專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為用于功率M0SFET的高耐壓元件，已知有LDM0SFET。
圖10為具備以往的LDM0SFET的半導(dǎo)體裝置的示意剖面圖。 半導(dǎo)體裝置101具備厚膜SOI基板102。厚膜SOI基板102具有以下結(jié)構(gòu)在硅基板103上，隔著由氧化硅構(gòu)成的B0X層104，將由硅構(gòu)成的N—型的活性層105層疊。
在活性層105上，在層厚方向上貫通地形成有深槽106，其深度為從活性層105的表面到BOX層104為止。在深槽106的內(nèi)側(cè)面覆蓋有硅氧化膜107。 硅氧化膜107的內(nèi)側(cè)由多晶硅108填滿。由此，在活性層105上，形成有元件形成區(qū)域109，其被深槽106包圍，通過(guò)B0X層104及硅氧化膜107從其周圍絕緣隔離(介質(zhì)隔離)。 在元件形成區(qū)域109中，形成有LDM0SFET110。具體來(lái)說(shuō)，在元件形成區(qū)域109中，P型的基體區(qū)域111形成于活性層105?；w區(qū)域111沿著深槽106的側(cè)面，跨越活性層105的整個(gè)厚度而形成。 并且，元件形成區(qū)域109的基體區(qū)域111以外的區(qū)域?yàn)镹—型漂移區(qū)域112。
在基體區(qū)域111的表層部，N+型的源極區(qū)域113和P+型的基體接觸區(qū)域114互相相鄰地形成于與漂移區(qū)域112空有間隔的位置。在漂移區(qū)域112的表層部，N+型的漏極區(qū)域115形成于與基體區(qū)域111空有間隔的位置。 在漂移區(qū)域112的表面，在漏極區(qū)域115和基體區(qū)域111之間的部分上，與基體區(qū)域111空有間隔地形成有場(chǎng)氧化膜116。 在源極區(qū)域113和場(chǎng)氧化膜116之間，在活性層105的表面上形成有柵極氧化膜117。在柵極氧化膜117上形成有柵電極板118。柵電極板118隔著柵極氧化膜117與基體區(qū)域111及漂移區(qū)域112對(duì)置。 在場(chǎng)氧化膜116上，形成有與柵電極板118成為一體的場(chǎng)板119，其乘載于場(chǎng)氧化膜116的周緣部上。 并且，在場(chǎng)氧化膜116上形成有4個(gè)第一浮板120。 4個(gè)第一浮板120為互相相似的固定寬度的環(huán)狀。4個(gè)第一浮板120為包圍與漏極區(qū)域115連接的漏電極板122 (后述)的4層環(huán)狀，并且，配置為將漏電極板122和場(chǎng)板119之間等間隔地分割的狀態(tài)。各第一浮板120隔著場(chǎng)氧化膜116與漂移區(qū)域112對(duì)置。 在基體區(qū)域111上，形成有跨越源極區(qū)域113及基體接觸區(qū)域114的源電極板121。源電極板121與源極區(qū)域113及基體接觸區(qū)域114連接。 漏極區(qū)域115上，形成有漏電極板122。漏電極板122與漏極區(qū)域115連接。 在厚膜SOI基板102上，覆蓋有由氧化硅構(gòu)成的第一層間絕緣膜123。 在第一層間絕緣膜123上，形成有5個(gè)第二浮板124。各第二浮板124為與第一浮板120相似的固定寬度的環(huán)狀。5個(gè)第二浮板124在與漏電極板122和與其相鄰的第一浮板120之間的中央部、互相相鄰的第一浮板120之間的中央部、及場(chǎng)板119和與其相鄰的第一浮板120之間的中央部對(duì)置的部分上各分開(kāi)配置有1個(gè)。即，在漏電極板122和場(chǎng)板119之間，等間隔地配置有5個(gè)第二浮板124，且第二浮板124及第一浮板120在俯視中交替地配置。在第一層間絕緣膜123上，覆蓋有由氧化硅構(gòu)成的第二層間絕緣膜125。
在第一層間絕緣膜123及第二層間絕緣膜125上，貫通地形成面向源電極板121的源極接觸孔126。另外，在第一層間絕緣膜123及第二層間絕緣膜125上，形成有面向漏電極板122的漏極接觸孔127。 在第二層間絕緣膜125上，形成有源極配線128及漏極配線129。源極配線128通過(guò)埋設(shè)于源極接觸孔126中的源極接觸銷130與源電極板121連接。漏極配線129通過(guò)埋設(shè)于漏極接觸孔127中的漏極接觸銷121與漏電極板122連接。 將源極配線128接地，對(duì)漏極配線129施加正極性的電壓(漏極電壓)，通過(guò)控制柵電極板118的電位，在基體區(qū)域111的與柵極氧化膜117的界面附近形成通道，通過(guò)漂移區(qū)域112，能夠使電流在源極區(qū)域113和漏極區(qū)域115之間(源極-漏極間)流通。
在以LDMOSFET為代表的高耐壓元件中，由于在源極_漏極間施以高電壓，因此需要用于確保耐壓的對(duì)策。 作為其對(duì)策，在半導(dǎo)體裝置IOI中，互相相似的4個(gè)環(huán)狀的第一浮板120設(shè)置于場(chǎng)氧化膜116上。并且，互相相似的5個(gè)環(huán)狀的第二浮板124設(shè)置于第一層間絕緣膜123上。由此，在LDM0SFET110動(dòng)作時(shí)(施加對(duì)漏極配線129的電壓時(shí))，形成以漏電極板112及場(chǎng)板119、以及在它們之間在俯視中交替配置的第二浮板124及第一浮板120中互相相鄰的板之間作為相對(duì)電極的10個(gè)電容器。 通過(guò)第二浮板124及第一浮板120在漏電極板122及場(chǎng)板119之間等間隔地交替配置，全部的電容器能夠等容量化。由此，在各電容器的相對(duì)電極間形成一樣的電場(chǎng)，通過(guò)該電場(chǎng)的影響，漂移區(qū)域112的電位分布可以均勻化。通過(guò)電位分布的均勻化，能夠在源極_漏極間消除局部的電位集中，從而可以期待元件耐壓的提高。 但是，4個(gè)第一浮板120的大小互相不等，并且，5個(gè)第二浮板124的大小也互相不等。因此，在上述的構(gòu)造中，雖然可以使在各電容器中浮板的周向上的單位長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的容量相同，但不能使電容器的總?cè)萘肯嗤Ｆ浣Y(jié)果是，實(shí)際上各電容器的相對(duì)電極間的電位不同，不能使漂移區(qū)域112內(nèi)的電位分布均勻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，其能夠使第一雜質(zhì)區(qū)域_第二雜質(zhì)區(qū)域間(例如，源-漏間)的電位分布均勻。 本發(fā)明中的上述的、或進(jìn)而其他的目的、特征及效果，通過(guò)參照附圖而說(shuō)明下述的實(shí)施方式而表明。 