專利名稱:半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)及等離子體顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明的實施例涉及一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)及具有該安裝結(jié)構(gòu)的等離子體 顯示器件。
背景技術(shù):
鑒于半導體封裝的尺寸逐漸減小,集成度增加。隨著半導體芯片性能的改善,半導 體封裝的形狀以各種方式變化。傳統(tǒng)的膜上芯片(chip on film, C0F)半導體封裝是其中 至少一個半導體芯片安裝在膜型柔性基板上的封裝,其中在該膜型柔性基板上形成信號布 線。COF半導體封裝是柔性的以便具有彎曲的形狀,其具有簡單的結(jié)構(gòu)而沒有印刷電路板 (PCB),能以低成本制作得輕且薄并適于在引線之間形成精細的節(jié)距。因此,COF半導體封 裝由于以上優(yōu)點而被廣泛地使用。例如,COF半導體封裝可被應用到等離子體顯示器件。一般地,等離子體顯示器件 是通過利用氣體放電而形成預定圖像的顯示器件。例如,等離子體顯示器件具有作為圖像 顯示單位的顯示面板。顯示面板包括以矩陣圖案布置的多個顯示單元和在每個顯示單元中 產(chǎn)生放電的多個放電電極。COF半導體封裝可插置在顯示面板與作為信號產(chǎn)生源的電路基 板之間,以轉(zhuǎn)換驅(qū)動信號并傳輸信號。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)和具有該安裝結(jié)構(gòu)的等離子體顯示器件, 該安裝結(jié)構(gòu)確保了適于半導體封裝的絕緣裝配,該半導體封裝具有用于提供自浮置接地的 結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的方案,提供一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu),包括半導體封裝;底架, 具有在相應于耦接孔的位置突出的耦接凸起;耦接構(gòu)件,穿過耦接孔并耦接到耦接凸起; 以及絕緣構(gòu)件,覆蓋加強板的耦接孔周圍并與耦接構(gòu)件和耦接凸起絕緣接觸。半導體封裝 包括具有耦接孔的加強板;基板,直接附著到加強板,基板用于在電路板與顯示面板之間 接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到加強板并與基板形成電接觸點。絕緣構(gòu)件可在加強板的表面上覆蓋耦接孔周圍。絕緣構(gòu)件可沿加強板的厚度方向 從加強板的表面延伸并圍繞耦接孔的內(nèi)壁。絕緣構(gòu)件可以是具有中空I形截面形狀的中空 構(gòu)件。加強板可提供半導體芯片的浮置接地,并可用作半導體芯片的散熱板。根據(jù)本發(fā)明的另一方案,提供一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu),包括半導體封裝;底 架,具有在相應于耦接孔的位置突出的耦接凸起;以及耦接構(gòu)件,穿過耦接孔并耦接到耦接 凸起。半導體封裝包括加強板;基板,直接附著到加強板,且用于在電路板與顯示面板之 間接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到加強板,半導體芯片與基板形成電接觸點。 加強板可包括第一金屬層;第二金屬層;以及絕緣基板,設置在第一金屬層與第二金屬層 之間。絕緣基板具有耦接孔。
多個通孔可形成在絕緣基板中,每個通孔可由導電填充劑填充,導電填充劑連接 在絕緣基板的兩個表面上的第一金屬層和第二金屬層。加強板和電路板可布置成彼此交疊,使得加強板的耦接孔和形成在電路板中的耦 接孔與底架的同一耦接凸起對準,并通過使用穿過每個耦接孔且耦接到耦接凸起的耦接構(gòu) 件固定在一起。 布置成彼此交疊的加強板和電路板可通過導電接觸部分形成信號傳輸線。加強板 的第一金屬層或第二金屬層與電路板的暴露布線可以彼此導電接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一方案,提供一種等離子體顯示器件,包括等離子體顯示面板, 通過利用氣體放電而形成圖像;至少一個電路板,產(chǎn)生用于等離子體顯示面板的驅(qū)動信號; 半導體封裝;底架,具有在相應于耦接孔的位置突出的耦接凸起;耦接構(gòu)件,穿過耦接孔并 耦接到耦接凸起;以及絕緣構(gòu)件,覆蓋加強板的耦接孔周圍并與耦接構(gòu)件和耦接凸起絕緣 接觸。半導體封裝包括具有耦接孔的加強板;基板,直接附著到加強板,用于在電路板與 顯示面板之間接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到加強板,與基板形成電接觸點。
