專利名稱：一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于光通信領域的光電子器件制備技術領域，特別涉及一種用于全光時鐘
恢復的集成光電子器件。
背景技術：
本發(fā)明是一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，可用于光數(shù)字通信網(wǎng)絡。它通過接收的數(shù)據(jù)信號中來同步地提取光時鐘信號，這個過程稱為光時鐘恢復。提取出來的光時鐘信號可以作為后續(xù)進行信號處理時的時間基準，從而用于光3R再生、復用/解復用、光交換等信號處理過程。 目前光通信網(wǎng)絡中比較成熟的光時鐘恢復技術是基于光_電_光的過程來實現(xiàn)的。也就是說，先將光信號轉換成電信號，然后利用鎖相環(huán)、壓控振蕩器等電子學常規(guī)方法從電信號中進行時鐘信號的提取，然后再將電時鐘信號調制到光波上，最終得到光時鐘。然而隨著光通信技術的發(fā)展，光通信網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)量越來越大，單信道的傳輸速率正在由10Gb/s向40Gb/s發(fā)展。如此高的比特率已經接近了電子器件本身的物理極限，通過光_電_光的過程來進行時鐘提取會變得十分困難。于是，基于光-光的過程來進行時鐘提取的技術，也就是全光時鐘恢復技術在近年來得到了廣泛的研究和發(fā)展。 在眾多全光時鐘恢復技術中，兩段式分布耦合(Two-SectionDistributedFeedback，TS-DFB)半導體激光器是一個相對比較簡單的方案。TS-DFB激光器由兩個DFB激光器組成。這兩個DFB激光器的波導有效折射率或光柵的布拉格波長存在一定差異，因此兩個DFB激光器的激射波長存在一定差異，從而激發(fā)出兩個模式。這兩個模式再拍頻就可以形成TS-DFB激光器的自脈動。 當波長和強度滿足一定條件的光信號注入到上述TS-DFB激光器中時，輸出脈沖的頻率和相位將被鎖定到輸入光信號的時鐘上，從而實現(xiàn)全光時鐘恢復。這種全光時鐘恢復有兩種模式非相干模式和相干模式，其原理如圖1所示。 在非相干模式中，輸入的光信號的波長和TS-DFB激光器的本征波長存在一定間隔， 一般大于lnm。這樣的光信號注入到TS-DFB激光器后，會對第一 DFB激光器段的載流子進行密度調制。這樣，第一 DFB激光器段的激射模式1兩邊將產生兩個邊帶3，它們與激射模式1的頻率間隔等于光信號的時鐘頻率。如果其中一個邊帶具有足夠大的功率，并且波長與第二 DFB激光器段的激射模式2足夠接近，那么第二 DFB激光器段就會被這個邊帶鎖定。這樣，TS-DFB激光器的兩個激射模式的拍頻頻率就正好是輸入光信號的時鐘頻率，從而實現(xiàn)了全光時鐘恢復。這種模式是通過注入光信號對激光器載流子的密度進行調制而實現(xiàn)的，所以對注入光信號的波長和偏振狀態(tài)是不敏感的，但是注入光的功率往往要求較大，從而有利于實現(xiàn)載流子密度調制。 在相干模式中，輸入光信號的載波波長4與TS-DFB激光器的一個激射波長1非常接近，使得注入光信號中由時鐘信號產生的兩個相干的模式分別鎖定住TS-DFB激光器的兩個激射模式，從而得到和輸入光信號時鐘同頻同相的輸出脈沖。相干模式對輸入光信號
4的波長、偏振要求較高，但是需要的注入功率相對非相干模式來說要小一些。
對于TS-DFB來說， 一個關鍵的技術環(huán)節(jié)就是使得其兩個DFB激光器的激射波長存在一定間隔，目前常用的做法包括利用電子束曝光的方法使兩個DFB激光器的光柵周期不一樣；或者設法使兩個DFB激光器的波導有效折射率存在差別，例如兩個DFB激光器的脊波導寬度存在ym量級的差別，從而影響其有效折射率。這些做法在工藝上無論是成本還是難度都較大，影響其實用化。

發(fā)明內容