本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置形成為，包含第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電型的第 雜質(zhì)區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體層的表層部，具有比所述半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；第二導(dǎo)電型的基體區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體層的表層部，且與第一雜質(zhì)區(qū)域空有間隔；第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其形成于所述基體區(qū)域的表層部，具有比所述半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；場(chǎng)絕緣膜，其形成于所述半導(dǎo)體層的表面的所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述第二雜質(zhì)區(qū)域之間的部分，且與所述第二雜質(zhì)區(qū)域空有間隔；柵極絕緣膜，其在所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述場(chǎng)絕緣膜之間，形成于所述半導(dǎo)體層的表面上；柵電極，其形成于所述柵極絕緣膜上；第一浮板，其在所述場(chǎng)絕緣膜上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀；第二浮板，其在所述第一浮板的上方的同一層上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀，所述第一浮板及所述第二浮板以在它們的寬度方向中央的各周長(zhǎng)全部不等的方式形成合計(jì)3個(gè)以上，以所述周長(zhǎng)相對(duì)小的浮板收容于所述周長(zhǎng)相對(duì)大的浮板的內(nèi)側(cè)區(qū)域的方式在俯視中交替地配置，并且滿足關(guān)系式L/d =定值(L :俯視中相鄰的所述第一及第二浮板中的內(nèi)側(cè)的板的外周，d :定義L的板的外周和與該板的外周對(duì)置地相鄰的所述第一或第二浮板的內(nèi)周的距離)。 根據(jù)該構(gòu)成，在半導(dǎo)體層的表層部，互相空有間隔地形成有第二導(dǎo)電型的基體區(qū)域及第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域，其中第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域具有比半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。在基體區(qū)域的表層部，形成有第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其中第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域具有比半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。并且，在半導(dǎo)體層的表面的第一雜質(zhì)區(qū)域和第二雜質(zhì)區(qū)域之間的部分，與第二雜質(zhì)區(qū)域空有間隔地形成有場(chǎng)絕緣膜。在第二雜質(zhì)區(qū)域和場(chǎng)絕緣膜之間，柵極絕緣膜形成于半導(dǎo)體層的表面上，在該柵極絕緣膜上形成有柵電極。 例如，將第二雜質(zhì)區(qū)域接地，對(duì)第一雜質(zhì)區(qū)域施加正極性的電壓，通過(guò)控制柵電極的電位，在基體區(qū)域的和柵極絕緣膜的界面附近形成通道，通過(guò)半導(dǎo)體層上的基體區(qū)域和第一雜質(zhì)區(qū)域之間的部分，能夠使電流在第二雜質(zhì)區(qū)域和第一雜質(zhì)區(qū)域之間(第一雜質(zhì)區(qū)域-第二雜質(zhì)區(qū)域間)流通。 并且，在該半導(dǎo)體裝置中，在場(chǎng)絕緣膜上，形成有具有固定寬度的環(huán)狀的第一浮
板。并且，在第一浮板的上方的同一層上，形成有具有固定寬度的環(huán)狀的第二浮板。第一浮
板及第二浮板合計(jì)形成3個(gè)以上，它們的在寬度方向中央的各周長(zhǎng)全部不等。 并且，第一浮板及第二浮板以周長(zhǎng)相對(duì)小的浮板收容在周長(zhǎng)相對(duì)大的浮板的內(nèi)側(cè)
區(qū)域的方式在俯視中交替地配置。由此，在場(chǎng)絕緣膜上，至少形成有2個(gè)以在俯視中互相相
鄰的第一浮板及第二浮板作為相對(duì)電極的電容器。 若在場(chǎng)絕緣膜上形成的各電容的相對(duì)電極間生成的電場(chǎng)一樣，則能夠使半導(dǎo)體層的相對(duì)電極間下方的部分的電位分布均勻。 在此，在該半導(dǎo)體裝置中，第一浮板及第二浮板形成為，滿足L/d =定值。但是，各定義值的內(nèi)容如下所述。
L :俯視中相鄰的第一及第二浮板中的內(nèi)側(cè)的板的外周 d :定義L的板的外周和與該板的外周對(duì)置地相鄰的第一或第二浮板的內(nèi)周的距離 形成于場(chǎng)絕緣膜的各電容器的總?cè)萘緾為各電容的內(nèi)側(cè)的板的外周L的每個(gè)微小區(qū)間AL的容量AC = e AS/d(AS :內(nèi)側(cè)的板的每個(gè)AL的外周面的微小面積)的總和，用C二 e "/d表示。AS為內(nèi)側(cè)板的每個(gè)AL的外周面的面積，與AL成比例，AS的總和S與AL的總和L成比例。
因此，根據(jù)第一浮板及第二浮板滿足條件L/d =定值，能夠?qū)С鯯/d =定值。由此，在以周長(zhǎng)全部不等的第一浮板和第二浮板作為相對(duì)電極的多個(gè)電容器中，能夠使總?cè)萘咳肯嗟取?其結(jié)果是，由于能夠使各電容器的相對(duì)電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)一樣，因此能夠使第一雜質(zhì)區(qū)域_第二雜質(zhì)區(qū)域間的電位分布均勻，從而能夠提高耐壓性。 并且，在該半導(dǎo)體裝置中，所述周長(zhǎng)相對(duì)大的所述第一浮板的寬度可以小于所述周長(zhǎng)相對(duì)小的所述第一浮板的寬度。 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，周長(zhǎng)相對(duì)大的第一浮板的寬度小于周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板的寬度。