絕緣構(gòu)件可在加強板的表面上覆蓋耦接孔周圍。絕緣構(gòu)件可沿加強板的厚度方向 從加強板的表面延伸并圍繞耦接孔的內(nèi)壁。絕緣構(gòu)件可以是具有中空I形截面形狀的中空 構(gòu)件。加強板可提供半導體芯片的浮置接地,并用作半導體芯片的散熱板。根據(jù)本發(fā)明的另一方案,提供一種等離子體顯示器件,包括等離子體顯示面板, 通過利用氣體放電而形成圖像;至少一個電路板,產(chǎn)生用于等離子體顯示面板的驅(qū)動信號; 半導體封裝;底架,具有在相應于耦接孔的位置突出的耦接凸起;以及耦接構(gòu)件,穿過耦接 孔并耦接到耦接凸起。半導體封裝包括加強板;基板,直接附著到加強板,用于在電路板 與顯示面板之間接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到加強板,半導體芯片與基板形 成電接觸點。加強板包括第一金屬層;第二金屬層;以及絕緣基板,設置在第一金屬層與 第二金屬層之間。絕緣基板具有耦接孔。多個通孔可形成在絕緣基板中,每個通孔可由導電填充劑填充,導電填充劑連接 絕緣基板的表面與在絕緣基板的兩個表面上的第一金屬層和所述第二金屬層。加強板和電路板可布置成彼此交疊使得加強板的耦接孔和形成在電路板中的耦 接孔與底架的同一耦接凸起對準,并通過利用穿過每個耦接孔且耦接到耦接凸起的耦接構(gòu) 件固定在一起。布置成彼此交疊的加強板和電路板可通過導電接觸部分形成信號傳輸線。加強板 的第一金屬層或第二金屬層與電路板的暴露布線可彼此導電接觸。
當參考以下結(jié)合附圖的詳細描述時,將能更好地理解本發(fā)明,所以本發(fā)明的更完 整的理解及其附帶的多個優(yōu)點將更加明顯,在附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的元 件,其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的示例的COF半導體封裝的平面圖;圖2是沿圖1的線II-II提取的半導體封裝的垂直截面圖;圖3是示出沿圖1的線III-III提取的半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)的垂直橫面圖4A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝的平面圖;圖4B是圖4A的加強板的平面圖;圖4C是沿圖4B的線C-C’提取的加強板的垂直截面圖;圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖;圖5B是示出圖5A的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖;圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖;圖6B是示出圖6A的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖;以及圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示器件的分解透視圖。
具體實施例在以下文中,將參考附圖更全面地描述本發(fā)明,在附圖中示出了本發(fā)明的示例性 實施例。如同本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的,所描述的實施例可以各種不同的方式被修改,所 有修改都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的膜上芯片(COF)半導體封裝(例如,半導體封裝10)的 平面圖。參照圖1,例如,半導體封裝10包括兩個或多個平行布置的半導體芯片IC和膜基 板15,該膜基板15提供IC的I/O布線并附著到加強板11。例如,半導體封裝10插置在作 為信號產(chǎn)生源的電路基板與顯示面板之間,用于轉(zhuǎn)換并傳輸信號。具體地,多個導電圖案13 在膜基板15上沿相反方向從半導體芯片IC延伸。例如,當沿一個方向延伸的導電圖案13 構(gòu)成用于從電路基板輸入信號的輸入布線13A時,沿相反方向延伸的導電圖案13構(gòu)成用于 輸出信號到顯示面板的輸出布線13B。耦接孔11’可形成在加強板11的至少一個拐角部分 中。通過利用穿過耦接孔11’的螺釘構(gòu)件(未示出),加強板11可安裝在底架(chassis) (未示出)上并耦接到底架。絕緣構(gòu)件180圍繞螺釘構(gòu)件插入其中的耦接孔11’布置,使得 螺釘構(gòu)件和加強板11可彼此絕緣接觸。這是為了防止加強板11與底架之間由于螺釘構(gòu)件 而引起的電短路,并保持由加強板11提供的浮置接地(floating ground),如以下所述。