專(zhuān)利名稱(chēng)：：發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體晶體管
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體地說(shuō)是一種發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管。
背景技術(shù)：
：發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁裝置對(duì)于整個(gè)發(fā)電系統(tǒng)的有效正常運(yùn)行至關(guān)重要。通過(guò)勵(lì)磁裝置中控制模塊的開(kāi)關(guān)控制，勵(lì)磁裝置產(chǎn)生出恒向的直流電流，此勵(lì)磁電流進(jìn)入發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)子線圈，形成很強(qiáng)的旋轉(zhuǎn)磁力場(chǎng)，磁力線切割靜止的定子線圈，電磁感應(yīng)產(chǎn)生輸出電流，從而發(fā)電機(jī)持續(xù)不斷地發(fā)出了電。當(dāng)發(fā)電機(jī)異常時(shí)，也是通過(guò)勵(lì)磁裝置自動(dòng)控制來(lái)調(diào)節(jié)處置。發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁裝置過(guò)去大多采用大電流可控硅來(lái)整流，用三極單管組成開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器來(lái)進(jìn)行勵(lì)磁控制。近年來(lái)新方法是采用半導(dǎo)體整流的原理來(lái)產(chǎn)生勵(lì)磁電流，包括勵(lì)磁調(diào)節(jié)、滅磁及過(guò)電壓保護(hù)。為了符合發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置開(kāi)關(guān)控制模塊的功能要求，一般的功率晶體管電性能遠(yuǎn)不能適用，必須發(fā)明研制出既要功率大、電流大，又要耐壓高，壓降?。患纫螕舸┠土扛?，又要開(kāi)關(guān)時(shí)間短的功率晶體管。由于開(kāi)關(guān)控制模塊的基極驅(qū)動(dòng)電流只有零點(diǎn)幾個(gè)mA，且要通過(guò)晶體管工作于截止與飽和兩種狀態(tài)來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)電機(jī)3A以上的勵(lì)磁電流。所以，為了提高大電流下的放大倍數(shù)，就需要一種將兩個(gè)晶體管復(fù)合在一起，即構(gòu)成所謂的達(dá)林頓晶體管，來(lái)增大放大倍數(shù)及功率增益。另外，又要考慮到開(kāi)關(guān)控制模塊的開(kāi)關(guān)時(shí)間不能長(zhǎng)，當(dāng)晶體管關(guān)閉，需工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，應(yīng)在后級(jí)管的EB間增加一個(gè)電阻來(lái)泄放晶體管的貯存電荷，起到快速衰減信號(hào)的作用。而前級(jí)管不帶電阻可使驅(qū)動(dòng)電流小，同時(shí)這個(gè)電阻因分流作用可減少集電極一發(fā)射極漏電流Iceo，提高達(dá)林頓管工作的穩(wěn)定性和可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于設(shè)計(jì)制造出一種發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管，應(yīng)用于發(fā)電機(jī)關(guān)鍵部位勵(lì)磁裝置的控制模塊中。該產(chǎn)品耗散功率大，二次擊穿耐量高，耐壓高；集電極電流大，飽和壓降低，抗燒性強(qiáng)，可靠性好。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，在N"襯底擴(kuò)散層2的下面有背面金屬化銀層1，在N"襯底擴(kuò)散層2的上面有N—單晶材料層3，并在N—單晶材料層3的上面形成前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7，在所述前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7的上面有二氧化硅層8;在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5內(nèi)形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)12，在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7內(nèi)形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)13;所述金屬化銀層1形成前