針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器。該器件集成了至少兩個單獨的DFB段。由于DFB激光器的激射波長與光柵周期相關，因此可通過這兩個DFB激光器的波導之間存在一定夾角，造成它們光柵的有效布拉格波長存在一定差異，從而實現(xiàn)激射波長的差異(量級0. Olnm)。這樣，就可以利用非相干模式或相干模式實現(xiàn)全光時鐘恢復。 本發(fā)明采用的技術方案為所述激光器是一種在同一芯片上集成了至少兩個分布反饋半導體激光器的集成光電子器件，其結構為依次外延生長在N型襯底上的如下外延層下包層、下波導層、多量子阱有源層、光柵層、上波導層、上包層、歐姆接觸層，在所述N型襯底上鍍有N電極，在所述歐姆接觸層上鍍有P電極；其中，在生長過程中，在所述光柵層上制作出周期均勻的光柵結構。該器件在所述上包層上制作脊波導結構，在所述脊波導結構的兩側用Si02絕緣層來覆蓋或填平，脊頂上的Si02絕緣層被腐蝕。在所述兩個分布反饋激光器之間有一個電隔離區(qū)，在該電隔離區(qū)沒有所述P電極和所述歐姆接觸層。
所述電隔離區(qū)的波導存在一個彎曲角，該彎曲角可以使得所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段的激射光頻率差為20 200GHz。設光柵區(qū)域的周期為A。，兩個DFB激光器波導之間的夾角為9 ， nrff是DFB激光器波導的有效折射率，那么兩個DFB激光
'j_ '、cos^
差還可以通過調節(jié)兩個DFB激光器的注入電流來對所述激射光頻率差實現(xiàn)調諧。上述兩個DFB激光器在相同溫度和相同注入電流密度下的激射波長差對應的頻率差可以表示為
器在相同溫度和相同注入電流密度下的激射波長差為AA = 2 #A。
—1
，這個波長
i
cos61
—1
，其中，c是真空中光速，入。為光數(shù)字通信網(wǎng)絡所用的波長，
一般在1550nm附近。如果輸入光信號的時鐘頻率為F，那么只要F和Af足夠接近，就可以實現(xiàn)全光時鐘恢復。 所述第一 DFB激光器段和第二 DFB激光器段具有相同周期的光柵結構。所述第一 DFB激光器段的長度為300 500 y m，所述第二 DFB激光器段的長度為
300 500iim，所述電隔離區(qū)的長度為30 50 y m。 所述脊波導結構中的脊波導的寬度為2 4iim，高度為1.3 1.6iim，并且在制
作過程中其刻蝕深度不穿透所述上包層。 為了進一步優(yōu)化所述器件的工作性能，本發(fā)明還提出，在所述第一DFB激光器段和第二 DFB激光器段之間增加一個不含光柵結構的調相段，對光場進行調相，并且在所述第一 DFB激光器段與所述調相段之間、在所述調相段與所述第二 DFB激光器段之間各增加一個所述的電隔離區(qū)。 所述調相段的波導存在一定彎曲，彎曲角可以使得所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段的激射光頻率差為20 200GHz，并可以通過調節(jié)第一 DFB激光器段、第二 DFB激光器段和調相段的電流來對所述激射光頻率差進行調諧。 在所述調相段采用脊波導結構，該脊波導寬度為2 4 m，高度為1. 3 1. 6 m，
并且在制作過程中其刻蝕深度不穿透所述上包層，該脊波導兩側用Si02絕緣層來覆蓋或填平，然后腐蝕掉脊頂上的Si02絕緣層。 所述調相段的長度為100 500iim，兩端電隔離區(qū)的長度為30 50iim，并且所述電隔離區(qū)無P電極和歐姆接觸層。 所述彎曲波導雙波長激光器的輸出端面抗反射鍍膜，控制光的反射率在0. 01% 10%之間。 本發(fā)明的有益效果是，將相關半導體光電子器件實現(xiàn)了單片集成，集成度高、結構新穎，既能提高性能又能大大減少器件的體積，有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性；并且制作工藝簡
單、成本低、成品率高，適于大規(guī)模生產和應用，在未來的高速通訊領域具有良好的應用前
旦豕。


圖1是利用兩段式分布耦合激光器進行全光時鐘恢復的光譜示意圖； 圖2是集成了兩個DFB激光器的用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器；
圖3是集成了兩個DFB激光器和一個調相段的用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器； 圖4是利用彎曲波導雙波長激光器進行全光時鐘恢復的系統(tǒng)示意圖。