圖2是沿圖1的線II-II提取的半導體封裝10的垂直截面圖。參照圖2,半導體 封裝10包括作為支撐結(jié)構(gòu)的加強板11、布置在加強板11上的膜基板15以及直接安裝在 加強板11上并與膜基板15電接觸的半導體芯片IC。膜基板15具有其中多個功能層彼此 耦接的多層結(jié)構(gòu)。具體地,膜基板15包括基膜12、形成在基膜12上的導電圖案13以及用 于掩埋(burying)并絕緣導電圖案13的輻射蓋件(cover-ray) 14。粘合層17設置在各層 之間,從而形成單一的多層結(jié)構(gòu)。加強板11具有通過熱耦接到半導體芯片IC而消散半導體芯片IC的熱量并同時 為整個半導體封裝10提供浮置接地的功能。即,經(jīng)由設置在加強板11與半導體芯片IC之 間的導電粘合層19諸如銀(Ag)膏,在半導體芯片IC運行期間產(chǎn)生的運行熱被傳輸?shù)郊訌?板11。傳輸?shù)郊訌姲?1的熱通過對流傳熱從加強板11的外表面消散到外界環(huán)境。通過 例如采用接合線18d(如圖2所示)而用于信號的接口傳輸(interfacing transmission) 的線接合法,或者通過使用設置在半導體芯片IC與導電圖案13之間的導電凸塊(未示出) 而用于信號的接口傳輸?shù)膶щ娡箟K(conductive bump)方法,半導體芯片IC和導電圖案 13(具體地,導電圖案13的內(nèi)引線13i)彼此連接。半導體芯片IC和導電圖案13通過使用接地線18g連接到提供浮置接地的加強板11。因此,半導體芯片IC和導電圖案13可通過經(jīng)由加強板11彼此電連接而共享公共接地 電壓??墒褂脤щ娡箟K替代接地線18g。由例如表現(xiàn)出優(yōu)良的熱和電傳導性的鋁(Al)或銅 (Cu)形成的金屬板可用作加強板11。 附著在加強板11上的半導體芯片IC和膜基板15被樹脂模(resinmolding) 16諸 如環(huán)氧模塑料(印oxy molding composite, EMC)密封,從而形成集成半導體封裝。樹脂模 16密封半導體芯片以及半導體芯片IC與內(nèi)引線13i之間的接合部分,并使被密封的部分與 外部環(huán)境絕緣且保護被密封的部分不受外部環(huán)境影響。例如,利用錫(Sn)的板層13c形成 在導電圖案13的表面上以防止侵蝕。圖3是示出沿圖1的線III-III提取的半導體封裝10的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖。 參照圖3,在半導體封裝10插入從底架150的表面突出的耦接凸起(coupling boss) 151并 通過使用耦接到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155固定到底架150上時,半導體封裝10安裝在 底架150上。絕緣構(gòu)件180插入耦接孔11’,螺釘構(gòu)件155穿過耦接孔11’。絕緣構(gòu)件180 可以是圍繞耦接孔11’內(nèi)壁并具有在加強板11的上表面和下表面上覆蓋耦接孔11’的周 圍部分的中空“I”(I形狀)截面形狀的中空構(gòu)件。因為絕緣構(gòu)件180插在加強板11與螺 釘構(gòu)件155之間并在絕緣構(gòu)件180插入之后接觸耦接凸起151,所以加強板11與螺釘構(gòu)件 155和耦接凸起151絕緣,并且進一步地與和耦接凸起151具有耦接關(guān)系的底架150絕緣。一般地,耦接凸起151與由金屬材料形成的底架150—體形成,從而表現(xiàn)出導電 性。另外,耦接到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155可表現(xiàn)出導電性。因而,由于提供浮置接地 的加強板11通過使用絕緣構(gòu)件180而被絕緣地裝配,所以接地電勢可保持恒定,且可防止 半導體封裝的內(nèi)部電路由于與底架150電短路而引起的損傷。電路板160安裝在底架150上的另一位置處。電路板160可通過使用耦接凸起151 安裝在底架150上,然后通過耦接到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155被固定。形成膜基板15 一端的輸入布線13A插入形成在電路板160上的連接器161。膜基板15的輸入布線13A和 電路板160的端子通過使用連接器161而彼此電連接。因而,由電路板160產(chǎn)生的驅(qū)動信 號被傳輸?shù)桨雽w芯片IC且被半導體芯片IC的內(nèi)部電路轉(zhuǎn)換。例如,轉(zhuǎn)換后的驅(qū)動信號 可通過形成膜基板15的另一端的輸出布線13B輸出到顯示面板。圖4A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝20的平面圖。