專利名稱：無芯基板、其制造方法以及包含其的微電子器件封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭示的實(shí)施例通常涉及微電子器件的封裝件，更特別的涉及用于該種封裝
件的無芯基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
微電子器件性能常常依賴于電容器的使用，或者通過電容器的使用來提高。涉及 微電子器件的這些電容器的位置也可以成為影響性能的重要參數(shù)。因此，例如，很多微電子 封裝件具有"岸面(land)側(cè)"和/或"芯片(die)側(cè)"電容器分別位于封裝件的岸面?zhèn)?有 時(shí)稱為底側(cè))或者芯片側(cè)(有時(shí)稱為上側(cè))的電容器。除了電容器之外，也需要在封裝件 上設(shè)置測試焊盤用來測試電性能和/或該部分的功能或者具有調(diào)試該部分的能力的功能。
然而，現(xiàn)有的微電子封裝件的特點(diǎn)是大的上側(cè)外部保護(hù)區(qū)(ke印out zone)，也就 是封裝區(qū)域，由于工藝或者設(shè)計(jì)要求，該封裝區(qū)域不能容納電容器、測試焊盤，或者任何其 它部件。通常該外部保護(hù)區(qū)被覆模(overmold)或者用于增強(qiáng)封裝件的強(qiáng)固材料所占據(jù)。 尤其是對于具有無芯基板的封裝件來說是這樣，它們由于缺少基板芯可以提供的穩(wěn)定性而 必須通過其它手段來增強(qiáng)，從而避免翹曲或者其它可能的變形，而該變形會(huì)使得阻礙封裝 件回流至母板。在這些以及相似的情形中上側(cè)測試焊盤和芯片側(cè)電容器只有當(dāng)封裝件形狀 系數(shù)(formfactor)增大至碰巧為它們提供額外空間時(shí)才能夠使用，例如，當(dāng)測試焊盤被置 于底側(cè)焊球或者岸面時(shí)。這樣較大的封裝件形狀系數(shù)本身是不理想的結(jié)果，同時(shí)還關(guān)注的 事實(shí)是一旦封裝件回流至母板或者以別的方式永久貼裝至下一級部件時(shí)，底側(cè)測試焊盤將 成為無法接觸的。而且，隨著器件和封裝件的縮小，減小了封裝件支起高度(standoff)，甚 至位于底側(cè)封裝件空腔內(nèi)的電容器也會(huì)受到影響，使得必須使用薄型部件，如超薄型(XLP) 電容器和高級岸面?zhèn)入娙萜?ALSC)。這些缺點(diǎn)中之一是降低了電容值并且非常昂貴。


結(jié)合如下的附圖，通過對下述具體實(shí)施方式
的閱讀將更好的理解所公開的實(shí)施 例 圖1是依照本發(fā)明實(shí)施例的無芯基板的橫截面圖； 圖2是依照本發(fā)明實(shí)施例的用于微電子器件的封裝件的底部平面視圖；
圖3是依照本發(fā)明實(shí)施例的圖2的封裝件的橫截面圖；
圖4是依照本發(fā)明實(shí)施例制造無芯基板的方法的流程圖； 圖5-9是依照本發(fā)明實(shí)施例，在無芯基板制造過程中多個(gè)特定點(diǎn)處所示出的無芯 基板的橫截面圖。 為了簡化以及清楚說明，所繪

了一般的構(gòu)造形式，而眾所周知的特征和 技術(shù)的描述和細(xì)節(jié)可能被省略，以避免與本發(fā)明所述實(shí)施例的討論產(chǎn)生不必要的混淆。另 外，附形中的元件并不一定是按比例繪制的。例如，圖中一些元件的尺寸相對于其它元 件可能是被夸大了的，以幫助提高對本發(fā)明的實(shí)施例的理解。不同附圖中的相同的附圖標(biāo)
