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一種環(huán)加載微帶貼片天線的制作方法

文檔序號:7182509閱讀:225來源:國知局
專利名稱:一種環(huán)加載微帶貼片天線的制作方法
技術領域
本發(fā)明屬于微波通信領域,特別涉及一種環(huán)加載微帶貼片天線。
背景技術
由于單層微帶天線主要是諧振式微帶天線,相對帶寬較窄,在設計寬頻微帶天線 時,層疊微帶天線是一種易實現(xiàn)且可行性較強的微帶天線形式。 微帶天線由于其低剖面性在結構及物理性能等方面具有許多突出優(yōu)點,對于帶寬 較寬的情況,目前多采用多層貼片結構來展寬微帶天線的阻抗帶寬。多層貼片的設計思想 是當采用參差調(diào)諧的緊耦合回路時,頻帶將會展寬。根據(jù)該思想設計多層貼片構成的微 帶天線,適當調(diào)整各層貼片的尺寸,當頂層元諧振和輻射時,第二層貼片作為它的接地面, 而當?shù)诙釉C振并輻射時,則頂層的貼片作為一個電感性的耦合元件,依此類推, 一層疊 一層,實現(xiàn)寬頻帶工作。當要求天線工作在L波段的1. 15 1. 19GHz、1.28 1. 32GHz、 1. 62 1. 68GHz三個頻段時,采用多層貼片天線的具體設計過程為首先進行中層和下層 貼片的尺寸和間距的設計,使其工作于1. 15 1. 19GHz、1. 28 1. 32GHz,這樣作為上層貼 片接地板的中層微帶的尺寸就基本確定了,然后進行工作于1. 62 1. 68GHz頻段的上層貼 片的設計,由于微帶天線輻射的三個頻段都在L頻段,采用普通的微帶貼片時上層貼片尺 寸相對中層貼片(上層貼片的等效接地板)來說比較大,導致上層貼片天線口徑場分布比 較松散,同時主極化增益低,副瓣電平高,軸比性能不好;而且影響下面兩層貼片的輻射性 能。 另外,也有將環(huán)加載技術用于天線頻帶展寬的,但主要用于喇叭天線。比如西北工 業(yè)大學碩士論文"彈載天線設計及互耦分析"第5. 2. 2節(jié)"介質(zhì)環(huán)加載圓錐喇叭天線模型分 析"中,介紹了在圓錐喇叭的適當位置放入一段適當厚度和長度的介質(zhì)環(huán)形成介質(zhì)環(huán)加載 圓錐喇叭天線。其原理是從左邊光壁波導入射的波模在介質(zhì)環(huán)加載波導中轉換為混合模, 這些混合模在其右邊的光壁波導段轉換為TE模和TM模。介質(zhì)環(huán)加載圓錐喇叭天線是混合 模激勵的多模圓錐喇叭天線。通俗的來講,介質(zhì)環(huán)加載喇叭天線中環(huán)加載的作用是將從左 邊光壁波導入射的波模在介質(zhì)環(huán)加載波導中轉換為混合模。但由于原理、結構和材料等方 面的不同,這一技術未能用于貼片天線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術解決問題克服傳統(tǒng)層疊微帶貼片天線的不足,提供一種主極化增 益高,副瓣、后瓣電平低,軸比性能優(yōu)良的環(huán)加載微帶貼片天線。 本發(fā)明的技術解決方案環(huán)加載微帶貼片天線,包括反射板、下層貼片、中層貼片 和環(huán)加載的上層貼片,三層貼片及反射板之間由中心開孔的短路金屬柱支撐;上層貼片上 疊放蓋板,蓋板上開槽,上層貼片的饋線穿過短路金屬柱中心的孔在蓋板的開槽部分接阻 抗匹配段,然后饋到中層貼片上;所述中層貼片饋電端口和下層貼片饋電端口與貼片圓心 連線成9(T夾角,饋入信號幅度相等、相位相差90。的圓極化輻射波;所述上層貼片的邊沿向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)。 所述上層貼片的形狀為圓形、或矩形、或環(huán)形、或加微擾貼片形狀。 在所述上層貼片翻下來的環(huán)上,沿幾何中心對稱挖出兩個豁口形成微擾。
