專利名稱：光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能光電轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對光譜具有下轉(zhuǎn)移功能的彩
色電池組件。
背景技術(shù)：
目前，商業(yè)化光伏組件發(fā)展到今天，已經(jīng)到了非常成熟的階段，人們通過改良組件 的各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)，很難在組件效率上有很大的進(jìn)步。對于晶體硅組件，光譜響應(yīng)的范圍在波 長llOOnm的光譜區(qū)域，但最佳響應(yīng)波長在600nm附近。對于太陽光譜的短波部分，太陽電 池對其的響應(yīng)并不理想，這些短波光是引起電池?zé)嵝?yīng)的主要原因，強(qiáng)烈的熱效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重 影響電池和組件效率的穩(wěn)定性，并且，太陽光中紫外光是電池組件中EVA老化的主要原因。 另外，人們在安裝光伏組件的時(shí)候，往往要占用一些空間，將光伏組件和建筑完美的一體化 是人們一直努力的方向。 將光致發(fā)光材料運(yùn)用到組件中，將能有效地調(diào)節(jié)太陽光譜，以改進(jìn)電池對太陽光 譜的響應(yīng)，光致發(fā)光材料，分為上轉(zhuǎn)換、下轉(zhuǎn)換和下轉(zhuǎn)移，上轉(zhuǎn)換發(fā)光是吸收多個(gè)低能紅外 光子發(fā)射一個(gè)高能可見光子，主要利用稀土摻雜的無機(jī)材料，由于稀土元素的上轉(zhuǎn)換發(fā)光 過程屬于禁戒躍遷的過程，所以發(fā)光效率低，不太適合應(yīng)用到太陽電池。下轉(zhuǎn)換發(fā)光是吸收 一個(gè)高能光子發(fā)射兩個(gè)低能光子，理論上量子效率高，所用的轉(zhuǎn)換材料主要是稀土摻雜的 無機(jī)發(fā)光材料，此類材料的吸收光譜范圍窄，價(jià)格昂貴，離實(shí)際應(yīng)用還有一定的距離。下轉(zhuǎn) 移是指將電池響應(yīng)差的高能短波光轉(zhuǎn)換成響應(yīng)好的長波光，以增強(qiáng)電池對短波光尤其是紫 外光的光譜響應(yīng)。主要涉及的材料是納米半導(dǎo)體材料，此類材料發(fā)光吸收光譜范圍大，發(fā)光 效率高，價(jià)格便宜，有較好的應(yīng)用前景。近來，人們將有機(jī)電池貼到含有有機(jī)小分子熒光材 料的平板的一側(cè)，該類熒光材料吸收一定波長范圍的光，并發(fā)射出能被有機(jī)電池吸收的光， 部分發(fā)射光在平板中通過光波導(dǎo)效應(yīng)聚集到平板一側(cè)，最后被有機(jī)電池吸收。該種設(shè)計(jì)并 不適合于應(yīng)用到某些電池及其組件例如硅電池組件，另外，這些有機(jī)小分子熒光材料穩(wěn)定 性差，吸收光譜范圍窄，對太陽光譜的利用率差。

發(fā)明內(nèi)容
為了改進(jìn)電池對短波光的光譜響應(yīng)，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過增強(qiáng)對 太陽光譜的短波部分的響應(yīng)，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，并有效減輕電池?zé)嵝?yīng)，通 過有效吸收太陽光譜中的紫外部分，延緩EVA老化，通過調(diào)節(jié)組件顏色，實(shí)現(xiàn)組件彩色化， 以利于光伏和建筑一體化。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，包 括太能電池陣列，在所述的太陽電池陣列的電池片的受光面前方區(qū)域設(shè)置光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué) 介質(zhì)層，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層將電池光譜響應(yīng)差的短波段吸收并轉(zhuǎn)移到電池光譜響應(yīng)理 想的長波段，轉(zhuǎn)移后通過電池片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。 為了保證材料的穩(wěn)定性好，發(fā)射光譜窄，吸收光譜范圍廣，可將電池光譜響應(yīng)差的
3短波部分有效吸收并轉(zhuǎn)移到電池光譜響應(yīng)理想的長波段。光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層包括介質(zhì) 和用于光譜下轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體量子點(diǎn)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)均勻分散在介質(zhì)中。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的受光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層和/或光譜下轉(zhuǎn)移光
學(xué)介質(zhì)層的背光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層，普通介質(zhì)層的透光率T > 85%。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第一種形式是，介質(zhì)是玻璃板，半導(dǎo)體量子點(diǎn)直接摻到