由此，能夠使俯視中配置于它們之間的第二浮板的外周和周長(zhǎng)相對(duì)大的第一浮板的內(nèi)周的距離(即上述關(guān)系式中d的值)比周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板的外周和該第二浮板的內(nèi)周的距離(即上述關(guān)系式中d的值)大。因此，通過(guò)對(duì)d設(shè)定適當(dāng)?shù)闹祦?lái)調(diào)整各電容器間的L的差，能夠滿足上述關(guān)系式L/d =定值。 這時(shí)，可以使全部的所述第二浮板的寬度相等，這些第二浮板等間隔地配置。
并且，在該半導(dǎo)體裝置中，所述周長(zhǎng)相對(duì)大的所述第二浮板的寬度可以小于所述周長(zhǎng)相對(duì)小的所述第二浮板的寬度。 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，周長(zhǎng)相對(duì)大的第二浮板的寬度小于周長(zhǎng)相對(duì)小的第二浮板的寬度。
由此，能夠使俯視中配置于它們之間的第一浮板的外周和周長(zhǎng)相對(duì)大的第二浮板的內(nèi)周的距離(即上述關(guān)系式中d的值)比周長(zhǎng)相對(duì)小的第二浮板的外周和該第一浮板的內(nèi)周的距離(即上述關(guān)系式中d的值)大。因此，通過(guò)對(duì)d設(shè)定適當(dāng)?shù)闹祦?lái)調(diào)整各電容器間的L的差，能夠滿足上述關(guān)系式L/d =定值。 這時(shí)，可以使全部的所述第一浮板的寬度相等，這些第一浮板等間隔地配置。
進(jìn)而，在本半導(dǎo)體裝置中，可以使全部的所述第一浮板的寬度相等，全部的所述第二浮板的寬度相等，并且，所述第一浮板的寬度和所述第二浮板的寬度相等。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。 圖2為由圖1的邊框II包圍的區(qū)域的放大圖。 圖3為將圖1的半導(dǎo)體裝置沿切斷線III-III切斷后的剖面圖。 圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。 圖5為由圖4的邊框V包圍的區(qū)域的放大圖。 圖6為將圖4的半導(dǎo)體裝置沿切斷線VI-VI切斷后的剖面圖。 圖7為本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。 圖8為由圖7的邊框VIII-VIII包圍的區(qū)域的放大圖。 圖9為將圖7的半導(dǎo)體裝置沿切斷線IX-IX切斷后的剖面圖。 圖10為具備以往的LDM0SFET的半導(dǎo)體裝置的示意剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。 圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖2為由圖1的邊框II包圍的區(qū)域的放大圖。圖3為將圖1的半導(dǎo)體裝置沿切斷線III-III切斷后的剖面圖。 半導(dǎo)體裝置1具備厚膜SOI基板2。厚膜SOI基板2具有以下結(jié)構(gòu)在硅基板3上，隔著由氧化硅構(gòu)成的BOX層4，層疊作為由硅構(gòu)成的N—型半導(dǎo)體層的活性層5。
BOX層4的層厚例如為1 6 ii m?；钚詫?的層厚例如為10 50 ii m?；钚詫?的N型雜質(zhì)濃度例如為1013 1016m—3。 在活性層5上，在層厚方向上貫通地形成有俯視矩形環(huán)狀的深槽6。 S卩，在活性層5上，形成有深度為從活性層5的表面到BOX層4為止的、俯視矩形環(huán)狀的深槽6。
深槽6的內(nèi)側(cè)面由一對(duì)硅氧化膜7覆蓋。硅氧化膜7的厚度例如為0. 2 1. 5 m。
—對(duì)硅氧化膜7的內(nèi)側(cè)由多晶硅8填滿。由此，在活性層5上，形成有元件形成區(qū)域9，該元件形成區(qū)域9被深槽6包圍，通過(guò)BOX層4及硅氧化膜7從其周圍絕緣隔離(介質(zhì)隔離)。 在元件形成區(qū)域9中，形成有LDMOSFETIO。具體來(lái)說(shuō)，在元件形成區(qū)域9中，形成有將圖1及圖3的左右方向?yàn)闁艠O長(zhǎng)方向的晶格(皿itcell)沿著同方向排列多個(gè)而構(gòu)成的LDMOSFETIO。并且，在圖1及圖3中，僅表示多個(gè)晶格中的1個(gè)。
LDMOSFETIO在活性層5中包括P型的基體區(qū)域11和N—型的漂移區(qū)域12。
基體區(qū)域11對(duì)應(yīng)每個(gè)晶格形成為沿著深槽6的側(cè)面的環(huán)狀，其厚度從活性層5的表面到B0X層4為止。S卩，基體區(qū)域ll在活性層5的整個(gè)厚度上形成?；w區(qū)域ll具有例如1015 1018cm—3的雜質(zhì)濃度。 漂移區(qū)域12為在活性層5中維持活性層5的導(dǎo)電型且被基體區(qū)域11包圍的區(qū)域。漂移區(qū)域12具有例如1013 1016cm—3的雜質(zhì)濃度。 在基體區(qū)域11的表層部，作為第二雜質(zhì)區(qū)域的N+型的源極區(qū)域13和P+型的基體接觸區(qū)域14互相相鄰(相接)地形成于與漂移區(qū)域12空有間隔的位置。源極區(qū)域13及基體接觸區(qū)域14在俯視中在基體區(qū)域11的全周上形成。源極區(qū)域13的雜質(zhì)濃度比漂移區(qū)域12的雜質(zhì)濃度高，源極區(qū)域的雜質(zhì)濃度例如為1019 1022cm—3。 在漂移區(qū)域12的表層部，作為第一雜質(zhì)區(qū)域的漏極區(qū)域15形成于與基體區(qū)域11空有間隔的位置。在與沿著柵長(zhǎng)的橫向(以下，將該方向簡(jiǎn)稱為"橫向")對(duì)置的基體區(qū)域11間的大致中央部，漏極區(qū)域15沿著與橫向正交的柵寬的縱向(以下，將該方向簡(jiǎn)稱為"縱向")以直線狀延伸。此外，漏極區(qū)域15的厚度從活性層5的表面到達(dá)活性層5的層厚方向中央部。漏極區(qū)域15的雜質(zhì)濃度比漂移區(qū)域12的雜質(zhì)濃度高，漏極區(qū)域15的雜質(zhì)濃度例如為1019 1022cm—3。 在漂移區(qū)域12的表面，在漏極區(qū)域15和源極區(qū)域13之間的部分，與基體區(qū)域11空有間隔、即在俯視中與源極區(qū)域13空有間隔地形成有場(chǎng)絕緣膜16。場(chǎng)絕緣膜16形成為包圍漏極區(qū)域15的環(huán)狀。并且，場(chǎng)絕緣膜16由氧化硅構(gòu)成，例如通過(guò)L0C0S法形成。場(chǎng)絕緣膜16的厚度例如為0. 5 2 ii m。 在活性層5的表面，在源極區(qū)域13和場(chǎng)絕緣膜16之間，形成有柵極絕緣膜17，其跨越基體區(qū)域11及漂移區(qū)域12且為沿著場(chǎng)絕緣膜16的外周緣的環(huán)狀。