倒裝芯片封裝技術(shù)是使用沉積于芯片襯墊上的焊球(solder bump)以和外部電路 連接，其中所述的焊球是于最終的晶圓制作階段沉積于晶圓頂層的焊球襯墊(bump pad)。 為安裝所述的芯片于一外部電路，所述的芯片是反置以使其頂層向下，以使其焊球襯墊對(duì) 齊所述的外部電路的襯墊。圖1顯示一倒裝芯片封裝的示意圖。如圖1所示，一芯片100 是反置以安裝于一封裝裝載器200，其中所述的芯片100的頂層具有若干個(gè)焊球襯墊102， 其是藉由若干個(gè)焊球104連接于所述的封裝裝載器200上。所述的芯片100亦具有若干個(gè) 導(dǎo)線結(jié)合襯墊(wire bonding pad)或稱(chēng)驅(qū)動(dòng)襯墊(driver pad) 106。圖2顯示所述的芯片 100的截面圖。如圖2所示，為降低電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度及達(dá)到減少更改設(shè)計(jì)的目的，所述的 芯片100具有一稱(chēng)為重新分布層(re-distribution layer)的額外的金屬層于所述的芯片 100的頂層金屬層上，以連接所述的驅(qū)動(dòng)襯墊106至所述的焊球襯墊102。據(jù)此，所述的芯片100是于其重新分布層上進(jìn)行繞線以連接所述的焊球襯墊102 及所述的驅(qū)動(dòng)襯墊106。然而，由于所述的重新分布層是在晶圓制作階段形成，其繞線方式 具有角度的限制，且必須滿(mǎn)足制程的設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)。換言之，所述的芯片100必 須在重重限制下以單層繞線的方式在所述的重新分布層內(nèi)繞線，而此種限制大幅增加繞線 的困難度?，F(xiàn)存繞線軌跡的分析方法多半針對(duì)芯片內(nèi)的繞線，亦即在可由多層金屬層進(jìn)行繞 線的環(huán)境下進(jìn)行繞線分析，其需符合的繞線規(guī)則相對(duì)而言較為寬松。由于在此種環(huán)境下，繞 線可在多層金屬層間進(jìn)行，故其中一層金屬層可僅容納單一維度的繞線。據(jù)此，所述的繞線 軌跡的分析方法是根據(jù)單一維度的繞線數(shù)量進(jìn)行分析。換言之，所述的繞線軌跡的分析方 法是定義在單一維度下可容納固定的繞線數(shù)量，若超過(guò)所述的固定的繞線數(shù)量，則所述的 芯片的繞線不符合其繞線規(guī)則。然而，由于倒裝芯片封裝是于重新分布層上完成單層繞線，其必須包含兩個(gè)維度 的繞線軌跡。又，重新分布層上的所述的繞線軌跡不允許彼此繞線交錯(cuò)。因此，現(xiàn)存針對(duì)芯 片內(nèi)的繞線軌跡的分析方法無(wú)法適用于單層的繞線軌跡。
目前存在一種整數(shù)線性編程(integer linear programming)算法用以計(jì)算應(yīng)用 倒裝芯片封裝技術(shù)時(shí)的繞線軌跡。整數(shù)線性編程算法包含兩個(gè)階段第一階段是全盤(pán)式的 決定一倒裝芯片內(nèi)的各驅(qū)動(dòng)襯墊及對(duì)應(yīng)的焊球襯墊間連接的繞線軌跡，第二階段再輔以細(xì) 節(jié)式的完成所述的繞線軌跡。然而，整數(shù)線性編程算法的其中一缺點(diǎn)即是其需耗費(fèi)大量時(shí) 間運(yùn)算。對(duì)于講求效率及研發(fā)成本的業(yè)界而言，整數(shù)線性編程算法并不符合使用上的需求。 其次，整數(shù)線性編程算法雖然是針對(duì)單層的繞線軌跡進(jìn)行分析，然其僅限制在一二維面積 下可通過(guò)的繞線數(shù)量，而未對(duì)各種不同的繞線軌跡進(jìn)行考慮。因此，為避免違反繞線規(guī)則， 整數(shù)線 性編程算法的限制條件往往過(guò)于嚴(yán)格而無(wú)法真實(shí)反映欲分析的單層繞線可容許的 繞線軌跡，故使得所述的單層繞線無(wú)法達(dá)到最佳化的繞線軌跡。據(jù)此，業(yè)界所需要的是一種應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置， 其可根據(jù)各繞線的繞線軌跡分析其是否符合繞線規(guī)則，故可比現(xiàn)有的分析方法更接近最佳 化的繞線軌跡。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法與裝置通過(guò)劃分所述單層繞線 軌跡所在的平面成若干個(gè)虛擬四邊形，并根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特 性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。本發(fā)明提供一種應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法，其中所述的繞線軌跡是連接若 干個(gè)連接單元，所述的繞線方法包含下列步驟定義以四個(gè)連接單元為頂點(diǎn)的一虛擬四邊 形，其中所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含所述的四個(gè)連接單元以外的連接單元；以及根據(jù)所述 的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則，其中 所述的平面特性包含其繞線軌跡是由所述的虛擬四邊形的何邊進(jìn)出。本發(fā)明提供一種用以分析單層的繞線軌跡的裝置，其中所述的繞線軌跡是連接若 干個(gè)連接單元，所述的裝置包含一分類(lèi)單元、一計(jì)算單元和一判斷單元。所述的分類(lèi)單元是 根據(jù)一虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡進(jìn)行分類(lèi)，其中所述的虛擬四邊形是以四個(gè)連接單元為頂 點(diǎn)，且所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含連接單元。所述的計(jì)算單元是根據(jù)所述的分類(lèi)單元所提 供的分類(lèi)結(jié)果計(jì)算所述的繞線軌跡間的距離對(duì)應(yīng)關(guān)系。所述的判斷單元是根據(jù)所述的計(jì)算 單元所提供的計(jì)算結(jié)果判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法與裝置通過(guò)劃分所述單層繞線 軌跡所在的平面成若干個(gè)虛擬四邊形，并根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特 性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。據(jù)此，本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡 的分析方法與裝置相較于現(xiàn)有的分析方法能更深入分析一單層的繞線軌跡，故可更接近最 佳化的繞線軌跡。


