專利名稱：黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層及其電池制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，尤其涉及薄膜型太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，尤指具有黃銅礦 型光吸收層的薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代社會(huì)，能源日益為人們所看重，隨著以石油、煤炭等不可再生資源的逐漸消 耗，人們覺(jué)得可再生資源才是我們?nèi)祟悓?lái)的主要能源，比如風(fēng)能、水能、太陽(yáng)能等?，F(xiàn)有利 用太陽(yáng)能的方式，一般是通過(guò)半導(dǎo)體材料吸收光能再將其儲(chǔ)存在電池中，稱為太陽(yáng)能電池。 太陽(yáng)能電池現(xiàn)有包括硅太陽(yáng)能電池，薄膜型太陽(yáng)能電池等等。晶體硅太陽(yáng)能電池現(xiàn)在應(yīng)用較廣，薄膜太陽(yáng)能電池日益被人們所熟悉，常見(jiàn)的， 以黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體銅銦硒Cdr^e2 (簡(jiǎn)稱CIS)、銅銦鎵硒CuIna7GEia3Si52簡(jiǎn)稱 (CIGS)或銅銦鎵硫 Culn。. 7Ga0.3S2 (簡(jiǎn)稱 CIGS)或銅銦鎵硒硫 Culn。. 7Ga0.3SxSe2_x (簡(jiǎn)稱 CIGSS) 等材料作為直接帶隙材料，以其作為光吸收層的薄膜太陽(yáng)能電池，被認(rèn)為是最具發(fā)展前景 的第三代化合物光伏電池之一，稱其為黃銅礦型太陽(yáng)能電池。如圖1所示，黃銅礦型太陽(yáng)能電池一般從下至上均包括如下結(jié)構(gòu)襯底1、金屬背 電極2、光吸收層3、過(guò)渡層4、窗口層5、透明電極層6、電極引線層7等。如銅銦硒或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫或銅銦鎵硒硫太陽(yáng)能電池，一般是在金屬預(yù)置層 的基礎(chǔ)上進(jìn)行硒化和/或硫化處理得到，硒化或硫化的方法有很多種，比如可以用Hje或 H2S或者用固態(tài)的％或S。然而通過(guò)此種在一層金屬預(yù)置層的基礎(chǔ)上進(jìn)行硒化或硫化的方法制備的光吸收 層均勻性還不夠好，有待進(jìn)一步提高。如果均勻性不好，模塊內(nèi)部小電池的開(kāi)路電壓、短路 電流密度等不一，串聯(lián)后電池的整體開(kāi)路電壓不僅不會(huì)相應(yīng)提高可能會(huì)引起內(nèi)部短路導(dǎo)致 電池作廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的光吸收層均勻性不夠好的技術(shù)問(wèn)題，提供一 種均勻性進(jìn)一步提高的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層的制備方法。一種黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，包括如下步驟Sl 制備一金屬預(yù)置層；S2 在金屬預(yù)置層表面形成硒層、或硫?qū)印⒒蛭驅(qū)?；S3 再在上述步驟S2中的硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)由闲纬梢粚咏饘兕A(yù)置層，形成一 A/B/A形的中間產(chǎn)物；S4 將所述中間產(chǎn)物進(jìn)行硒化和/或硫化處理。本發(fā)明同時(shí)提供了一種黃銅礦型太陽(yáng)能電池的制備方法包括依次形成襯底、金 屬背電極、光吸收層、過(guò)渡層、窗口層、透明電極層、電極引線層。采用本發(fā)明A/B/A三明治形結(jié)構(gòu)，在兩層金屬預(yù)置層內(nèi)部夾一層％或者S或者SeS層可以在硒化和/或硫化過(guò)程中內(nèi)部反應(yīng)更充分，均勻性進(jìn)一步提高，結(jié)晶更好，晶相


圖1是黃銅礦型太陽(yáng)能電池示意圖；圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式
中光吸收層制備方法示意圖；圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式