當所述上層貼片是圓形或環(huán)形貼片時,豁口為圓弧形;當所述上層貼片為矩形貼
片時,豁口為方形。 —種環(huán)加載微帶貼片天線,包括由短路金屬柱支撐的反射板和上層貼片,反射板 和上層貼片之間通過饋電探針饋電;所述上層貼片的邊沿向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點在于 (1)本發(fā)明利用環(huán)加載技術,通過將上層貼片的邊沿向下翻轉,使上層貼片的增益 得到提高,副瓣、后瓣電平降低,而且整個天線的電性能優(yōu)良。對于上層貼片而言,采用普通 貼片時,天線的口徑場分布相對松散。而上層微帶貼片采用環(huán)加載貼片技術后,對于上層貼 片而言,天線的口徑場分布相對集中,使得主極化增益有所提高,副瓣、后瓣電平降低;而且 電場的兩個正交分量幅度平衡,相差更穩(wěn)定,所以上層天線的圓極化性能更優(yōu),軸比性能得 到改善。同時,就下面兩層貼片來講,上層貼片采用環(huán)加載技術后,上層貼片的橫向尺寸有 所減小,降低了上層貼片對下層低頻輻射貼片的耦合作用,使得天線在工作頻段范圍性能 更優(yōu)。 (2)本發(fā)明采用環(huán)加載貼片的設計方法,在接地板尺寸受限的情況下,使天線的口 面靜電場分布更集中,使微帶天線具有高增益、低副瓣、低后瓣等優(yōu)良性能,有效地減小單 層微帶天線的橫向尺寸,適應星上越來越苛刻的空間要求。在微帶貼片天線中,中層貼片同 時作為上層貼片的接地板使用,因此,當中層貼片作為1. 28 1. 32GHz的輻射貼片時的尺 寸確定后,其作為上層貼片的接地板使用的相對尺寸也已經(jīng)確定。為了相對地增加等效接 地板尺寸,把上層貼片周圍向下翻轉,形成一個邊沿似瓶蓋狀的環(huán),即設計成環(huán)加載貼片的 形式。這樣既減小了貼片的橫向尺寸,也達到了相對地增加等效接地板尺寸的目的,同時降 低了副瓣和后瓣,改善了軸比。 (3)本發(fā)明中,上層貼片采用單探針饋電加微擾的方式實現(xiàn)圓極化,下層微帶貼片 則采用雙探針正交饋電技術,保證天線具有良好的阻抗帶寬和軸比帶寬,降低饋電的復雜 度,簡化了結構。 (4)本發(fā)明中,上層貼片采用單探針饋電加微擾的方式實現(xiàn)圓極化,兩個中心對稱 的微擾可以使天線工作于兩個空間上正交的簡并模,易于實現(xiàn)圓極化。 (5)本發(fā)明中,下層微帶貼片采用雙探針正交饋電技術,以激勵一對極化正交的簡 并模,易于實現(xiàn)圓極化。


圖1為本發(fā)明的一種環(huán)加載微帶貼片天線結構剖面示意圖; 圖2為本發(fā)明的一種環(huán)加載微帶貼片天線結構俯視透視示意圖; 圖3為上層貼片立體結構示意圖; 圖4為無環(huán)加載貼片時1. 68GHz頻點的波束方向圖; 圖5為無環(huán)加載貼片時1. 68GHz頻點的軸比曲線圖; 圖6為采用環(huán)加載貼片時1. 68GHz頻點的波束方向 圖7為采用環(huán)加載貼片時1. 68GHz頻點的軸比曲線圖;
圖8為實施例2中單層微帶天線的示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
實施例1 本實施例設計一個工作在L波段的三個頻段的三層微帶天線。 如附圖1所示,本發(fā)明的環(huán)加載微帶貼片天線,包括反射板1、下層貼片2、中層貼
