專利名稱：粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭示帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)封裝，屬于半導(dǎo)體光電子技 術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝包括帶有近乎半球體的透鏡的封裝和不帶有透鏡的封裝。 其中，不帶有透鏡的封裝中的半導(dǎo)體發(fā)光二極管被一層透明物質(zhì)或混有熒光粉的透明物質(zhì) 覆蓋(為了方便，下面把透明物質(zhì)和混有熒光粉的透明物質(zhì)統(tǒng)稱為覆蓋物)，覆蓋物的表面 是平面。由于覆蓋物的折射系數(shù)大于l，因此，半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)出的光的一部分會在覆 蓋物的表面和空氣之間的界面處產(chǎn)生全內(nèi)反射。雖然帶有透鏡的LED封裝的光取出效率較 高，但是成本也較高，工藝步驟增加，良品率下降。 因此，需要對無透鏡的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的覆蓋物的表面進行粗化，避免上 面提到的全內(nèi)反射問題，提高光取出效率，降低成本，提高良品率。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明揭示的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的一個具體實施例有如下 結(jié)構(gòu) (1)金屬支架；其中，金屬支架包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電 極引腳。 (2)至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管(可以是多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管)，所述的半導(dǎo)體 發(fā)光二極管鍵合在至少一片金屬部件上；半導(dǎo)體發(fā)光二極管與外界電源相連接(可以通過 打金線與電極引腳相連接，圖中未展示金線；也可以不通過打金線與電極引腳相連接)；對 于多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管，可以是串聯(lián)后與電極引腳相連接，可以是以并聯(lián)方式與電極引 腳相連接，可以是串聯(lián)和并聯(lián)組合的方式與電極引腳相連接，也可以是互相獨立的與電極 引腳相連接。電極引腳與外界電源相連接。 (3)覆蓋物所述的覆蓋物具有單層或多層結(jié)構(gòu)；覆蓋物的每一層的材料是從一 組材料中選出，該組材料包括透明物質(zhì)，或者是混有熒光粉的透明物質(zhì)；為了方便，下面 把透明物質(zhì)和混有熒光粉的透明物質(zhì)統(tǒng)稱為覆蓋物；覆蓋物的每一層的材料可以相同，也 可以不同(一種透明物質(zhì)和混有熒光粉的同一種透明物質(zhì)被定義為不同材料)；透明物質(zhì) 包括，但不限于硅膠(silicone)、樹脂(印oxy)、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅(Silicon On Glass)、聚酰亞胺(polyimide)、玻璃，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、丙 烯酸(acrylic)，等。覆蓋物覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光二極管。覆蓋物把金屬支架的多片金屬部件固 定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。 (4)覆蓋物的表面具有粗化結(jié)構(gòu)，粗化結(jié)構(gòu)包括從覆蓋物的表面向上突起的金 字塔陣列結(jié)構(gòu)、圓錐陣列結(jié)構(gòu)、圓柱陣列結(jié)構(gòu)、部分球體陣列結(jié)構(gòu)、多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)、不 規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)；從覆蓋物的表面向下凹進去的金字塔陣列結(jié)構(gòu)、圓錐陣列結(jié)構(gòu)、圓柱陣列結(jié)構(gòu)、部分球體陣列結(jié)構(gòu)、多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)、不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。粗化結(jié)構(gòu)的頂部 (或底部)也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 另一個實施例如下覆蓋物具有二層結(jié)構(gòu)第一層是混有熒光粉的硅膠，覆蓋在 半導(dǎo)體發(fā)光二極管和金屬支架上，第一層覆蓋物可以覆蓋部分金屬支架，也可以覆蓋整個 金屬支架；第二層是透明物質(zhì)(例如，從樹脂、氧化硅，氮化硅，玻璃上硅、聚酰亞胺、玻璃、 聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸中選出)，覆蓋在第一層混有熒光粉的硅膠上，第二層覆蓋物可 以覆蓋部分第一層覆蓋物，也可以覆蓋整個第一層覆蓋物。對于打金線的芯片，第一層覆蓋 物已經(jīng)把金線覆蓋。。如果是向上凸起的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第二層的透明物質(zhì)上；如果是 向下凹進去的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第二層的透明物質(zhì)中。
另一個實施例如下(未在圖中顯示此實施例)覆蓋物具有三層結(jié)構(gòu)第一層覆蓋
物是硅膠，覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管和金屬支架上，第一層覆蓋物可以覆蓋部分金屬支架，
也可以覆蓋整個金屬支架；第二層覆蓋物是混有熒光粉的硅膠，覆蓋在第一層硅膠上，第
二層覆蓋物可以覆蓋部分第一層覆蓋物，也可以覆蓋整個第一層覆蓋物；第三層覆蓋物是
