專利名稱：有機發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個或多個實施例涉及一種有機發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光裝置(0LED)(其是自發(fā)射裝置)具有寬的視角、高的對比度和快速的響 應(yīng)時間，因此已經(jīng)得到公眾的大量關(guān)注。此外，OLED具有低工作電壓并可以實現(xiàn)多色的圖 像。因此，已經(jīng)對有機發(fā)光裝置開展了大量研究。 當(dāng)電流提供到分別形成在發(fā)射層兩側(cè)的陽極和陰極時，電子和空穴在發(fā)射層中復(fù) 合從而發(fā)光。通常，OLED可以包括具有多層結(jié)構(gòu)的有機層，該多層結(jié)構(gòu)包括形成在發(fā)射層 的任一端上的空穴注入層(HIL)、空穴輸運層(HTL)、電子輸運層(ETL)和/或電子注入層 (EIL)，從而獲得優(yōu)良的發(fā)光性能。 單色0LED具有陽極/發(fā)射層/陰極結(jié)構(gòu)。0LED可以根據(jù)形成發(fā)射層的材料的類 型發(fā)射各種顏色。堆疊發(fā)射紅、綠和藍光(其是三種基本光顏色)的材料的方法可以用于 制備發(fā)白光的OLED。 然而，這種發(fā)白光的0LED的藍光發(fā)射效率太低。 藍光發(fā)射與0LED的色坐標(biāo)、色彩重現(xiàn)率和壽命(或預(yù)期使用期限)密切相關(guān)。
然而，現(xiàn)有的0LED的色坐標(biāo)、色彩重現(xiàn)率和壽命不令人滿意，因此需要改善這些 性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個或多個實施例的方面指向通過有效地控制0LED的多個發(fā)射層中的 藍色發(fā)光層的組成而具有優(yōu)良的色坐標(biāo)、色彩重現(xiàn)率和壽命的有機發(fā)光裝置(0LED)。
其他的方面將在接下來的描述中部分地闡述，并從該描述中變得部分地明顯，或 者可以通過實踐給出的實施例而習(xí)知。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，有機發(fā)光裝置(0LED)包括基板；第一電極，在基板上；第 二電極，面對第一電極；第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層以及第二藍色發(fā)光層，都 插設(shè)在第一電極與第二電極之間；以及濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中，其中第 一藍色發(fā)光層包括深藍色摻雜劑，第二藍色發(fā)光層包括天藍色摻雜劑。 第一藍色發(fā)光層還可以包括藍色主體(blue host)，其中深藍色摻雜劑的量基于 100重量份的藍色主體在約2重量份到約10重量份之間。 第二藍色發(fā)光層可以包括藍色主體，其中天藍色摻雜劑的量基于100重量份的藍 色主體在約2重量份到約10重量份之間。 第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層可以依次堆疊在第 一電極與第二電極之間。 OLED可以是通過用封裝膜(encapsulation film)涂覆0LED并將濾色器設(shè)置在封 裝膜上而制造的頂發(fā)射型0LED。
4
OLED可以是通過在第二電極上還包括封裝基板而制造的頂發(fā)射型OLED，其中濾 色器設(shè)置在第二電極與封裝基板之間或者設(shè)置在封裝基板的不與第二電極接觸的表面上。
0LED可以是通過將濾色器插設(shè)在基板與第一電極之間而制造的底發(fā)射型OLED。


附圖與說明書一起示出了本發(fā)明的示范性實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明 的原理。 圖1A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的無源矩陣0LED裝置的示意性截面圖； 圖IB示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的OLED的有機層的示意性結(jié)構(gòu)； 圖1C示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的無源矩陣0LED裝置的示意性截面圖； 圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的頂發(fā)射型有源矩陣OLED裝置的示意性