圖1顯示一倒裝芯片封裝的示意圖；圖2顯示一倒裝芯片封裝芯片的截面圖；圖3顯示一倒裝芯片的若干個(gè)驅(qū)動(dòng)襯墊及焊球襯墊間的繞線軌跡；圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法的流程圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一虛擬四邊形；

圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一虛擬四邊形；圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一虛擬四邊形；圖11顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖12顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖13顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距；圖14顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種繞線軌跡；及圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用以分析單層的繞線軌跡的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置，是將所述的 單層繞線軌跡所在的平面劃分成若干個(gè)虛擬四邊形，其中每一虛擬四邊形皆為最小單位的 四邊形，亦即所述的虛擬四邊形不包含連接單元。其次，根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線 軌跡的平面特性，判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。據(jù)此，本發(fā)明所提供的應(yīng)用于 單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置相較于現(xiàn)有的分析方法能更深入分析一單層 的繞線軌跡，故可更接近最佳化的繞線軌跡。圖3顯示一倒裝芯片的若干個(gè)驅(qū)動(dòng)襯墊及焊球襯墊間的繞線軌跡，其中所述的驅(qū) 動(dòng)襯墊是以方塊表示，而所述的焊球襯墊是以八角形表示。本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞 線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置是用以分析類(lèi)似圖3所示的繞線軌跡是否符合一繞 線規(guī)則。較佳的，本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置若判 斷某一條繞線軌跡不符合所述的繞線規(guī)則，即調(diào)整所述的不符合所述的繞線規(guī)則的繞線軌 跡以使其得以符合所述的繞線規(guī)則。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法的流程圖，其 中所述的單層繞線軌跡是連接若干個(gè)連接單元。若應(yīng)用于倒裝芯片封裝的繞線方式，則所 述的連接單元即為倒裝芯片的襯墊。在步驟Si，劃分所述的單層繞線軌跡所在的平面成若 干個(gè)虛擬四邊形，并進(jìn)入步驟S2，其中各虛擬四邊形皆以四個(gè)連接單元為其頂點(diǎn)，且所述的 虛擬四邊形內(nèi)不包含連接單元。在步驟S2，選定一虛擬四邊形，根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的 各繞線軌跡的平面特性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則，并進(jìn)入步驟S3，其中所 述的平面特性包含其繞線軌跡是由所述的虛擬四邊形的何邊進(jìn)出。在步驟S3，若有不符合 所述的繞線規(guī)則的繞線軌跡，則調(diào)整所述的虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡以使其符合所述的繞 線規(guī)則，并進(jìn)入步驟S4。在步驟S4，決定是否已分析完所有所述的虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌 跡。若是，則結(jié)束本方法流程，否則回到步驟S2。再次參照?qǐng)D3的繞線軌跡，若應(yīng)用圖4所示的方法，在步驟Si，可將所述的焊球襯 墊所構(gòu)成的平面劃分為16個(gè)虛擬四邊形，其中每個(gè)虛擬四邊形的頂點(diǎn)皆為一焊球襯墊，且 所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含焊球襯墊。圖5顯示根據(jù)步驟Sl所劃分的一虛擬四邊形。如圖5所示，所述的虛擬四邊形內(nèi)并無(wú)任何連接單元，故其為一單層繞線軌跡所構(gòu)成的平面的最小單位的四邊形。在本發(fā)明 的一實(shí)施例中，是將所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡依據(jù)其平面特性將所述的繞線軌跡 分類(lèi)成六種類(lèi)型。所述的分類(lèi)方式如下所示。

