專(zhuān)利名稱(chēng)：晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法及裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片的尺寸越來(lái)越小，工藝過(guò)程中產(chǎn)生缺陷對(duì)成品率的影響也越來(lái)越明 顯。對(duì)缺陷準(zhǔn)確的分析直接關(guān)乎芯片的失效的判定及缺陷的改善方向。當(dāng)前主流6英寸的晶圓使用的缺陷分析設(shè)備在對(duì)晶圓進(jìn)行分析時(shí)是采用測(cè)試帶 到測(cè)試帶(die by die)比較的方式來(lái)檢測(cè)缺陷。例如在申請(qǐng)?zhí)枮椤?0071004M85”的中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)中公開(kāi)了一種晶圓缺陷的檢測(cè) 方法，該晶圓缺陷的檢測(cè)方法包括如下步驟選定檢測(cè)帶，該檢測(cè)帶是以晶圓中心為圓心， 半徑是晶圓半徑十分之一至五分之一的圓形區(qū)域；在該檢測(cè)帶內(nèi)選取若干個(gè)呈反射狀均勻 分布的檢測(cè)點(diǎn)，檢測(cè)點(diǎn)大于49個(gè)；對(duì)每一檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行分析，找出缺陷的位置。然而，一個(gè)測(cè)試帶通常的大小可以為一個(gè)芯片(chip)所在的區(qū)域或多個(gè)芯片所 在的區(qū)域，或者一個(gè)曝光區(qū)域(BLOCK)，檢測(cè)生成的結(jié)果文件對(duì)應(yīng)定義的測(cè)試帶，從而可以 定位缺陷在測(cè)試帶中的位置。但是利用上述設(shè)備進(jìn)行檢查時(shí)，通常測(cè)試帶的尺寸不能小于 2mmX 2mm，因此當(dāng)芯片的尺寸小于2mm時(shí)，一個(gè)測(cè)試帶就會(huì)包括多個(gè)芯片所在區(qū)域，這樣該 設(shè)備就不能準(zhǔn)確的定位缺陷在芯片中的位置，從而不能定位存在缺陷的芯片，因此也不利 于分析缺陷產(chǎn)生的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法，可以定位缺陷在芯 片中的位置。本發(fā)明提供了一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法，包括步驟將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)不同芯片的位置，對(duì)各測(cè)試帶檢 測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定缺陷所在的-H-* LL心片；將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo) 系；確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)?？蛇x的，還包括步驟根據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定晶圓上存在缺陷的芯片。可選的，所述測(cè)試帶的尺寸大于或等于2mmX2mm?？蛇x的，所述芯片的尺寸小于2mmX2mm。可選的，在將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系分為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系步驟之前還包括步驟將缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)進(jìn)行存儲(chǔ)，將測(cè)試帶包含 的芯片的數(shù)目、尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)?？蛇x的，還包括步驟按照缺陷的尺寸或者其所位于的芯片中的位置對(duì)缺陷進(jìn)行 分類(lèi)，并分析各種缺陷在芯片中存在的比例。一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)裝置，包括測(cè)試單元，用于將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，對(duì)各 測(cè)試帶檢測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；缺陷所在芯片確定單元，根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中 的坐標(biāo)，確定缺陷及其所位于的芯片之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換單元，用于將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū) 域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系；坐標(biāo)轉(zhuǎn)換單元，用于確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)?？蛇x的，還包括缺陷芯片確定單元，用于根據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確 定晶圓上存在缺陷的芯片?？蛇x的，還包括存儲(chǔ)單元，用于將缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)進(jìn)行存儲(chǔ)，將測(cè)試 帶包含的芯片的數(shù)目、尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)。和現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明通過(guò)將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，對(duì)各測(cè)試帶檢測(cè)，得到以測(cè)試帶為坐標(biāo) 系的缺陷的位置坐標(biāo)；將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系分為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系 的子坐標(biāo)系；確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。從而當(dāng)測(cè)試帶包括一個(gè)以上的芯片所在 區(qū)域時(shí)，可以將缺陷定位到芯片所在的區(qū)域，也就是將缺陷定位到芯片上，從而能定位存在 缺陷的芯片，利于分析缺陷產(chǎn)生的原因。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為本發(fā)明的晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法的流程圖；圖2至圖4為本發(fā)明的晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有的一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)設(shè)備采用測(cè)試帶到測(cè)試帶(die by die)比較的方式來(lái)檢測(cè)缺陷，然而，一個(gè)測(cè)試帶通常的大小可以為一個(gè)芯片(chip)所 在的區(qū)域或多個(gè)芯片所在的區(qū)域，或者一個(gè)曝光區(qū)域(BLOCK)，檢測(cè)生成的結(jié)果文件對(duì)應(yīng)定 義的測(cè)試帶，從而可以定位缺陷在測(cè)試帶中的位置。