截面圖； 圖3A和圖3B分別示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的無源和有源矩陣OLED裝置的示意 性截面圖； 圖4A和圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的底發(fā)射型無源矩陣OLED裝置的示意性 截面圖； 圖5A到圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的底發(fā)射型有源矩陣OLED裝置的示意性 截面圖；以及 圖6是示出根據(jù)示例1和比較例1制備的OLED的電致發(fā)光(EL)強度的曲線圖。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中，僅通過圖解示出和描述了本發(fā)明的特定的示范性實施例。 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明可以以許多不同的方式實施，而不應(yīng)被解釋為限于此 處所述的實施例。此外，在本申請的上下文中，當(dāng)元件被稱為在另一元件"上"時，它可以直 接在另一元件上或者間接在另一元件上，而二者之間插設(shè)有一個或多個中間元件。在整個 說明書中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。 根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置(OLED)是白色OLED，其包括第一藍色發(fā)光 層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層，在第一 電極與面對該第一 電極的第二電極 之間；以及濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中。這里，第一藍色發(fā)光層包括深藍色 (de印blue)摻雜劑，第二藍色發(fā)光層包括天藍色(sky blue)摻雜劑。 在有機發(fā)光裝置中，綠色發(fā)光層可以不與第二藍色發(fā)光層接觸從而減小藍色和綠 色之間的相互影響以增大藍色重現(xiàn)率和效率。也就是，第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色 發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層可以依次堆疊。 第一藍色發(fā)光層包括藍色主體和深藍色摻雜劑。這里，深藍色摻雜劑的量可以基 于100重量份的藍色主體在2到10重量份之間。在一個實施例中，如果深藍色摻雜劑的量 在上述范圍內(nèi)，則可以調(diào)整電荷平衡而不損害藍色發(fā)光。 深藍色摻雜劑是在等于或小于460nm的波長處呈現(xiàn)一峰的材料，其可以是4' _N， N-二苯基氨基苯乙烯基_三苯基(4' _N，N_diphenylaminostyryl_triphenyl，DPA_TP) 、2， 5， 2， ，5，—四苯乙烯基-聯(lián)苯(2， 5， 2'，5' -tetrastyryl-biphenyl， TSB)、蒽衍生物和/或二苯基-4-[2-(l，l' -;4'，1"-三聯(lián)苯-4"-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl-4-[2-(1， 1 ， _ 4， ， 1 ，， _terphenyl_4，， _yl) -vinylphenyl] amine)。 第二藍色發(fā)光層可以包括藍色主體和天藍色摻雜劑。這里，天藍色摻雜劑的量可 以基于100重量份的藍色主體在2到10重量份之間。在一個實施例中，如果天藍色摻雜劑 的量在上述范圍內(nèi)，則可以獲得優(yōu)良的色坐標(biāo)特性而不損害發(fā)光。 天藍色摻雜劑是在等于或大于470nm的波長處呈現(xiàn)一峰的材料，其可以是二 (苯 乙烯基)_胺_基(di (styryl) -amine-based)藍色摻雜劑，例如對_雙(對_N， N， - 二苯 基-氨基苯乙烯基)苯(p_bis(p_N，N' -diphenyl-aminostyryl)benzene,DSA-Ph)禾口 /或 苯基環(huán)戊二條(phenyl cyclopentadiene)。 藍色主體是4，4' -N， N， -二咔唑-聯(lián)苯(4，4' _N， N， -dicarbazole-biphenyl, CBP)或二苯乙烯基胺(di-styryl amine)。 通過共同(或同時)使用第一藍色發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層，藍色發(fā)射的壽命 (或預(yù)期使用期限)和效率可以顯著增大。此外，通過減小藍色和綠色之間的相互影響可以 增大色彩重現(xiàn)率。此外，通過在發(fā)光層的兩端形成具有大的能隙的兩個藍色發(fā)光層可以積 累電荷。因此，在具有多個發(fā)光層的白色OLED中，可以改善色彩重現(xiàn)率、壽命和效率。
