專利名稱：晶片型天線裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶片型天線裝置，特別是指一種使用回路及耦合 概念設(shè)計(jì)天線，不需要占用太多面積及凈空區(qū)而有高輻射效率，并且利用 訊號(hào)饋入位置改變來決定阻抗匹配及操作頻率，不用增加天線面積而可達(dá) 到低頻操作，利于達(dá)成電子產(chǎn)品輕薄短小的優(yōu)點(diǎn)的晶片型天線裝置。
背景技術(shù)：
按，隨著無線通訊產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，各類電子設(shè)備，例如移動(dòng)電話、 電腦、網(wǎng)路等，目前皆已具備利用無線通訊來達(dá)到訊號(hào)傳輸?shù)墓δ?。無線 通訊主要發(fā)射與接收的設(shè)備為訊號(hào)收發(fā)器以及裝設(shè)于其上的天線。故為了 因應(yīng)未來無限通訊廣大的商機(jī)，天線將是一個(gè)不可或缺的元件，且為了降 低天線本身的制作成本以及要符合輕、薄、短、小的設(shè)計(jì)要求，因此傳統(tǒng) 天線(如桿狀天線、八木天線、碟型天線等)，已不能滿足新時(shí)代的需求。 目前無線通訊產(chǎn)品已朝向微小化的目標(biāo)邁進(jìn)，其中晶片天線為近幾年來所 發(fā)展出來的一種天線型態(tài)，其出現(xiàn)對(duì)未來無線通訊的發(fā)展無疑是一項(xiàng)重大 助力。
但是，目前各類電子產(chǎn)品所配備的晶片天線，多半需額外再給予其足 夠的凈空區(qū)域，才能使天線發(fā)揮輻射的功能，而且其僅擁有單一單頻段操 作能力，導(dǎo)致其工作能力受限，無法符合多頻操作的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型發(fā)明人有鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，乃依其從事各種天線 的制造經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)累積，針對(duì)上述缺陷悉心研究各種解決的方法，在經(jīng)過 不斷的研究、實(shí)驗(yàn)與改良后，終于開發(fā)設(shè)計(jì)出本實(shí)用新型的一種全新晶片 型天線裝置的，以期能摒除現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的缺陷。
4本實(shí)用新型的一個(gè)目的，為提供一種可調(diào)整饋入位置的晶片天線裝置， 利用訊號(hào)饋入點(diǎn)位置的調(diào)整，來決定阻抗及操作頻率，而且利用耦合的方 式，可將接地輻射體視為天線的一部分，而耦合量多寡的改變，同時(shí)亦可 調(diào)整阻抗及操作頻率，故能夠在有空間限制的機(jī)構(gòu)中操作且維持良好效率， 而能符合微小化產(chǎn)品的應(yīng)用。
本實(shí)用新型的另一目的，為可利用同樣天線架構(gòu)而使用多訊號(hào)饋入， 同樣可達(dá)到小面積、高效率及多頻操作。
根據(jù)上述的目的，本實(shí)用新型的晶片型天線裝置，包括一單層或多層 介電基板； 一輻射本體，形成于基板一端的上表面、下表面或中間層，輻 射本體一端向基板中間延伸，形成一阻抗匹配枝干，并彎折延伸至基板端 面，與饋入訊號(hào)接續(xù)端相連接，輻射本體上形成有一條或多條的第一耦合
電極； 一接地輻射體，形成于基板另一端的上表面、下表面或中間層，并 與輻射本體相互平行，接地輻射體一端為接地端其延伸至基板的端面，接 地輻射體上形成有一條或多條的第二耦合電極，第二耦合電極與第一耦合 電極相對(duì)而能產(chǎn)生耦合效應(yīng)；藉此，經(jīng)由調(diào)整饋入訊號(hào)接續(xù)端與接地端間 的距離，以及調(diào)整第一耦合電極與第二耦合電極間的距離，可調(diào)整阻抗匹 配及操作頻率點(diǎn)，使天線不需太大的凈空區(qū)及不需增加體積，即可達(dá)到高 效率的操作，同時(shí)利用同樣天線架構(gòu)而使用多訊號(hào)饋入，同樣可達(dá)到小面 積、高效率及多頻操作。
為便于貴審查員能對(duì)本實(shí)用新型的目的、形狀、構(gòu)造裝置特征及其功 效，做更進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)與了解，現(xiàn)舉實(shí)施例配合附圖，詳細(xì)說明如下


圖l為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的立體外觀圖。
圖2A ~ 2G為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的各實(shí)施例的示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的雙頻雙饋入示意圖。
圖4A ~ 4C為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的輸入阻抗的示意圖。
圖5為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的操作頻率點(diǎn)3D示意圖。