級(jí)晶體管Tl和后級(jí)晶體管T2共接的集電極C;刻蝕所述二氧化硅層8，在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7上形成若干刻蝕區(qū)，并在其中的第一個(gè)刻蝕區(qū)覆蓋前級(jí)晶體管T1的基極鋁層9，所述前級(jí)晶體管Tl的基極鋁層9形成前級(jí)晶體管Tl的基極B;在第二刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)，在前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極電極鋁層10，所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極連接鋁層10形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極；在第三刻蝕區(qū)覆蓋后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層10，，所述后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層10'形成后級(jí)晶體管T2的基極；所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極連接鋁層10與后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層IO，在二氧化硅層8的表面上連成一體；在第四刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)，在此發(fā)射區(qū)的氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋后級(jí)晶體管T2的發(fā)射極電極鋁層11，所述后級(jí)晶體管T2的鋁層11形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射極E;在前級(jí)晶體管Tl與后級(jí)晶體管T2間設(shè)置V型隔離槽6;在前級(jí)晶體管T1的基區(qū)5內(nèi)對(duì)應(yīng)于前級(jí)晶體管T1的發(fā)射極連接鋁層10所在的部位設(shè)置前級(jí)晶體管T1的發(fā)射區(qū)12;在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7內(nèi)對(duì)應(yīng)于后級(jí)晶體管T2的連接鋁層11所在的部位設(shè)置后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)13，并在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7與發(fā)射區(qū)13之間的部位形成電阻R。在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7的側(cè)面設(shè)置臺(tái)面玻璃鈍化層4。所述單電阻達(dá)林頓管的等效電路包括前級(jí)晶體管Tl與后級(jí)晶體管T2，所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極與所述后級(jí)晶體管T2的基極連接，前級(jí)晶體管Tl的集電極與后級(jí)晶體管T2的集電極連接；在后級(jí)晶體管T2的基極與發(fā)射極之間設(shè)置電阻R。設(shè)計(jì)指標(biāo)如表一表一T30管設(shè)計(jì)指標(biāo)table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>本實(shí)用新型的特點(diǎn)是1、發(fā)明特殊的后級(jí)單電阻達(dá)林頓管內(nèi)部等效結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用鋁下臺(tái)面隔離和鋁上過(guò)橋技術(shù)。2、本實(shí)用新型在工藝設(shè)計(jì)上采用了三重?cái)U(kuò)散臺(tái)面玻璃鈍化制芯工藝。3、本實(shí)用新型還采用了控制基區(qū)雜質(zhì)濃度梯度，以提高微小電流下的電流增益的新工藝技術(shù)。4、將AVbe監(jiān)控測(cè)試技術(shù)運(yùn)用到單電阻達(dá)林頓管的工藝控制中，本實(shí)用新型突破了測(cè)試禁區(qū)。因此，本實(shí)用新型研制了一種特殊的后級(jí)帶單電阻的達(dá)林頓大功率晶體管T30,其性能優(yōu)異，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)，且最終產(chǎn)品發(fā)電機(jī)因可帶電腦、網(wǎng)吧等容性負(fù)荷運(yùn)行而倍受顧客青睞，銷(xiāo)往美國(guó)等國(guó)際市場(chǎng)。