一種透明物質(zhì)覆蓋在第二層混有熒光粉的硅膠上，第三層覆蓋物可以覆蓋部分第二層覆蓋
物，也可以覆蓋整個第二層覆蓋物。對于打金線的芯片，第一層覆蓋物或第一和第二層覆蓋
物已經(jīng)把金線覆蓋。。如果是向上凸起的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第三層的透明物質(zhì)上；如果是
向下凹進去的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第三層的透明物質(zhì)中。 本發(fā)明的目的和能達到的各項效果如下。
(1)本發(fā)明揭示的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，光取出效率提高。
(2)本發(fā)明揭示的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，減少由于光在覆蓋物 內(nèi)被吸收所產(chǎn)生的熱量。
(3)本發(fā)明揭示的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，由于不帶有透鏡，因此
成本也較低，工藝步驟簡單(進一步降低成本)，良品率上升。 本發(fā)明和它的特征及效益將在下面的詳細描述中更好的展示。

圖1展示在先的不帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的截面圖。 圖2a、圖2b展示本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的幾個具體實
施例的截面圖。 圖3a、圖3b展示本發(fā)明的帶有粗化表面(圓柱體陣列)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝 的具體實施例的截面圖。 圖4a、圖4b、圖4c、圖4d展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。 圖5a、圖5b、圖5c展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。 圖6a、圖6b、圖6c展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。
具體實施方式
雖然本發(fā)明的具體化實施例將會在下面被描述，但下列各項描述只是說明本發(fā)明
的原理，而不是局限本發(fā)明于下列各項描述。 注意，下列各項應(yīng)用于本發(fā)明的所有具體實施例 (1)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝提高出光效率。[0026] (2)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝產(chǎn)生較少的熱量。 (3)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝降低生產(chǎn)成本，提高良品率。 (4)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的覆蓋物的表面粗化結(jié)構(gòu) 是從一組粗化結(jié)構(gòu)選出，該組粗化結(jié)構(gòu)包括，但不限于(l)從覆蓋物的表面向上突起的金 字塔陣列結(jié)構(gòu)；(2)從覆蓋物的表面向上突起的圓錐陣列結(jié)構(gòu)；(3)從覆蓋物的表面向上突 起的圓柱陣列結(jié)構(gòu)；(4)從覆蓋物的表面向上突起的部分球體陣列結(jié)構(gòu)；(5)從覆蓋物的 表面向上突起的多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)；(6)從覆蓋物的表面向上突起的不規(guī)則尖型陣列結(jié) 構(gòu)；(7)從覆蓋物的表面向下凹進去的金字塔陣列結(jié)構(gòu)；(8)從覆蓋物的表面向下凹進去的 圓錐陣列結(jié)構(gòu)；(9)從覆蓋物的表面向下凹進去的圓柱陣列結(jié)構(gòu)；(10)從覆蓋物的表面向 下凹進去的部分球體陣列結(jié)構(gòu)；(ll)從覆蓋物的表面向下凹進去的多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)； (12)從覆蓋物的表面向下凹進去的不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。 (5)粗化結(jié)構(gòu)的頂部(或底部)也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 (6)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的覆蓋物具有單層或多層結(jié) 構(gòu)；覆蓋物的每一層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括透明物質(zhì)和混有熒光粉 的透明物質(zhì)；覆蓋物的每一層的材料可以相同，也可以不同(一種透明物質(zhì)和混有熒光粉 的同一種透明物質(zhì)被定義為不同材料)；其中，透明物質(zhì)是從一組材料中選出，該組材料包 括，但不限于硅膠(silicone)、樹脂(印oxy)、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅(S0G)、聚酰亞胺 (polyimide)、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸，等。 (7)對于具有多層結(jié)構(gòu)的覆蓋物，覆蓋物的表面的一層具有粗化結(jié)構(gòu)；粗化結(jié)構(gòu) 可以先在覆蓋物的表面的一層上形成，然后，再把表面的一層覆蓋在下面的一層覆蓋物上。 也可以在把覆蓋物的表面的一層覆蓋在下面的一層覆蓋物上之后，再形成粗化結(jié)構(gòu)。如果 是向上凸起的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在覆蓋物的表面的一層的透明物質(zhì)上；如果是向下凹進去 的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在覆蓋物的表面的一層的透明物質(zhì)中。 (8)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝包括，但不限于正發(fā)光 (top view)封裝、貼片(SMD)式封裝。 (9)從半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)來劃分，本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二 極管封裝中采用的半導(dǎo)體發(fā)光二極管是從一組半導(dǎo)體發(fā)光二極管中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光 二極管的結(jié)構(gòu)包括，但不限于正裝半導(dǎo)體發(fā)光二極管(lateral chip)、垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體發(fā) 光二極管(vertical chip)(或被稱為上下電極結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體發(fā)光二極管、單電極結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體 發(fā)光二極管、Thin GaN、Thin film)、倒裝結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體發(fā)光二極管(flip chip)、3維垂直結(jié) 構(gòu)半導(dǎo)體發(fā)光二極管(3D vertical chip)(包括Thin film flipchip)。 (10)從驅(qū)動電流來劃分，本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝中采用 的半導(dǎo)體發(fā)光二極管是從一組半導(dǎo)體發(fā)光二極管中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包 括直流電驅(qū)動半導(dǎo)體發(fā)光二極管(DC driving LEDchip)，交流電驅(qū)動半導(dǎo)體發(fā)光二極管 (AC driving LED chip)。 (11)從半導(dǎo)體發(fā)光二極管的成分來劃分，本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二 極管封裝中采用的半導(dǎo)體發(fā)光二極管是從一組半導(dǎo)體發(fā)光二極管中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光 二極管包括，GaN基半導(dǎo)體發(fā)光二極管、GaP基半導(dǎo)體發(fā)光二極管、GaNP基半導(dǎo)體發(fā)光二極 管。[0036] (12)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝中，至少有一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管，也可以有多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管。 (13)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝中，對于有多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝，多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管可以是串聯(lián)后與電極引腳相連接，可以是以并聯(lián)方式與電極引腳相連接，可以是串聯(lián)和并聯(lián)組合的方式與電極引腳相連接，也可以是互相獨立的與電極引腳相連接。電極引腳與外界電源相連接。 (14)本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝中，金屬支架包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電極引腳，為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架來表示，半導(dǎo)體發(fā)光二極管通常不鍵合在電極引腳上，但也可以鍵合在電極引腳上(例如，在一種貼片式封裝中，半導(dǎo)體發(fā)光二極管鍵合在一個電極引腳上)。[0039] (15)半導(dǎo)體發(fā)光二極管與外界電源相連接的方法包括通過打金線與電極引腳相連接(圖中未展示金線)，不通過打金線與電極引腳相連接。 圖1展示在先的無透鏡的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的截面圖。半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝1包括金屬支架14，覆蓋物12，半導(dǎo)體發(fā)光二極管13。其中，金屬支架14包括多片金屬部件，多片金屬部件包括電極引腳(為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架14來表示多片金屬部件)，至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管13鍵合在金屬支架14的至少一片金屬部件上，覆蓋物12覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管13上并把金屬支架14的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成封裝。覆蓋物12的表面15是平面。[0041] 圖2a展示本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的具體實施例的截面圖。半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝2a包括金屬支架24，覆蓋物21a和21b，至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管23。