圖中標號 1-第一段DFB激光器的激射模式；2-第二段DFB激光器的激射模式；3-邊帶；4-注入光信號的載波波長；5-N電極；6-含下包層的襯底；7-下波導層；8-多量子阱有源層；9_光柵層；10-上波導層；11-上包層；12_Si02絕緣層；13_歐姆接觸層；14_P電極；
15-脊波導；16-端面；17-第一DFB激光器段；18-第二DFB激光器段；19-電隔離區(qū)；20-調相段；21-輸入光信號；22-環(huán)形器；23-用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，通過非相干模式
或者相干模式，實現(xiàn)全光時鐘恢復。為實現(xiàn)上述功能，本發(fā)明采用的具體實施方式
如下所
述 如圖2所示，該彎曲波導雙波長激光器在N型襯底上先生長出下包層，形成含下包層的襯底6，再依次生長如下外延層下波導層7、多量子阱有源層8、光柵層9、上波導層10、上包層11、歐姆接觸層13。在下包層的襯底6和歐姆接觸層13上分別鍍有N電極5和P電極14。該器件集成了兩個分布反饋(DistributedFeedback， DFB)激光器，分別是第一DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18，這兩個DFB激光器段具有相同的光柵結構。在上包層11上采用并制作脊波導15結構，脊波導15兩側用Si02絕緣層12覆蓋或填平。第一DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18相連的地方有一段電隔離區(qū)19，該段沒有P電極14和歐姆接觸層13，用以實現(xiàn)兩個DFB激光器之間的電隔離。 其中，第一 DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18的長度均為300 500 y m，電隔離區(qū)19的長度為30 50 m。脊波導15的寬度為2 5 y m。為增強光信號注入的強度，在所述器件的端面16采用抗反射鍍膜，控制光的反射率在0.01% 10%之間。
所述彎曲波導雙波長激光器的電隔離區(qū)19的脊波導15存在一定的彎曲角，彎曲的角度為9 。該彎曲角度會造成兩個DFB激光器在相同溫度和相同注入電流密度下的激射
1 、
光頻率存在-
-定差異，為:4^2^
1
，其中，c是真空中光速，A。為光數(shù)字通信網(wǎng)200GHz。這個頻率差Af可以通
々 、cos^ .
絡所用的波長，A。為光柵層9的光柵周期，Af為20過調節(jié)兩個DFB激光器的注入電流來實現(xiàn)調諧。 為了進一步優(yōu)化所述器件的工作性能，本發(fā)明還提出，在所述第一DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18之間增加一個不含光柵結構調相段20，對光場進行調相，所述相調段20在與第一 DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18的相鄰部位分別含有一個電隔離區(qū)19，該段沒有P電極14和歐姆接觸層13，用以實現(xiàn)兩個DFB激光器和調相段之間的電 所述相調段20的長度為100 500 y m，采用脊波導15結構，脊波導15兩側用Si02絕緣層12覆蓋或填平。所述相調段20的脊波導15存在一定的彎曲角，彎曲的角度為9 。該彎曲角度會造成兩個DFB激光器在相同溫度和相同注入電流密度下的激射光頻率存
1 、
在一定差異，為:4/"=,
f層9的光教
cos 6*
.1
，其中，c是真空中光速，入。為光數(shù)字通信網(wǎng)絡所用的
f周期。這個頻率差Af可以通過調節(jié)兩個DFB激光器的注入電