4記表示相同的元件，而相似的附圖標(biāo)記不一定表示相似的元件。 在具體描述和權(quán)利要求中術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"、"第四"等等，如果有的話， 用來區(qū)別相似元件，而不一定用來描述一個(gè)特定順序或者按年代順序排列的次序。應(yīng)該理 解這里所使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)那闆r下是可互換的，因此，例如，本文所述本發(fā)明的實(shí)施例可 以按照本文所圖示的或描述的順序以外的順序來操作。類似的，如果本文所述的方法包括 一系列步驟，那么本文所呈現(xiàn)的這些步驟的順序不一定是這些步驟可被執(zhí)行的唯一順序， 并且所列出的步驟中的某些可以被省略和/或本文沒有描述的某些其它步驟可能會(huì)被增 加到該方法中。此外，術(shù)語"包含"、"包括"、"具有"及其任何變化形式，規(guī)定為涵蓋了非排 它性的包含，使得包含一系列元件的過程、方法、物品、或者設(shè)備并不一定限于那些元件，而 是可以包含其它沒有清楚的列出或者在該過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備中所固有的元件。
在具體實(shí)施方式
和權(quán)利要求中的術(shù)語"左"、"右"、"前"、"后"、"上"、"底"、"在...之 上"、"在...之下"等等，如果有的話，是用于描述的目的，而不是一定用于描述固定不變的 相對位置。應(yīng)該理解所使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)那闆r下是可互換的，因此，例如，本文所描述的 本發(fā)明的實(shí)施例可以按照本文所圖示的或描述的那些以外的取向來操作。本文所用的術(shù)語 "耦合"定義為直接或者間接以電的或者非電的方式連接。本文所描述的對象彼此"鄰近"， 根據(jù)短語所使用的上下文而具有適當(dāng)?shù)暮x，可能是彼此物理接觸、彼此靠近，或者彼此在 相同大致部位或區(qū)域中。本文短語"在一個(gè)實(shí)施例中"的出現(xiàn)，不是一定都指代相同的實(shí)施 例。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，無芯基板包括其中形成有被鍍層的通孔的強(qiáng)固材料 (stiffener material)、位于強(qiáng)固材料上方的電絕緣材料，和位于電絕緣材料中的導(dǎo)電材 料。在相同或其它的實(shí)施例中，用于微電子器件的封裝件包括其中形成有多個(gè)被鍍層的 通孔并且進(jìn)一步其中具有凹部的強(qiáng)固材料層、位于強(qiáng)固材料層之上的增加層(build-up layer)，和在增加層之上貼裝的芯片(die)。強(qiáng)固材料層和增加層形成該封裝件的無芯基 板。該無芯基板具有一表面，并且該芯片覆蓋小于該無芯基板該表面的全部以使得該表面 具有至少一個(gè)暴露區(qū)(exposed region)。 為了更好的功率傳輸性能，本發(fā)明的實(shí)施例允許標(biāo)準(zhǔn)岸面?zhèn)入娙萜髟O(shè)置于基板空 腔內(nèi)。另外，本發(fā)明的實(shí)施例由于上側(cè)外部保護(hù)區(qū)的移除而提供較小的無芯封裝件形狀系 數(shù)。該外部保護(hù)區(qū)的移除提供了無覆蓋基板上側(cè)，以在該無覆蓋基板上側(cè)設(shè)置離散的部件 和/或測試焊盤，而否則其會(huì)被覆模(overmold)或者強(qiáng)固材料所覆蓋。這些基板可以具有 足夠的剛性以易于組合或者剝離加工，從而同時(shí)減少裝配成本和封裝件形狀系數(shù)。
現(xiàn)在參照附圖，圖1是依照本發(fā)明實(shí)施例的無芯基板100的橫截面圖。如圖1所 示，無芯基板100包括強(qiáng)固材料110，其中形成有被鍍層的通孔120。被鍍層的通孔120終 止于導(dǎo)電焊盤125，例如銅焊盤或類似物。在所示的實(shí)施例中，強(qiáng)固材料110形成無芯基板 100的強(qiáng)固材料層115，或者是位于無芯基板100的強(qiáng)固材料層115中，并且無芯基板100 進(jìn)一步包括位于強(qiáng)固層115中的凹部118。作為例子，強(qiáng)固材料110可以是模塑化合物或類 似物。在至少一個(gè)實(shí)施例中，選擇強(qiáng)固材料iio使得它能夠易于從增加層脫離或者移除，該 增加層在下文介紹。無芯基板100進(jìn)一步包括強(qiáng)固材料110上方的電絕緣材料130和位于電絕緣材料130中的導(dǎo)電材料140-包括岸面141。電絕緣材料130和導(dǎo)電材料140 —起形 成增加層150。 例如，被鍍層的通孔120可以用銅或者其它合適的導(dǎo)電材料作內(nèi)襯(被鍍層)。導(dǎo) 電材料140也可以是銅或者類似物。無芯基板100進(jìn)一步包括位于電絕緣材料130之上的 電絕緣層160。例如，電絕緣層160可以是焊料掩模(soldermask)層。