但是利用上述設(shè)備進(jìn)行檢查時(shí)，通常測(cè) 試帶的尺寸不能小于2mmX2mm，因此當(dāng)芯片的尺寸小于2mm時(shí)，一個(gè)測(cè)試帶就會(huì)包括多個(gè) 芯片所在區(qū)域，這樣該設(shè)備就不能準(zhǔn)確的定位缺陷在芯片中的位置，從而不能定位存在缺 陷的芯片，因此也不利于分析缺陷產(chǎn)生的原因。因此本發(fā)明的發(fā)明人在經(jīng)過(guò)研究后將現(xiàn)有設(shè)備的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行了進(jìn)一步處理，當(dāng)4測(cè)試帶包括一個(gè)以上的芯片所在區(qū)域時(shí)，將缺陷定位到芯片所在的區(qū)域，也就是將缺陷定 位到芯片上，從而能定位存在缺陷的芯片，利于分析缺陷產(chǎn)生的原因。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖1為本發(fā)明的晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法流程圖。圖2至圖4為本發(fā)明的晶圓表 面缺陷的檢測(cè)方法示意圖，下面結(jié)合圖1至圖4對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，本發(fā) 明的晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法包括步驟S10，將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，對(duì)各測(cè)試帶檢 測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。具體的參考圖2，可以將晶圓表面分為若干個(gè)陣列排布的測(cè)試帶，例如20個(gè)，如圖 2中測(cè)試帶ml、m2、m3等。每個(gè)測(cè)試帶可以包括若干個(gè)芯片所在的區(qū)域，例如在本實(shí)施例中 一個(gè)測(cè)試帶包括了 4個(gè)芯片cl、c2、c3、c4所在區(qū)域。并且，每個(gè)芯片的尺寸小于2mmX 2mm， 測(cè)試帶的尺寸大于或等于2mmX 2mm，例如6mmX 6mm。接著，確定芯片在測(cè)試帶中的位置，例如可以通過(guò)不同芯片的每個(gè)邊和其對(duì)應(yīng)的 測(cè)試帶的每個(gè)邊之間的距離來(lái)定位芯片在測(cè)試帶中的位置。將晶圓分為測(cè)試帶，根據(jù)測(cè)試帶在晶圓上的位置對(duì)測(cè)試編號(hào)，然后依次對(duì)各測(cè)試 帶檢測(cè)。例如如圖2所示，利用測(cè)試帶到測(cè)試帶(Die-to-Die)的檢測(cè)方式，即在檢測(cè)時(shí)，檢 測(cè)設(shè)備通過(guò)光電信號(hào)在晶片表面沿圖2中的箭頭方向掃描各測(cè)試帶，同時(shí)收集檢測(cè)反饋的 光電信號(hào)從而確定缺陷的位置。生成的測(cè)試結(jié)果包括以各測(cè)試帶為坐標(biāo)系的缺陷的位置坐標(biāo)。例如參考圖3，其中 一個(gè)測(cè)試帶ml包括4個(gè)芯片所在區(qū)域110，測(cè)試結(jié)果可以顯示出缺陷120在以測(cè)試帶為坐 標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。此外還可以包括步驟將缺陷在測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)、測(cè)試帶包含芯片的數(shù) 目、芯片在該測(cè)試帶坐標(biāo)系中的位置以及芯片的尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)。S15，根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定缺陷所 在的芯片。例如具體的，可以根據(jù)芯片在測(cè)試帶中的位置，得到芯片在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐 標(biāo)范圍，例如通過(guò)確定芯片的邊所在的直線(xiàn)的坐標(biāo)就可以得到芯片在測(cè)試帶中的坐標(biāo)范 圍。然后比對(duì)芯片在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)與缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)就可以確定每 一個(gè)缺陷所位于的芯片。S20，將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子 坐標(biāo)系。在現(xiàn)有技術(shù)中，受到工藝設(shè)備的限制，用于檢測(cè)的測(cè)試帶最小的尺寸不能小于 2mmX 2mm,因此當(dāng)芯片尺寸小于2mmX 2mm時(shí)，一個(gè)測(cè)試帶就會(huì)包括大于1個(gè)芯片的區(qū)域，從而以測(cè)試帶為1個(gè)坐標(biāo)系就無(wú)法判斷缺陷在芯片上的位置，換言之，定位出現(xiàn)缺陷的芯片 比較困難，從而也不利于對(duì)芯片出現(xiàn)的缺陷進(jìn)行分析。因此在本發(fā)明中將測(cè)試帶所在的坐標(biāo)系進(jìn)一步劃分為若干個(gè)子坐標(biāo)系，每個(gè)子坐 標(biāo)系對(duì)應(yīng)一個(gè)芯片所在的區(qū)域。具體的可以根據(jù)芯片在測(cè)試帶中的位置確定子坐標(biāo)系，例 如以芯片所在區(qū)域的任意一點(diǎn)為原點(diǎn)建立子坐標(biāo)系，例如如圖4所示，以每個(gè)芯片的一個(gè) 角為原點(diǎn)建立子坐標(biāo)系，圖4中左上角的芯片的左邊距離測(cè)試帶的左邊距離為3mm，芯片的 下邊距離測(cè)試帶的下邊距離為8mm，從而可以確定該芯片的子坐標(biāo)原點(diǎn)為測(cè)試帶所對(duì)應(yīng)的 坐標(biāo)系中坐標(biāo)點(diǎn)(3，8)對(duì)應(yīng)的點(diǎn)。S30，確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。具體的，利用缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)和其所位于的芯片的子坐標(biāo)系的原點(diǎn) 在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，就可以得到缺陷在其所位于的芯片所對(duì)應(yīng)的子坐標(biāo)系 中的坐標(biāo)。比如，在上述實(shí)施例中，可以根據(jù)芯片子坐標(biāo)系坐標(biāo)原點(diǎn)在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐 標(biāo)，將缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中坐標(biāo)對(duì)應(yīng)減去該缺陷所在的芯片的子坐標(biāo)原點(diǎn)的坐標(biāo)，獲得 缺陷在其所位于的芯片所對(duì)應(yīng)的子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，從而也就獲得了該缺陷在其位于的芯 片內(nèi)的位置。具體的還可以包括步驟根據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定晶圓上存在缺 陷的芯片。進(jìn)一步的還可以包括步驟按照缺陷的尺寸或在其所位于的芯片中的位置對(duì)缺陷 進(jìn)行分類(lèi)，并分析各種缺陷在芯片中存在的比例。然后可以通過(guò)缺陷在芯片中的位置，芯片 在晶圓上的位置，以及出現(xiàn)各種缺陷的芯片，就可以分析缺陷的成因，從而可以對(duì)制造工藝 進(jìn)行調(diào)整，減小缺陷的發(fā)生。