若將圖5所示的所述的虛擬四邊形的上邊定義成第一邊，所述的虛擬四邊形的 右邊定義成第二邊，所述的虛擬四邊形的左邊定義成第三邊，以及所述的虛擬四邊形的下 邊定義成第四邊，則第一類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的一第一邊及一第二邊進(jìn) 出，第二類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第一邊及一第三邊進(jìn)出，第三類(lèi) 型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第三邊及一第四邊進(jìn)出，第四類(lèi)型的繞線軌 跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第二邊及所述的第四邊進(jìn)出，第五類(lèi)型的繞線軌跡是于 所述的虛擬四邊形的所述的第三邊及所述的第二邊進(jìn)出，以及第六類(lèi)型的繞線軌跡是于所 述的虛擬四邊形的所述的第一邊及所述的第四邊進(jìn)出。根據(jù)繞線軌跡的轉(zhuǎn)折方式，可再進(jìn)一步區(qū)分所述的繞線軌跡具有135度的轉(zhuǎn)折或 是90度的轉(zhuǎn)折。圖6顯示一具有90度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形。步驟S2是根據(jù)一虛 擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。在本發(fā)明 的一實(shí)施例中，在步驟S2，即針對(duì)所述的虛擬四邊形內(nèi)最內(nèi)層的繞線軌跡計(jì)算其轉(zhuǎn)折處的 相應(yīng)位置，亦即計(jì)算如圖6所示的轉(zhuǎn)折處Pl至P4的相應(yīng)坐標(biāo)。所述的轉(zhuǎn)折處的相應(yīng)坐標(biāo) 可用于后續(xù)繞線規(guī)則的判斷。較佳的，所述的繞線規(guī)則可進(jìn)一步包含判斷所述的第五類(lèi)型的繞線軌跡及所述的 第六類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否同時(shí)存在。上述繞線規(guī)則是用以確保所述的虛擬四邊形內(nèi) 不會(huì)同時(shí)容納第五類(lèi)型及第六類(lèi)型的繞線軌跡，以避免繞線交錯(cuò)的現(xiàn)象發(fā)生。較佳的，所述的繞線規(guī)則可進(jìn)一步包含判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的 第二類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡及所 述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡 及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，以及判斷所述的第一類(lèi)型的 繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。圖7顯示上述繞線 規(guī)則所需計(jì)算的間距。如圖7所示，所述的繞線規(guī)則是用以確保所述的虛擬四邊形內(nèi)可容 納相鄰而屬于不同類(lèi)型的繞線軌跡。較佳的，所述的繞線規(guī)則可進(jìn)一步包含判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的 第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，以及判斷所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡 及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。圖8顯示上述繞線規(guī)則所需 計(jì)算的間距。如圖8所示，所述的繞線規(guī)則是用以確保所述的虛擬四邊形內(nèi)可容納對(duì)角而 屬于不同類(lèi)型的繞線軌跡。較佳的，所述的繞線規(guī)則可進(jìn)一步包含判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的 第三類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)，以及 判斷所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的 第五類(lèi)型或第六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)。圖9顯示上述繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距。如圖9所 示，所述的繞線規(guī)則是用以確保所述的第一至第四類(lèi)型的繞線軌跡不會(huì)使所述的第五及第 六類(lèi)型的繞線軌跡難以達(dá)成。圖10顯示一具有135度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形。在步驟S2，即針對(duì)所述的虛擬四邊形內(nèi)最內(nèi)層的繞線軌跡計(jì)算其轉(zhuǎn)折處的相應(yīng)位置，亦即計(jì)算如圖10所示的轉(zhuǎn)折處 Pl至P8的相應(yīng)坐標(biāo)。所述的轉(zhuǎn)折處的相應(yīng)坐標(biāo)可用于后續(xù)繞線規(guī)則的判斷。
類(lèi)似于針對(duì)圖6所示的具有90度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形，針對(duì)圖10具有135 度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形的繞線規(guī)則可包含判斷所述的第五類(lèi)型的繞線軌跡及所述 的第六類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否同時(shí)存在，判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第 二類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡及所述 的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡及 所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌 跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，判斷所述的第一類(lèi)型的繞 線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，以及判斷所述的第二 類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值，圖11及圖 12顯示上述繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距。