玻璃板中得到彩色平板的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第一種形式的具體應(yīng)用是，將所述的彩色平板的光譜下 轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層、EVA膜、電池陣列和TPT背板層壓。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第二種形式是，介質(zhì)是涂層或薄膜，半導(dǎo)體量子點(diǎn)均勻 分散在涂層或薄膜中得到光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第二種形式的一種具體應(yīng)用是將所述均勻分散半導(dǎo)體 量子點(diǎn)的涂層涂抹在玻璃板的背光面，在涂層固化后，將覆蓋涂層的玻璃板和多晶硅電池 陣列、PVB膜、背板玻璃層壓。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第二種形式的另一種具體應(yīng)用是將所述均勻分散半導(dǎo) 體量子點(diǎn)的涂層涂抹在玻璃板的受光面，在涂層固化后，將帶有固化涂層的玻璃板與電池 陣列、EVA膜、背板玻璃層壓。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第三種形式是介質(zhì)是包含半導(dǎo)體量子點(diǎn)的穩(wěn)定液體， 半導(dǎo)體量子點(diǎn)均勻分散在穩(wěn)定液體中。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的第三種形式的具體應(yīng)用是將中間留有薄層空隙的玻璃 板、PVB膜、電池陣列、TPT背板層壓，將含有半導(dǎo)體量子點(diǎn)的穩(wěn)定液體注入玻璃板的薄層空 隙。 對于半導(dǎo)體量子點(diǎn)的選用，半導(dǎo)體量子點(diǎn)是指II-VI族化合物的納米顆粒，具有 同質(zhì)或者異質(zhì)多層的結(jié)構(gòu)。該種材料吸收截面大，發(fā)光效率高，穩(wěn)定。具體為半導(dǎo)體量子 點(diǎn)是具有核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CdSe@CdS或CdSe@ZnS量子點(diǎn)。通過調(diào)節(jié)半導(dǎo)體量子點(diǎn)的粒徑來 調(diào)節(jié)材料的吸收和發(fā)射峰位置，并能有效調(diào)節(jié)組件顏色。 本發(fā)明的有益效果是通過將具有光譜下轉(zhuǎn)移功能的半導(dǎo)體量子點(diǎn)應(yīng)用到常規(guī)電 池組件，增強(qiáng)組件對太陽光譜的短波部分的響應(yīng)，并有效減輕電池?zé)嵝?yīng)，通過有效吸收太 陽光譜中的紫外部分，延緩EVA老化，該類組件顏色鮮艷可調(diào)，外形美觀，適合于與建筑一 體化；另外，該類組件制作工藝簡單，可充分利用現(xiàn)有成熟的制造工藝。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是將半導(dǎo)體納米材料摻入高透光玻璃經(jīng)層壓后的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是將半導(dǎo)體納米材料摻入有機(jī)硅膠經(jīng)層壓后的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是將含半導(dǎo)體納米材料的涂層覆蓋到高透光玻璃上下表面經(jīng)層壓后的結(jié)構(gòu)
示意圖； 圖5是將含半導(dǎo)體納米材料的液體注入空腔的結(jié)構(gòu)示意圖。 其中1、電池陣列，2、光學(xué)介質(zhì)層，3、半導(dǎo)體量子點(diǎn)，4、普通介質(zhì)層，5、背板，6、EVA
4膜，9、PVB膜。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的
示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。 如圖1所示，一種光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，包括光學(xué)介質(zhì)層2、普通介質(zhì)層4、太
能電池陣列1以及焊接線、背板5和接線盒。在所述的太陽電池陣列1的電池片的受光面
前方區(qū)域設(shè)置光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層l，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層1將電池光譜響應(yīng)差的短
波段吸收并轉(zhuǎn)移到電池光譜響應(yīng)理想的長波段，轉(zhuǎn)移后通過電池片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2包括介質(zhì)和用于光譜下轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體量子點(diǎn)3，半導(dǎo)體
量子點(diǎn)3均勻分散在介質(zhì)中。半導(dǎo)體量子點(diǎn)3也稱半導(dǎo)體納米晶，尺寸小于10納米，這樣
小的尺寸既可保證半導(dǎo)體材料對被轉(zhuǎn)移光的收集又可盡量減小材料對非被轉(zhuǎn)換光的散射。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第一種形式是，介質(zhì)是玻璃板7，半導(dǎo)體量子點(diǎn)3直接
摻到玻璃板7中得到彩色平板的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第二種形式是，介質(zhì)是涂層或薄膜8，半導(dǎo)體量子點(diǎn)3 均勻分散在涂層或薄膜8中得到光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2。如在高透光，耐候性好的樹脂或 無機(jī)薄膜中摻納米材料，經(jīng)固化后得到；或者是將量子點(diǎn)摻到EVA等樹脂材料中得到。
光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第三種形式是介質(zhì)是包含半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的穩(wěn)定液 體，半導(dǎo)體量子點(diǎn)3均勻分散在穩(wěn)定液體中。如將半導(dǎo)體量子點(diǎn)3和對其分散性好、性能穩(wěn) 定并且對環(huán)境友好的溶劑配制成流動(dòng)液體。 對于半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的選用，半導(dǎo)體量子點(diǎn)3是指II-VI族化合物的納米顆粒，具 有同質(zhì)或者異質(zhì)多層的結(jié)構(gòu)。該種材料吸收截面大，發(fā)光效率高，穩(wěn)定。具體為半導(dǎo)體量 子點(diǎn)3是具有核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CdSe@CdS或CdSe@ZnS量子點(diǎn)。