圖2是依照本發(fā)明的實(shí)施例的用于微電子器件的封裝件200的底部平面視圖。圖3 是圖2的封裝件200沿3-3線的橫截面視圖。如圖2和圖3所示，封裝件200包括強(qiáng)固材料 層215，其包含強(qiáng)固材料210并且其中形成有多個(gè)被鍍層的通孔320，并且進(jìn)一步其中具有 凹部218。增加層350位于強(qiáng)固材料層215之上并且包括電絕緣材料230和導(dǎo)電材料240。 導(dǎo)電材料240包括岸面241。電絕緣層360位于增加層350之上。例如，強(qiáng)固材料210、強(qiáng) 固材料層215、凹部218、被鍍層的通孔320、電絕緣材料230、導(dǎo)電材料240、岸面241、增加 層350，和電絕緣層360可以分別與如圖1全部所示的強(qiáng)固材料110、強(qiáng)固材料層115、凹部 118、被鍍層的通孔120、電絕緣材料130、導(dǎo)電材料140、岸面141、增加層150和絕緣層160 相似。 封裝件200進(jìn)一步包括貼裝在增加層350之上的芯片370。如圖所示，強(qiáng)固材料層 215、增加層350和電絕緣層360形成了封裝件200的無芯基板380。無芯基板380具有表 面381，并且芯片370覆蓋小于無芯基板380的整個(gè)表面381，因此表面381具有至少一個(gè) 暴露區(qū)382。如上所述的，能夠形成暴露區(qū)382的原因是在封裝件岸面?zhèn)鹊膹?qiáng)固材料為封裝 件提供了足夠的硬度和強(qiáng)度，因此在封裝件的芯片側(cè)不需要額外的強(qiáng)固件、覆?；蛘咂渌?增強(qiáng)材料。這使得基板表面一定部分處于暴露且開放，并且可以用來設(shè)置一個(gè)或者多個(gè)期 望的部件，如圖所示的。 芯片370通過環(huán)氧樹脂390或者類似的粘合劑材料貼裝于無芯基板380。焊料凸 塊375電連接芯片370到導(dǎo)電材料240。焊球395提供將封裝件200貼裝到如母板等下一 級部件的手段。 在所示的實(shí)施例中，封裝件200包括凹部218中的電容器325。如上文所闡明的， 封裝件200的配置使得電容器325可以是標(biāo)準(zhǔn)的或者薄型電容器而非ALSCs或XLP電容器， 并且它們設(shè)置在凹部218中提高了封裝件200的功率傳輸性能。標(biāo)準(zhǔn)的或者薄型的電容器 也比ALSC或者XLP電容器廉價(jià)。值得注意的是，雖然一般情況下在底部平面視圖中鄰近岸 面241的電容器是可見的，但為了清楚起見，附圖2中省略了電容器325。因此電容器325 僅在圖3中描述。 圖3還顯示了位于無芯基板380的表面381的暴露區(qū)382中的部件397。作為一 個(gè)例子，部件397可以為電容器、測試焊盤，或者類似的。在沒有圖示的實(shí)施例中，封裝件 200在暴露區(qū)382中同時(shí)包括電容器(或者其他無源器件)和測試焊盤_或者一些其它組 合或其他數(shù)量的這樣的部件。作為一個(gè)例子，在表面381上的測試焊盤的可用性極大方便 了在封裝件200已經(jīng)貼裝到母板或者其他下一級部件(此時(shí)，岸面?zhèn)葴y試焊盤不再是易于 接觸的)上時(shí)對器件的測試。 圖4是圖示了依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例制造無芯基板的方法400的流程圖。作為一 個(gè)例子，方法400可以產(chǎn)生如圖1所示的無芯基板100相似的無芯基板的形成。