類(lèi)似的，所述的繞線規(guī)則亦可進(jìn)一步包含判斷所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡及所述 的第三類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)，以 及判斷所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述 的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)。圖13顯示上述繞線規(guī)則所需計(jì)算的間距。然而， 不同于針對(duì)具有90度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形的繞線規(guī)則，即使所述的第五類(lèi)型或第 六類(lèi)型的水平或垂直間距難以容納所述的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)，其仍可以 轉(zhuǎn)折方式通過(guò)，如圖14所示，故可另針對(duì)此種繞線方式進(jìn)行判斷。在圖4的步驟S3，若有不符合所述的繞線規(guī)則的繞線軌跡，即調(diào)整所述的虛擬四 邊形內(nèi)的繞線軌跡以使其符合所述的繞線規(guī)則。圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用以分析單層的繞線軌跡的裝置的示意圖。 如圖15所示，所述的裝置1500包含一分類(lèi)單元1510、一計(jì)算單元1520、一判斷單元1530 及一調(diào)整單元1540。所述的分類(lèi)單元1510是根據(jù)一虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡進(jìn)行分類(lèi)，其 中所述的虛擬四邊形是以四個(gè)連接單元為頂點(diǎn)，且所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含連接單元。 所述的計(jì)算單元1520是根據(jù)所述的分類(lèi)單元1510所提供的分類(lèi)結(jié)果計(jì)算所述的繞線軌跡 間的距離對(duì)應(yīng)關(guān)系。所述的判斷單元1530是根據(jù)所述的計(jì)算單元1520所提供的計(jì)算結(jié)果 判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。所述的調(diào)整單元1540是根據(jù)所述的判斷單元 1530所提供的判斷結(jié)果調(diào)整不符合所述的繞線規(guī)則的繞線軌跡。對(duì)應(yīng)上述的繞線規(guī)則，所述的分類(lèi)單元1510是根據(jù)一虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡 進(jìn)行分類(lèi)，并輸出第一至第六類(lèi)型的繞線軌跡的數(shù)量。所述的計(jì)算單元1520是根據(jù)所述的 繞線軌跡的數(shù)量計(jì)算所述的繞線軌跡的轉(zhuǎn)折處的相應(yīng)坐標(biāo)。所述的判斷單元1530則根據(jù) 所述的相應(yīng)坐標(biāo)及所述的繞線軌跡的數(shù)量判斷所述的虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡是否符合 所述的繞線規(guī)則。所述的調(diào)整單元1540則相應(yīng)的調(diào)整所述的繞線軌跡。在分析具有135度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形時(shí)，所述的計(jì)算單元1520及所述的 判斷單元1530可根據(jù)下列的偽碼進(jìn)行計(jì)算輸入:p, u, w, s, (vl, v2, v3, v4, v5, v6)輸出“符合”或“不符合”if V5V6 > 0
return 不符合；θ = Ji /8 ；
(x1 Y1) = (p-utan θ - (w+s) V1 tan θ , p-u- (w+s) V1)；(x2, y2) = (p-u- (w +s) V1, p-utan θ - (w+s) Vjan θ )；(x3, y3) = (u+(w+s) v2，p-utan θ - (w+s) v2tan θ )；(x4, y4) = (utan θ + (w+s) V2 tan θ , p-u- (w+s) v2)；(x5, y5) = (utan θ + (w+s) V3 tan θ，u+ (w+s) v3)；(x6, y6) = (u+(w +s) v3, utan θ + (w+s) v3tan θ )；(x7, y7) = (p-u- (w+s) V4, utan θ + (w+s) v4tan θ )；(x8, y8) = (p-utan θ - (w+s) v4tan θ，u+ (w+s) v4)；t5 = wv5+s (v5+l)；t6 = wv6+s (v6+l)；if yry8 < t5 或 y4-y5 < t5 或 x2_x3 < t6 或 x7_x6 < t6return 不符合；if X1 +x2 -X5-X6 < V^s或少3 +y4 -y7 -ys < -J2sreturn 不符合；if v5 > 0 y4 ^ Y1 y4-y8return 不符合；if v5 > 0 Y1 ^ y4 Yry5 < t5 Kxl +x2-x5-x6 < -Jltireturn 不符合；if v6 > 0 x7 ^ X2 χ7-χ3 < t6 JeL^3 + -^7 ->"8 < V2r6return 不符合；if v6 > 0 X2 ^ x7 χ2-χ6 < t6 Kyl + ^2 -^5 -^6 < V^6return 不符合；return 符合；其中，ρ為連接單元間的距離，u為連接單元寬的一半，w為繞線的寬度，s為繞線 間所需最小間距，而Vl至v6分別為第一至第六類(lèi)型的繞線軌跡的數(shù)量。在分析具有90度轉(zhuǎn)折繞線軌跡的虛擬四邊形時(shí)，所述的計(jì)算單元1520及所述的 判斷單元1530可根據(jù)下列的偽碼進(jìn)行計(jì)算輸入:p, u, w, s, (vl, v2, v3, v4, v5, v6)輸出“符合”或“不符合”if V5V6 > 0return 不符合；(x1 Y1) = (p-u- (w+s) V1, p-u- (w+s) V1)；(x2, y2) = (u+(w+s) v2，p-u_ (w+s) v2)；(x3, y3) = (u+(w+s) v3, u+(w+s) v3)；(x4, y4) = (p-u+(w+s) v4，u+(w+s) v4)；t5 = wv5+s (v5+l)；
