專利名稱：電力用設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電力用設(shè)備。
背景技術(shù)：
電力用設(shè)備，例如集合型的電容器裝置，將集合的電容器素體周圍以內(nèi)部屏蔽包圍，再 將其外周以對(duì)地絕緣用的絕緣物包圍。如圖1所示的，內(nèi)部屏蔽S將金屬制的管P框架組裝 成盒狀，將其各面以金屬制的平板M封閉。
在其轉(zhuǎn)角緣部(三面相交的部分)上，抵住由三面相互成直角地成形的絕緣物構(gòu)成的三 面拐角D。且，在其角緣部(兩面相交的部分)上，抵住由形成為L(zhǎng)字形的絕緣物構(gòu)成的兩 面拐角L。進(jìn)而，在其各平面上擋住平板狀的絕緣物并包圍以對(duì)地絕緣。R為導(dǎo)線引出用的孔。

實(shí)用新型內(nèi)容
要解決的技術(shù)問題
現(xiàn)有的三面拐角D,相互成直角的三平面相交，其交叉點(diǎn)為配合管P的曲率半徑，必須 形成為圓弧狀。這樣形狀的加工非常麻煩。
三面拐角D，如其各平面的直角度不準(zhǔn)確，或其曲率半徑同管P的曲率半徑不同，則將 其抵住轉(zhuǎn)角緣部時(shí)，同內(nèi)部屏蔽的外面之間就會(huì)產(chǎn)生圖5所示的空隙G。結(jié)果，將其浸漬在 絕緣油中時(shí)，空隙G就就會(huì)產(chǎn)生油層。另，通過內(nèi)部屏蔽的骨架的管的曲率半徑，確定內(nèi)部 屏蔽的拐角部的曲率半徑，不能將其設(shè)定的太大。為此，存在拐角部的電位梯度大，局部放 電初始電壓低的問題。
技術(shù)方案
將電力用設(shè)備本體以內(nèi)部屏蔽包圍，在內(nèi)部屏蔽的轉(zhuǎn)角緣部上抵住三面拐角，在角緣部 上抵住兩面拐角，施以對(duì)地絕緣而構(gòu)成的電力用設(shè)備中，最內(nèi)層的三面拐角和內(nèi)部屏蔽間設(shè) 置外面為絕緣物，內(nèi)面為導(dǎo)電層，且將各緣部的曲率半徑設(shè)定為比內(nèi)部屏蔽的緣部的曲率半 徑大地構(gòu)成的三面拐角電極，將導(dǎo)電層和內(nèi)部屏蔽以導(dǎo)線連接，將導(dǎo)電層的電位固定于內(nèi)部
3屏蔽的電位。 有益效果
三面拐角電極的導(dǎo)電層和內(nèi)部屏蔽間的電位梯度為零，故在此部分不發(fā)生絕緣破壞，可 提高產(chǎn)品的信賴性。另，三面拐角電極緣部的曲率半徑比內(nèi)部屏蔽的曲率半徑大，故比現(xiàn)有 的結(jié)構(gòu)電位梯度下降，可提高局部放電特性。且，即使這樣的將曲率半徑變大，也無需內(nèi)部 屏蔽大型化，可降低絕緣材料的成本。


圖l是本實(shí)用新型實(shí)施例的立體圖。
圖2是主要部分的橫截面圖。
圖3是三面拐角電極的立體圖。
圖4是表示其他實(shí)施例的三面拐角電極的橫截面圖。
圖5是現(xiàn)有例的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
就本實(shí)用新型的實(shí)施例通過圖2以后的各圖進(jìn)行說明。DM為本實(shí)用新型的三面拐角電極， 由與三面拐角D相同相互成直角地具有三平面的絕緣性模制品DC,及設(shè)置在其內(nèi)面的導(dǎo)電層 E構(gòu)成。且，各平面相交的緣部為比內(nèi)部屏蔽的拐角部、即管P的曲率半徑大的曲率半徑。
如圖2所示的，三面拐角電極DM，其內(nèi)面緊密接觸地抵住內(nèi)部屏蔽S的轉(zhuǎn)角緣部。且， 導(dǎo)電層E和內(nèi)部屏蔽S以導(dǎo)線W連接，將導(dǎo)電層E的電位固定于內(nèi)部屏蔽S的電位。
三面拐角電極DM的外周上疊合三面拐角D。這里使用的三面拐角D構(gòu)成為比三面拐角電 極DM長(zhǎng)。且，此第一層的三面拐角D和內(nèi)部屏蔽S間，插入第一層的兩面拐角L的端部，使 兩面拐角L抵住內(nèi)部屏蔽S的角緣部。以下，在各三面拐角D、兩面拐角L的外面順序地疊 合其他的三面拐角D、兩面拐角L成為多層。另，比三面拐角電極DM,使其外周疊合的三面 拐角D的端部較長(zhǎng)地設(shè)定，則形成三面拐角D的端部和兩面拐角L的疊合部分，由此，可提 高表面的絕緣耐力。S,為絕緣隔離墊片，也可以沒有。
圖2、圖3所示的三面拐角電極DM在模制品DC的內(nèi)面將電極板模壓成形一體化，構(gòu)成
導(dǎo)電層E。但是，如圖4所示的在模制品DC的內(nèi)面涂敷導(dǎo)電性涂料形成導(dǎo)電層E也是可以的。
權(quán)利要求1.一種電力用設(shè)備，其是將電力用設(shè)備本體以內(nèi)部屏蔽包圍，在內(nèi)部屏蔽的轉(zhuǎn)角緣部上抵住三面拐角，在角緣部上抵住兩面拐角，施以對(duì)地絕緣從而構(gòu)成；其特征在于，最內(nèi)層的三面拐角和內(nèi)部屏蔽間設(shè)置外面為絕緣物，內(nèi)面為導(dǎo)電層，且將各緣部的曲率半徑設(shè)定為比內(nèi)部屏蔽的緣部的曲率半徑大地構(gòu)成的三面拐角電極，將導(dǎo)電層和內(nèi)部屏蔽以導(dǎo)線連接，將導(dǎo)電層的電位固定于內(nèi)部屏蔽的電位。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種可提高局部放電特性及降低絕緣材料成本的高壓電氣設(shè)備。最內(nèi)層的三面拐角和內(nèi)部屏蔽間設(shè)置外面為絕緣物，內(nèi)面為導(dǎo)電層，且將各緣部的曲率半徑設(shè)定為比內(nèi)部屏蔽的緣部的曲率半徑大地構(gòu)成的三面拐角電極。將導(dǎo)電層和內(nèi)部屏蔽以導(dǎo)線連接，將導(dǎo)電層的電位固定于內(nèi)部屏蔽的電位。
文檔編號(hào)H01G2/22GK201403276SQ200920008999
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日
發(fā)明者榎靖弘 申請(qǐng)人:日新電機(jī)株式會(huì)社