中光吸收層制備流程示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例1制備銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例2制備銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例3制備銅銦鎵硒硫太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；
圖7是本發(fā)明實(shí)施例4制備銅銦硒太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖8是比較例1制備得到銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖9是比較例2制備得到銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖10是比較例3制備得到銅銦鎵硒硫太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖11是比較例4制備得到銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖；圖12是比較例5制備得到銅銦硒太陽(yáng)能電池XRD測(cè)試圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合 附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以 解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。眾所周知，如圖1，黃銅礦型太陽(yáng)能電池一般從下至上均包括如下部件襯底1、金 屬背電極2、光吸收層3、過(guò)渡層4、窗口層5、透明電極層6及電極引線層7等。襯底1 其材料為鈣鈉玻璃，鈉鈣玻璃厚度2mm，玻璃作為電池的襯底1即基板起到 支撐電池的作用，另外鈉鈣玻璃含有Na離子，Na離子可擴(kuò)散至光吸收層，可幫助光吸收層 3的生長(zhǎng)，減少缺陷的形成，提高載流子濃度使電池的開(kāi)路電壓提高。此外襯底還可以是不 銹鋼片或者柔性襯底等，由此可將電池制成不同彎曲的形狀。金屬背電極2 其材料為Mo (鉬)，層厚度1. 0 μ m左右，采用磁控濺射法制備。作 為薄膜太陽(yáng)能電池的背電極，另外Mo層本身?yè)駜?yōu)生長(zhǎng)有利于后期制備。光吸收層3 組成為銅銦鎵硒或銅銦鎵硫或銅銦鎵硒硫，用于將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電 能，其制備方法將在下面具體描述。過(guò)渡層4 過(guò)渡層又稱為緩沖層，其材料CdS (硫化鎘)、h2Se3 (三硒化二銦)、 SiS(硫化銦)等，厚度30 50nm，制備方法CBD即化學(xué)水浴法，作用CdS致密、與光吸收 層晶格失配小、減小晶界，同時(shí)起到保護(hù)光吸收層免受后層(i-ZnO/AZO)濺射沉積時(shí)粒子 的轟擊，是光吸收層與i-ZnO過(guò)渡層。窗口層5 材料本征i-&i0(氧化鋅)，與CdS —起構(gòu)成電池的η型，由此與P型的 光吸收層組成PN結(jié)；厚度50 SOnm ；制備方法射頻磁控濺射。透明電極層6 材料AZO即氧化鋅鋁；厚度0. 8 1. 0 μ m ；制備方法直流磁控濺 射；作用上電極，收集電流。
電極引線層7:鋁帶作為電池的上電極引線，用電烙鐵錫焊焊接在電池的上電極， 起到集流的作用。黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其制備流程如圖3所示，可形象的參見(jiàn) 其制備的方法圖示，如圖2所示，包括如下步驟Sl 制備一金屬預(yù)置層31 ；其材料為銅銦或銅銦鎵，銅銦鎵實(shí)際只是部分鎵取代 了部分的銦，其制作方法一般是直接在沉積有金屬背電極的襯底上通過(guò)磁控濺射的方法沉 積一層銅銦或銅銦鎵。該金屬預(yù)置層在本領(lǐng)域內(nèi)又被稱作前驅(qū)膜。金屬預(yù)置層31材料為銅銦時(shí)，一般其通過(guò)濺射銅銦靶材沉積銅銦膜制得銅銦金 屬預(yù)置層31。經(jīng)硒化后的黃銅礦型太陽(yáng)能電池稱作銅銦硒Cdr^e2 (簡(jiǎn)稱CIS)太陽(yáng)能電池。金屬預(yù)置層31材料為銅銦鎵時(shí)，可采用銅鎵靶材和銅銦靶材濺射得到金屬預(yù)置 層31 ；制備時(shí)可先濺射銅鎵靶材沉積銅鎵膜，在濺射銅銦靶材沉積銅銦膜，得到金屬預(yù)置 層。也可先濺射銅銦靶材沉積銅銦膜，再濺射銅鎵靶材沉積銅鎵膜，制備金屬預(yù)置層?；蛘?將銅銦靶材和銅鎵靶材共同濺射，比如將銅銦靶材和銅鎵靶材共同置于真空磁控濺射設(shè)備 中，旋轉(zhuǎn)襯底，使銅銦靶材和銅鎵靶材均勻?yàn)R射到基體上，得到金屬預(yù)置層；或者采用銅銦 鎵靶材通過(guò)磁控濺射方法制備金屬預(yù)置層。