柵極絕緣膜17例如由氧化硅構(gòu)成。 并且，在活性層5上形成有跨越柵極絕緣膜17及場(chǎng)絕緣膜16的柵電極板18。柵電極板18形成為覆蓋柵極絕緣膜17的表面(上表面)的全部區(qū)域的環(huán)狀。柵電極板18的與周向正交的寬度為在周向的任何位置上都同樣的寬度(固定寬度)。并且，柵電極板18一體具有電極部19和場(chǎng)板部20。 電極部19形成于柵極絕緣膜17上，隔著柵極絕緣膜17與基體區(qū)域11及漂移區(qū)域12對(duì)置。另一方面，場(chǎng)板部20乘載在場(chǎng)絕緣膜16的外周緣上。 并且，在活性層5中漏極區(qū)域15之上形成有漏電極板21。漏電極板21形成為與從場(chǎng)絕緣膜16露出的直線狀的漏極區(qū)域15的表面全區(qū)域接觸(contact)的直線狀，其周緣乘載于場(chǎng)絕緣膜16的內(nèi)周緣上。 并且，在活性層5中基體區(qū)域11之上形成有源電極板23。源電極板23形成為與從場(chǎng)絕緣膜16露出的環(huán)狀的源極區(qū)域13及基體接觸區(qū)域14接觸(contact)的、與柵電極板18相似的環(huán)狀。 場(chǎng)絕緣膜16上形成有4個(gè)第一浮板(floating plate) 22，其與柵電極板18分體形成。4個(gè)第一浮板22全部形成于場(chǎng)絕緣膜16(同一層)上。 各第一浮板22形成為與柵電極板18相似的環(huán)狀。并且，各第一浮板22的與周向正交的寬度在周向的任意位置都為同樣的寬度。 并且，4個(gè)第一浮板22的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(第一周長(zhǎng))為全部的第一浮板的第一周長(zhǎng)不等，任意一個(gè)都小于柵電極板18的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(柵極周長(zhǎng))。 另外，在該第一實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第一周長(zhǎng)不同的第一浮板22時(shí)，將從第一周長(zhǎng)最大的浮板開(kāi)始依次區(qū)別為第一浮板22a 22d。 第一浮板22的相似比設(shè)定為作為基準(zhǔn)的第一浮板22與比該板以第一周長(zhǎng)基準(zhǔn)大一級(jí)的板的相似比，和作為基準(zhǔn)的第一浮板22與比該板以第一周長(zhǎng)基準(zhǔn)小一級(jí)的板的相似比相同。 例如，在將第一浮板22b作為基準(zhǔn)時(shí)，設(shè)定為第一浮板22b的第一周長(zhǎng)與比該板22b大一級(jí)的第一浮板22a的第一周長(zhǎng)的相似比，和第一浮板22b的第一周長(zhǎng)與比該板22b小一級(jí)的第一浮板22c的第一周長(zhǎng)的相似比相同。 并且，第一浮板22a 22d的各寬度^ A4全部相等。即，滿足關(guān)系式^ = A2
=_A3 = _A4。 并且，4個(gè)第一浮板22配置為，在俯視中的柵電極板18的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，所有的板22a 22d包圍漏電極板21。 另外，4個(gè)第一浮板22配置為，第一周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板22收容于第一周長(zhǎng)相對(duì)大的第一浮板22的內(nèi)側(cè)區(qū)域。具體地說(shuō)，第一周長(zhǎng)最大的第一浮板22a配置在最靠近柵電極板18的一側(cè)。并且，配置為，比第一浮板22a小一級(jí)的第一浮板22b收容于第一浮板22a的內(nèi)側(cè)區(qū)域。此外，第一浮板22c及22d也配置為收容于比它們大一級(jí)的板的內(nèi)側(cè)區(qū)域。由此，各第一浮板22隔著場(chǎng)絕緣膜16與漂移區(qū)域12對(duì)置。 并且，4個(gè)第一浮板22以將柵電極板18和漏電極板21之間等間隔地分割的方式配置。即，周長(zhǎng)相對(duì)大的板的內(nèi)周和周長(zhǎng)相對(duì)小的板的外周的間隔相等。
具體來(lái)說(shuō)，柵電極板18的內(nèi)周和第一浮板22a的外周的間隔Bl、第一浮板22a的內(nèi)周和第一浮板22b的外周的間隔B2、第一浮板22b的內(nèi)周和第一浮板22c的外周的間隔B3、第一浮板22c的內(nèi)周和第一浮板22d的外周的間隔B4、及第一浮板22d的內(nèi)周和漏電極板21的外周的間隔B5，全部相等。即，滿足關(guān)系式& = B2 = B3 = B4 = B5。
在厚膜SOI基板2上，覆蓋有由氧化硅構(gòu)成的第一層間絕緣膜24。
在第一層間絕緣膜24上，形成有5個(gè)第二浮板25。 5個(gè)第二浮板25全部形成于第一層間絕緣膜24上。即，5個(gè)第二浮板25全部形成于第一浮板22的上方的同一層上。
各第二浮板25形成為與柵電極板18形狀相似的環(huán)狀。因此，全部的第二浮板25與全部的第一浮板22形狀相似。并且，各第二浮板25的與周向正交的寬度為在周向的任何位置上都同樣的寬度(固定寬度)。 另外，5個(gè)第二浮板25的在寬度方向中央的周向長(zhǎng)度(第二周長(zhǎng))為全部的第二周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度，并且，為與全部的第一浮板22的第一周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度。另外，5個(gè)第二浮板25的第二周長(zhǎng)都比柵電極板18的柵極周長(zhǎng)小。 并且，在該第一實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第二周長(zhǎng)不同的第二浮板25時(shí)，將從第二周長(zhǎng)最大的板開(kāi)始依次區(qū)別為第二浮板25a 25e。 并且，第二浮板25設(shè)置為，第二周長(zhǎng)相對(duì)大的第二浮板25的寬度比第二周長(zhǎng)相對(duì)小的第二浮板25的寬度小。 例如，以第二浮板25b作為基準(zhǔn)時(shí)，第二浮板25b的寬度小于比該板25b第二周長(zhǎng)小一級(jí)的第二浮板25c的寬度。即，第二浮板25a 25e的各寬度E工 E5滿足關(guān)系式^< E2 < E3 < E4 < E5。 并且，5個(gè)第二浮板25在俯視中相鄰的各板18、21、22之間分別配置有一個(gè)。由此，在柵電極板18和漏電極板21之間，在俯視中第一浮板22及第二浮板25交替地配置。