第一藍色發(fā)光層的厚度可以在約5nm到約10nm之間，第二藍色發(fā)光層的厚度可以 在約5nm到約7nm之間。 在一個實施例中，如果第一藍色發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層的厚度在上述范圍內(nèi)， 則可以獲得優(yōu)良的色坐標(biāo)特性而不損害發(fā)光。 在根據(jù)本發(fā)明實施例的0LED中，紅色發(fā)光層的厚度可以在約10nm到約25nm之 間，綠色發(fā)光層的厚度可以在約4nm到約9nm之間。 空穴注入層(HIL)和/或空穴輸運層(HTL)還可以形成在第一電極與第一藍色發(fā) 光層之間。 電子輸運層(ETL)可以形成在第二藍色發(fā)光層與第二電極之間，EIL可以形成在 ETL與第二電極之間。如果需要，空穴阻擋層(HBL)還可以形成在第二藍色發(fā)光層與ETL之 間。 而且，如果OLED是底發(fā)射型0LED，基板可以是例如玻璃基板。 根據(jù)本發(fā)明實施例的OLED可以使用在各種平板顯示裝置例如無源矩陣(PM)有機
發(fā)光顯示裝置和有源矩陣(AM)有機發(fā)光顯示裝置中。具體地，如果OLED用于AM有機發(fā)光
顯示裝置，則設(shè)置在基板上的構(gòu)成像素電極的第一電極可以電連接到薄膜晶體管的源極電
極或漏極電極。此外，OLED還可以使用在雙發(fā)射型平板顯示裝置中。 圖1A是根據(jù)本發(fā)明實施例的無源矩陣0LED裝置的示意性截面圖。參照圖IA，根據(jù) 本實施例的OLED裝置包括基板110?；?10可以由各種合適的材料(例如玻璃、金屬和 /或塑料)形成。基板110包括顯示區(qū)域，用于再現(xiàn)圖像的顯示器件布置在該顯示區(qū)域中。 顯示區(qū)域包括OLED 200，0LED 200包括像素電極210 (或第一電極)；相對電極230(或第 二電極)，面對像素電極210 ;以及有機層220，插設(shè)在像素電極210與相對電極230之間。 有機層220具有包括依次堆疊的第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和第二藍色發(fā) 光層的結(jié)構(gòu)。 有機層220還可以包括插設(shè)在像素電極210與第一藍色發(fā)光層EML1之間的HIL和
6/或HTL，或者如果需要，ETL和/或EIL可以插設(shè)在第二藍色發(fā)光層EML4與相對電極230 之間。 圖1B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層220的示意性結(jié)構(gòu)。參照圖1B，有機層 220具有如下結(jié)構(gòu)，其中HIL和HTL依次形成在像素電極210上，第一藍色發(fā)光層EML1、綠 色發(fā)光層EML2、紅色發(fā)光層EML3、第二藍色發(fā)光層EML4和ETL依次堆疊在HTL上。
HIL可以由以下形成酞菁化合物，例如美國專利No.4，356，429(其整個內(nèi)容在此 引入以作參考)中公開的銅酞菁(copperphthalocyanine);星爆(star-burst)型胺衍生 物，例如在Advanced Material，6，p. 677(1994)(其整個內(nèi)容在此引入以作參考)中公開的 TCTA、 m-MTDATA和m-MTDAPB ;或類似物。 HTL可以由N， N'-雙(3-甲基苯基)-N， N' -二苯基-[l，l-聯(lián)苯]-4，4' - 二胺 (N， N' _bis(3_methylphenyl)_N， N' -dipheny1-[1，1-biphenyl]-4，4' -diamine, TPD)、 N， N' - 二 (萘-1-基)-N， N' - 二苯基聯(lián)苯胺(N， N' -di (n即hthalene-l-yl) -N， N' -diphenyl benzidine, a-NPD)等形成。 ETL可以由雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(bis (lO-hydroxybenzo [h] quinolinato)beryllium, Bebq2)及其衍生物、Alq3等形成。 在一個實施例中，密封劑施加到基板110的邊緣使得密封構(gòu)件600覆蓋顯示區(qū)域。 OLED的結(jié)構(gòu)可以以各種合適的方式修改。例如，可以不使用密封劑和密封構(gòu)件600，或者鈍 化層可以施加到基板110的頂表面。如果OLED是頂發(fā)射型0LED，密封構(gòu)件600可以由玻璃 形成。