t6 = wv6+s (v6+l)；if yry4 < t5 或 y2_y3 < t5 或 x「x2 < t6 或 x4_x3 < t6return 不符合；
土|7^>1_；(；3)<^或7^(72-少4)<>9return 不符合；if V5 > 0 且 y2 彡 yi 且 y2_y4 < t5return 不符合；if V5 > 0 且 yi 彡 y2 且 y「y3 < t5return 不符合；if V6 > 0 且 X4 彡 X1 且 X4-X2 < t6return 不符合；if V6 > 0 且 X1 彡 X4 且 x「x3 < t6return 不符合；return 符合；其中，ρ為連接單元間的距離，u為連接單元寬的一半，w為繞線的寬度，s為繞線 間所需最小間距，而Vl至v6分別為第一至第六類(lèi)型的繞線軌跡的數(shù)量。綜上所述，本發(fā)明所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置， 是將所述的單層繞線軌跡所在的平面劃分成若干個(gè)虛擬四邊形，其中每一虛擬四邊形皆為 最小單位的四邊形，亦即所述的虛擬四邊形不包含連接單元。其次，根據(jù)所述的虛擬四邊形 內(nèi)的各繞線軌跡的平面特性，判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則。據(jù)此，本發(fā)明所提 供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置相較于現(xiàn)有的分析方法能更深入 分析一單層的繞線軌跡，故可更接近最佳化的繞線軌跡。熟悉本技術(shù)的人士可得知，本發(fā)明 所提供的應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及用以實(shí)現(xiàn)的裝置不限于應(yīng)用于倒裝芯片封裝 的繞線軌跡分析，而應(yīng)及于任何單層繞線軌跡的分析，例如印刷電路板的繞線軌跡的分析。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基 于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范 圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為本專(zhuān)利 申請(qǐng)權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法，所述的繞線軌跡是連接若干個(gè)連接單元，其 特征在于所述的分析方法包含下列步驟定義以四個(gè)連接單元為頂點(diǎn)的一虛擬四邊形，其中所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含所述的 四個(gè)連接單元以外的連接單元；及根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特性判斷所述的繞線軌跡是否符合一 繞線規(guī)則，其中所述的平面特性包含其繞線軌跡是由所述的虛擬四邊形的哪一邊進(jìn)出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，其進(jìn)一步包含下列步驟根據(jù)判斷結(jié)果調(diào)整不符合所述的繞線規(guī)則的繞線軌跡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，其中所述的虛擬四邊形為矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線軌跡根據(jù)其平面特 性可定義為一第一類(lèi)型、一第二類(lèi)型、一第三類(lèi)型、一第四類(lèi)型、一第五類(lèi)型及一第六類(lèi)型， 其中所述的第一類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的一第一邊及一第二邊進(jìn)出，所述 的第二類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第一邊及一第三邊進(jìn)出，所述的第 三類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第三邊及一第四邊進(jìn)出，所述的第四類(lèi) 型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第二邊及所述的第四邊進(jìn)出，所述的第五類(lèi) 型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第三邊及所述的第二邊進(jìn)出，而所述的第六 類(lèi)型的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第一邊及所述的第四邊進(jìn)出，其中所述的 第一邊為所述的第四邊的對(duì)邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 二類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 三類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 二類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 一類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第 六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 二類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第 六類(lèi)型的繞線軌跡通過(guò)。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第 五類(lèi)型的繞線軌跡及所述的第六類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否同時(shí)存在。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線軌跡的轉(zhuǎn)折夾角為c135 度。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，其中所述的繞線軌跡的轉(zhuǎn)折夾角為 90度。