其中，金屬支架24包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電極引腳(為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架24來表示；也沒有畫出把LED芯片23和電極引腳電連接的金線)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管23鍵合在金屬支架24的至少一片金屬部件上，覆蓋物21a和21b覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管23上并把金屬支架24的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。圖2a中，覆蓋物21a覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管23和部分金屬支架24上，覆蓋物21b覆蓋在覆蓋物21a上。[0042] 圖2a展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝2a與圖1展示的在先的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝1的結(jié)構(gòu)相近，不同之處在于覆蓋物21b的表面帶有向上凸起的粗化結(jié)構(gòu)27，粗化結(jié)構(gòu)27是從一組粗化結(jié)構(gòu)中選出，該組粗化結(jié)構(gòu)包括(l)金字塔陣列結(jié)構(gòu)；(2)圓錐陣列結(jié)構(gòu)；(3)部分球體陣列結(jié)構(gòu)；(4)多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)；(5)不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。粗化結(jié)構(gòu)的
頂部也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖2b展示本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的具體實施例的截面圖。半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝2b包括金屬支架24，覆蓋物21a和21b，至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管23。其中，金屬支架24包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電極引腳(為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架24來表示；也沒有畫出把LED芯片23和電極引腳電連接的金線)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管23鍵合在金屬支架24的至少一片金屬部件上。覆蓋物21a和21b覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管23上并把金屬支架24的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。圖2b中，覆蓋物21a覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管23和部分金屬支架24上，覆蓋物21b覆蓋在覆蓋物21a上。[0044] 圖2b展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝2b與圖2a展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝2a相近，不同之處在于覆蓋物21b的表面帶有向下凹進去的粗化結(jié)構(gòu)28，粗化結(jié)構(gòu)28是從一組粗化結(jié)構(gòu)中選出，該組粗化結(jié)構(gòu)包括(l)金字塔陣列結(jié)構(gòu)；(2)圓錐陣列結(jié)構(gòu)；(3)部分球體陣列結(jié)構(gòu)；(4)多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)；(5)不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。粗化結(jié)構(gòu)的底部也
可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖3a展示本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的具體實施例的截面圖。半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝3a包括金屬支架34，覆蓋物31a和31b，至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管33。其中，金屬支架34包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電極引腳(為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架34來表示；也沒有畫出把LED芯片23和電極引腳電連接的金線)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管33鍵合在金屬支架34的至少一片金屬部件上，覆蓋物31a和31b覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管33上并把金屬支架34的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。 圖3a展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝3a與圖1展示的在先的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝1的結(jié)構(gòu)相近，不同之處在于覆蓋物31b的表面帶有向上突起的圓柱陣列粗化結(jié)構(gòu)37。[0047] 圖3b展示本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的具體實施例的截面圖。半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝3b包括金屬支架34，覆蓋物31a和31b，至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管33。