在這點上，密封構(gòu)件600可以用濾色器300覆蓋。也就是，濾色器300可以設(shè)置為接 觸密封構(gòu)件600的表面之一。 圖1A和圖1C示出了頂發(fā)射型無源矩陣0LED裝置的示意性截面圖，其中濾色器 300分別形成在密封構(gòu)件600的底表面和頂表面上。 圖2A和圖2B示出了頂發(fā)射型有源矩陣OLED裝置的示意性截面圖，其中濾色器 300分別形成在密封構(gòu)件600的頂表面和底表面上。 此外，濾色器300可以形成在密封構(gòu)件600的頂表面上，封裝膜(encapsulation film) 700 (見圖3A和圖3B)可以代替密封構(gòu)件600來覆蓋OLED 200。由于OLED 200易于 被濕氣或氧劣化，所以封裝膜700設(shè)置為如上所述地覆蓋OLED 200。封裝膜700可以由有 機或無機材料形成。圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的無源矩陣OLED裝置的截面圖，圖3B 示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的有源矩陣OLED裝置的截面圖，其中封裝膜700覆蓋OLED 200 并且濾色器300形成在封裝膜700上。 濾色器300可以由合適的材料并采用合適的方法形成。
參照圖2A，將更詳細地描述顯示區(qū)域和OLED 200。 薄膜晶體管(TFT)設(shè)置在基板110的顯示區(qū)域中。首先，由Si02等形成的緩沖層 120形成在基板110上。半導(dǎo)體層130(其可以是非晶硅層或多晶硅層)形成在緩沖層120 上。 盡管在圖2A中未示出，半導(dǎo)體層130可以包括用摻雜劑摻雜的源極區(qū)域、漏極區(qū) 域和溝道區(qū)域。 柵極電極150形成在半導(dǎo)體層130上。根據(jù)施加到柵極電極150的信號，源極電 極和漏極電極170彼此電相通?？紤]到與相鄰層的粘附性、層的表面平坦性和/或可加工
7性，柵極電極150可以由例如MoW、 Ag、 Cu或Al形成。在一個實施例中，為了確保半導(dǎo)體層 130與柵極電極150之間的絕緣性質(zhì)，由Si02和/或類似物形成的柵極絕緣層140可以插 設(shè)在半導(dǎo)體層130與柵極電極150之間。 層間絕緣層160(其由氧化硅或氮化硅形成為單層或多層結(jié)構(gòu))形成在柵極電極 150上。源極電極和漏極電極170形成在層間絕緣層160上。源極電極和漏極電極170經(jīng) 由分別形成在層間絕緣層160和柵極絕緣層140中的接觸孔連接到半導(dǎo)體層130。考慮到 導(dǎo)電性，源極電極和漏極電極170可以由Ti、MoW、Ag、Co、Al或類似物形成。源極電極和漏 極電極170可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，源極電極和漏極電極170可以具有多層結(jié)構(gòu)， 例如Ti-Al-Ti結(jié)構(gòu)。 構(gòu)成鈍化層的第一絕緣層181形成在TFT上以保護TFT。鈍化層181可以由各種 合適的材料形成，例如由提供優(yōu)良保護的無機材料，諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形 成。盡管源極電極和漏極電極170在圖2A中示出為具有單層結(jié)構(gòu)，它們還可以具有多層結(jié) 構(gòu)，其結(jié)構(gòu)可以以各種合適的方式修改。 構(gòu)成平坦化層的第二絕緣層182形成在第一絕緣層181上。也就是，盡管第二絕 緣層182形成在TFT上，其仍具有平的頂表面。為了平坦化的目的，第二絕緣層182可以由 有機材料，例如，丙烯醛基(acryl)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，BCB)和/或光敏丙烯 酸(photoacryl)形成。根據(jù)圖2A，第二絕緣層182具有單層結(jié)構(gòu)。然而，第二絕緣層182 還可以具有多層結(jié)構(gòu)，并且該結(jié)構(gòu)可以以各種合適的方式修改。 圖5A到圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的底發(fā)射型有源矩陣0LED裝置的示意性 截面圖。參照圖5A和圖5B，底發(fā)射型有源矩陣0LED裝置包括設(shè)置在第二絕緣層182上的 濾色器300。參照圖5C，濾色器300還可以形成在基板110上。 濾色器300可以形成在基板110、緩沖層120、柵極絕緣層140、層間絕緣層160、第 一絕緣層181和第二絕緣層182上。如果濾色器300設(shè)置在光路中，則還可以改變?yōu)V色器 300的位置。 