圖6為本實(shí)用新型的晶片型天線裝置的另一種雙頻單饋入示意圖。主要元件符號(hào)說明
1:介電基板
2:輻射本體
3:接地輻射體
5:阻抗匹配4支干
21饋入訊號(hào)接續(xù)端
22第一耦合電極
31接地端
32第二耦合電極
40電路板
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供一種"晶片型天線裝置"，請(qǐng)參閱圖1所示，本實(shí)用
新型的晶片型天線裝置，包括 一介電基板1、 一輻射本體2及一接地輻 射體3;其中，該介電基板1可為一單層或多層介電基板；該輻射本體2 形成于基板1 一端的上表面、下表面或中間層，輻射本體2至少部分連接 至地并且有一端向基板1中間延伸，形成一阻抗匹配枝干5，并彎折延伸 至基板端面11，與饋入訊號(hào)接續(xù)端21相連接，輻射本體2上并形成有一 條或多條的第一耦合電極22;該接地輻射體3形成于基板1另一端的上表 面、下表面或中間層，并與輻射本體2相互平行，接地輻射體3—端為接 地端31其延伸至基板的端面11，接地輻射體3上形成有一條或多條的第 二耦合電極32。
輻射本體2的第一耦合電極22與接地輻射體3的第二耦合電極32之 間，并不直接接觸，而保持有一適當(dāng)?shù)钠叫芯嚯x，當(dāng)饋入訊號(hào)接續(xù)端21與 接地端31連接于電子裝置的電路板40而形成封閉回路時(shí)，第 一耦合電極 22與第二耦合電極32之間能產(chǎn)生相當(dāng)于電容的耦合效應(yīng)(亦即C CA/ d)。故該效應(yīng)與二電才及之間的距離成反比，而與二電極之間的面積成正比， 故可藉由調(diào)整二電極之間的距離或面積，而能產(chǎn)生耦合效應(yīng)。
請(qǐng)參閱圖2A 2G所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第一耦合電極22與第二耦合電極32可分別位于不同一平面，但相對(duì)的位置上，亦可藉由調(diào)整 二電極之間的距離或面積，而產(chǎn)生耦合效應(yīng)(如圖2A所示)。再者，第一 耦合電極22可形成連續(xù)彎曲狀，增加長度，而增加電流路徑，但其與第二 耦合電極32位于相對(duì)的位置上，亦可藉由調(diào)整二電極之間的距離或面積， 而產(chǎn)生耦合效應(yīng)(如圖2B、 2C所示)。再者，第二耦合電極32可形成連 續(xù)彎曲狀，增加長度，而增加電流路徑，但其與第一耦合電極22位于相對(duì) 的位置上，亦可藉由調(diào)整二電極之間的距離或面積，而產(chǎn)生耦合效應(yīng)(如 圖2D、 2E、 2F所示)。再者，第一耦合電極22可形成連續(xù)彎曲狀或樹枝 狀，而第二耦合電極32亦可形成連續(xù)彎曲狀或樹枝狀，但二電極位于相對(duì) 的位置上，亦可藉由調(diào)整二電極之間的距離或面積，而產(chǎn)生耦合效應(yīng)(如 圖2G所示)。
請(qǐng)參閱圖3、 6所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例中，可將基板1上輻射本體 2及接地輻射體3作擴(kuò)充延伸，在同一基板1上形成兩組同樣的輻射本體2 及接地輻射體3，或者多組同樣的輻射本體2及接地輻射體3,而形成具有 多個(gè)饋入訊號(hào)接續(xù)端21以及多個(gè)接地端31，其中饋入訊號(hào)接續(xù)端21可分 別取出單一、雙個(gè)或者多個(gè)共振頻率，而因此達(dá)到雙頻或多頻操作效果， 此多頻晶片天線同樣有小面積及高效率的特性，同時(shí)饋入訊號(hào)間亦有良好 的隔離效果。在此以雙頻(包括單饋入雙頻及雙饋入雙頻)為例輻射本 體2的饋入訊號(hào)接續(xù)端21與接地輻射體3的接地端31之間，并不直接接 觸，而保持有一適當(dāng)?shù)钠叫芯嚯x，當(dāng)饋入訊號(hào)接續(xù)端21與接地端31連接 于電子裝置的電路板40而形成封閉回路時(shí)，饋入訊號(hào)接續(xù)端21與接地端 31之間能產(chǎn)生相當(dāng)于電容的耦合效應(yīng)(亦即C CA/d)。故該效應(yīng)與饋入 訊號(hào)接續(xù)端21、接地端31之間的距離成反比，而與饋入訊號(hào)接續(xù)端21、 接地端31之間的面積成正比。
其情形如圖4A、 4B、 4C所示，饋入訊號(hào)接續(xù)端21與輻射本體2間的 距離S，隨著改變距離S的大小(即調(diào)整饋入訊號(hào)接續(xù)端21、接地端31 之間的距離)，可調(diào)整阻抗匹配及操作頻率點(diǎn)。當(dāng)S二2mm時(shí)，其輸入阻 抗位于史密斯圖(Smith Chart)的左上角，距離中心點(diǎn)較遠(yuǎn)，其反射系數(shù) (Return Loss )也庫交大(^口圖4A戶斤示)。^旦卩遺著^巨離S力口大，2mm—3mm—5mm (即縮短饋入訊號(hào)接續(xù)端21、接地端31之間的距離)，其史密斯 圖分布也從左上角的小圈逐漸向右下移動(dòng)并放大(如圖4B、 4C所示)， 更接近中心點(diǎn)其反射系數(shù)也就更小，如圖5所示，當(dāng)電子裝置為具藍(lán)牙(Blue Tooth)及全球定位系統(tǒng)(GPS)的電子裝置時(shí)，接近中心點(diǎn)的阻抗可于藍(lán) 牙及全球定位系統(tǒng)上產(chǎn)生3D的操作頻率點(diǎn)，因此藉由改變饋入訊號(hào)接續(xù)端 21的位置，并且以耦合電極的距離或面積作調(diào)整，可設(shè)計(jì)出各種電子裝置 所需頻率的晶片天線。
