專利名稱：晶圓傳送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓傳送裝置。 背景技木
在半導(dǎo)體銅(Cu)布線工藝中，為了進行銅薄膜的電鍍，首先需要通過物 理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)制程在半導(dǎo)體晶圓的氧化硅層上 生長出阻擋層，其成分比如是鉭(Ta);然后需要在阻擋層上同樣以PVD制程 沉積一層薄的銅籽晶層，然后再在Cu籽晶層上以電化學(xué)電鍍(Electrical Chemical Plating, ECP)方法來生長出一層期望厚皮的Cu薄膜層。
在電化學(xué)鍍銅過程中，首先將晶圓放置在電鍍槽中與電鍍液反應(yīng)。其中， 晶圓是呈片狀的晶片。然后，通過晶圓清洗及晶圓邊緣快速去除工藝(Clean & EBR process)對晶圓進行處理。最后，需要將該晶圓通過晶圓轉(zhuǎn)送裝置運到退 火反應(yīng)室。
現(xiàn)有的晶圓轉(zhuǎn)送裝置是由塑料制成。請參見圖1,該晶圓轉(zhuǎn)送裝置包括一個 用于放置晶圓l，的空腔，所述空腔是一個開口向上、底面呈圓形的凹槽，且其 四周槽壁2，均豎直設(shè)置，即與底面相垂直。
由于現(xiàn)在通常采用機械自動化流水線生產(chǎn)，晶圓在從電鍍槽到晶圓轉(zhuǎn)送裝
置的移送過程中可能會產(chǎn)生移位，例如晶圓r的一部分架在槽頂上，而沒有放 置在空腔的正確位置，請參見圖2，晶圓探測器一旦沒有探測到晶圓r,就會發(fā) 出警報。接著，鎖定裝置也將被觸發(fā)，工藝線上的所有晶圓r將因此停頓下來， 進而容易引發(fā)這些晶圓r在一起碰撞甚至碰碎。而且，這些晶圓r由于過長時 間停留在潮濕的酸性環(huán)境中，容易被侵蝕損壞。基于上述這些原因，晶圓的被 廢棄比例非常高，生產(chǎn)成本驟升
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種晶圓傳送裝置，不僅結(jié)構(gòu)簡單、使用方便， 而且晶圓可以借助自身的重力自動調(diào)整到晶圓傳送裝置的正確位置。
為了達到上述的目的，本實用新型提供一種晶圓傳送裝置，包括一個用于 放置晶圓的空腔，所述空腔是一個開口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向 上延伸的槽壁面。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面在所述凹槽的縱剖面中為直線。 在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面在所述凹槽的縱剖面中為曲線。所 述曲線可以為上凹曲線或下凹曲線。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面與水平面的夾角為5-60°。進一步， 所迷槽壁面與水平面的夾角為30°。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述晶圓傳送裝置由塑料制成。 本實用新型的晶圓傳送裝置通過將放置晶圓的空腔設(shè)置具有所述向外且斜 向上延伸的槽壁面的凹槽，4吏得當晶圓沒有》文置在晶圓傳送裝置的正確位置時， 晶圓可以通過自身的重力自動下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免了由于晶圓位 置放置不正確，觸發(fā)警報器及鎖定裝置，使得整個工藝生產(chǎn)線停頓。因而，有 效避免了晶圓由于生產(chǎn)線突然停頓而引發(fā)的碰撞。同時也可以有效避免晶圓由 于過長時間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險。因此，提高了生產(chǎn)線的效 率，有效減少了晶圓的不合格率，降低了生產(chǎn)成本。


本實用新型的晶圓傳送裝置由以下的實施例及附圖給出。 圖l是現(xiàn)有的晶圓傳送裝置當晶圓正確;故置時的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是現(xiàn)有的晶圓傳送裝置當晶圓錯誤放置時的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實用新型具有曲線槽壁面(上凹曲線)的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié) 構(gòu)示意圖4是本實用新型具有曲線槽壁面(下凹曲線)的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié) 構(gòu)示意圖5是本實用新型具有直線槽壁面的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是本實用新型晶圓傳送裝置當晶圓錯誤放置時的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1，， l-晶圓； 2，， 2-槽壁面。
具體實施方式

以下將對本實用新型的晶圓傳送裝置作進一步的詳細描述。
請參見圖3，本實用新型提供一種晶圓傳送裝置，包括一個用于放置晶圓l 的空腔，所述空腔是一個開口向上的凹槽，所述凹槽的4黃截面為圓形，所述凹 槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,這種槽壁面區(qū)別于現(xiàn)有的豎直向上的槽壁 面。當晶圓1沒用;^丈置在晶圓傳送裝置的正確位置時，晶圓1可以借助該向外 且斜向上延伸的槽壁面2,利用自身重力作用自動調(diào)整到正確的位置。