方法400 通過圖5-9進(jìn)一步描述，每幅圖都是無芯基板在依照本發(fā)明的實(shí)施例的制造過程中各個(gè)特定點(diǎn)時(shí)的橫截面圖。 方法400的步驟410是提供初始結(jié)構(gòu)，其包括在相對兩側(cè)上涂覆有導(dǎo)電膜層的芯 材料。作為一個(gè)例子，該初始結(jié)構(gòu)可以與圖5中首先所示的初始結(jié)構(gòu)500相似。作為另一 個(gè)例子，芯材料可以與芯材料510相似并且導(dǎo)電膜層可以與導(dǎo)電膜層520相似，其二者都在 圖5中首先示出。 如圖5所示，并且如上文所記載的，初始結(jié)構(gòu)500包括芯材料510，其上表面和底表 面被導(dǎo)電膜層520所涂覆。作為一個(gè)例子，導(dǎo)電膜層520可以包括銅箔或類似的。
方法400的步驟420在導(dǎo)電膜層上形成第一導(dǎo)電材料的凸起或者增加區(qū)域。在一 個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)電材料可以為銅或相似的材料。因此，導(dǎo)電材料的凸起區(qū)域可以與如圖 5首先所示的銅焊盤525相似，盡管應(yīng)該理解(如上文所暗示的)可以備選地使用其它材料 來替代銅。作為一個(gè)例子，銅焊盤525與圖1所示的導(dǎo)電焊盤125相似。在一個(gè)實(shí)施例中， 銅焊盤525通過在銅箔上電鍍銅區(qū)域而形成。 方法400的步驟430在導(dǎo)電膜層的部分之上形成間隔件。作為一個(gè)例子，間隔件 可以與圖6首先示出的間隔件610相似。作為另一個(gè)例子，間隔件610可以包括一個(gè)塑性 成型間隔件或者金屬塊間隔件。在一實(shí)施例中，步驟430包括對間隔件模壓成型或者將預(yù) 制間隔件設(shè)置于適當(dāng)位置。通過下面的討論將闡明，在后續(xù)步驟中移走間隔件在無芯基板 的合適位置形成空腔以用來容納電容器。這些岸面?zhèn)入娙萜骺梢蕴岣叻庋b件的功率傳輸和 其他性能(如上文提及)。 方法400的步驟440在鄰近間隔件處且在導(dǎo)電材料的凸起區(qū)域之上提供強(qiáng)固材 料。作為一個(gè)例子，該強(qiáng)固材料可以與圖6首先示出的強(qiáng)固材料620相似。作為另一個(gè)例 子，強(qiáng)固材料620可以包括模塑化合物。在所示的實(shí)施例中，強(qiáng)固材料620位于強(qiáng)固材料層 615中。作為一個(gè)例子，強(qiáng)固材料層615可以與圖l所示的強(qiáng)固材料層115相似。
應(yīng)該理解，在方法400的一些實(shí)施例中，步驟430和440可以顛倒順序，或者結(jié)合 成為一個(gè)步驟來進(jìn)行。也就是說，在一些實(shí)施例中強(qiáng)固材料可以在間隔件之前(或者與間 隔件同時(shí))施加。 方法400的步驟450在強(qiáng)固材料中形成通孔，并采用第二導(dǎo)電材料對通孔進(jìn)行鍍 層。在一個(gè)實(shí)施例中，該第二導(dǎo)電材料與該第一導(dǎo)電材料相同或者相似。作為一個(gè)例子，該 通孔可以與圖7首先所示的通孔710相似。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟450包括采用現(xiàn)有技術(shù) 中已知的任意一種合適的激光輔助的材料移除工藝，利用激光鉆成通孔。也可以采用機(jī)械 鉆孔工藝。 方法400中的步驟460在間隔件和強(qiáng)固材料之上形成增加層。作為一個(gè)例子，該 增加層可以與圖1中首先示出的增加層150相似。作為另一個(gè)例子，該增加層可以與圖8 首先示出的增加層850相似。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟460或者另一個(gè)步驟可以包括增加層 之上(或者作為其最上方的層)的電絕緣層的形成。作為一個(gè)例子，該電絕緣層可以與圖1 中首先示出的電絕緣層160相似。作為另一個(gè)例子，該電絕緣層可以與圖8中首先示出的 電絕緣層860相似。 如圖8所示，在執(zhí)行了步驟460之后，初始結(jié)構(gòu)500包括電絕緣材料830和導(dǎo)電材 料840。作為另一個(gè)例子，電絕緣材料830和導(dǎo)電材料840可以分別類似于圖1中所示的二 者電絕緣材料130和導(dǎo)電材料140。