具體地說(shuō)，第二周長(zhǎng)最大的第二浮板25a配置于靠近柵電極板18的一側(cè)，即，配置于柵電極板18和第一浮板22a之間。并且，比第二浮板25a小一級(jí)的第二浮板25b配置于第一浮板22a和第一浮板22b之間。并且，第二浮板25c 25e也同樣地配置于在俯視中相鄰的各板21、22之間。 另外，5個(gè)第二浮板25配置為，全部的寬度方向中央與下方的板18、21、22間的寬
度方向中央一致。 在第一層間絕緣膜24上覆蓋由氧化硅構(gòu)成的第二層間絕緣膜26。
在第一層間絕緣膜24及第二層間絕緣膜26貫通形成有面向源電極板23的源極接觸孔27。并且，在第一層間絕緣膜24及第二層間絕緣膜26貫通形成有面向漏電極板21的漏極接觸孔28。 在第二層間絕緣膜26上，形成有源極配線29及漏極配線30。源極配線29在俯視中的柵電極板18的外側(cè)區(qū)域形成為沿著源電極板23的形狀的環(huán)狀。并且，源極配線29通過(guò)埋設(shè)在源極接觸孔27中的源極接觸銷31與源電極板23連接。 漏極配線30在俯視中的第二浮板25e的內(nèi)測(cè)區(qū)域形成為沿著漏電極板21的形狀的直線狀。并且，漏極配線30通過(guò)埋設(shè)在漏極接觸孔28中的漏極接觸銷32與漏電極板21連接。 將源極配線29接地，對(duì)漏極配線30施加正極性的電壓(漏極電壓)，通過(guò)控制柵電極板18的電位，從而在基體區(qū)域11的與柵極絕緣膜17的界面附近形成通道，利用漂移區(qū)域12，能夠使電流在源極區(qū)域13和漏極區(qū)域15之間(源極-漏極間)流通。
如上所述，在半導(dǎo)體裝置1中，具有固定寬度的4個(gè)環(huán)狀的第一浮板22形成于場(chǎng) 絕緣膜16上。并且，具有固定寬度的5個(gè)環(huán)狀的第二浮板25形成于在第一浮板22的上方 的第一層間絕緣膜24上。全部的第一浮板22的第一周長(zhǎng)及全部的第二浮板25的第二周 長(zhǎng)互相不等。 并且，第一浮板22及第二浮板25配置為，在俯視中的柵電極板18和漏電極板21 之間，周長(zhǎng)相對(duì)(第一周長(zhǎng)及第二周長(zhǎng))小的板收容于周長(zhǎng)相對(duì)(第一周長(zhǎng)及第二周長(zhǎng)) 大的板的內(nèi)測(cè)區(qū)域，并且在俯視中交替配置。 由此，在場(chǎng)絕緣膜16上，形成有在俯視中以互相相鄰的各板18、21、22為相對(duì)電極 的電容器。具體地說(shuō)，形成有以第一浮板22及第二浮板25為相對(duì)電極的電容器8個(gè)、以 柵電極板18及第二浮板25a為相對(duì)電極的電容器1個(gè)及以漏電極板21及第二浮板25e為 相對(duì)電極的電容器一個(gè)，合計(jì)IO個(gè)電容器。 若在場(chǎng)絕緣膜16上形成的各電容器的相對(duì)電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)相同，則能夠使漂 移區(qū)域12的相對(duì)電極間下方的部分的電位分布均勻。 因此，在半導(dǎo)體裝置1中，第一浮板22及第二浮板25形成為，滿足L/d =定值。 其中，各定義值的內(nèi)容如下所述。 L :俯視中相鄰的第一浮板22及第二浮板25中內(nèi)側(cè)的板的外周 d :定義L的板的外周和與該板的外周對(duì)置地相鄰的第一浮板22或第二浮板25的
內(nèi)周的距離 具體地說(shuō)，第一浮板22配置為，各板22a 22d的寬度^ A4全部相等，且將柵 電極板18和漏電極板21之間等間隔地分割。 另一方面，第二浮板25配置為，第二周長(zhǎng)相對(duì)大的第二浮板25的寬度比第二周長(zhǎng) 相對(duì)小的第二浮板25的寬度小。并且，第二浮板25配置為，從第二周長(zhǎng)相對(duì)大的第二浮板 25開(kāi)始依次接近柵電極板18。進(jìn)而，第二浮板25配置為，全部的寬度方向中央與下方的板 18、21、22間的寬度方向中央一致。 由此，可以使俯視中各電容器的相對(duì)電極的距離隨著形成相對(duì)電極的板的周長(zhǎng)變 大而變大。 具體地說(shuō)，設(shè)第二浮板25a、柵電極板18及第一浮板22a的距離為巳。另外，第二 浮板25b、第一浮板22a及第一浮板22b的距離為F2。并且，第二浮板25c、第一浮板22b及 第一浮板22c的距離為F3。并且，第二浮板25d、第一浮板22c及第一浮板22d的距離為F4。 并且，第二浮板25e、第一浮板22d及漏電極板21的距離為F5。并且，在半導(dǎo)體裝置l中， 在這些情況下能夠滿足關(guān)系式巳> F2 > F3 > F4 > F5。 因此，通過(guò)將巳 F5設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹担{(diào)整各電容器間的L(各板的外周)的 差，從而能夠滿足上述關(guān)系式L/d =定值。 并且，形成于場(chǎng)絕緣膜16的各電容器的總?cè)萘緾為各電容的內(nèi)側(cè)的浮板的外周L 的每個(gè)微小區(qū)間AL的容量AC = e AS/d(AS :內(nèi)側(cè)的浮板的每個(gè)AL的外周面的微 小面積)的總禾P，用C二 e ，S/d表示。AS為內(nèi)側(cè)的浮板的每個(gè)AL的外周面的面積，與 A L成比例，A S的總和S與A L的總和L成比例。 因此，根據(jù)第一浮板22及第二浮板25滿足條件L/d =定值，能夠?qū)С鯯/d =定 值。由此，在以周長(zhǎng)(第一周長(zhǎng)及第二周長(zhǎng))全部不等的第一浮板22和第二浮板25作為相對(duì)電極的多個(gè)電容器中，能夠使總?cè)萘咳肯嗟取?其結(jié)果是，由于能夠使各電容器的相對(duì)電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)一樣，因此能夠使源 極_漏極間的電位分布均勻，從而能夠提高耐壓性。 圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖5為由圖4 的邊框V包圍的區(qū)域的放大圖。圖6為將圖4的半導(dǎo)體裝置沿切斷線VI-VI切斷后的剖面 圖。在圖4 圖6中，對(duì)于圖1 圖3所示的各部分對(duì)應(yīng)的部分，對(duì)這各部分付以同一參照 符號(hào)。并且，以下，對(duì)于付以同一參照符號(hào)的部分省略詳細(xì)說(shuō)明。 在半導(dǎo)體裝置41中，場(chǎng)絕緣膜16上形成有4個(gè)第一浮板42，其與柵電極板18分 體形成。4個(gè)第一浮板42全部形成于場(chǎng)絕緣膜16(同一層)上。 各第一浮板42形成為與柵電極板18形狀相似的環(huán)狀。并且，各第一浮板42的與 周向正交的寬度在周向的任意位置都為同樣的寬度(固定寬度)。 并且，4個(gè)第一浮板42的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(第一周長(zhǎng))為全部的第 一周長(zhǎng)不等，任意一個(gè)都小于柵電極板18的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(柵極周長(zhǎng))。