參照圖4A,在半導體 封裝20中,膜基板15和支撐膜基板15的加強板21彼此面對布置,其中多個導電圖案13 基本沿長度方向形成在膜基板15上。與導電圖案13電連接的半導體芯片IC安裝在加強 板21上。特別地,在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝20中,由于加強板21支撐膜基板15, 所以使用雙面PCB替代金屬板。圖4B是圖4A的加強板21的平面圖。圖4C是沿圖4B的線C_C’提取的加強板21 的垂直截面圖。參照圖4B和圖4C,實施為雙面PCB的加強板21具有其中第一金屬層21a 和第二金屬層21b形成于絕緣基板21S的上表面和下表面兩者上的多層結(jié)構(gòu)。穿過絕緣 基板21S的多個通孔21”形成在加強板21中的多個位置處。第一金屬層21a和第二金屬 層21b通過使用填充通孔21”的導電填充劑25而彼此連接。耦接孔21’可形成在加強板 21的至少一個拐角中。加強板21可通過使用穿過耦接孔21’的螺釘構(gòu)件155安裝在底架 (未示出)上并耦接到底架。因為插入耦接孔21’的螺釘構(gòu)件155 —般表現(xiàn)出導電性,所 以絕緣基板21S在除了第一金屬層21a和第二金屬層21b之外的形成耦接孔21’的位置處暴露。因而,螺釘構(gòu)件155與絕緣基板21S絕緣接觸。如下所述,這是為了防止第一金屬層21a和第二金屬層21b以及底架經(jīng)由螺釘構(gòu)件155而電短路,并為了保持接地電勢恒定,從 而可保護半導體芯片IC的內(nèi)部電路。圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)。圖5A是沿圖4A 的線V-V提取的垂直截面圖,示出了其中圖4A的半導體封裝20安裝在底架150上的結(jié)構(gòu)。 參照圖5A,半導體封裝20包括作為支撐結(jié)構(gòu)的加強板21、布置在加強板21上并與加強板 21電連接的半導體芯片IC、以及膜基板15。半導體封裝20通過使用從底架150突出的耦 接凸起151和耦接到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155而固定到底架150,且半導體封裝20插 置在耦接凸起151與螺釘構(gòu)件155之間。另一耦接凸起151在鄰近半導體封裝20的位置 處從底架150突出。電路板160通過使用耦接到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155而固定到底 架150。通過使用連接器161,作為信號產(chǎn)生源的電路板160可供應電信號到半導體封裝20 的輸入布線13A。圖5B是示出圖5A的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖。參照圖5B,具有雙面PCB形狀的加 強板21具有夾層結(jié)構(gòu),該夾層結(jié)構(gòu)包括分別布置在絕緣基板21S的上表面和下表面上的第 一金屬層21a和第二金屬層21b。第一金屬層21a和第二金屬層21b的主要目的是消散半 導體芯片IC的熱量,而不是用于信號的接口傳輸?shù)碾娺B接。利用通過穿透絕緣基板21S而 形成的導電填充劑25,第一金屬層21a和第二金屬層21b彼此熱連接。導電填充劑25填充 通孔21”,在第一金屬層21a和第二金屬層21b之間形成散熱路徑。導電填充劑25可由表 現(xiàn)出優(yōu)良熱傳導性的金屬材料諸如銅(Cu)和鋁(Al)形成。例如,在驅(qū)動半導體芯片IC期 間產(chǎn)生的運行熱被傳輸?shù)郊訌姲?1的第一金屬層21a,然后,經(jīng)由導電填充劑25被傳輸?shù)?加強板21的第二金屬層21b。最終,通過對流傳熱,熱量從第二金屬層21b的表面消散到外 部氣氛。除了用作半導體芯片IC的散熱板的功能之外,加強板21可提供對整個半導體封 裝20的浮置接地。即,利用與圖2中所示的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu),半導體芯片IC和膜基板15 經(jīng)由接地線18g直接接地到形成加強板21的表面的第一金屬層21a。因此,半導體芯片IC 和膜基板15經(jīng)由第一金屬層21a共享公共接地電勢。因為第一金屬層21a經(jīng)由導電填充 劑25電連接到第二金屬層21b,所以由第一金屬層21a和第二金屬層21b供應足夠量的電 容,從而可保持預定電平的接地電勢。提供浮置接地的加強板21以下列方式被絕緣地裝配 在底架150上。即,因為第一金屬層21a和第二金屬層21b被從耦接孔21’周圍去除以暴 露絕緣基板21S,且插入耦接孔21’的螺釘構(gòu)件155絕緣地接觸暴露的絕緣基板21S,所以 加強板21可與耦接凸起151或底架150絕緣。圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖。參 照圖6A,其上附著膜基板15的加強板21布置在從底架150突出的耦接凸起151上。加強 板21通過使用裝配到耦接凸起151的螺釘構(gòu)件155而固定在底架150上,且加強板21插 置在螺釘構(gòu)件155與耦接凸起151之間。作為信號產(chǎn)生源的電路板160通過使用相同的耦 接凸起151而安裝在底架150上。如在圖6A中所示,加強板21和電路板160布置成彼此 交疊。因為螺釘構(gòu)件155穿過加強板21和電路板160且旋轉(zhuǎn)耦接到耦接凸起151,所以加 強板21和電路板160可被同時固定。形成膜基板15的一端的輸入布線13A通過使用連接 器161而連接到電路板160。從電路板160產(chǎn)生的驅(qū)動信號經(jīng)由膜基板15的布線而被傳輸?shù)桨雽w芯片IC。圖6B是示出圖6A的安裝結(jié)構(gòu)的垂直截面圖。參照圖6B,加強板21具有夾層結(jié) 構(gòu),該夾層結(jié)構(gòu)包括布置在絕緣基板21S的上表面和下表面上的第一金屬層21a和第二金 屬層21b。第一金屬層21a和第二金屬層21b經(jīng)由填充圖4C的通孔21”的導電填充劑25 而彼此電連接,其中該通孔21”穿過絕緣基板21S。加強板21和電路板160布置成在從底 架150突出的耦接凸起151上彼此交疊并通過使用螺釘構(gòu)件155而裝配在底架150上,該 螺釘構(gòu)件155通過穿過加強板21和電路板160而耦接到耦接凸起151?;旧希盘柦?jīng)由形成在電路板160上的連接器161而在膜基板15與電路板160 之間傳輸。在本實施例中,替代連接器161或除了連接器161之外,在不使用連接器161的 前提下,也能傳輸信號,因為從加強板21的后表面暴露的第二金屬層21b通過螺釘構(gòu)件155 的按壓力而與電路板160的暴露布線直接導電接觸。在該情形下,通過設計第一金屬層21a 和第二金屬層21b、形成加強板21、與膜基板15連接,通過與第一金屬層21a和第二金屬層 21b的圖案以及膜基板15的布線的配合,預定信號可被傳輸?shù)桨雽w封裝IC。例如,經(jīng)由 加強板21的第二金屬層21b的圖案、導電填充劑25和第一金屬層21a的圖案以及布置在 加強板21上的膜基板15的布線,構(gòu)建從電路板160的暴露布線到半導體芯片IC的信號傳 輸線。以直接導電接觸方式連接加強板21和電路板160的方法可與使用連接器161的 方法一起使用,或者替代使用連接器161的方法。根據(jù)使用其中集成多個銷(pin)的連接器 161的方法,在膜基板15與電路板160之間的連接阻抗由于連接器161的小接觸面積而增 力口。在所建議的結(jié)構(gòu)中,因為加強板21的布線,特別地,因為第二金屬層21b和電路板160 能以大面積直接接觸,所以可以減小電接觸阻抗。如在圖6B中所示,因為連接器161的銷 的數(shù)量能因為在同時使用連接器161的方法中加強板21直接接觸電路板160而減少,所以 接觸阻抗也能減小。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示器件的分解透視圖。參照圖7,根據(jù)本 發(fā)明實施例的等離子體顯示器件包括等離子體顯示面板115,用于通過使用氣體放電而 形成預定圖像;底架150,結(jié)構(gòu)性支撐等離子體顯示面板115且其上安裝用于驅(qū)動等離子體 顯示面板115的多個電路板160 ;以及半導體封裝30,用于在電路板160與等離子體顯示面 板115之間轉(zhuǎn)換并傳輸信號。等離子體顯示面板115包括彼此面對耦接的前面板110和后 面板120。雖然在圖7中沒有示出,但是用于分隔多個放電單元的間隔壁形成于前面板110 和/或后面板120中,且用于產(chǎn)生放電的多個放電電極形成在每個放電單元中。每個放電 電極的端子部分連接到膜基板15并接收預定的驅(qū)動信號。底架150結(jié)構(gòu)性地支撐對外部沖擊脆弱的等離子體顯示面板115并同時消散由等 離子體顯示面板115產(chǎn)生的熱量。底架150可具有用于安裝電路板160和半導體封裝30的 安裝表面,電路板160和半導體封裝30用于驅(qū)動等離子體顯示面板115。為此,多個耦接凸 起151可從底架150的后表面突出。等離子體顯示面板115和底架150可通過互相施加預 定壓力而彼此耦接,且導熱片130和膠帶140插置在等離子體顯示面板115與底架150之 間。半導體封裝30包括至少一個半導體芯片IC ;膜基板15,提供半導體芯片IC的布 線;以及加強板31,提供安裝結(jié)構(gòu)且膜基板15和半導體芯片IC附著到該加強板31。