7
方法400的步驟470將初始結(jié)構(gòu)分離為第一片和第二片。經(jīng)過一些進(jìn)一步的處理 過程，如下描述的，第一片和第二片成為完整的無芯基板。因此，在所示的實(shí)施例中，方法 400將每個(gè)初始結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閮蓚€(gè)單獨(dú)的無芯基板。步驟470可以采用任何合適的分離技術(shù) 完成。 方法400的步驟480從第一片和第二片上移除芯材料、間隔件和導(dǎo)電膜層。圖9示 出了步驟480的執(zhí)行結(jié)果。如所示出的，初始結(jié)構(gòu)500已經(jīng)被轉(zhuǎn)變?yōu)閮蓚€(gè)基本上相同的無 芯基板910和920，每個(gè)無芯基板可以與圖1所示的無芯基板100相似。在一個(gè)實(shí)施例中， 步驟480包括采用適當(dāng)蝕刻技術(shù)蝕刻該芯材料、間隔件和導(dǎo)電膜層。 盡管本發(fā)明已經(jīng)關(guān)于特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理 解，可以做出各種變化而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明實(shí)施例的公開的意思僅 是要說明本發(fā)明范圍，不是對本發(fā)明的限制。意思是本發(fā)明的范圍只能被限制為附上的權(quán) 利要求所要求的范圍。例如，對于一位本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然本文所公開的無芯基板、微電 子封裝件和相關(guān)方法可以在各個(gè)實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)，并且前述討論的這些實(shí)施例的某一個(gè)沒有 必要給出所有可能實(shí)施例的完整的描述。 另外，盡管已經(jīng)關(guān)于特定實(shí)施例描述了益處、其它優(yōu)勢和問題的解決辦法。但是， 對于該益處、優(yōu)勢、問題的解決辦法和可以帶來任何益處、優(yōu)勢或者使得解決辦法發(fā)生或更 明顯的任意一個(gè)或多個(gè)元件不能看成是所有權(quán)利要求或者任意權(quán)利要求的關(guān)鍵性的、所要 求的或者必要特征或者元件。 此外，如果本文公開的實(shí)施例和/或限制(l)沒有在權(quán)利要求中清楚聲明保護(hù)； 并且(2)在等效原則下是權(quán)利要求中所述元件和/或限制的可能等效物，則基于專用原則， 該實(shí)施例和限制不供公眾使用。
8
權(quán)利要求
一種無芯基板，包括強(qiáng)固材料，其中形成有被鍍層的通孔；在所述強(qiáng)固材料上方的電絕緣層；和在所述電絕緣層中的導(dǎo)電材料。
2. 如權(quán)利要求l所述的無芯基板，進(jìn)一步包括 在所述電絕緣層之上的第二電絕緣層。
3. 如權(quán)利要求2所述的無芯基板，其中所述強(qiáng)固材料形成所述無芯基板的強(qiáng)固材料層；并且所述無芯基板進(jìn)一步包括位于所 述強(qiáng)固材料層中的凹部。
4. 一種用于微電子器件的封裝件，所述封裝件包括 強(qiáng)固材料層，其中形成有被鍍層的通孔并且其中進(jìn)一步具有凹部； 位于所述強(qiáng)固材料層之上的增加層，所述增加層包括電絕緣材料和導(dǎo)電材料； 貼裝在所述增加層之上的芯片，其中所述強(qiáng)固材料層和增加層形成所述封裝件的無芯基板； 所述無芯基板具有一表面；并且所述芯片覆蓋小于所述無芯基板的整個(gè)所述表面，從而所述表面具有至少一個(gè)暴露區(qū)。