該器件改變了原有應(yīng)用分立器件三極單管于發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置中故障多，可靠性差，無(wú)法帶容性負(fù)載的歷史，并且促進(jìn)了1~10KW自啟勵(lì)小型發(fā)電機(jī)行業(yè)的發(fā)展。圖l(1)是二級(jí)晶體管均帶電阻的達(dá)林頓管等效圖。圖l(2)是二級(jí)晶體管均不帶電阻的達(dá)林頓管等效圖。圖l(3)是后級(jí)晶體管帶電阻的單電阻達(dá)林頓管等效圖。圖2是T30型達(dá)林頓管管芯版圖。圖3是T30管內(nèi)部結(jié)構(gòu)等效圖。圖4是管芯剖面圖。圖5是工藝流程圖。具體實(shí)施方式所述發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管，包括前級(jí)晶體管T1與后級(jí)晶體管T2，所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極與所述后級(jí)晶體管T2的基極連接，前級(jí)晶體管Tl的集電極與后級(jí)晶體管T2的集電極連接；在后級(jí)晶體管T2的基極與發(fā)射極之間設(shè)置電阻R。圖2中，所述T30型管芯的版圖尺寸為5.00mmx5.00mm，所述T30型管芯厚度為230士10um。如圖4所示1、背面金屬化銀層，用于形成良好的歐姆接觸。2、N"襯底擴(kuò)散層，用于減小串聯(lián)電阻。3、N—單晶材料。4、臺(tái)面玻璃鈍化，用于提高擊穿電壓。5、Tl管的基區(qū)。6、Tl管和T2管之間的V型隔離槽。7、T2管的基區(qū)。8、二氧化硅層。9、Tl管的基極鋁層，用于基極金屬連線。10、Tl管發(fā)射極與T2管基極連接鋁層。11、T2管的發(fā)射極鋁層。12、Tl管的發(fā)射區(qū)。13、T2管的發(fā)射區(qū)。14、后級(jí)電阻。所述發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管的結(jié)構(gòu)如下(見(jiàn)圖4):在W襯底擴(kuò)散層2的下面有背面金屬化銀層1，在1ST襯底擴(kuò)散層2的上面有N—單晶材料層3，并在N—單晶材料層3的上面形成前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7，在所述前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7的上面有二氧化硅層8;在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5內(nèi)形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)12，在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7內(nèi)形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)13;所述金屬化銀層1形成前級(jí)晶體管Tl和后級(jí)晶體管T2共接的集電極C;刻蝕所述二氧化硅層8，在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7上形成若干刻蝕區(qū)，并在其中的第一個(gè)刻蝕區(qū)覆蓋前級(jí)晶體管T1的基極鋁層9，所述前級(jí)晶體管Tl的基極鋁層9形成前級(jí)晶體管Tl的基極B;在第二刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)，在前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射區(qū)氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋前級(jí)晶體管T1的發(fā)射極電極鋁層10,所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極連接鋁層10形成前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極；在第三刻蝕區(qū)覆蓋后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層10，，所述后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層10'形成后級(jí)晶體管T2的基極；所述前級(jí)晶體管Tl的發(fā)射極連接鋁層10與后級(jí)晶體管T2的基極連接鋁層10'在二氧化硅層8的表面上連成一體；在第四刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)，在此發(fā)射區(qū)的氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋后級(jí)晶體管T2的發(fā)射極電極鋁層11，所述后級(jí)晶體管T2的鋁層11形成后級(jí)晶體管T2的發(fā)射極E;在前級(jí)晶體管Tl與后級(jí)晶體管T2間設(shè)置V型隔離槽6;在前級(jí)晶體管T1的基區(qū)5內(nèi)對(duì)應(yīng)于前級(jí)晶體管T1的發(fā)射極連接鋁層10所在的部位設(shè)置前級(jí)晶體管T1的發(fā)射區(qū)12;在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7內(nèi)對(duì)應(yīng)于后級(jí)晶體管T2的連接鋁層11所在的部位設(shè)置后級(jí)晶體管T2的發(fā)射區(qū)13，并在后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7與發(fā)射區(qū)13之間的部位形成電阻R。