其中，金屬支架34包括多片金屬部件，多片金屬部件包括至少兩個電極引腳(為了簡化，圖中沒有畫出多片金屬部件和電極引腳，只用金屬支架34來表示；也沒有畫出把LED芯片23和電極引腳電連接的金線)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管33鍵合在金屬支架34的至少一片金屬部件上，覆蓋物31a和31b覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管33上并把金屬支架34的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。 圖3b展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝3b與圖3a展示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝3a相近，不同之處在于覆蓋物31b的表面帶有向下凹進去的圓柱陣列粗化結(jié)構(gòu)38。[0049] 雖然圖2a、2b和圖3a、3b展示的本發(fā)明的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝的覆蓋物具有兩層結(jié)構(gòu)，但是，覆蓋物也可以具有單層結(jié)構(gòu)，或具有多于兩層的結(jié)構(gòu)。[0050] 覆蓋物具有三層結(jié)構(gòu)的一個實施例如下(為了簡化，沒有畫圖)覆蓋物具有三層結(jié)構(gòu)第一層是硅膠，覆蓋在半導(dǎo)體發(fā)光二極管33上；第二層是混有熒光粉的硅膠，覆蓋在第一層硅膠上；第三層是一種透明物質(zhì)(例如，從樹脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亞胺中、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸中選出)覆蓋在第二層混有熒光粉的硅膠上。對于打金線的芯片，第一和第二層覆蓋物已經(jīng)把金線覆蓋。第三層上的粗化結(jié)構(gòu)可以在覆蓋在第二層上之前形成，也可以在覆蓋在第二層上之后形成。如果是向上凸起的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第三層的透明物質(zhì)上；如果是向下凹進去的粗化結(jié)構(gòu)，則形成在第三層的透明物質(zhì)中。[0051] 圖4a展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。向上突起的粗化陣列42形成在覆蓋物41的表面上。粗化陣列42的頂部也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖4d展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。向下凹進去的粗化陣列45形成在覆蓋物41的表面上。粗化陣列45的底部也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖4b展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的正面圖。粗化陣列43是金字塔陣列
7結(jié)構(gòu)，形成在覆蓋物41的表面上。粗化陣列43即可以是表示圖4a的向上突起的粗化陣列
42的正面圖，也可以是表示圖4d的向下凹進去的粗化陣列45的正面圖。 圖4c展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的正面圖。粗化陣列44是圓錐陣列結(jié)
構(gòu)，形成在覆蓋物41的表面上。粗化陣列44即可以是表示圖4a的向上突起的粗化陣列42
的正面圖，也可以是表示圖4d的向下凹進去的粗化陣列45的正面圖。 圖5a展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。在覆蓋物51的表面上形成
向上突起的粗化陣列52。粗化陣列52的頂部也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖5c展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。在覆蓋物51的表面上形成向下凹進去的粗化陣列53。粗化陣列53的底部也可以不是尖的，可以是圓弧面，也可以是平面。 圖5b展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的正面圖。粗化陣列54是多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)，形成在覆蓋物51的表面上。粗化陣列54即可以是表示圖5a的向上突起的多面體錐型粗化陣列52的正面圖，也可以是表示圖5c的向下凹進去的多面體錐型粗化陣列53的正面圖。雖然，圖5b中，粗化陣列54的多面體錐型粗化陣列是6面體錐型，但是，也可以是其他多面體錐型粗化陣列(例如，3面體、5面體、8面體)和不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。[0058] 圖6a展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。在覆蓋物61的表面上形成向上突起的部分球體粗化陣列62。 圖6b展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的截面圖。在覆蓋物61的表面上形成向下凹進去的部分球體粗化陣列63。 圖6c展示本發(fā)明的粗化表面的具體實施例的正面圖。粗化陣列64是部分球體粗化陣列，形成在覆蓋物61的表面上。粗化陣列64即可以是表示圖6a的向上突起的部分球體粗化陣列62的正面圖，也可以是表示圖6b的向下凹進去的部分球體粗化陣列63的正面圖。 上面的具體的描述并不限制本發(fā)明的范圍，而只是提供一些本發(fā)明的具體化的例證。因此本發(fā)明的涵蓋范圍應(yīng)該由權(quán)力要求和它們的合法等同物決定，而不是由上述具體化的詳細描述和具體實施例決定。