另外，在該第二實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第一周長(zhǎng)不同的第一浮板42 時(shí)，將從第一周長(zhǎng)最大的浮板開(kāi)始依次區(qū)別為第一浮板42a 42d。 并且，第一浮板42a 42d的各寬度^ G4全部相等。即，滿足關(guān)系式A = G2 =G3 = G4。 并且，4個(gè)第一浮板42以在俯視中的柵電極板18的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，所有的板42a 42d包圍漏電極板21的方式來(lái)配置。 另外，第一浮板42配置為，第一周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板42收容于第一周長(zhǎng)相對(duì)大 的第一浮板42的內(nèi)側(cè)區(qū)域。具體地說(shuō)，第一周長(zhǎng)最大的第一浮板42a配置在最靠近柵電極 板18的一側(cè)。并且，比第一浮板42a小一級(jí)的第一浮板42b以收容于第一浮板42a的內(nèi)側(cè) 區(qū)域的方式來(lái)配置。此外，第一浮板42c及42d也配置為收容于比它們大一級(jí)的板的內(nèi)側(cè) 區(qū)域。由此，各第一浮板42隔著場(chǎng)絕緣膜16與漂移區(qū)域12對(duì)置。 并且，4個(gè)第一浮板42配置為，使柵電極板18和漏電極板21之間沿著場(chǎng)絕緣膜 16的表面隨著朝向柵電極板18的方向間隔增大。 例如，以使作為基準(zhǔn)的第一浮板42的外周與比該板大一級(jí)的第一浮板42的內(nèi)周 的間隔大于作為基準(zhǔn)的第一浮板42的內(nèi)周和比該板小一級(jí)的第一浮板42的外周的間隔來(lái) 配置。 具體地說(shuō)，以第一浮板42b作為基準(zhǔn)時(shí)，該板42b的外周與第一浮板42a的內(nèi)周的
間隔H2配置為大于第一浮板42b的內(nèi)周與第一浮板42c的外周的間隔H3。 并且，在半導(dǎo)體裝置41中，在第一層間絕緣膜24上，形成有5個(gè)第二浮板45。 5
個(gè)第二浮板45全部形成于第一層間絕緣膜24上。即，5個(gè)第二浮板45全部形成于第一浮
板22的上方的同一層上。 各第二浮板45形成為與柵電極板18形狀相似的環(huán)狀。因此，全部的第二浮板45 與全部的第一浮板42形狀相似。并且，各第二浮板45的與周向正交的寬度為在周向的任 何位置上都同樣的寬度(固定寬度)。 另外，5個(gè)第二浮板45的在寬度方向中央的周向長(zhǎng)度(第二周長(zhǎng))為全部的第二 周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度，并且，為與全部的第一浮板42的第一周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度。另外，5個(gè)第二浮板45的第二周長(zhǎng)中的任意一個(gè)都比柵電極板18的柵極周長(zhǎng)小。 并且，在該第二實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第二周長(zhǎng)不同的第二浮板45 時(shí)，將從第二周長(zhǎng)最大的板開(kāi)始依次區(qū)別為第二浮板45a 45e。 并且，第二浮板45a 45e的各寬度^ 15全部相等，并且與第一浮板42a 42d 的各寬度^ G4也相等。即，全部的第一浮板42的寬度相等，全部的第二浮板45的寬度 相等，并且第一浮板42的寬度與第二浮板45的寬度相等。即，滿足關(guān)系式= G2 = G3 =
G4 = Ii = I2 = I3 = I4 =工5° 并且，5個(gè)第二浮板45在俯視中相鄰的各板18、21、22之間分別配置有一個(gè)。由 此，在柵電極板18和漏電極板21之間，在俯視中交替地配置第一浮板42及第二浮板45。
具體地說(shuō)，第二周長(zhǎng)最大的第二浮板45a配置于靠近柵電極板18的一側(cè)，即，配置 于柵電極板18和第一浮板42a之間。并且，比第二浮板45a小一級(jí)的第二浮板45b配置于 第一浮板42a和第一浮板42b之間。并且，第二浮板45c 45e也同樣地配置于在俯視中 相鄰的各板21、42之間。 另外，5個(gè)第二浮板45配置為，全部的寬度方向中央與板18、21、42間的寬度方向 中央一致。 如上所述，在半導(dǎo)體裝置41中，全部的第一浮板42的寬度相等，全部的第二浮板 45的寬度相等，并且，第一浮板42的寬度和第二浮板45的寬度相等。 并且，第一浮板42配置為，使柵電極板18和漏電極板21之間沿著場(chǎng)絕緣膜16的 表面隨著朝向柵電極板18的方向間隔增大。 另一方面，5個(gè)第二浮板45配置為，全部的寬度方向中央與板18、21 、42間的寬度 方向中央一致。 由此，可以使在俯視中的各電容器的相對(duì)電極的距離隨著形成相對(duì)電極的板的周 長(zhǎng)的變大而變大。 具體地說(shuō)，設(shè)第二浮板45和柵電極板18及第一浮板42a的距離為Jl。另外，第 二浮板45b和第一浮板42a及第一浮板42b的距離為J2。并且，第二浮板45c和第一浮板 42b及第一浮板42c的距離為J3。并且，第二浮板45d和第一浮板42c及第一浮板42d的 距離為J4。并且，第二浮板45e和第一浮板42d及漏電極板21的距離為J5。并且，在半導(dǎo) 體裝置41中，在這些情況下能夠滿足關(guān)系式衛(wèi)> J2 > J3 > J4 > J5。
因此，通過(guò)將衛(wèi) J5設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹刀{(diào)整各電容器間的L(各板的外周)的差， 能夠滿足上述關(guān)系式L/d =定值。 從而，能夠使在以周長(zhǎng)(第一周長(zhǎng)及第二周長(zhǎng))全部不等的第一浮板42和第二浮 板45作為相對(duì)電極的多個(gè)電容器中，總?cè)萘咳肯嗟取?其結(jié)果是，由于能夠使各電容器的相對(duì)電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)一樣，因此能夠使源 極_漏極間的電位分布均勻，從而能夠提高耐壓性。 圖7為本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖8為由圖7 的邊框VIII-VIII包圍的區(qū)域的放大圖。圖9為將圖7的半導(dǎo)體裝置沿切斷線IX-IX切斷 后的剖面圖。在圖7 圖9中，對(duì)于圖1 圖3所示的各部分對(duì)應(yīng)的部分，對(duì)這各部分付以 同一參照符號(hào)。并且，以下，對(duì)于付以同一參照符號(hào)的部分省略詳細(xì)說(shuō)明。