通過調(diào)節(jié)半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的 粒徑來調(diào)節(jié)材料的吸收和發(fā)射峰位置，并能有效調(diào)節(jié)組件顏色。 光學(xué)介質(zhì)層2的厚度可根據(jù)吸收系數(shù)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的濃度，和對系統(tǒng)電學(xué)性能 的模擬來確定。具體過程如下利用半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的吸收波譜，濃度和光學(xué)介質(zhì)層的厚 度，確定介質(zhì)層的吸收系數(shù)，并獲得加入光學(xué)介質(zhì)層2后太陽光譜(AMI. 5)的變化。利用被 改變后的太陽光譜并運(yùn)用模擬軟件對電池和系統(tǒng)電學(xué)性能進(jìn)行模擬，最終確定半導(dǎo)體量子 點(diǎn)3的最佳濃度和光學(xué)介質(zhì)層2的最佳厚度。 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的受光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層4和/或光譜下轉(zhuǎn)移 光學(xué)介質(zhì)層2的背光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層4，透光率T > 85%，普通介質(zhì)層4的厚度 tX)。應(yīng)考慮各界面折射率的匹配問題，盡量減少各介質(zhì)界面反射和散射。太能電池陣列 電池1的背光面也可以設(shè)置普通介質(zhì)層4。 上述方案中，電池陣列1包括體硅電池陣列，各種薄膜電池陣列。 如圖2所示，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第一種形式的具體應(yīng)用是將所述的彩色
平板的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2、 EVA膜6、電池陣列1和TPT背板5層壓。 實(shí)施例是將CdSe@ZnS量子點(diǎn)均勻摻到玻璃中得到彩色玻璃，將玻璃板7、 EVA膜
6、電池陣列1和TPT背板5疊在一起按常規(guī)工藝層壓，經(jīng)焊接，裝框等工序，最后得到彩色
組件。彩色玻璃可有效吸收紫外和其他短波部分，并可有效吸收部分散射光，轉(zhuǎn)化成能被電
5池有效吸收的長波光。 如圖3所示，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第二種形式的一種具體應(yīng)用是將所述均 勻分散半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的涂層8涂抹在玻璃板7的背光面，在涂層8固化后，將覆蓋涂層8 的玻璃板7和多晶硅電池陣列1、 PVB膜9、玻璃背板5層壓。 實(shí)施例為將用化學(xué)方法制備的CdSe@CdS量子點(diǎn)與耐環(huán)境的透明有機(jī)硅膠充分 混合并超聲分散，防止由于納米材料聚集而導(dǎo)致的材料發(fā)光效率下降，該有機(jī)硅膠無色，透 明，固化速度均勻且固化時(shí)不放熱，固化后為一良性彈性體，有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，抗臭氧 和紫外降解。將混合物均勻涂抹在高透光鋼化玻璃背光面，在0 20(TC之間固化。對于 CdSe@CdS納米材料，它在600nm處有明顯的發(fā)射峰，外殼層的CdS能有效吸收短波部分如紫 外部分，而CdSe則吸收波長較長的部分光。在涂層8固化后，將覆蓋涂層8的玻璃板7與 多晶硅電池陣列1、一片PVB膜9、玻璃背板5在一定溫度下層壓，此過程用固化后的涂層8 代替了一層PVB膜9。層壓后即得到組件。這種設(shè)計(jì)可很好地保護(hù)光譜轉(zhuǎn)換材料，使其保持 良好的穩(wěn)定性。將組件放置在太陽下，可看到表面呈現(xiàn)鮮艷的橙黃色。通過光譜響應(yīng)測試 觀察到組件在短波部分(300 450nm)有比普通組件更好的響應(yīng)。 如圖4所示，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第二種形式的另一種具體應(yīng)用是將所述 均勻分散半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的涂層8涂抹在玻璃板7的受光面，在涂層8固化后，將帶有固化 涂層8的玻璃板7與電池陣列1、 EVA膜6、玻璃背板5層壓。 實(shí)施例是用合成的特定粒徑大小的CdSe@ZnS量子點(diǎn)和透光率好的紫外固化膠 充分混合并充分混合。并將混合物均勻涂抹到高透光絨面低鐵超白玻璃的受光面，用紫外 燈均勻固化。量子點(diǎn)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和粒徑大小使得其對450nm以前的短波部分有良好的吸 收，并在600nm處有明顯的發(fā)射峰。固化后玻璃板7在陽光下顯示明艷的彩色。將此玻璃板 7與兩片EVA膜6、電池陣列1、和玻璃背板5在一定的溫度下層壓，并經(jīng)焊接，裝框等工序， 最后得到彩色組件。該組件中的涂層8能有效吸收直射和散射光的短波部分，另外，該涂層 8還有減反射的作用。光譜響應(yīng)測試觀察到組件在短波部分有比普通組件更好的響應(yīng)。
如圖5所示，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層2的第三種形式的具體應(yīng)用是將中間留有薄 層空隙的玻璃板7、PVB膜9、電池陣列1、TPT背板5層壓，將含有半導(dǎo)體量子點(diǎn)3的穩(wěn)定液 體注入玻璃板10的薄層空隙。 實(shí)施例是將中間留有薄層空隙的玻璃板7、PVB膜9、電池陣列1和TPT背板5疊 在一起并送入層壓機(jī)層壓，層壓后將含CdSetZnS量子點(diǎn)的穩(wěn)定溶液注入到玻璃板7中的薄 層空隙，密封入口 ，焊接并裝框，最后得到彩色組件。這種設(shè)計(jì)有利于光譜轉(zhuǎn)換材料的更換。
以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完 全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù) 性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