經(jīng)硒化和/或硫化后得到的太陽(yáng)能電池包括 銅銦鎵硒CuIna7GEia3Si52簡(jiǎn)稱(CIGS)或銅銦鎵硫CuIna7Giia3S2 (簡(jiǎn)稱CIGS)或銅銦鎵硒硫 CuIn0.7G￡i0.3SxSe2_x (簡(jiǎn)稱 CIGSS)太陽(yáng)能電池。制備得到的金屬預(yù)置31層厚度一般為0. 4 0. 6 μ m。S2 在金屬預(yù)置層31表面形成硒層或硫?qū)踊蛭驅(qū)?2 ；形成的方法為在金屬預(yù)置 層31的表面采用磁控濺射的方式沉積一層硒或硫或硒硫。硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)拥暮穸?為 0. 5 0. 8 μ m。S3 再在上述步驟S2中的硒層或硫?qū)踊蛭驅(qū)?2上形成一層金屬預(yù)置層31，形 成一 A/B/A形(可形象的看成三明治形)的中間產(chǎn)物30;該制備得到的中間產(chǎn)物30厚度 為0. 4 0. 6 μ m。該方法基本與Sl步驟相同，因此不再贅述。S4 將所述中間產(chǎn)物30進(jìn)行硒化和/或硫化處理。硒化和硫化反應(yīng)為本領(lǐng)域技術(shù) 人員所公知。所謂硒化和/或硫化處理指包含下面三種情況只進(jìn)行硒化處理?；蛑贿M(jìn)行硫化處理?；蛳群蠡蛲瑫r(shí)進(jìn)行硒化和硫化處理。比如，將中間產(chǎn)物30用碘鎢燈或者其他光源加熱烘烤，真空5X10_3Pa，硒化和/ 或硫化過(guò)程保持在硒或硫或硒硫的飽和蒸汽壓狀態(tài)，從室溫開(kāi)始加熱，升溫時(shí)間5 7min， 升溫速率50°C /min左右；至280 350°C內(nèi)保持，于此溫度恒溫3 5min ；再快速升溫至 500 550°C并恒溫20 60min ；恒溫時(shí)間隨蒸汽壓而定，蒸汽壓越高硒化和/或硫化時(shí) 間可縮短，反之則延長(zhǎng)硒化和/或硫化時(shí)間；隨后薄膜在20 40min內(nèi)階梯降溫至250 350°C，降溫梯度起到保護(hù)光吸收層的作用，時(shí)間可延長(zhǎng)但不宜減少，過(guò)快降溫易導(dǎo)致薄膜 脫膜等現(xiàn)象，而時(shí)間延長(zhǎng)太多生產(chǎn)效率降低，由目前實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，20min左右較好；后自 然冷卻至室溫，即得到我們所要的光吸收層3。光吸收層3的厚度一般在1. 5 2 μ m，優(yōu)選 2 μ m左右。
制備黃銅礦型太陽(yáng)能電池的方法包括依次形成襯底1、金屬背電極2、光吸收層3、 過(guò)渡層4、窗口層5、透明電極層6、電極引線層7 ；除本發(fā)明提供的制備光吸收層3的方法 外，其余均為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，制備光吸收層3的方法如上述已經(jīng)描述的內(nèi)容。比 如，在襯底1上沉積鉬，金屬鉬為金屬背電極2，然后在金屬背電極2上沉積金屬預(yù)置層31， 在金屬預(yù)置層31上濺射硫或硒或硒硫?qū)?2后，再濺射一層金屬預(yù)置層31，硒化和/或硫化 后在金屬背電極31上形成光吸收層3 ；之后由CBD法制備CdS緩沖層，再磁控濺射法制備 本征i-ZnO層和透明導(dǎo)電薄膜AZO層，最后制備電極引線即完成電池的制備。實(shí)施例1本例制備銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池的方法在鈉鈣玻璃上濺射沉積1. 0 μ m的Mo背電 極層，再與Mo層上直流磁控濺射沉積Cuhfei金屬層0. 5 μ m后射頻磁控濺射沉積0. 5 μ m 的％層最后再濺射沉積0. 5 μ m的Cuhfe1層，然后由碘鎢燈或者其他光源烘烤基片，升溫 趨勢(shì)為從室溫5min加熱至350°C并于此溫度恒溫3 5min，再快速升溫至50(TC并恒溫 20min反應(yīng)生成光吸收層，隨后薄膜在20min內(nèi)階梯降溫至350°C后自然冷卻至室溫。恒溫 過(guò)程均在在硒氣氛下進(jìn)行。薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖4。所制備的CIGS薄膜為晶相單一的光電薄 膜材料，且具有(11 擇優(yōu)取向。實(shí)施例2本例制備銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池的方法在鈉鈣玻璃上濺射沉積1. 0 μ m的Mo背電 極層，再與Mo層上直流磁控濺射沉積Cuhfei金屬層0. 4 μ m后射頻磁控濺射沉積0. 8 μ m的 S層最后再濺射沉積0. 