因為螺釘構(gòu)件155螺旋耦接到從底架150突出的耦接凸起151,所以半導體封裝30可固定到底 架150,該螺釘構(gòu)件155插入形成在加強板31的拐角中的耦接孔。半導體封裝30,具體地, 半導體芯片IC,使用形成在電路板160上的連接器161,將來自電路板160的輸入信號轉(zhuǎn)換 成預定的驅(qū)動信號,供應轉(zhuǎn)換后的驅(qū)動信號到等離子體顯示面板115。半導體封裝30及其 安裝結(jié)構(gòu)的詳細實施例與參照圖1至圖6描述的相同,根據(jù)上述實施例的半導體封裝的所 有安裝結(jié)構(gòu)都可以應用。在此將省略其重復描述。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的安裝結(jié)構(gòu),確保了半導體封裝與底架之間的絕緣耦接,從 而可提供支撐新的半導體封裝的先驅(qū)技術(shù)。特別地,安裝結(jié)構(gòu)支持自身提供浮置接地的半 導體封裝的應用,從而基于穩(wěn)定的接地可改善產(chǎn)品的可靠性。另外,在實現(xiàn)以上效果時,本發(fā)明利用半導體封裝與電路板之間的直接導電接觸 而構(gòu)建信號傳輸線,從而與僅使用連接器的傳統(tǒng)連接方法相比,可實現(xiàn)減小半導體封裝與 電路板之間的接觸阻抗的額外效果。 雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域的技 術(shù)人員將理解在不脫離由以下權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下,可以在 此進行形式和細節(jié)的各種變化。本申請參考、在此結(jié)合2008年12月31日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的申請?zhí)枮?No. 10-2008-0138246的在先申請,并要求享有其所有權(quán)益。
權(quán)利要求
一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu),包括半導體封裝,包括加強板,具有耦接孔;基板,直接附著到所述加強板,所述基板在電路板與顯示面板之間作為接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到所述加強板,所述半導體芯片與所述基板形成電接觸點;底架,具有在相應于所述耦接孔的位置突出的耦接凸起;耦接構(gòu)件,穿過所述耦接孔并耦接到所述耦接凸起;以及絕緣構(gòu)件,覆蓋所述加強板的所述耦接孔周圍并與所述耦接構(gòu)件和所述耦接凸起絕緣接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述絕緣構(gòu)件在所述加強板的表面上覆蓋所 述耦接孔周圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述絕緣構(gòu)件沿所述加強板的厚度方向從所 述加強板的表面延伸并圍繞所述耦接孔的內(nèi)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述絕緣構(gòu)件是具有中空I形截面形狀的中 空構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述加強板提供所述半導體芯片的浮置接 地,并用作所述半導體芯片的散熱板。
6.一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu),包括 半導體封裝,包括加強板,包括 第一金屬層; 第二金屬層;以及絕緣基板,設置在所述第一金屬層與所述第二金屬層之間,所述絕緣基板具有耦接孔;基板,直接附著到所述加強板,所述基板在電路板與顯示面板之間作為接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到所述加強板,所述半導體芯片與所述基板形成電接觸點; 底架,具有在相應于所述耦接孔的位置突出的耦接凸起;以及 耦接構(gòu)件,穿過所述耦接孔并耦接到所述耦接凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝結(jié)構(gòu),其中多個通孔形成在所述絕緣基板中,每個通孔 由導電填充劑填充,導電填充劑連接在所述絕緣基板的兩個表面上的所述第一金屬層和所述第二金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述加強板和所述電路板布置成彼此交疊, 使得所述加強板的所述耦接孔和形成在所述電路板中的耦接孔與所述底架的所述耦接凸 起對準,并通過使用穿過每個耦接孔且耦接到所述耦接凸起的耦接構(gòu)件固定在一起。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的安裝結(jié)構(gòu),其中布置成彼此交疊的所述加強板和所述電路板 通過導電接觸部分形成信號傳輸線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝結(jié)構(gòu),其中所述加強板的所述第一金屬層或所述第二金屬層與所述電路板的暴露布線彼此導電接觸。
