專利名稱：晶圓表面脫液處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓表面脫液處理裝置，特別是一種半導(dǎo)體晶圓表面高速離心脫
液、除雜質(zhì)的處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)的生產(chǎn)加工中，晶圓在存儲、裝載和卸載的過程中，以及每一處理步驟后，通常都會在晶圓表面留下污染物，如顆粒物，金屬離子，有機(jī)物等。不同的污染物需要采用不同的清洗方法。而在每一步的清洗后都需要充分去掉粘附在晶圓表面的液體和附著物，以免在下一步的工藝中產(chǎn)生新的反應(yīng)和污染。在集成電路元件的工藝中，最頻繁的工藝步驟就是晶圓洗凈。晶圓洗凈的目的乃是為了去除附著于晶圓表面上的有機(jī)化合物、金屬雜質(zhì)或微粒。而這些污染物會對于產(chǎn)品后續(xù)工藝的影響非常大。 在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝中，為了去掉晶圓表面的液體，往往采用高壓惰性氣體將其吹走，例如氮?dú)鈽尩?，這樣做不僅費(fèi)時(shí)費(fèi)力，不易于大批量生產(chǎn)；而且不能保證充分將晶圓表面液體完全去掉，同時(shí)也可能引入一些新的雜質(zhì)，對下一步的工藝產(chǎn)生影響，對器件的最終性能帶來不可預(yù)知的問題。也有一些方法是對晶圓進(jìn)行脫水烘焙，去除晶圓在清洗過程中可能吸收的任何水分。但是這種方法容易在晶圓的表面上出現(xiàn)水痕的現(xiàn)象。而水痕的生成易造成器件合格率與電性能不佳等問題。而且，空氣中的氧也很容易和去離子水在晶圓表面形成弱酸，而影響器件的性能。因此，如何防止晶圓表面產(chǎn)生水痕，以及防止空氣中的氧和去離子水在晶圓表面形成弱酸是很重要的。清洗過程中使用的一些高濃度的化學(xué)試劑在一定的高溫下進(jìn)行，顆粒、金屬以及化學(xué)試劑沾污不可避免地會有一些殘留在晶圓片表面，這都會對半導(dǎo)體器件的可靠性和產(chǎn)品性能產(chǎn)生不利影響。因此，一種簡單可行的去除晶圓表面液體和附著物的方法是非常重要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓表面高速離心脫液、除雜質(zhì)的處理裝置，它能將晶圓表面的任何液體和一些吸附顆粒雜質(zhì)在高速離心作用下迅速甩掉，同時(shí)對晶圓不產(chǎn)生任何新的雜質(zhì)，對晶圓沒有任何機(jī)械損傷，而且該裝置耐酸耐堿，不易腐蝕，清洗方便。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓表面脫液處理裝置，其特征在于，其中包括 —卡口部，為空心柱體，其一端沿柱體的中心橫向開有一貫通的矩形凹槽，該卡口部用于與其他高速離心旋轉(zhuǎn)裝置接合； —晶圓托，為盤狀，一面為凸起部，另一面為凹部，該晶圓托的凸起部的中心與卡口部的未開有矩形凹槽的一端固接，該晶圓托用于放置晶圓。 其中所述固接后的卡口部與晶圓托的中心開有一貫通的漏液孔，該漏液孔用于初始液體的漏掉。 其中所述晶圓托的外徑的邊緣形成有一阻擋環(huán)，該阻擋環(huán)高于晶圓托的表面，該
3阻擋環(huán)用于旋轉(zhuǎn)時(shí)擋住晶圓，防止晶圓飛出。 其中該阻擋環(huán)沿軸心的放射方向開有多個脫液孔，用于旋轉(zhuǎn)時(shí)液體的甩掉。 其中漏液孔的直徑為2-4mm。 其中阻擋環(huán)上脫液孔的數(shù)量為24-30個。 其中脫液孔的直徑為2-2. 5mm。 其中所述的卡口部與晶圓托用聚四氟乙烯材料制成。 其中所述的卡口部與晶圓托為一體結(jié)構(gòu)。


以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作一詳細(xì)描述，以便進(jìn)一步說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)和技術(shù)內(nèi)容，其中 圖1為本發(fā)明一種晶圓表面脫液處理裝置的正視圖。
圖2為本發(fā)明一種晶圓表面脫液處理裝置的立體示意圖。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖1和圖2所示，本發(fā)明一種晶圓表面脫液處理裝置包括
—^f^口部l，該卡口部1為空心柱體，外高為20mm，內(nèi)深16mm ;外徑為24mm，內(nèi)徑為16mm，壁厚4mm。并在其一端沿柱體的中心橫向開有一貫通的矩形凹槽11，該凹槽11的槽寬3mm，深6mm。該卡口部1主要用于與其他高速離心旋轉(zhuǎn)裝置對接，使該脫液裝置能與離心裝置緊密接合，因此可根據(jù)不同的離心旋轉(zhuǎn)裝置接口來改變該卡口部1的形狀和尺寸；
—晶圓托2，為盤狀，一面為凸起部，另一面為凹部，該晶圓托2的凸起部的中心與卡口部1的未開有矩形凹槽ll的一端固接，該晶圓托2用于放置晶圓；其中所述晶圓托2的外徑的邊緣形成有一阻擋環(huán)4，該阻擋環(huán)4高于晶圓托2的表面，該阻擋環(huán)4用于旋轉(zhuǎn)時(shí)擋住晶圓，防止晶圓飛出，同時(shí)對晶圓沒有任何損傷，而且便于晶圓表面的液體往下滑落。