在前級(jí)晶體管Tl的基區(qū)5與后級(jí)晶體管T2的基區(qū)7的側(cè)面設(shè)置臺(tái)面玻璃鈍化層4。所述發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管的生產(chǎn)過(guò)程如下(見(jiàn)圖5):所述發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管的AVbe監(jiān)控測(cè)試技術(shù)步驟如下步驟一，將所述達(dá)林頓管連接到測(cè)試儀的對(duì)應(yīng)插孔上，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)；步驟二，在所述測(cè)試儀上設(shè)定下列參數(shù)(1)IS=5mA;(2)IE=3A;(3)VCB=30V;(4)dl=100ms;(5)d2=200us;(6)Cl=210mV;(7)C2=30mV;步驟三，在測(cè)試儀上插上待測(cè)的達(dá)林頓管，按一下測(cè)試開(kāi)關(guān)，顯示屏幕上顯示出該管所測(cè)的AVBE值；若需自動(dòng)測(cè)試，則將"手動(dòng)/自動(dòng)"開(kāi)關(guān)置于自動(dòng)位置，插上待測(cè)管而不必按測(cè)試開(kāi)關(guān)，所測(cè)得的AVBE數(shù)值就會(huì)顯示在屏幕上，如此連續(xù)操作，測(cè)試速度得到加快；步驟四，合格與否判定方法AVbe參數(shù)合格，則顯示屏幕上顯示位于比較上限Cl與比較下限C2之間的數(shù)據(jù)；若AVbe不合格，則顯示"xxx"、"Ad"、"A5"、"AAAAAA"等不合格；若開(kāi)路，則顯示"000000";若短路，則顯示"SSSSSS"。下面描述本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)特點(diǎn)1、發(fā)明特殊的后級(jí)單電阻達(dá)林頓管內(nèi)部等效結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用鋁下臺(tái)面隔離和鋁上過(guò)橋技術(shù)。若達(dá)林頓二級(jí)晶體管均帶電阻，見(jiàn)圖l(1)，則滿足不了發(fā)電機(jī)勵(lì)磁驅(qū)動(dòng)電流小的要求，造成發(fā)電機(jī)開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)不夠。若均不帶電阻，見(jiàn)圖1(2),則工作時(shí)因達(dá)林頓管自身發(fā)熱會(huì)使Iceo漏電流增大，根據(jù)公式Iceo2=Iebolxpixp2可見(jiàn)較大的Iceo2漏電流將會(huì)影響發(fā)電機(jī)可靠正常運(yùn)作，當(dāng)后級(jí)管的EB間增加一個(gè)電阻，見(jiàn)圖1(3)，則既可使晶體管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)泄放晶體管的貯存電荷，起到快速衰減信號(hào)的作用，又可使Iceol通過(guò)分流一部分，最終使漏電流Iceo2減少，而前級(jí)管不帶電阻，可使驅(qū)動(dòng)電流減少。這樣提高了達(dá)林頓管工作的穩(wěn)定性和可靠性。如上所述，T30達(dá)林頓管的前級(jí)管與后級(jí)管之間不帶電阻，則在工藝過(guò)程中采用了LTGJ鋁下臺(tái)面隔離技術(shù)，并且又采用了鋁上過(guò)橋的方法將兩只晶體管連接起來(lái)。由于臺(tái)面工藝在玻璃鈍化以后，晶片會(huì)產(chǎn)生形變，芯片表面容易不平整，這在刻蝕引線孔及反刻時(shí)較難掌握，尤其氧化層上有玻璃的殘留突點(diǎn)，蒸鋁時(shí)也會(huì)由于臺(tái)面拐彎處和二氧化硅與引線孔的臺(tái)階問(wèn)題而斷鋁。T30管在工藝上采取了一系列的有效措施，蒸鋁時(shí)采用了速率快，鋁粒附著力強(qiáng)，多角度打上去等特殊的方法，以及采用特殊的曝光和刻蝕的技巧，解決了兩個(gè)管芯臺(tái)面上過(guò)橋斷鋁的難題。2、本實(shí)用新型在工藝設(shè)計(jì)上采用了三重?cái)U(kuò)散臺(tái)面玻璃鈍化制芯工藝。硅片采用中阻單晶片，以達(dá)到300V-400V的高耐壓要求。由于挖掘了臺(tái)面工藝的優(yōu)勢(shì)，則在同樣電流保證的條件下，臺(tái)面工藝的耐壓一般比平面工藝要高；繼而，正因?yàn)榕_(tái)面管耐壓有余量，可適當(dāng)降低電阻率，使高阻層薄一點(diǎn)，來(lái)降低飽和壓降，滿足飽和壓降要小的指標(biāo)。