本發(fā)明通過(guò)將晶圓劃分為測(cè)試帶，并且對(duì)測(cè)試帶進(jìn)行編號(hào)，然后將對(duì)各測(cè)試帶測(cè) 試得到的缺陷在晶圓測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，轉(zhuǎn)換到缺陷位于的芯片對(duì)應(yīng)的子坐標(biāo)系中， 從而可以精確的確定晶圓上各測(cè)試帶中的缺陷在其所位于的芯片中的位置，從而可以分析 得到晶圓上存在缺陷的芯片，以及缺陷在各芯片中的位置，這樣利于分析缺陷產(chǎn)生的原因。相應(yīng)的，本發(fā)明還包括一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)裝置，包括測(cè)試單元，用于將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，對(duì)各 測(cè)試帶檢測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；缺陷所在芯片確定單元，根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中 的坐標(biāo)，確定缺陷及其所位于的芯片之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換單元，用于將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū) 域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系；坐標(biāo)轉(zhuǎn)換單元，用于確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。其中，還包括缺陷芯片確定單元，用于根據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定 晶圓上存在缺陷的芯片。其中，還包括存儲(chǔ)單元，用于將缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的的坐標(biāo)進(jìn)行存儲(chǔ)，將測(cè)試 帶包含的芯片的數(shù)目、尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi) 容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單 修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，包括步驟將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)不同芯片的位置，對(duì)各測(cè)試帶檢測(cè)，得 到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定缺陷所在的芯片；將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系； 確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括步驟根據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo) 系中的坐標(biāo)，確定晶圓上存在缺陷的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述測(cè)試帶的尺寸大于或等于 2mmX 2mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述芯片的尺寸小于2mmX2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，在將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系分為 以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系步驟之前還包括步驟將缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo) 系中的坐標(biāo)進(jìn)行存儲(chǔ)，將測(cè)試帶包含的芯片的數(shù)目、尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括步驟按照缺陷的尺寸或者其 所位于的芯片中的位置對(duì)缺陷進(jìn)行分類(lèi)，并分析各種缺陷在芯片中存在的比例。
7.一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)裝置，其特征在于，包括測(cè)試單元，用于將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，對(duì)各測(cè)試 帶檢測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；缺陷所在芯片確定單元，根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐 標(biāo)，確定缺陷及其所位于的芯片之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換單元，用于將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)?坐標(biāo)系的子坐標(biāo)系；坐標(biāo)轉(zhuǎn)換單元，用于確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括缺陷芯片確定單元，用于根 據(jù)所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定晶圓上存在缺陷的芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括存儲(chǔ)單元，用于將缺陷在測(cè)試 帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)進(jìn)行存儲(chǔ)，將測(cè)試帶包含的芯片的數(shù)目、尺寸進(jìn)行存儲(chǔ)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓表面缺陷的檢測(cè)方法及裝置，包括步驟將晶圓分為至少兩個(gè)測(cè)試帶，確定所述測(cè)試帶內(nèi)不同芯片的位置，對(duì)各測(cè)試帶檢測(cè)，得到缺陷在以測(cè)試帶為坐標(biāo)系的測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；根據(jù)測(cè)試帶內(nèi)芯片的位置，以及缺陷在測(cè)試帶坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，確定缺陷所在的芯片；將所述每個(gè)測(cè)試帶的坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換為以其包含的芯片所在區(qū)域?yàn)樽鴺?biāo)系的子坐標(biāo)系；確定所述缺陷在子坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。本發(fā)明可以定位缺陷在芯片中的位置。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102054724SQ20091021218
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月11日
發(fā)明者顧頌 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司