波長，A。為光^流來實現(xiàn)調諧。 所述彎曲波導雙波長激光器應用于圖4所示的系統(tǒng)中。光信號21經過一個環(huán)形器22注入到用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器23中。輸入光信號的時鐘頻率為F，波長為入。。調節(jié)所述器件兩個DFB激光器以及調相段的注入電流，使得其激射的頻率差Af接近輸入光信號的時鐘頻率為F。根據(jù)輸入光信號21的注入光信號的載波波長4的不同，可以分別采用非相干模式或者相干模式來進行全光時鐘恢復。 如果輸入的光信號21的注入光信號的載波波長4和所述彎曲波導雙波長激光器的本征波長存在一定間隔(一般大于lnm)，則采用非相干模式。光信號21注入到用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器23后，會對第一 DFB激光器段17的載流子進行密度調制。這樣，第一 DFB激光器段的激射模式1兩邊將產生兩個邊帶3，它們與第一段DFB激光器的激射模式l的頻率間隔等于光信號的時鐘頻率。由于其中一個邊帶具有足夠大的功率，并且波長與第二 DFB激光器段18的第二段DFB激光器的激射模式2足夠接近，所以第二 DFB激光器段18就會被這個邊帶鎖定。這樣所述彎曲波導雙波長激光器的兩個激射模式的拍頻頻率就正好是輸入光信號的時鐘頻率，從而實現(xiàn)了全光時鐘恢復。
如果輸入的光信號21的光信號的載波波長4和彎曲波導雙波長激光器的本征波長非常接近，則采用相干模式。由于輸入光信號的載波波長4與彎曲波導雙波長激光器的一個第一段DFB激光器的激射模式1非常接近，使得注入光信號中由時鐘信號產生的兩個
7相干的模式分別鎖定住所述器件的兩個激射模式，從而得到和輸入光信號時鐘同頻同相的輸出脈沖。 下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的光生微波集成光電子器件進行進一步的說明。
實施例1 : 圖2是一種集成了兩個DFB激光器的用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器。工作波長在1550nm波段內，通過非相干模式或者相干模式實現(xiàn)全光時鐘恢復的InGaAsP/InP基集成光電子器件。 該器件在一個芯片上集成了兩個分布反饋激光器，分別是第一 DFB激光器段17和第二DFB激光器段18。 首先，器件的外延材料如下所述。通過金屬有機化學氣相沉積(MetalOrganicChemical V即or D印osition，MOCVD)法，首先在n型襯底材料做第一次外延，生長出n型InP下包層，形成含下包層的襯底6 (厚度200nm、摻雜濃度約1 X 1018cm—2)，再依次外延生長出100nm厚非摻雜晶格匹配InGaAsP波導層7 (光熒光波長1. 2 y m)、應變InGaAsP多量子阱8 (光熒光波長1. 52 ii m， 7個量子阱阱寬8nm， 0. 5 %壓應變，壘寬10nm，晶格匹配材料，光熒光波長1. 2 ii m) 、70nm厚的InGaAsP光柵材料層9。接下來通過全息干涉曝光的方法制作出周期均勻的光柵結構。然后再利用MOCVD 二次外延生長100nm厚p型晶格匹配InGaAsP波導層10 (光熒光波長1. 2 y m，摻雜濃度約1 X 1017cm—2) 、 1. 7 y m厚P型InP上包層11 (摻雜濃度從3X 1017cm—2逐漸變化為1 X 1018cm—2)和lOOnm厚的p型InGaAs歐姆接觸層13 (摻雜濃度> 1 X 1019cm—2)。 整個器件采用脊波導15結構，通過光刻和干法刻蝕的方法制作出脊波導15，脊寬均為3iim，高1.5iim。脊波導15的中部存在一個彎曲角，角度為1. 2° 。通過等離子增強化學氣相淀積(Plasma Enhanced Chemical Vapour D印osition， PECVD)的方法在脊波導15兩側用Si02絕緣層12來覆蓋或填平，然后腐蝕掉脊頂上的Si02。用濺射的方法制作P電極14和N電極5。 P電極14的材料是Cr/Au合金，N電極5的材料是Ti/Au合金。其中，P電極14包括兩個部分一部分長400 m，作為第一 DFB激光器段17的P電極14 ;另一部分長400 ii m，作為第二 DFB激光器段18的P電極14。第一 DFB激光器段17與第二 DFB激光器段18的之間有一段40 m長的區(qū)域，該區(qū)域的歐姆接觸層被腐蝕掉，形成第一 DFB激光器段17與第二 DFB激光器段18的電隔離區(qū)19。在輸出端面16進行抗反射鍍膜，以增強光信號注入的強度，使得光的反射率在10—4到10%之間。 本實例的特征參數(shù)為制成的集成器件中，兩個DFB激光器的閾值電流典型值均為lOmA，邊模抑制比達到40dB以上。應用圖4所示系統(tǒng)，可以對時鐘頻率為20 200GHz的光信號進行全光時鐘恢復，其時間抖動小于200fs。