權(quán)利要求一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其組成部分包括，金屬支架、至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管、覆蓋物；其中，所述的金屬支架包括多片金屬部件，所述的多片金屬部件包括至少兩個電極引腳；所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管鍵合在至少一片所述的金屬部件上；所述的覆蓋物覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光二極管；所述的覆蓋物把所述的多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝；其特征在于，所述的覆蓋物的表面帶有粗化結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述的覆蓋物的表面 的粗化結(jié)構(gòu)是從一組粗化結(jié)構(gòu)中選出，該組粗化結(jié)構(gòu)包括1.從覆蓋物的表面向上突起的 金字塔陣列結(jié)構(gòu)；2.從覆蓋物的表面向上突起的圓錐陣列結(jié)構(gòu)；3.從覆蓋物的表面向上突 起的圓柱陣列結(jié)構(gòu)；4.從覆蓋物的表面向上突起的部分球體陣列結(jié)構(gòu)；5.從覆蓋物的表 面向上突起的多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)；6.從覆蓋物的表面向上突起的不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)； 7.從覆蓋物的表面向下凹進去的金字塔陣列結(jié)構(gòu)；8.從覆蓋物的表面向下凹進去的圓錐 陣列結(jié)構(gòu)；9.從覆蓋物的表面向下凹進去的圓柱陣列結(jié)構(gòu)；10從覆蓋物的表面向下凹進去 的部分球體陣列結(jié)構(gòu)；11.從覆蓋物的表面向下凹進去的多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)；12.從覆蓋 物的表面向下凹進去的不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述的粗化結(jié)構(gòu)的頂 部或底部的形狀是從一組形狀中選出，該組形狀包括，尖形、圓弧面、平面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述的覆蓋物具有至 少一層結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述的帶有粗化表面 的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝包括正發(fā)光帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝、貼片式帶 有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述的半導(dǎo)體發(fā)光二 極管的結(jié)構(gòu)是從一組結(jié)構(gòu)中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括正裝結(jié)構(gòu)、垂直結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體發(fā)光二極管、倒裝結(jié)構(gòu)、3維垂直結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極 管是從一組半導(dǎo)體發(fā)光二極管中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光二極管包括直流電驅(qū)動半導(dǎo)體發(fā) 光二極管、交流電驅(qū)動半導(dǎo)體發(fā)光二極管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極 管是從一組半導(dǎo)體發(fā)光二極管中選出，該組半導(dǎo)體發(fā)光二極管包括，GaN基半導(dǎo)體發(fā)光二極 管、GaP基半導(dǎo)體發(fā)光二極管、GaNP基半導(dǎo)體發(fā)光二極管。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝，其特征在于，對于有多個半導(dǎo)體發(fā) 光二極管的封裝，多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管可以是串聯(lián)后與電極引腳相連接，可以是以并聯(lián) 方式與電極引腳相連接，可以是串聯(lián)和并聯(lián)組合的方式與電極引腳相連接，也可以是互相 獨立的與電極引腳相連接；電極引腳與外界電源相連接。
專利摘要本實用新型揭示的帶有粗化表面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝具有如下結(jié)構(gòu)(1)金屬支架金屬支架包括多片金屬部件，多片金屬部件包括電極引腳；(2)至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管，鍵合在金屬支架上；(3)覆蓋物覆蓋物具有單層或多層結(jié)構(gòu)，覆蓋物的每一層的材料是從一組材料中選出，包括，透明物質(zhì)或者是混有熒光粉的透明物質(zhì)；覆蓋物覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光二極管，覆蓋物把多片金屬部件固定在預(yù)定的位置從而形成半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝。覆蓋物的表面具有粗化結(jié)構(gòu)，粗化結(jié)構(gòu)包括從覆蓋物的表面向上凸起(或向下凹進去)的金字塔陣列結(jié)構(gòu)、圓錐陣列結(jié)構(gòu)、圓柱陣列結(jié)構(gòu)、部分球體陣列結(jié)構(gòu)、多面體錐型陣列結(jié)構(gòu)、不規(guī)則尖型陣列結(jié)構(gòu)。本實用新型能達到的各項效果如下(1)光取出效率提高；(2)減少光在覆蓋物內(nèi)所產(chǎn)生的熱量；(3)成本較低，工藝步驟簡單，良品率上升。
文檔編號H01L25/075GK201514954SQ200920110538
公開日2010年6月23日 申請日期2009年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月3日
發(fā)明者彭一芳 申請人:金芃