16.一種用以分析單層的繞線軌跡的裝置，所述的繞線軌跡是連接若干個(gè)連接單元，所 述的裝置包含一分類(lèi)單元，根據(jù)一虛擬四邊形內(nèi)的繞線軌跡進(jìn)行分類(lèi)，其中所述的虛擬四邊形是以 四個(gè)連接單元為頂點(diǎn)，且所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含連接單元；一計(jì)算單元，根據(jù)所述的分類(lèi)單元所提供的分類(lèi)結(jié)果計(jì)算所述的繞線軌跡間的距離對(duì) 應(yīng)關(guān)系；及一判斷單元，根據(jù)所述的計(jì)算單元所提供的計(jì)算結(jié)果判斷所述的繞線軌跡是否符合一 繞線規(guī)則。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其特征在于，其進(jìn)一步包含一調(diào)整單元，根據(jù)所述的判斷單元所提供的判斷結(jié)果調(diào)整不符合所述的繞線規(guī)則的繞 線軌跡。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其特征在于，其中所述的虛擬四邊形為矩形。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其特征在于，其中所述的繞線軌跡的類(lèi)型包含一第一類(lèi) 型、一第二類(lèi)型、一第三類(lèi)型、一第四類(lèi)型、一第五類(lèi)型及一第六類(lèi)型，其中所述的第一類(lèi)型 的繞線軌跡是于所述的虛擬四邊形的一第一邊及一第二邊進(jìn)出，所述的第二類(lèi)型的繞線軌 跡是于所述的虛擬四邊形的所述的第一邊及一第三邊進(jìn)出，所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡是 于所述的虛擬四邊形的所述的第三邊及一第四邊進(jìn)出，所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡是于所 述的虛擬四邊形的所述的第二邊及所述的第四邊進(jìn)出，所述的第五類(lèi)型的繞線軌跡是于所 述的虛擬四邊形的所述的第三邊及所述的第二邊進(jìn)出，而所述的第六類(lèi)型的繞線軌跡是于 所述的虛擬四邊形的所述的第一邊及所述的第四邊進(jìn)出，其中所述的第一邊為所述的第四 邊的對(duì)邊。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第一類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第二類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第二類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第三類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
23.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第一類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第一類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
25.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第二類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的最短間距是否大于一固定值。
26.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第一類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第三類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型 的繞線軌跡通過(guò)。
27.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第二類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第四類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否可容許所述的第五類(lèi)型或第六類(lèi)型 的繞線軌跡通過(guò)。
28.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，其特征在于，其中所述的繞線規(guī)則包含所述的第五類(lèi)型 的繞線軌跡及所述的第六類(lèi)型的繞線軌跡的間距是否同時(shí)存在。
29.根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其特征在于，其中所述的繞線軌跡的轉(zhuǎn)折夾角為135度。
30.根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其特征在于，其中所述的繞線軌跡的轉(zhuǎn)折夾角為90度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于單層繞線軌跡的分析方法及其裝置，其中所述的繞線軌跡是連接若干個(gè)連接單元，所述的繞線方法包含下列步驟定義以四個(gè)連接單元為頂點(diǎn)的一虛擬四邊形，其中所述的虛擬四邊形內(nèi)不包含所述的四個(gè)連接單元以外的連接單元；以及根據(jù)所述的虛擬四邊形內(nèi)的各繞線軌跡的平面特性判斷所述的繞線軌跡是否符合一繞線規(guī)則，其中所述的平面特性包含其繞線軌跡是由所述的虛擬四邊形的哪一邊進(jìn)出。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102054660SQ20091020962
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者張宸峰, 張耀文, 李柏緯, 林依潔, 林忠緯, 沈勤芳, 許天彰, 邱顯仕 申請(qǐng)人:新思科技有限公司