5. 如權(quán)利要求4所述的封裝件，進(jìn)一步包括 位于所述凹部中的電容器。
6. 如權(quán)利要求5所述的封裝件，進(jìn)一步包括 位于所述無芯基板所述表面的暴露區(qū)中的部件。
7. 如權(quán)利要求6所述的封裝件，其中 所述部件為電容器。
8. 如權(quán)利要求6所述的封裝件，其中 所述部件為測試焊盤。
9. 如權(quán)利要求4所述的封裝件，進(jìn)一步包括位于所述無芯基板所述表面的暴露區(qū)中的無源部件和測試焊盤。
10. 如權(quán)利要求9所述的封裝件，進(jìn)一步包括 位于所述凹部中的電容器。
11. 如權(quán)利要求4所述的封裝件，進(jìn)一步包括位于所述芯片和所述增加層之間的環(huán)氧樹脂層，其中所述環(huán)氧樹脂層將所述芯片貼裝 到所述無芯基板。
12. —種制造無芯基板的方法，所述方法包括提供初始結(jié)構(gòu)，所述初始結(jié)構(gòu)包括在相對的兩側(cè)上涂覆有導(dǎo)電膜層的芯材料； 在所述導(dǎo)電膜層上形成第一導(dǎo)電材料的凸起區(qū)域； 在所述導(dǎo)電膜層的一部分之上形成間隔件；鄰近所述間隔件并且在所述第一導(dǎo)電材料的凸起區(qū)域之上提供強(qiáng)固材料，； 在所述強(qiáng)固材料中形成通孔并且采用第二導(dǎo)電材料對所述通孔鍍層；在所述間隔件和所述強(qiáng)固材料之上形成增加層； 將所述初始結(jié)構(gòu)分成第一片和第二片；從所述第一片和第二片上移除所述芯材料、所述間隔件和所述導(dǎo)電膜層。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中提供初始結(jié)構(gòu)包括提供在相對的兩側(cè)上涂覆有銅箔的芯材料。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成第一導(dǎo)電材料的凸起區(qū)域包括向所述銅箔上電鍍銅區(qū)。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成間隔件包括形成塑性成型的間隔件或者金屬塊間隔件。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述強(qiáng)固材料中形成通孔包括通過激光鉆孔形成通孔。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中將所述初始結(jié)構(gòu)分成第一片和第二片包括從所述芯材料中切割。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中移除所述芯材料、所述間隔件和所述導(dǎo)電膜層包括采用濕法蝕刻或者干法蝕刻來蝕刻 所述芯材料、所述間隔件和所述導(dǎo)電膜層。
全文摘要
一種無芯基板包括其中形成有被鍍層的通孔(120，320)的強(qiáng)固材料(110，210，620)、強(qiáng)固材料上方的電絕緣材料(130，230，830)和在電絕緣層中的導(dǎo)電材料(140，240，840)。在同一個(gè)或者另一個(gè)實(shí)施例中，用于微電子器件的封裝件包括其中形成有被鍍層的通孔(120，320)且進(jìn)一步具有凹部(118，218)的強(qiáng)固材料層(115，215，615)，強(qiáng)固材料層之上的增加層(150，350，850)，貼裝在增加層之上的芯片(370)。該強(qiáng)固材料層和增加層形成封裝件的無芯基板(100，380，910，920)。該無芯基板具有表面(381)，并且該芯片覆蓋少于無芯基板整個(gè)表面從而使得該表面具有至少一個(gè)暴露區(qū)(382)。
文檔編號H01R12/51GK101728337SQ200910211649
公開日2010年6月9日 申請日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者M·蘇里亞庫馬, R·莫爾滕森 申請人:英特爾公司