在半導(dǎo)體裝置71中，場(chǎng)絕緣膜16上形成有4個(gè)第一浮板72，其與柵電極板18分
12體形成。4個(gè)第一浮板72全部形成于場(chǎng)絕緣膜16(同一層)上。 各第一浮板72形成為與柵電極板18形狀相似的環(huán)狀。并且，各第一浮板72的與 周向正交的寬度在周向的任意位置都為同樣的寬度(固定寬度)。 并且，4個(gè)第一浮板72的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(第一周長(zhǎng))為全部的第 一周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度，任意一個(gè)都小于柵電極板18的在寬度方向中央的周向的長(zhǎng)度(柵極周 長(zhǎng))。 另外，在該第三實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第一周長(zhǎng)不同的第一浮板72 時(shí)，將從第一周長(zhǎng)最大的浮板開(kāi)始依次區(qū)別為第一浮板72a 72d。 并且，第一浮板72設(shè)置為，第一周長(zhǎng)相對(duì)大的第一浮板72的寬度小于第一周長(zhǎng)相 對(duì)小的第一浮板72的寬度。 例如，以第一浮板72b作為基準(zhǔn)時(shí)，第一浮板72b的寬度小于比該板72b第一周長(zhǎng) 小一級(jí)的第一浮板72c的寬度。即，第一浮板72a 72d的各寬度& K4滿足關(guān)系式 < K2 < K3 < K4。 并且，4個(gè)第一浮板72配置為，在俯視中的柵電極板18的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，所有的板 72a 72d包圍漏電極板21。 另外，4個(gè)第一浮板72配置為，第一周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板72收容于第一周長(zhǎng)相 對(duì)大的第一浮板72的內(nèi)側(cè)區(qū)域。具體地說(shuō)，第一周長(zhǎng)最大的第一浮板72a配置在最靠近柵 電極板18的一側(cè)。并且，比第一浮板72a小一級(jí)的第一浮板72b以收容于第一浮板72a的 內(nèi)側(cè)區(qū)域的方式來(lái)配置。此外，第一浮板72c及72d也配置為收容于比它們大一級(jí)的板的 內(nèi)側(cè)區(qū)域。由此，各第一浮板72隔著場(chǎng)絕緣膜16與漂移區(qū)域12對(duì)置。
并且，4個(gè)第一浮板72配置為，使柵電極板18和漏電極板21之間沿著場(chǎng)絕緣膜 16的表面隨著朝向柵電極板18的方向而間隔增大。 例如，作為基準(zhǔn)的第一浮板72的外周與比該板大一級(jí)的第一浮板72的內(nèi)周的間 隔配置為比作為基準(zhǔn)的第一浮板72的內(nèi)周和比該板小一級(jí)的第一浮板72的外周的間隔 大。 具體地說(shuō)，以第一浮板72b作為基準(zhǔn)時(shí)，該板72b的外周與第一浮板72a的內(nèi)周的
間隔M2配置為比第一浮板72b的內(nèi)周與第一浮板72c的外周的間隔M3大。 并且，在半導(dǎo)體裝置71中，在第一層間絕緣膜24上，形成有5個(gè)第二浮板75。 5
個(gè)第二浮板75全部形成于第一層間絕緣膜24上。即，5個(gè)第二浮板75全部形成于第一浮
板22的上方的同一層上。 各第二浮板75形成為與柵電極板18形狀相似的環(huán)狀。因此，各第二浮板75與第 一浮板72形狀相似。并且，各第二浮板75的與周向正交的寬度為在周向的任何位置上都 同樣的寬度(固定寬度)。 另外，5個(gè)第二浮板75的在寬度方向中央的周向長(zhǎng)度(第二周長(zhǎng))為全部的第二 周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度，并且，為與全部的第一浮板42的第一周長(zhǎng)不等的長(zhǎng)度。另外，5個(gè)第二浮 板75的第二周長(zhǎng)中的任意一個(gè)都比柵電極板18的柵極周長(zhǎng)小。 并且，在該第三實(shí)施方式的說(shuō)明中，在特別地區(qū)別第二周長(zhǎng)不同的第二浮板75 時(shí)，將從第二周長(zhǎng)最大的板開(kāi)始依次區(qū)別為第二浮板75a 75e。 并且，第二浮板75a 75e的各寬度^ N5全部相等。即，滿足關(guān)系式= N2=N3 = N4。 并且，5個(gè)第二浮板75在俯視中相鄰的各板18、21、72之間分別配置有一個(gè)。由 此，在柵電極板18和漏電極板21之間，在俯視中第一浮板72及第二浮板75交替地配置。
具體地說(shuō)，第二周長(zhǎng)最大的第二浮板75a配置于靠近柵電極板18的一側(cè)，即，配置 于柵電極板18和第一浮板72a之間。并且，比第二浮板75a小一級(jí)的第二浮板75b配置于 第一浮板72a和第一浮板72b之間。并且，第二浮板75c 75e也同樣地配置于在俯視中 相鄰的各板21、72之間。另外，5個(gè)第二浮板75配置為，在俯視中相鄰的板75之間的間隔 為等間隔。 如上所述，在半導(dǎo)體裝置71中，第一浮板72設(shè)置為，第一周長(zhǎng)相對(duì)大的第一浮板 72的寬度小于第一周長(zhǎng)相對(duì)小的第一浮板72的寬度。并且，第一浮板72配置為，使柵電 極板18和漏電極板21之間沿著場(chǎng)絕緣膜16的表面隨著朝向柵電極板18的方向而間隔增 大。 另一方面，第二浮板75配置為，各板75a 75e的寬度^ N5全部相等，在俯視
中與第一浮板72交替配置，在俯視中相鄰的板75之間的間隔為等間隔地配置。 由此，可以使在俯視中的各電容器的相對(duì)電極的距離隨著形成相對(duì)電極的板的周