實施例2 : 圖3是一種集成了兩個DFB激光器和一個調相段的用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器。工作波長在1550nm波段內，通過非相干模式或者相干模式實現(xiàn)全光時鐘恢復的InGaAsP/InP基集成光電子器件。 該器件在一個芯片上集成了兩個分布反饋激光器，分別是第一 DFB激光器段17和第二 DFB激光器段18，還集成了一個調相段20。 首先，器件的外延材料如下所述。通過金屬有機化學氣相沉積(MetalOrganicChemical V即or D印osition，MOCVD)法，首先在n型襯底材料做第一次外延，生長 出n型InP下包層，形成含下包層的襯底6 (厚度200nm、摻雜濃度約1 X 1018cm—2)，再依次 生長lOOnm厚非摻雜晶格匹配InGaAsP波導層7 (光熒光波長1. 2 y m)、應變InGaAsP多量 子阱8(光熒光波長1.52iim，7個量子阱阱寬8nm，0. 5%壓應變，壘寬10nm，晶格匹配材 料，光熒光波長1. 2 ii m) 、70nm厚的InGaAsP光柵材料層9。接下來通過全息干涉曝光的方 法制作出光柵結構，并通過光刻和濕法腐蝕的方法去除調相段20區(qū)域內的光柵。然后再利 用MOCVD 二次外延生長lOOnm厚p型晶格匹配InGaAsP波導層10 (光熒光波長1. 2 y m，摻 雜濃度約1 X 1017cm—2) 、 1. 7 ii m厚P型InP上包層11 (摻雜濃度從3 X 1017cm—2逐漸變化為 1 X 1018cm—2)禾P lOOnm厚的p型InGaAs歐姆接觸層13 (摻雜濃度> 1 X 1019cm—2)。
整個器件采用脊波導15結構，通過光刻和干法刻蝕的方法制作出脊波導15，脊寬 均為3iim，高1.5iim。脊波導15的中部存在一個彎曲角，角度為1. 2° 。通過等離子增強 化學氣相淀積(Plasma Enhanced Chemical Vapour D印osition， PECVD)的方法在脊波導 15兩側用Si02絕緣層12來覆蓋或填平，然后腐蝕掉脊頂上的Si02。用濺射的方法制作P 電極14和N電極5。 P電極14的材料是Cr/Au合金，N電極5的材料是Ti/Au合金。其中， P電極14包括三個部分一部分長400 m，作為第一 DFB激光器段17的P電極14 ;一部分 長200 ii m，作為調相段20的P電極14 ;另一部分長400 y m，作為第二 DFB激光器段18的P 電極14。第一 DFB激光器段17與調相段20之間、調相段20與第二 DFB激光器段18的之 間均有一段40 m長的區(qū)域，該區(qū)域的歐姆接觸層被腐蝕掉，形成第一 DFB激光器段17與 調相段20之間、調相段20與第二 DFB激光器段18的之間的電隔離區(qū)19。在輸出端面16 進行抗反射鍍膜，以增強光信號注入的強度，使得光的反射率在10—4到10%之間。
本實例的特征參數(shù)為制成的集成器件中，兩個DFB激光器的閾值電流典型值均 為lOmA，邊模抑制比達到40dB以上。應用圖4所示系統(tǒng)，可以對時鐘頻率為20 200GHz 的光信號進行全光時鐘恢復，其時間抖動小于200fs。
權利要求
一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述激光器是一種在同一芯片上集成了至少兩個分布反饋半導體激光器的集成光電子器件，其結構為依次外延生長在N型襯底上的如下外延層下包層、下波導層、多量子阱有源層、光柵層、上波導層、上包層、歐姆接觸層，在所述N型襯底上鍍有N電極，在所述歐姆接觸層上鍍有P電極；以及，制作在所述上包層上的脊波導結構，在所述脊波導結構的兩側用SiO2絕緣層來覆蓋或填平，并將脊波導頂上的SiO2絕緣層腐蝕掉；以及，兩段依次分別集成在所述脊波導結構兩端上的第一DFB激光器段和第二DFB激光器段，在所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段相連處設置電隔離區(qū)，在該電隔離區(qū)沒有所述P電極和所述歐姆接觸層；以及，在所述光柵層上在生長過程中制作出光柵結構。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述第一 DFB激光器段和第二 DFB激光器段具有相同周期的光柵結構。
