專利名稱：片式抗電磁干擾高頻電感元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于抗電磁干擾高頻電感元件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種片式抗
電磁干擾高頻電感元件。
技術(shù)背景電磁干擾(EMI)對(duì)公共環(huán)境和人身安全的危害已被世界各國(guó)所公認(rèn)。作為抑制電磁干擾三大技術(shù)屏蔽、接地、濾波之一的濾波技術(shù)是目前抑制電磁干擾最有效最經(jīng)濟(jì)的手段。運(yùn)用方法非常簡(jiǎn)單，在電氣設(shè)備電源線的人口處插入抗電磁干擾濾波器(簡(jiǎn)稱EMIF)，濾波器將通過電源線傳導(dǎo)的電磁干擾給予充分的抑制，它既能抑制電氣設(shè)備內(nèi)部的電磁干擾，又能抑制外界電網(wǎng)傳入的電磁干擾。由于EMIF應(yīng)用范圍廣泛，它與傳統(tǒng)濾波器相比有其特殊性，首先是EMIF要求有盡可能寬的阻帶，除工頻50 400Hz以外都可視為有害的干擾頻率。另外，由于電子技術(shù)向高頻化、小型化發(fā)展，EMI F也相應(yīng)趨于小型化、片式化。作為EMIF的材料必須具備以下兩個(gè)基本條件其一，具有高磁導(dǎo)率和高飽和磁化強(qiáng)度，使EMIF在低頻段具有最小匝數(shù)，減小繞線電容，并擴(kuò)展工作頻率范圍；其二， EMIF必須具有極低的磁芯損耗，以提高工作效率和降低成本。 近年來，以計(jì)算機(jī)為主的各種數(shù)字設(shè)備的小型化、高性能化十分引人注目。不過，也帶來了由整機(jī)中輻射電磁波的問題，故有關(guān)EMC的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定逐年嚴(yán)格起來。隨著電子整機(jī)的進(jìn)一步高功能化、高速化和高密度組裝化，迫切要求起抑制噪聲作用的電子元器件進(jìn)一步小型化和高頻化。目前，我國(guó)還沒有既能抑制輻射電磁場(chǎng)強(qiáng)度又能抑制噪聲用的抗電磁干擾高頻電感元件。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)沒有既能抑制輻射電磁場(chǎng)強(qiáng)度又能抑制噪聲用的抗電磁干擾高頻電感元件的技術(shù)問題，提供一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構(gòu)成的，所說電阻值為50 150歐姆，電容的電容量為0. OOluF。 本實(shí)用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，是在幾乎不影響傳輸信號(hào)的波形質(zhì)量的前提下，既具有抑制輻射電磁場(chǎng)強(qiáng)度又有抑制輻射噪聲的效果，針對(duì)高速信號(hào)使用效果最好；還具有體積小、片式化的特點(diǎn)。

附圖是本實(shí)用新型電路原理示意圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)附圖，本實(shí)用新型它由電阻R和電容C組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯1上纏繞兩圈半而形成的線圈L構(gòu)成的，電阻值為50 150歐姆，電容C的電容量為0. OOluF，錳鋅鐵氧體材料磁芯由68%的三氧化二鐵、20%的四氧化三錳20、10%的氧化鋅、1%的納米碳酸鈣1和1%的納米五氧化二釩按重量配比經(jīng)成型、燒結(jié)制備而成。 本實(shí)用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件主要技術(shù)指標(biāo)[0010] 阻抗10MHz時(shí)，大于50歐姆，100MHz時(shí)，大于150歐姆；[0011]插入損耗(IL) :10MHz時(shí)，大于10， 100MHz時(shí)，大于20。 本實(shí)用新型片式化以適合于表面貼裝，其工作原理是，對(duì)應(yīng)信號(hào)源VSC(差模)，因磁心內(nèi)部的磁通小相互抵消，故不產(chǎn)生電感(因此不防礙信號(hào)的波形質(zhì)量)，另一方面，對(duì) 應(yīng)共模噪聲(VG)，磁通(小')在同一方向發(fā)生，而產(chǎn)生電感，起到抑制噪聲的效果。
權(quán)利要求一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，其特征是它由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構(gòu)成的，所說電阻值為50～150歐姆，電容的電容量為0.001uF。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種片式抗電磁干擾高頻電感元件，由電阻和電容組成的串聯(lián)電路和在片式錳鋅鐵氧體材料磁芯上纏繞兩圈半而形成的線圈構(gòu)成的，所說電阻值為50～150歐姆，電容的電容量為0.001uF。本實(shí)用新型片式抗電磁干擾高頻電感元件，是在幾乎不影響傳輸信號(hào)的波形質(zhì)量的前提下，既具有抑制輻射電磁場(chǎng)強(qiáng)度又有抑制輻射噪聲的效果，針對(duì)高速信號(hào)使用效果最好；還具有體積小、片式化的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01F1/34GK201449835SQ20092003078
公開日2010年5月5日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者周興建, 謝真, 高啟龍 申請(qǐng)人:臨沂正原電子有限公司