長(zhǎng)的變大而變大。 具體地說(shuō)，設(shè)第二浮板75和柵電極板18及第一浮板72a的距離為0"另外，第二 浮板75b和第一浮板72a及第一浮板72b的距離為02。并且，第二浮板75c和第一浮板72b 及第一浮板72c的距離為03。并且，第二浮板75d和第一浮板72c及第一浮板72d的距離 為04。并且，第二浮板75e和第一浮板72d及漏電極板21的距離為05。并且，在半導(dǎo)體裝 置71中，在這些情況下能夠滿足關(guān)系式A > 02 > 03 > 04 > 05。 因此，通過(guò)設(shè)定(^ 05為適當(dāng)?shù)闹刀{(diào)整各電容器間的L(各板的外周)的差，則 能夠滿足上述關(guān)系式L/d =定值。 從而，能夠使在以周長(zhǎng)(第一周長(zhǎng)及第二周長(zhǎng))全部不等的第一浮板72和第二浮 板75作為相對(duì)電極的多個(gè)電容器中，總?cè)萘咳肯嗟取?其結(jié)果是，由于能夠使各電容器的相對(duì)電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)一樣，因此能夠使源 極_漏極間的電位分布均勻，從而能夠提高耐壓性。 以上，說(shuō)明了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，但本發(fā)明也可以通過(guò)其他方式實(shí)施。例如，第一浮板22、42、72及第二浮板25、45、75的數(shù)量也可以是1個(gè)或2個(gè)，也可
以是4個(gè)以上。 另外，在半導(dǎo)體裝置1、半導(dǎo)體裝置41、半導(dǎo)體裝置71中，也可以采用使各半導(dǎo)體 區(qū)域的導(dǎo)電型翻轉(zhuǎn)的構(gòu)造。即，N型的區(qū)域?yàn)镻型的區(qū)域、且P型的區(qū)域?yàn)镹型的區(qū)域的構(gòu)造。 本發(fā)明的實(shí)施方式不過(guò)為用于表明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的具體例，本發(fā)明不應(yīng)局限
于這些具體例而解釋，本發(fā)明的精神及范圍僅根據(jù)附加的權(quán)利要求而限定。本申請(qǐng)與2008年12月26日向日本專利局提交的專利申請(qǐng)2008-334481號(hào)對(duì)應(yīng)，
本申請(qǐng)所述的全部為根據(jù)引用此申請(qǐng)而撰寫的。
1權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其包括第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體層的表層部，具有比所述半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；第二導(dǎo)電型的基體區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體層的表層部，且與所述第一雜質(zhì)區(qū)域空有間隔；第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其形成于所述基體區(qū)域的表層部，具有比所述半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；場(chǎng)絕緣膜，其形成于所述半導(dǎo)體層的表面的所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述第二雜質(zhì)區(qū)域之間的部分，且與所述第二雜質(zhì)區(qū)域空有間隔；柵極絕緣膜，其在所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述場(chǎng)絕緣膜之間，形成于所述半導(dǎo)體層的表面上；柵電極，其形成于所述柵極絕緣膜上；第一浮板，其在所述場(chǎng)絕緣膜上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀；第二浮板，其在所述第一浮板的上方的同一層上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀，所述第一浮板及所述第二浮板以它們的寬度方向中央的各周長(zhǎng)全部不等的方式合計(jì)形成3個(gè)以上，且以所述周長(zhǎng)相對(duì)小的浮板收容于所述周長(zhǎng)相對(duì)大的浮板的內(nèi)側(cè)區(qū)域的方式在俯視中交替地配置，并且滿足關(guān)系式L/d＝定值，其中，L俯視中相鄰的所述第一及第二浮板中的內(nèi)側(cè)的板的外周，d定義L的板的外周和與該板的外周對(duì)置地相鄰的所述第一或第二浮板的內(nèi)周的距離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述周長(zhǎng)相對(duì)大的所述第一浮板的寬度小于所述周長(zhǎng)相對(duì)小的所述第一浮板的寬度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 全部的所述第二浮板的寬度相等，這些第二浮板等間隔地配置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述周長(zhǎng)相對(duì)大的所述第二浮板的寬度小于所述周長(zhǎng)相對(duì)小的所述第二浮板的寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 全部的所述第一浮板的寬度相等，這些第一浮板等間隔地配置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中，全部的所述第一浮板的寬度相等，全部的所述第二浮板的寬度相等，并且，所述第一浮 板的寬度和所述第二浮板的寬度相等。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其包含半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域、第二導(dǎo)電型的基體區(qū)域、第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域、場(chǎng)絕緣膜、柵極絕緣膜、柵電極、第一浮板，其在場(chǎng)絕緣膜上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀；第二浮板，在第一浮板的上方的同一層上，形成為具有固定寬度的環(huán)狀，第一浮板及第二浮板以在它們的寬度方向中央的各周長(zhǎng)全部不等的方式形成合計(jì)3個(gè)以上，以周長(zhǎng)相對(duì)小的收容于周長(zhǎng)相對(duì)大的浮板的內(nèi)側(cè)區(qū)域的方式在俯視中交替地配置，并且滿足關(guān)系式L/d＝定值(L俯視中相鄰的第一及第二浮板中的內(nèi)側(cè)的板的外周，d定義L的板的外周和與該板的外周對(duì)置地相鄰的第一或第二浮板的內(nèi)周的距離)。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101771080SQ20091026215
公開(kāi)日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者中川義和 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司