一種光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，包括太能電池陣列(1)，其特征是在所述的太陽電池陣列(1)的電池片的受光面前方區(qū)域設(shè)置光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)將電池光譜響應(yīng)差的短波段吸收并轉(zhuǎn)移到電池光譜響應(yīng)理想的長波段，轉(zhuǎn)移后通過電池片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)包括介質(zhì)和用于光譜下轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)均勻分散 在介質(zhì)中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)的受光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層(4)和/或光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)的 背光面設(shè)置至少一層普通介質(zhì)層(4)，普通介質(zhì)層(4)的透光率1~>85%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的介質(zhì)是玻 璃板(7)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)直接摻到玻璃板(7)中得到彩色平板的光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層 (2)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是將所述的彩色平板的 光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2)、EVA膜(6)、電池陣列(1)禾PTPT背板(5)層壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的介質(zhì)是涂 層或薄膜(8)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)均勻分散在涂層或薄膜(8)中得到光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層(2) 。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是將所述均勻分散半導(dǎo) 體量子點(diǎn)(3)的涂層涂抹在玻璃板(7)的背光面，在涂層固化后，將覆蓋涂層的玻璃板(7) 和多晶硅電池陣列(1)、PVB膜(9)、玻璃背板(5)層壓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是將所述均勻分散半導(dǎo) 體量子點(diǎn)(3)的涂層涂抹在玻璃板(7)的受光面，在涂層固化后，將帶有固化涂層的玻璃板 (7)與電池陣列(1)、EVA膜(6)、玻璃背板(5)層壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的介質(zhì)是包 含半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)的穩(wěn)定液體，半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)均勻分散在穩(wěn)定液體中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是將中間留有薄層空隙 的玻璃板(7)、PVB膜(9)、電池陣列(1)、TPT背板(5)層壓，將含有半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3)的穩(wěn) 定液體注入玻璃板(7)的薄層空隙。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)(3) 是指II-VI族化合物的納米顆粒，具有同質(zhì)或者異質(zhì)多層的結(jié)構(gòu)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光譜下轉(zhuǎn)移彩色電池組件，其特征是所述的半導(dǎo)體量子 點(diǎn)(3)是具有核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CdSe@CdS或CdSe@ZnS量子點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能光電轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對光譜具有下轉(zhuǎn)移功能的彩色電池組件，包括太能電池陣列，在所述的太陽電池陣列的電池片的受光面前方區(qū)域設(shè)置光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層將電池光譜響應(yīng)差的短波段吸收并轉(zhuǎn)移到電池光譜響應(yīng)理想的長波段，轉(zhuǎn)移后通過電池片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層包括介質(zhì)和用于光譜下轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體量子點(diǎn)，半導(dǎo)體量子點(diǎn)均勻分散在介質(zhì)中，半導(dǎo)體量子點(diǎn)是指II-VI族化合物的納米顆粒，具有同質(zhì)或者異質(zhì)多層的結(jié)構(gòu)，在光譜下轉(zhuǎn)移光學(xué)介質(zhì)層的受光和背光面設(shè)置普通介質(zhì)層，增強(qiáng)組件對太陽光譜的短波部分的響應(yīng)，并有效減輕電池?zé)嵝?yīng)。
文檔編號H01L31/055GK101707223SQ200910213499
公開日2010年5月12日 申請日期2009年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者劉振陽, 李達(dá), 沈輝, 黃強(qiáng) 申請人:中山大學(xué);常州天合光能有限公司