11.一種等離子體顯示器件,包括等離子體顯示面板,通過利用氣體放電而形成圖像; 至少一個電路板,為所述等離子體顯示面板產(chǎn)生驅(qū)動信號; 半導體封裝,包括 加強板,具有耦接孔;基板,直接附著到所述加強板,所述基板在所述電路板與所述等離子體顯示面板之間 作為接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到所述加強板,所述半導體芯片與所述基板形成電接觸點; 底架,具有在相應于所述耦接孔的位置突出的耦接凸起; 耦接構(gòu)件,穿過所述耦接孔并耦接到所述耦接凸起;以及絕緣構(gòu)件,覆蓋所述加強板的所述耦接孔周圍并與所述耦接構(gòu)件和所述耦接凸起絕緣 接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器件,其中所述絕緣構(gòu)件在所述加強板的表 面上覆蓋所述耦接孔周圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器件,其中所述絕緣構(gòu)件沿所述加強板的厚 度方向從所述加強板的表面延伸并圍繞所述耦接孔的內(nèi)壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器件,其中所述絕緣構(gòu)件是具有中空I形截 面形狀的中空構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器件,其中所述加強板提供所述半導體芯片 的浮置接地,并用作所述半導體芯片的散熱板。
16.一種等離子體顯示器件,包括等離子體顯示面板,通過利用氣體放電而形成圖像; 至少一個電路板,為所述等離子體顯示面板產(chǎn)生驅(qū)動信號; 半導體封裝,包括 加強板,包括 第一金屬層; 第二金屬層;以及絕緣基板,設置在所述第一金屬層與所述第二金屬層之間,所述絕緣基板具有耦接孔;基板,直接附著到所述加強板,所述基板在所述電路板與所述等離子體顯示面板之間 作為接口傳輸信號;以及半導體芯片,直接附著到所述加強板,所述半導體芯片與所述基板形成電接觸點; 底架,具有在相應于所述耦接孔的位置突出的耦接凸起;以及耦接構(gòu)件,穿過所述耦接 孔并耦接到所述耦接凸起。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器件,其中多個通孔形成在所述絕緣基板 中,每個通孔由導電填充劑填充,所述導電填充劑連接所述絕緣基板的表面與在所述絕緣 基板的兩個表面上的所述第一金屬層和所述第二金屬層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器件,其中所述加強板和所述電路板布置成彼此交疊使得所述加強板的所述耦接孔和形成在所述電路板中的耦接孔與所述底架的所 述耦接凸起對準,并通過利用穿過每個耦接孔且耦接到所述耦接凸起的耦接構(gòu)件固定在一 起。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示器件,其中布置成彼此交疊的所述加強板和 所述電路板通過導電接觸部分形成信號傳輸線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體顯示器件,其中所述加強板的所述第一金屬層或 所述第二金屬層與所述電路板的暴露布線彼此導電接觸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu)及等離子體顯示器件。該半導體封裝的安裝結(jié)構(gòu),包括半導體封裝;底架,具有在相應于耦接孔的位置突出的耦接凸起;耦接構(gòu)件,穿過耦接孔并耦接到耦接凸起;以及絕緣構(gòu)件,覆蓋加強板的耦接孔周圍并與耦接構(gòu)件和耦接凸起絕緣接觸。該半導體封裝包括基板,用于在電路板和顯示面板之間接口傳輸信號;半導體芯片,與基板形成電接觸點;以及加強板,基板和半導體芯片直接附著到該加強板。加強板具有耦接孔。
文檔編號H01L23/32GK101814459SQ20091026188
公開日2010年8月25日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者文壯豪, 金大瑛 申請人:三星Sdi株式會社