三重?cái)U(kuò)散臺(tái)面玻璃鈍化工藝另一突出的優(yōu)勢(shì)是功率大，抗燒能力強(qiáng)。因T30管用于發(fā)電機(jī)勵(lì)磁開(kāi)關(guān)控制部分，處于開(kāi)關(guān)運(yùn)用狀態(tài)，電流又大，要求器件二次擊穿耐量Is/b要高，上機(jī)失效率要低。三重?cái)U(kuò)散臺(tái)面工藝管因其高阻區(qū)域抗燒，且高低阻過(guò)渡區(qū)濃度不突變，進(jìn)一步提高了抗燒性。若用平面工藝則需采用外延工藝，外延層上有層錯(cuò)等缺陷，材料與外延層之間存在濃度突變而不抗燒，所以采用本工藝解決了抗燒的應(yīng)用問(wèn)題。3、本實(shí)用新型還采用了控制基區(qū)雜質(zhì)濃度梯度，以提高微小電流下的電流增益的新工藝技術(shù)。T30管要求大電流下Hfe要大，同樣在K^5mA的微小電流下，直流增益也不能低，以防止發(fā)電機(jī)開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)不夠。通過(guò)調(diào)整產(chǎn)品縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及調(diào)節(jié)基區(qū)和發(fā)射區(qū)濃度，改善芯片表面狀態(tài)，降低小電流復(fù)合，來(lái)提高注入效率?？刂屏藬U(kuò)散體電阻的準(zhǔn)確性、攻克了國(guó)內(nèi)外無(wú)法實(shí)現(xiàn)的微小電流下高Hfe的難題。4、將AVbe監(jiān)控測(cè)試技術(shù)運(yùn)用到單電阻達(dá)林頓管的工藝控制中，本實(shí)用新型突破了測(cè)試禁區(qū)。T30管的功率大，Is/b二次擊穿要求耐量高，除芯片制作中須考慮外，組裝工藝如何提高二次擊穿也是關(guān)鍵點(diǎn)。本實(shí)用新型在組裝中運(yùn)用了AVbe監(jiān)控測(cè)試技術(shù)，通過(guò)裝片后的芯片監(jiān)測(cè)和成品全測(cè)AVbe參數(shù)，剔除有空洞缺陷的半成品，進(jìn)一步確保芯片與框架間良好的歐姆接觸，降低了飽和壓降，提高了Is/b。由于DLT結(jié)構(gòu)復(fù)雜，以往AVbe測(cè)試時(shí)因采樣不準(zhǔn)而難以實(shí)施。本實(shí)用新型采用了測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng)等方法和技巧突破了這一禁區(qū)。本實(shí)用新型效果如表二，從表二實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)可看出，本實(shí)用新型產(chǎn)品的技術(shù)性能參數(shù)均達(dá)到并超過(guò)設(shè)計(jì)指標(biāo)。T30樣品經(jīng)顧客使用后反映產(chǎn)品性能優(yōu)異，無(wú)故障問(wèn)題發(fā)生，可靠性高，完全滿足自啟勵(lì)發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置中開(kāi)關(guān)控制模塊的使用要求。表二T30管實(shí)測(cè)電參數(shù)性能<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>權(quán)利要求1、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管，其特征是在N+襯底擴(kuò)散層(2)的下面有背面金屬化銀層(1)，在N+襯底擴(kuò)散層(2)的上面有N-單晶材料層(3)，并在N-單晶材料層(3)的上面形成前級(jí)晶體管(T1)的基區(qū)(5)與后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)，在所述前級(jí)晶體管(T1)的基區(qū)(5)與后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)的上面有二氧化硅層(8)；在前級(jí)晶體管(T1)的基區(qū)(5)內(nèi)形成前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射區(qū)(12)，在后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)內(nèi)形成后級(jí)晶體管(T2)的發(fā)射區(qū)(13)；所述金屬化銀層(1)形成前級(jí)晶體管(T1)和后級(jí)晶體管(T2)共接的集電極(C)；刻蝕所述二氧化硅層(8)，在前級(jí)晶體管(T1)的基區(qū)(5)與后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)上形成若干刻蝕區(qū)；并在其中的第一個(gè)刻蝕區(qū)覆蓋前級(jí)晶體管(T1)的基極鋁層(9)，所述前級(jí)晶體管(T1)的