圖4A和圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的底發(fā)射型無源矩陣OLED裝置的示意性 截面圖。參照圖4A和圖4B，濾色器300可以形成在第一電極與基板110的底表面之間的任 何位置處，只要它設(shè)置在光路中。參照圖4A和圖4B， OLED 200包括像素電極210、相對電 極230以及插設(shè)在像素電極210與相對電極230之間的有機層220，且OLED 200可以形成 在第三絕緣層183上。這將更詳細地描述。在有機層220中，HIL和HTL依次形成，第一藍 色發(fā)光層EML1、綠色發(fā)光層EML2、紅色發(fā)光層EML3、第二藍色發(fā)光層EML4和ETL依次堆疊 在HTL上。 暴露TFT的源極電極和漏極電極170至少之一的開口可以形成在顯示區(qū)域的第一 絕緣層181和第二絕緣層182中。像素電極210形成在基板110的顯示區(qū)域中，具體地在第 二絕緣層182上，像素電極210接觸源極電極和漏極電極170之一以通過開口與TFT電連 接。像素電極210可以是透明電極或反射電極。如果像素電極210是透明電極，則可以使 用ITO、IZO、ZnO和/或Iri203來形成像素電極210。如果像素電極210是反射電極，則它可 以包括由Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr及其化合物形成的反射層以及由ITO、 IZO、 ZnO和/或ln203形成的另一層。 參照圖2A、圖2B和圖2C，第三絕緣層183形成在第二絕緣層182上。也就是，第三絕緣層183形成為覆蓋第二絕緣層182。第三絕緣層183是像素定義層，其通過形成對應(yīng) 于子像素的開口來定義像素，也就是，形成開口以暴露像素電極210的至少一部分(例如， 中心)或者整個像素電極210。參照圖2A，通過采用第三絕緣層183來增大像素電極210 的端子與相對電極230之間的距離，可以阻止在像素電極210的端部處產(chǎn)生弧形。
OLED 200的有機層220具有如上所述的結(jié)構(gòu)。 相對電極230設(shè)置在有機層220上，也就是在顯示區(qū)域中。參照圖2A，相對電極 230可以形成為覆蓋顯示區(qū)域。相對電極230構(gòu)造為延伸到顯示區(qū)域之外，以接觸形成在顯 示區(qū)域外部上的電極電源線并且接收來自電極電源線的電信號。也就是，在一個實施例中， 相對電極230延伸到基板110的顯示區(qū)域之外并形成在通過第三絕緣層183暴露的電極電 源線和第三絕緣層183上。 相對電極230可以是透明電極或反射電極。如果相對電極230是透明電極，它可 以具有由低功函數(shù)的金屬(例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物)形成的層 以及由ITO、 IZO、ZnO和/或InA形成的透明導(dǎo)電層。如果相對電極230是反射電極，可 以使用Li 、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al 、 Al 、 Ag、 Mg及其化合物來形成相對電極230。相對電極230 還可以由其它合適的材料形成并具有單層或多層結(jié)構(gòu)。 在下文，將參照下面的示例更詳細地描述本發(fā)明的一個或多個實施例。然而，這些 示例并不旨在限制本發(fā)明的用途和范圍。
示例1 康寧(Corning) 15 Q/cm2 (1200人)IT0玻璃基板被切割成大小為50mmx 50mm x 0. 7mm的片。然后，每片在異丙醇和去離子水中超聲清洗五分鐘，然后該片被暴露到紫外線 和UV臭氧清洗10分鐘。玻璃基板的片被安裝在真空沉積設(shè)備中。 NPD被真空沉積在基板上以形成HIL。 TPD沉積在HIL上以形成HTL。構(gòu)成主體的 4，4' -N，N' -二咔唑-聯(lián)苯(4，4' -N，N' -dicarbazole-biphenyl)以及構(gòu)成深藍色摻雜劑 的二苯基-4-[2-(1， 1， - ;4' ， l"-三聯(lián)苯-4"-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl-4-[2-(1， 1' - ;4' ， l"-terphenyl-4"-yl)-vinylphenyl] amine)(其化學(xué)式如下)沉積在HTL上以形 成具有8nm的厚度的第一藍色發(fā)光層。
<formula>formula see original document page 9</formula>