綜上所述，本實(shí)用新型的的晶片型天線裝置，確實(shí)具有前所未有的創(chuàng) 新構(gòu)造，其既未見于任何刊物，且市面上亦未見有任何類似的產(chǎn)品，所以， 其具有新穎性應(yīng)無疑慮。另外，本實(shí)用新型所具有的獨(dú)特特征以及功能遠(yuǎn) 非公知技術(shù)所可比擬，所以其確實(shí)比公知技術(shù)更具有其進(jìn)步性，而符合我 國專利法有關(guān)實(shí)用新型專利的申請(qǐng)要件的規(guī)定，乃依法提起專利申請(qǐng)。
以上所述，僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選具體實(shí)施例，然而本實(shí)用新型的構(gòu) 造特征并不局限于此，任何熟悉該項(xiàng)技藝者在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，可輕 易思及的變化或修飾，皆可涵蓋在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種晶片型天線裝置，其特征在于，包括一單層或多層的介電基板；一輻射本體，形成于基板一端的上表面、下表面或中間層，輻射本體至少部分連接至地并且有一端向基板中間延伸，形成一阻抗匹配枝干，并彎折延伸至基板端面，與饋入訊號(hào)接續(xù)端相連接，且輻射本體上形成有一條或多條的第一耦合電極；一接地輻射體，形成于基板另一端的上表面、下表面或中間層，接地輻射體一端為接地端其延伸至基板的端面，接地輻射體上形成有一條或多條的第二耦合電極，第二耦合電極與第一耦合電極相對(duì)而能產(chǎn)生耦合效應(yīng)；以及經(jīng)由調(diào)整饋入訊號(hào)接續(xù)端與接地端間的距離，以及調(diào)整第一耦合電極與第二耦合電極間的距離或面積，可調(diào)整阻抗匹配及操作頻率點(diǎn)。
2、 如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，所述第一耦合 電極與第二耦合電極可分別位于不同一平面，且相對(duì)的位置上。
3、 如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，所述第一耦合 電極可形成連續(xù)彎曲狀，增加長度，而增加電流路徑。
4、 如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，所述第二耦 合電極可形成連續(xù)彎曲狀，增加長度，而增加電流路徑。
5、 如權(quán)利要求l、 2、 3或4所述的晶片型天線裝置，其特征在于，所 述第一耦合電極可形成連續(xù)彎曲狀或樹枝狀。
6、 如權(quán)利要求l、 2、 3或4所述的晶片型天線裝置，其特征在于，所 述第二耦合電極可形成連續(xù)彎曲狀或樹枝狀。
7、 如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，阻抗匹配枝 干，由輻射本體的延伸部位，可全部，部分，或者完全不在介電基板上， 而實(shí)施在所放置的電路板上。
8、 如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，可將基板上 輻射本體及接地輻射體作擴(kuò)充延伸，在同一基板上形成兩組同樣的輻射本體及接地輻射體，或者多組同樣的輻射本體及接地輻射體，而形成具有多 個(gè)饋入訊號(hào)接續(xù)端以及多個(gè)接地端形成多頻多饋入的晶片型天線。
9、如權(quán)利要求1所述的晶片型天線裝置，其特征在于，可將基板上 輻射本體及接地輻射體作多部延伸，在同 一基板上形成多頻單饋入的晶片 型天線。
專利摘要一種晶片型天線裝置，包括一單層或多層的介電基板；一輻射本體，形成于基板一端的上表面、下表面或中間層，輻射本體一端向基板中間延伸，形成一阻抗匹配枝干，并彎折延伸至基板端面，與饋入訊號(hào)接續(xù)端相連接，輻射本體上并形成一條或多條的第一耦合電極；一接地輻射體，形成于基板另一端的上表面、下表面或中間層，接地輻射體一端為接地端其延伸至基板的端面，接地輻射體上形成一條或多條第二耦合電極，第二耦合電極與第一耦合電極相對(duì)而能產(chǎn)生耦合效應(yīng)；藉此，經(jīng)由調(diào)整饋入訊號(hào)接續(xù)端與接地端間的距離，及調(diào)整第一耦合電極與第二耦合電極間的距離，可調(diào)整阻抗匹配及操作頻率點(diǎn)，使天線不需太大的凈空區(qū)及不需增加體積，即可達(dá)到多頻的操作。
文檔編號(hào)H01Q5/00GK201383542SQ20092000663
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2009年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日
發(fā)明者溫勝凱, 蔡岳霖, 陳智崴 申請(qǐng)人:佳邦科技股份有限公司