基極鋁層(9)形成前級(jí)晶體管(T1)的基極(B)；在第二刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射區(qū)，在前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射區(qū)氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射極電極鋁層(10)，所述前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射極連接鋁層(10)形成前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射極；在第三刻蝕區(qū)覆蓋后級(jí)晶體管(T2)的基極連接鋁層(10’)，所述后級(jí)晶體管(T2)的基極連接鋁層(10’)形成后級(jí)晶體管(T2)的基極；所述前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射極連接鋁層(10)與后級(jí)晶體管(T2)的基極連接鋁層(10’)在二氧化硅層(8)的表面上連成一體；在第四刻蝕區(qū)通過(guò)磷擴(kuò)散形成后級(jí)晶體管(T2)的發(fā)射區(qū)，在此發(fā)射區(qū)的氧化層的電極刻蝕孔上再覆蓋后級(jí)晶體管(T2)的發(fā)射極電極鋁層(11)，所述后級(jí)晶體管(T2)的鋁層(11)形成后級(jí)晶體管(T2)的發(fā)射極(E)；在前級(jí)晶體管(T1)與后級(jí)晶體管(T2)間設(shè)置V型隔離槽(6)；在前級(jí)晶體管(T1)的基區(qū)(5)內(nèi)對(duì)應(yīng)于前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射極連接鋁層(10)所在的部位設(shè)置前級(jí)晶體管(T1)的發(fā)射區(qū)(12)；在后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)內(nèi)對(duì)應(yīng)于后級(jí)晶體管(T2)的連接鋁層(11)所在的部位設(shè)置后級(jí)晶體管(T2)的發(fā)射區(qū)(13)，并在后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)與發(fā)射區(qū)(13)之間的部位形成電阻(R)。2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管，其特征是在前級(jí)晶體管(Tl)的基區(qū)(5)與后級(jí)晶體管(T2)的基區(qū)(7)的側(cè)面設(shè)置臺(tái)面玻璃鈍化層(4)。3、如權(quán)利要求1所述的發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管，其特征是所述單電阻達(dá)林頓管的等效電路包括前級(jí)晶體管(Tl)與后級(jí)晶體管(T2)，所述前級(jí)晶體管(Tl)的發(fā)射極與所述后級(jí)晶體管(T2)的基極連接，前級(jí)晶體管(Tl)的集電極與后級(jí)晶體管(T2)的集電極連接；在后級(jí)晶體管(T2)的基極與發(fā)射極之間設(shè)置電阻(R)。專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體晶體管
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體地說(shuō)是一種發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置用單電阻達(dá)林頓管。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，在N⁺襯底擴(kuò)散層的下面有背面金屬化銀層，在N⁺襯底擴(kuò)散層的上面有N^-單晶材料層，并在N^-單晶材料層的上面形成前級(jí)晶體管的基區(qū)與后級(jí)晶體管的基區(qū)，在所述前級(jí)晶體管的基區(qū)與后級(jí)晶體管的基區(qū)的上面有二氧化硅層；在前級(jí)晶體管的基區(qū)內(nèi)形成前級(jí)晶體管的發(fā)射區(qū)，在后級(jí)晶體管的基區(qū)內(nèi)形成后級(jí)晶體管的發(fā)射區(qū)；所述金屬化銀層形成前級(jí)晶體管和后級(jí)晶體管共接的集電極。本實(shí)用新型可應(yīng)用于發(fā)電機(jī)關(guān)鍵部位勵(lì)磁裝置的控制模塊中。該產(chǎn)品耗散功率大，二次擊穿耐量高，耐壓高；集電極電流大，飽和壓降低，抗燒性強(qiáng)，可靠性好。文檔編號(hào)H01L27/07GK201402808SQ20092004588公開(kāi)日2010年2月10日申請(qǐng)日期2009年5月7日優(yōu)先權(quán)日2009年5月7日發(fā)明者錢(qián)曉平,龔利汀,龔利貞申請(qǐng)人:無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司