專利名稱：GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及照明領(lǐng)域，特別涉及LED產(chǎn)品的ESD防護結(jié)構(gòu)(
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的GaN (氮化鎵)基LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二 極管)裝置，是將LED芯片置于一金屬支架上，并使用金線或鋁線使 其電連接至金屬支架的正極及負(fù)極上，形成電性通路，然而，此類 LED芯片的P型電極和N型電極位于同一側(cè)，電流密度分布不均勻， 決定了 GaN基LED芯片屬于靜電敏感器件，其抗ESD(Electro Static Discharge,靜電放電)能力較差。
為了提高GaN基LED芯片的抗ESD能力，需要增加齊納二極管進 行ESD保護，這樣，就需要在支架上增加載片區(qū)，以裝設(shè)齊納二極管， 如圖1與圖2所示，是目前市場上常見的兩種設(shè)計形態(tài)。
圖1是將齊納芯片11設(shè)置在支架13遠離負(fù)極16的一端，并使 齊納芯片11的底部與支架13的正極15電連接，再使用鍵合金絲14 將齊納芯片11電連接至支架13的負(fù)極16，這樣，齊納芯片11可為 GaN基LED芯片12提供一個靜電防護回路，將環(huán)境中的靜電通過齊 納芯片11導(dǎo)至GaN基LED裝置外，保護LED芯片12不被靜電所損壞。 然而，此種裝設(shè)結(jié)構(gòu)具有以下缺陷
(1) 齊納芯片11設(shè)置在遠離支架13負(fù)極16的位置，連接二者 的金絲14跨接支架13兩端，使得金絲14的長度較長，且必須跨過 LED芯片12上方，從而阻擋LED芯片12發(fā)出的光線，影響LED芯片 12的發(fā)光效果；
(2) 由于齊納芯片11與支架13的負(fù)極16距離較遠，使得鍵合 金絲14必須具有足夠的長度，則容易與連接LED芯片12和支架13 的金線或鋁線碰觸，引起短路，損壞元器件。
為了克服以上的缺陷，圖2采用另外一種設(shè)計結(jié)構(gòu)，此處的支架 23在中段安裝GaN基LED芯片22的位置向一側(cè)形成延伸區(qū)，齊納芯 片21裝設(shè)在此延伸區(qū)位置，并與支架23的正極25電連接，通過金 絲24將齊納芯片21與支架23的負(fù)極26連接起來。改變齊納芯片 21的安裝位置后，鍵合金絲24不必跨過LED芯片22的上方，從而 避免影響LED芯片22的發(fā)光效果，然而，此種結(jié)構(gòu)也具有以下不足: (1)此時的金絲24仍舊需繞過支架23的四分之一外周，與連接LED芯片22和支架23的金線或鋁線碰觸的可能性較大，穩(wěn)定性低，
影響使用壽命； '
(2)支架23需另外設(shè)計制造，不能與現(xiàn)有的支架通用，適用范 圍小，生產(chǎn)成本高。
鑒于以上缺陷，本發(fā)明人潛心研究，本案由此產(chǎn)生。

實用新型內(nèi)容
本實用新型的主要目的，在于提供一種GaN基LED芯片的ESD防 護結(jié)構(gòu)，其不會影響LED芯片的發(fā)光效果，且使用范圍廣，使用穩(wěn)定 性高。
為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是 一種GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)，GaN基LED芯片裝設(shè)在支 架上，并使用金線或鋁線將LED芯片電連接在支架的兩極，所述ESD 防護結(jié)構(gòu)包括齊納芯片與金絲，齊納芯片設(shè)置在支架靠近負(fù)極的一 端，并與支架正極電連接，齊納芯片還與負(fù)極通過金絲連接。 上述齊納芯片借助導(dǎo)電膠將其底部電連接于支架。 采用上述方案后，本實用新型通過改變齊納芯片的裝設(shè)位置，可 具有以下改進
(1) 齊納芯片與支架負(fù)極之間距離縮短，金絲不必跨過LED芯 片，不會影響LED芯片的發(fā)光效果；
(2) 連接齊納芯片與支架負(fù)極的金絲很短，最大限度地減少了 金絲與連接LED芯片和支架的金線或鋁線碰觸的可能性，提高使用穩(wěn) 定性；
(3) 采用這種結(jié)構(gòu)后，齊納芯片可直接安裝在通用的金屬支架 上，而不需配備專門的金屬支架，使用方便，使用成本低，適用范圍 廣。


圖1是一種現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖2是另一種現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖3是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作詳細說明。
如圖3所示，本實用新型一種GaN (氮化鎵)基LED (LightEmitting Diode ，發(fā)光二極管)芯片的ESD (Electro Static Discharge,靜電放電)防護結(jié)構(gòu)，適用于現(xiàn)有的通用LED裝置，是 將GaN基LED芯片2裝設(shè)在一金屬支架3上，此支架3可導(dǎo)電，并與 正極5連通，還借助金線或鋁線將LED芯片2與支架3的兩極電性連 接。
本實用新型的改進點在于還包括齊納芯片LH金絲4，齊納芯 片1設(shè)置在支架3靠近負(fù)極6的一端，并使齊納芯片1與支架3的正 極5電連接，此處可使用導(dǎo)電膠將齊納芯片1膠著在支架1上，從而 將齊納芯片1的底部電連接于支架1的正極5，也可以采用其它的方 式，不以本實施例為限；齊納芯片1還通過金絲4連接到支架3的負(fù) 極6。
采用本實用新型后，齊納芯片1通過與支架3的兩極連接，從而 為GaN基LED芯片2提供一個靜電防護回路，將環(huán)境中的靜電通過齊 納芯片1導(dǎo)至LED裝置外，保護GaN基LED芯片2不被靜電所損壞。
綜上所述，本實用新型GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)，重點在 于將齊納芯片1裝設(shè)在支架3靠近負(fù)極6的一端，從而減小齊納芯片 l與負(fù)極6之間的金絲4的長度，避免阻擋LED芯片2的發(fā)光，不會 影響發(fā)光效果；也不會與連接LED芯片2和負(fù)極6的金線或鋁線發(fā)生 短路，使用穩(wěn)定性提高；且本實用新型可設(shè)置在普通的支架3上，適 用性強。以上實施例僅為說明本實用新型的技術(shù)思想，不能以此限定 本實用新型的保護范圍，凡是按照本實用新型提出的技術(shù)思想，在技 術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何改動，均落入本實用新型保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)，GaN基LED芯片裝設(shè)在支架上，并使用金線或鋁線將LED芯片電連接在支架的兩極，其特征在于還包括齊納芯片與金絲，齊納芯片設(shè)置在支架靠近負(fù)極的一端，并與支架正極電連接，齊納芯片還與負(fù)極通過金絲連接。
2、 如權(quán)利要求l所述的GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述齊納芯片借助導(dǎo)電膠將其底部電連接于支架。
專利摘要本實用新型公開一種GaN基LED芯片的ESD防護結(jié)構(gòu)，GaN基LED芯片裝設(shè)在支架上，并使用金線或鋁線將LED芯片電連接在支架的兩極，所述ESD防護結(jié)構(gòu)包括齊納芯片與金絲，齊納芯片設(shè)置在支架靠近負(fù)極的一端，并與支架正極電連接，齊納芯片還與負(fù)極通過金絲連接。此結(jié)構(gòu)不會影響LED芯片的發(fā)光效果，且使用范圍廣，使用穩(wěn)定性高。
文檔編號H01L33/00GK201369340SQ200920136650
公開日2009年12月23日 申請日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者鄭智斌, 陶海青 申請人:廈門華聯(lián)電子有限公司