構(gòu)成主體的4，4' -N， N， -二咔唑-聯(lián)苯(4，4' -N， N， -dicarbazole-biphenyl， CBP)以及構(gòu)成摻雜劑的面_三_(2-苯基吡啶-N， C2)銥(III) (fac-tris-(2-phenylpyridinato-N， C2) iridi咖-III， Ir(ppy)3)沉積在第一藍色發(fā)光層 上以形成具有7nm的厚度的綠色發(fā)光層。 構(gòu)成主體的4， 4'-N， N'- 二咔唑-聯(lián)苯(4， 4'-N， N'-dicarbazole-biphenyl， CBP) 以及4- ( 二氰基亞甲基)_2-t-叔丁基-6- (1 ， 1 ， 7， 7-四甲基久洛里定基-9-烯基)-4H-吡 口南)(4-(dicyanomethylene) _2_t_butyl_6_(l， 1， 7， 7-tetr咖ethyl julolidyl_9_enyl) _4H-pyran， DCJTB)沉積在綠色發(fā)光層上以形成具有20nm的厚度的紅色發(fā)光層。 構(gòu)成主體的二-苯乙烯基-胺(Di-styryl-amine)以及作為天藍色摻雜劑的
對_雙_對_N， N_二苯基氨基苯乙烯基_苯(p_bis_p_N， N_diphenylaminostyryl-benzene，
DPAVBi)沉積在紅色發(fā)光層上以形成具有5nm的厚度的第二藍色發(fā)光層。 DPAVBi Alq3被真空沉積在第二藍色發(fā)光層上以形成ETL，Al被真空沉積在ETL上到120nm 的厚度以形成陰極，從而完成OLED的制造。
比較例1 OLED以與示例1相同(或基本相同)的方式制備，除了 ETL形成在紅色發(fā)光層上 而不將第二藍色發(fā)光層堆疊在紅色發(fā)光層上之外。 測試了根據(jù)示例1和比較例1制備OLED的藍光發(fā)射效率、功率效率(power efficiency)、工作電壓和色坐標(biāo)，結(jié)果在以下的表1中示出。此外，示例l和比較例1的 OLED的EL發(fā)射譜在圖6中示出。
表1
示例1比較例1
工作電壓(v)5. 796. 06
電流密度(mA/cm2)6. 8539. 532
亮度(cd/m2)10001000
發(fā)射效率(Cd/A)14. 7710. 50
功率效率(lm/W)8. 055. 45
色坐標(biāo)(x)0. 320. 30 參照圖6和表1 ，與比較例1的OLED相比，根據(jù)示例1制備的OLED的藍光發(fā)射效 率、工作電壓、功率效率和色坐標(biāo)更好。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個以上實施例，通過增大藍光發(fā)射效率，可以獲 得具有優(yōu)良的色彩重現(xiàn)率、色坐標(biāo)和壽命的多個發(fā)光層的白色OLED。 盡管已經(jīng)結(jié)合特定示范性實施例對本發(fā)明進行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于公開的實施例，而是相反地，旨在覆蓋包括在權(quán)利要求書及其等同物的精神和范圍內(nèi) 的各種修改和等同布置。 本申請要求于2008年12月26日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請 No. 10-2008-0134984的權(quán)益，其全部內(nèi)容在此引用以作參考。
權(quán)利要求
一種有機發(fā)光裝置，包括基板；第一電極，在所述基板上；第二電極，面對所述第一電極；第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層以及第二藍色發(fā)光層，都插設(shè)在所述第一電極與所述第二電極之間；以及濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中，其中所述第一藍色發(fā)光層包括深藍色摻雜劑，并且所述第二藍色發(fā)光層包括天藍色摻雜劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一藍色發(fā)光層還包括藍色主體，其 中所述深藍色摻雜劑的量基于100重量份的所述藍色主體在約2重量份到約10重量份之 間。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二藍色發(fā)光層還包括藍色主體，其 中所述天藍色摻雜劑的量基于100重量份的所述藍色主體在約2重量份到約10重量份之 間。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一藍色發(fā)光層、所述綠色發(fā)光層、所 述紅色發(fā)光層和第二藍色發(fā)光層依次堆疊在所述第一 電極與所述第二電極之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述深藍色摻雜劑包括4' -N， N-二苯 基氨基苯乙烯基-三苯基(4' _N， N-diphenylaminostyryl-triphenyl， DPA-TP) ;2，5，2'， 5，-四苯乙烯基-聯(lián)苯(2， 5， 2'，5' -tetrastyryl-biphenyl，TSB);蒽衍生物；和/或二苯 基-4-[2-(l，l' -;4'，1"-三聯(lián)苯-4"-基)-乙烯基苯基]胺(diphenyl+[2-(l，r -; 4， ， 1 ，， _terphenyl_4，， _yl) -vinylphenyl] amine)。