3. 根據(jù)權利要求1所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述電隔離區(qū)的波導存在一個彎曲角，該彎曲角可以使得所述第一DFB激光器段和第二 DFB激光器段的激射光頻率差為20 200GHz，并可以通過調節(jié)第一 DFB激光器段和第二DFB激光器段的電流來對所述激射光頻率差進行調諧。
4. 根據(jù)權利要求1所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述第一 DFB激光器段的長度為300 500 y m，所述第二 DFB激光器段的長度為300 500iim，所述電隔離區(qū)的長度為30 50iim。
5. 根據(jù)權利要求1所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述脊波導結構中的脊波導的寬度為2 4 m，高度為1. 3 1. 6 m，并且在制作過程中其刻蝕深度不穿透所述上包層。
6. 根據(jù)權利要求1所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，在所述第一 DFB激光器段和第二 DFB激光器段之間增加一個不含光柵結構的調相段，對光場進行調相，并且在所述第一 DFB激光器段與所述調相段之間、在所述調相段與所述第二 DFB激光器段之間各增加一個所述的電隔離區(qū)。
7. 根據(jù)權利要求6所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述調相段的波導存在一定彎曲，彎曲角可以使得所述第一 DFB激光器段和第二 DFB激光器段的激射光頻率差為20 200GHz，并可以通過調節(jié)第一 DFB激光器段、第二 DFB激光器段和調相段的電流來對所述激射光頻率差進行調諧。
8. 根據(jù)權利要求6所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，在所述調相段采用脊波導結構，該脊波導寬度為2 4 m，高度為1. 3 1. 6 m，并且在制作過程中其刻蝕深度不穿透所述上包層，該脊波導兩側用Si02絕緣層來覆蓋或填平，然后腐蝕掉脊頂上的Si02絕緣層。
9. 根據(jù)權利要求6所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述調相段的長度為100 500 m，兩端電隔離區(qū)的長度為30 50 m，并且所述電隔離區(qū)無P電極和歐姆接觸層。
10. 根據(jù)權利要求1或6所述的一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，其特征在于，所述彎曲波導雙波長激光器的輸出端面抗反射鍍膜，控制光的反射率在0. 01 % 10%之間。
全文摘要
一種用于全光時鐘恢復的彎曲波導雙波長激光器，屬于光通信領域的光電子器件技術領域。該光電子器件將兩個分布反饋半導體激光器集成在同一個襯底上，在襯底上依次外延下波導層、多量子阱有源層、光柵層、上波導層、上包層、歐姆接觸層。兩個分布反饋半導體激光器具有相同周期的光柵結構，其波導存在一定彎曲角，從而造成兩個分布反饋激光器的激射光波長存在一定差異，進而可用于全光時鐘恢復。本發(fā)明結構新穎，制作工藝簡單，將在未來的高速通訊領域具有良好的應用前景。
文檔編號H01S5/40GK101719630SQ20091024227
公開日2010年6月2日 申請日期2009年12月8日 優(yōu)先權日2009年12月8日
發(fā)明者孫長征, 熊兵, 羅毅, 黃縉 申請人:清華大學