片3和環(huán)加載的上層貼片4,三層貼片及反射板1之間由短路金屬柱6支撐,短路金屬柱6
中心開有過孔。上層貼片4的邊沿11向下翻轉形成環(huán)加載形式,如圖3所示。在上層貼片
4上疊放蓋板5,蓋板5上開槽。上層貼片4的饋線10穿過短路金屬柱6中心的過孔,在蓋
板5的開槽部分接阻抗匹配段12,然后饋到中層貼片3上。加阻抗匹配段12是為了使上層
貼片天線與50Q同軸線(即天線與后續(xù)電路間的連接)匹配,如圖2所示。 本實施例中,下層貼片2采用正交饋電的方式來實現(xiàn)圓極化,中層貼片3通過下層
貼片2電磁耦合的方式饋電,上層貼片4采用單點饋電加微擾的方式實現(xiàn)圓極化。 本實施例中,下層微帶貼片采用雙探針正交饋電技術中層貼片3的饋電端口8和
下層貼片2的饋電端口9與貼片圓心連線成90。夾角,饋入信號幅度相等、相位相差90。,
以實現(xiàn)圓極化輻射波。 本實施例中,下層貼片2和中層貼片3均為圓形貼片,上層貼片4為帶環(huán)加載的圓 形貼片。 本實施例中,在上層貼片4翻下來的邊沿11上加兩個中心對稱的微擾7,即在上層 貼片4翻下來的邊沿11上沿幾何中心對稱挖出兩個豁口形成微擾,本實施例中,由于上層 貼片4是圓形貼片,因此豁口形狀為圓弧形。通過增加微擾7,可以改善上層貼片天線的口 徑靜電場分布,使得天線的口徑靜電場分布更集中,主極化增益提高,軸比性能改善,副瓣、 后瓣降低;同時減小了對下面兩層貼片的耦合作用。 附圖3為上層貼片4采用環(huán)加載技術后的模型圖。圖中,圓形的上層貼片4周圍 向下翻轉所成的邊沿11。上層貼片4采用環(huán)加載技術以后可以有效地提高天線的主極化增 益、降低副瓣、后瓣,改善天線的軸比性能。 如附圖4、5、6、7所示為上層貼片4采用環(huán)加載技術前后方向圖以及軸比曲線圖。 可以看出在三個頻段內(nèi)有良好的圓極化低仰角性能。上層貼片4沒有采用環(huán)加載技術時, 主極化增益約8. 9dB,副瓣約24dB,在±15°范圍內(nèi),軸比約6dB ;采用環(huán)加載技術后,主極 化增益約9.4dB,副瓣約31dB,在±15°范圍內(nèi),軸比小于2dB。相比之下,采用環(huán)加載貼片 技術后,上層貼片天線的主極化增益提高了 0.5dB,在±15°仰角范圍軸比降低了 4dB,副 瓣降低了7dB。 對上面所描述的模型進行統(tǒng)一建模仿真,優(yōu)化輻射體的尺寸、高度和饋電點的位 置,使之工作在所需要的頻點。而環(huán)加載貼片4翻下來的邊沿11的高度以及所加微擾7的 長度是比較敏感的參數(shù),微調(diào)這兩個參數(shù)可以獲得性能優(yōu)異的寬頻微帶天線。微調(diào)即以天 線電性能為目標變量,在一定范圍內(nèi)不斷調(diào)整更新這兩個參數(shù)。
實施例2
本發(fā)明的環(huán)加載天線技術不僅可以應用于層疊微帶天線,也可以應用于單層微帶 天線。 如圖8所示,實施例2設計了一個工作在1. 2GHz的單層微帶天線,包括反射板1、 上層貼片4、短路金屬柱6和饋電探針13,采用單探針饋電實現(xiàn)線極化。仿真表明,適當調(diào) 節(jié)饋電探針13位置、上層貼片4的高度以及上層貼片4翻下來邊沿的高度,可以得到良好 的電性能。 當上層貼片4沒有采用環(huán)加載技術時,反射板1的直徑約220mm ;采用環(huán)加載技術 后,在達到同樣電性能的情況下,反射板1的直徑約170mm。與沒有采用環(huán)加載的普通貼片 相比,反射板1的橫向尺寸縮小到采用普通貼片時的四分之三。 