6. 如權(quán)利要求l所述的有機發(fā)光裝置，其中所述天藍色摻雜劑包括對-雙(對-N， N，_ 二苯基_氨基苯乙烯基)苯(p-bis (p_N，N，_diphenyl_aminostyryl) benzene)禾口 /或 苯基環(huán)戊二烯。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一藍色發(fā)光層具有在約5nm到約 10nm之間的厚度。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二藍色發(fā)光層具有在約5nm到約 7nm之間的厚度。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括在所述第一電極與所述第一藍色發(fā)光層 之間的空穴注入層或空穴輸運層至少之一。
10. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，還包括在所述第二藍色發(fā)光層與所述第二電 極之間的電子輸運層和電子注入層。
11. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置是頂發(fā)射型有機發(fā)光 裝置，所述有機發(fā)光裝置用封裝膜涂覆，并且所述濾色器在所述封裝膜上。
12. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置是頂發(fā)射型有機發(fā)光 裝置，該有機發(fā)光裝置包括在所述第二電極上的封裝基板，其中所述濾色器在所述第二電 極與所述封裝基板之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置是頂發(fā)射型有機發(fā)光裝置，該有機發(fā)光裝置包括在所述第二電極上的封裝基板，其中所述濾色器在所述封裝基 板的不與所述第二電極接觸的表面上。
14. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置是底發(fā)射型有機發(fā)光 裝置，并且其中所述濾色器在所述基板與所述第一電極之間。
15. —種有機發(fā)光裝置，包括 第一電極；第一藍色發(fā)光層，在所述第一電極上； 非藍色發(fā)光層，在所述第一藍色發(fā)光層上； 第二藍色發(fā)光層，在所述非藍色發(fā)光層上； 第二電極，在所述第二藍色發(fā)光層上；以及 濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中， 其中所述第一藍色發(fā)光層包括深藍色摻雜劑，并且 所述第二藍色發(fā)光層包括天藍色摻雜劑。
16. 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光裝置，其中所述非藍色發(fā)光層包括綠色發(fā)光層和紅 色發(fā)光層。
17. —種有機發(fā)光裝置，包括 第一電極；深藍色發(fā)光層，在所述第一電極上； 綠色發(fā)光層，在所述深藍色發(fā)光層上； 紅色發(fā)光層，在所述綠色發(fā)光層上； 天藍色發(fā)光層，在所述紅色發(fā)光層上； 第二電極，在所述天藍色發(fā)光層上；以及 濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光裝置。有機發(fā)光裝置(OLED)包括基板；第一電極；第二電極，面對第一電極；第一藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層以及第二藍色發(fā)光層，都插設(shè)在第一電極與第二電極之間；以及濾色器，設(shè)置在從發(fā)光層發(fā)射的光的路徑中，其中第一藍色發(fā)光層包括深藍色摻雜劑，第二藍色發(fā)光層包括天藍色摻雜劑。
文檔編號H01L51/56GK101771071SQ200910262169
公開日2010年7月7日 申請日期2009年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者徐旼徹, 趙宰瑩, 趙晟佑, 鄭棟爕, 高三一 申請人:三星移動顯示器株式會社