該晶圓托2的直徑為66. 4mm，該晶圓托2的壁厚為3. 3mm，該晶圓托2上部口徑大小根據(jù)晶圓的直徑大小可以改變，以適應(yīng)不同大小晶圓。 其中所述固接后的卡口部1與晶圓托2的中心開有一貫通的漏液孔3，該漏液孔3用于初始液體的漏掉。該漏液孔3是一貫通的通孔，直徑為2-4mm(本實(shí)施例為3mm)，其圓心與晶圓托2底部圓心和卡口部1頂部圓心重合。其作用主要是當(dāng)晶圓剛剛置于晶圓托2上時(shí)，晶圓表面初始液體可以方便的從漏液孔3漏掉； 所述的阻擋環(huán)4，該阻擋環(huán)4置于晶圓托2上部，該阻擋環(huán)4高于晶圓托2的表面，該阻擋環(huán)4的外徑與晶圓托2的直徑相同，該阻擋環(huán)4的厚度為lmm。其作用主要是對放入裝置中的晶圓在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)起到阻擋作用，防止晶圓飛出。 多個脫液孔5，該脫液孔5沿阻擋環(huán)4軸心的放射方向均勻分布在阻擋環(huán)4側(cè)壁
上，該脫液孔5的直徑為2-2. 5mm(本實(shí)施例為2mm)，該脫液孔5的數(shù)量為24-30個(本實(shí)
施例為24個)。其作用是當(dāng)晶圓在該裝置中高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，可以很方便的使晶圓表面附著的
液體和沾污沿脫液孔5甩掉，沒有任何殘留，而且方便清洗； 其中所述的卡口部1與晶圓托2是采用聚四氟乙烯材料制成。 所述的卡口部1與晶圓托2還可以為一體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提出的一種晶圓表面脫液處理裝置，結(jié)構(gòu)簡單，便于加工。整個裝置都采用聚四氟乙烯制成，耐酸耐堿， 一般液體都不會對它產(chǎn)生腐蝕，經(jīng)久耐用，而且便于清洗。通過該裝置對晶圓表面的液體和附著物進(jìn)行清除，方法簡單實(shí)用，成本低廉，而且不會對下一步工藝帶來任何污染，對提高器件的成品率有很大的作用。 以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種晶圓表面脫液處理裝置，其特征在于，其中包括一卡口部，為空心柱體，其一端沿柱體的中心橫向開有一貫通的矩形凹槽，該卡口部用于與其他高速離心旋轉(zhuǎn)裝置接合；一晶圓托，為盤狀，一面為凸起部，另一面為凹部，該晶圓托的凸起部的中心與卡口部的未開有矩形凹槽的一端固接，該晶圓托用于放置晶圓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中所述固接后的卡口部與晶圓托 的中心開有一貫通的漏液孔，該漏液孔用于初始液體的漏掉。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中所述晶圓托的外徑的邊緣形成 有一阻擋環(huán)，該阻擋環(huán)高于晶圓托的表面，該阻擋環(huán)用于旋轉(zhuǎn)時(shí)擋住晶圓，防止晶圓飛出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中該阻擋環(huán)沿軸心的放射方向開 有多個脫液孔，用于旋轉(zhuǎn)時(shí)液體的甩掉。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中漏液孔的直徑為2-4mm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中阻擋環(huán)上脫液孔的數(shù)量為 24-30個。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中脫液孔的直徑為2-2. 5mm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中所述的卡口部與晶圓托用聚四 氟乙烯材料制成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓表面脫液處理裝置，其中所述的卡口部與晶圓托為一體 結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種晶圓表面脫液處理裝置，其特征在于，其中包括一卡口部，為空心柱體，其一端沿柱體的中心橫向開有一貫通的矩形凹槽，該卡口部用于與其他高速離心旋轉(zhuǎn)裝置接合；一晶圓托，為盤狀，一面為凸起部，另一面為凹部，該晶圓托的凸起部的中心與卡口部的未開有矩形凹槽的一端固接，該晶圓托用于放置晶圓。
文檔編號H01L21/00GK101740354SQ20091024275
公開日2010年6月16日 申請日期2009年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月16日
發(fā)明者馮小明, 劉素平, 張海艷, 李全寧, 熊聰, 羅泓, 馬驍宇 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所