當然,本領域技術人員可以理解在不背離本發(fā)明廣義范圍的前提下,可以對上 述實施例進行改動,比如,環(huán)加載技術不僅僅適用于圓形微帶貼片,同樣適用于其它形狀貼 片,如矩形、環(huán)形貼片、加微擾貼片以及各種變形貼片等;而且環(huán)加載技術中翻下來的邊沿 即加載部分的形狀也可以相對的做一些變化、調(diào)整。因而,本發(fā)明并不僅限于所公開的特定 實施例,其范圍應當涵蓋所附權利要求書限定的本發(fā)明的核心及保護范圍內(nèi)的所有變化。 本發(fā)明未公開的技術屬于本領域公知技術。
權利要求
一種環(huán)加載微帶貼片天線,其特征在于包括反射板(1)、下層貼片(2)、中層貼片(3)和環(huán)加載的上層貼片(4),三層貼片及反射板(1)之間由中心開孔的短路金屬柱(6)支撐;上層貼片(4)上疊放蓋板(5),蓋板(5)上開槽;上層貼片(4)的饋線穿過短路金屬柱(6)中心的孔在蓋板(5)的開槽部分接阻抗匹配段(12),然后饋到中層貼片(3)上;所述中層貼片(3)饋電端口(8)和下層貼片(2)的饋電端口(9)與貼片圓心連線成90°夾角,饋入信號幅度相等、相位相差90°的圓極化輻射波;所述上層貼片(4)的邊沿(11)向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)。
2. 根據(jù)權利要求1的一種環(huán)加載微帶貼片天線,其特征在于所述上層貼片(4)的形 狀為圓形、或矩形、或環(huán)形、或加微擾貼片形狀。
3. 根據(jù)權利要求1或2的一種環(huán)加載微帶貼片天線,其特征在于在所述上層貼片(4) 的邊沿(11)向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)上,沿幾何中心對稱挖出兩個豁口形成微擾(7) 。
4. 根據(jù)權利要求3的一種環(huán)加載微帶貼片天線,其特征在于當所述上層貼片(4)是 圓形或環(huán)形貼片時,豁口為圓弧形;當所述上層貼片(4)為矩形貼片時,豁口為方形。
5. —種環(huán)加載微帶貼片天線,其特征在于包括由短路金屬柱(6)支撐的反射板(1) 和上層貼片(4),反射板(1)和上層貼片(4)之間通過饋電探針(13)饋電;所述上層貼片 (4)的邊沿(11)向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種環(huán)加載微帶貼片天線,包括反射板(1)、下層貼片(2)、中層貼片(3)和環(huán)加載的上層貼片(4),三層貼片及反射板(1)之間由中心開孔的短路金屬柱(6)支撐;上層貼片(4)上疊放蓋板(5);上層貼片(4)的饋線穿過短路金屬柱(6)中心的孔在蓋板(5)上接阻抗匹配段(12),然后饋到中層貼片(3)上;中層貼片(3)饋電端口(8)和下層貼片(2)的饋電端口(9)與貼片圓心連線成90°夾角,饋入信號幅度相等、相位相差90°的圓極化輻射波;上層貼片(4)的邊沿(11)向下翻轉形成類似瓶蓋狀的環(huán)。本發(fā)明將上層貼片的邊沿向下翻轉,利用環(huán)加載技術,使上層貼片的增益得到提高,副瓣、后瓣電平降低。
文檔編號H01Q13/08GK101794935SQ20091024328
公開日2010年8月4日 申請日期2009年12月30日 優(yōu)先權日2009年12月30日
發(fā)明者劉波, 吳春邦, 張群, 楊文麗, 羅耀輝, 蔡木仁, 趙泓懿, 黎紅武 申請人:西安空間無線電技術研究所
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