本實施例中，所述凹槽的縱剖面呈上寬下窄的碗狀，請參見圖3，所述槽壁 面2在該縱剖面中為上凹曲線。所述曲線也可以為下凹曲線，請參見圖4。當然， 所述凹槽的縱剖面也可以是呈上寬下窄的梯形，請參見圖5，其中，槽壁面在該 縱剖面中為直線。這種結(jié)構(gòu)加工更加方便。當晶圓1沒用放置在晶圓傳送裝置 的正確位置時，可以方便晶圓l通過自身重力作用自動調(diào)整到正確的位置。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面2與水平面的夾角可以為5-60°。本 實施例中，所述槽壁面2與水平面的夾角為30°。 '在上述的晶圓傳送裝置中，所述晶圓傳送裝置由塑料制成。
本實用新型是這樣工作的
首先將晶圓放置在電鍍槽中與電鍍液反應(yīng)。此中，晶圓是呈片狀的晶片。 然后，通過晶圓清洗及晶圓邊緣快速去除工藝(Clean&EBRprocess )對晶圓進 行處理。最后，需要將該晶圓通過晶圓轉(zhuǎn)送裝置運到退火反應(yīng)室。由于現(xiàn)在通 常采用機械自動化流水線生產(chǎn)，晶圓在從電鍍槽到晶圓轉(zhuǎn)送裝置的移送過程中 可能會產(chǎn)生移位。在轉(zhuǎn)運的過程中， 一旦晶圓1沒有放置在晶圓轉(zhuǎn)送裝置的正 確位置，請參見圖6，由于本實用新型的晶圓傳送裝置的放置晶圓1的空腔凹槽 具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,使得當晶圓1沒有放置在晶圓傳送裝置的正 確位置時，晶圓1可以通過自身的重力自動下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免 了現(xiàn)有技術(shù)中如圖2所示的晶圓l，一端被架起的情況，從而避免了由于晶圓1 位置放置不正確，觸發(fā)警報器及鎖定裝置，使得整個工藝生產(chǎn)線停頓。因而， 有效避免了晶圓由于生產(chǎn)線突然停頓而引發(fā)的碰:撞。同時也可以有效避免晶圓
5由于過長時間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險。因此，有效減少了晶圓 的不合格率，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)線的效率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各 種的更動與潤飾。因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求1、一種晶圓傳送裝置，包括一個用于放置晶圓的空腔，所述空腔是一個開口向上的凹槽，其特征在于所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。
2、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的縱剖面中為直線。
3、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的縱剖面中為曲線。
4、 如權(quán)利要求3所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述曲線為上凹曲線 或下凹曲線。
5、 如權(quán)利要求2-4中任意一項所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽 壁面與水平面的夾角為5-60°。
6、 如權(quán)利要求5所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面與水平面 的夾角為30°。
7、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述晶圓傳送裝置由 塑料制成。
專利摘要本實用新型公開了一種晶圓傳送裝置，包括一個用于放置晶圓的空腔，所述空腔是一個開口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。本實用新型的晶圓傳送裝置通過將放置晶圓的空腔設(shè)置具有所述向外且斜向上延伸的槽壁面的凹槽，使得當晶圓沒有放置在晶圓傳送裝置的正確位置時，晶圓可以通過自身的重力自動下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免了由于晶圓位置放置不正確，觸發(fā)警報器及鎖定裝置，使得整個工藝生產(chǎn)線停頓。因而，有效避免了晶圓由于生產(chǎn)線突然停頓而引發(fā)的碰撞。同時也可避免晶圓由于過長時間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險。因此，提高了生產(chǎn)線的效率，減少了晶圓的不合格率，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L21/768GK201364889SQ200920067200
公開日2009年12月16日 申請日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者任存生, 劉志鵬, 凡 夏, 陳勇志 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司