6 μ m的Cuhfei層，然后由碘鎢燈或者其他光源烘烤基片，升溫趨勢(shì) 為從室溫5min加熱至350°C并于此溫度恒溫3 5min，再快速升溫至550°C并恒溫20min 反應(yīng)生成CIGS吸收層，隨后薄膜在20min內(nèi)階梯降溫至350°C后自然冷卻至室溫。550°C恒 溫過(guò)程均在硫氣氛中完成。薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖5。所制備的銅銦鎵硫薄膜為晶相單一的光電 薄膜材料，且具有(11 擇優(yōu)取向。實(shí)施例3本例制備銅銦鎵硒硫太陽(yáng)能電池的方法在鈉鈣玻璃上濺射沉積1. 0 μ m的Mo背 電極層，再與Mo層上直流磁控濺射沉積Cuhfei金屬層0. 4 μ m后射頻磁控濺射沉積0. 6 μ m 的％層最后再濺射沉積0. 6 μ m的Cuhfe1層，然后由碘鎢燈或者其他光源烘烤基片，升溫 趨勢(shì)為從室溫5min加熱至350°C并于此溫度恒溫3 5min，再快速升溫至550°C并恒溫 60min反應(yīng)生成銅銦鎵硒硫吸收層，隨后薄膜在20min內(nèi)階梯降溫至350°C后自然冷卻至室 溫。整個(gè)恒溫過(guò)程在硒硫氣氛中進(jìn)行。薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖6。所制備的銅銦鎵硒硫薄膜為晶相單一的光 電薄膜材料，且具有(11 擇優(yōu)取向。實(shí)施例4本例制備銅銦硒太陽(yáng)能電池的方法大部分與實(shí)施例1相同，只是改變金屬預(yù)置 層材料為銅銦。薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖7。所制備的銅銦硒薄膜為晶相單一的光電薄 膜材料，且具有(11 擇優(yōu)取向。
比較例1只采用常規(guī)在金屬預(yù)置層上硒化制得銅銦鎵硒電池的方法在鈉鈣玻璃上濺射沉 積1. 0 μ m的Mo背電極層，再于Mo層上磁控濺射沉積Cuhfe1金屬預(yù)制層1. 0 μ m，將所制備 的金屬預(yù)制層移至硒化爐，抽真空至本底真空后加熱襯底，升溫趨勢(shì)從室溫5min加熱至 350°C并于此溫度恒溫3 5min，再快速升溫至500°C并恒溫20min反應(yīng)生成CIGS吸收層， 隨后薄膜在20min內(nèi)階梯降溫至350°C后自然冷卻至室溫。當(dāng)襯底溫度達(dá)到500°C后蒸發(fā) Se進(jìn)行硒化反應(yīng)，制備得到薄膜。薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖8。由XRD測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)，顯示含有hk、Cuk 化合物，并且同時(shí)含有Cuh金屬相等雜相，說(shuō)明明顯存在％不足，難以擴(kuò)散內(nèi)層反應(yīng)。比較例2在鈉鈣玻璃上濺射沉積1. 0 μ m的Mo背電極層，再于Mo層上磁控濺射沉積Cuhfei 金屬預(yù)制層1.0 μ m，將所制備的金屬預(yù)制層移至硒化爐，抽真空至本底真空后加熱襯底，升 溫趨勢(shì)從室溫5min加熱至350°C并于此溫度恒溫3 5min，再快速升溫至550°C并恒溫 40min反應(yīng)生成CIGS吸收層，隨后薄膜在20min內(nèi)階梯降溫至350°C后自然冷卻至室溫。當(dāng) 襯底溫度達(dá)到550°C后蒸發(fā)％進(jìn)行硒化反應(yīng)，薄膜晶體結(jié)構(gòu)由XRD測(cè)試，結(jié)果如圖9。所制備的薄膜由XRD測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)，盡管 溫度提高至550°C，硒化時(shí)間延長(zhǎng)至40min，但是依然顯示含有InSe雜相說(shuō)明明顯存在Se 不足，難以擴(kuò)散內(nèi)層反應(yīng)。比較例3-5采用現(xiàn)有常規(guī)技術(shù)制備得到銅銦鎵硒硫電池、銅銦鎵硫電池、或銅銦硒電池等黃 銅礦型太陽(yáng)能電池，對(duì)其進(jìn)行XRD測(cè)試，XRD測(cè)試圖分別如圖10、圖11、圖12，發(fā)現(xiàn)其中均含 有雜相。綜上所述，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，明顯不存在其他的雜相，內(nèi)部反應(yīng)更充分，結(jié)
晶更好，晶相單一。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，包括如下步驟51制備一金屬預(yù)置層；52在金屬預(yù)置層表面形成硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)樱?3再在上述步驟S2中的硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)由闲纬梢粚咏饘兕A(yù)置層，形成一 A/B/ A形的中間產(chǎn)物；54將所述中間產(chǎn)物進(jìn)行硒化和/或硫化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，在步驟 Sl和S3中制備所述金屬預(yù)置層的方法為采用銅鎵靶材和銅銦靶材濺射得到金屬預(yù)置層 或采用銅銦鎵靶材濺射得到金屬預(yù)置層。
3.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，在步驟 Sl和S3中制備所述金屬預(yù)置層的方法為采用銅銦靶材濺射得到金屬預(yù)置層。
4.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，步驟S2 中通過(guò)磁控濺射的方法在金屬預(yù)置層表面形成硒層或硫?qū)踊蛭驅(qū)印?br> 5.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，步驟S4 中硒化和/或硫化處理為將中間產(chǎn)物加熱烘烤，真空5X 10_3Pa，硒化和/或硫化過(guò)程保持 在硒或硫或硒硫的飽和蒸汽壓狀態(tài)，從室溫開(kāi)始加熱，至280 350°C內(nèi)保持，于此溫度恒 溫3 5min ；再快速升溫至500 550°C并恒溫20 60min ；在20 40min內(nèi)階梯降溫至 250 350°C，后自然冷卻至室溫。
6.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于，步驟Sl 中所述金屬預(yù)置層的厚度為0. 4 0. 6 μ m。
7.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于步驟S2 中的硒層或硫?qū)踊蛭驅(qū)雍穸葹?. 5 0. 8 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于在步驟 S3在硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)由闲纬傻慕饘兕A(yù)置層厚度為0. 4 0. 6 μ m。
9.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，其特征在于所述黃 銅礦型太陽(yáng)能電池包括銅銦硒太陽(yáng)能電池或銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池或銅銦鎵硫太陽(yáng)能電池 或銅銦鎵硫硒太陽(yáng)能電池。
10.一種黃銅礦型太陽(yáng)能電池制備方法，包括依次形成襯底、金屬背電極、光吸收層、過(guò) 渡層、窗口層、透明電極層及電極引線層；其特征在于所述光吸收層的制備方法為權(quán)利要 求1-9中任意一項(xiàng)所述的方法。
全文摘要
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的光吸收層均勻性不夠好的技術(shù)問(wèn)題，提供一種均勻性進(jìn)一步提高的黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層及其太陽(yáng)能電池的制備方法。一種黃銅礦型太陽(yáng)能電池光吸收層制備方法，包括如下步驟S1制備一金屬預(yù)置層；S2在金屬預(yù)置層表面形成硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)樱籗3再在上述步驟S2中的硒層、或硫?qū)?、或硒硫?qū)由闲纬梢粚咏饘兕A(yù)置層，形成一A/B/A形的中間產(chǎn)物；S4將所述中間產(chǎn)物進(jìn)行硒化和/或硫化處理。采用本發(fā)明A/B/A三明治形結(jié)構(gòu)，在兩層金屬預(yù)置層內(nèi)部夾一層Se或者S或者SeS層可以在硒化和/或硫化過(guò)程中內(nèi)部反應(yīng)更充分，均勻性進(jìn)一步提高，結(jié)晶更好，晶相單一。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102117862SQ20091023894
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者劉國(guó)文, 鐘北軍, 馬青云 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司