專利名稱：齊納電壓調(diào)整二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種齊納電壓調(diào)整二極管。
背景技術(shù)：
齊納電壓調(diào)整二極管是一種穩(wěn)壓二極管，是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊的面接觸型 硅晶體二極管。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣，穩(wěn)壓二 極管的特性曲線與普通二極管基本相似，只是穩(wěn)壓二極管的反向特性曲線比較陡。穩(wěn)壓二 極管的正常工作范圍是在伏安特性曲線上的反向電流開(kāi)始突然上升的部分，這一段的電 流，對(duì)于常用的小功率穩(wěn)壓管來(lái)講， 一般為幾毫安至幾十毫安。 穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開(kāi)路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一 種故障表現(xiàn)出電源電壓升高，后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問(wèn)題就在于提供一種齊納電壓調(diào)整二極管，它屬于低
噪聲系列穩(wěn)壓管，具有低電壓、低漏電的特點(diǎn)，能夠在小電流狀態(tài)穩(wěn)定工作，廣泛應(yīng)用于低
功耗的基準(zhǔn)電路及各種精密儀器電路中。 為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案 本實(shí)用新型一種齊納電壓調(diào)整二極管，包括管芯，所述管芯包括一個(gè)PN結(jié)，所述 PN結(jié)雙面設(shè)置有電極；PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層 Si3N4層和一層Si02層，所述電極、Si3N4層和Si02層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。 所述PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)。 本實(shí)用新型齊納電壓調(diào)整二極管屬于低噪聲系列穩(wěn)壓管，具有低電壓、低漏電的 特點(diǎn)，能夠在小電流狀態(tài)穩(wěn)定工作，其封裝采用冶金燒結(jié)工藝，具有極高的可靠性，因此廣 泛應(yīng)用于低功耗的基準(zhǔn)電路及各種精密儀器電路中。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型一種齊納電壓調(diào)整二極管，包括管芯l，所述管芯包括一 個(gè)PN結(jié)2，圖中，N為PN結(jié)的N區(qū)，P為PN結(jié)的P區(qū)，所述PN結(jié)雙面設(shè)置有電極3 ;PN結(jié)表 面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層4和一層Si02層5，所 述電極、Si3N4層和Si02層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。 所述PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)。 本實(shí)用新型采用了注入加擴(kuò)散的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)PN結(jié)濃度梯度的控制，形成了準(zhǔn) 突變結(jié)，從而改善了器件的擊穿特性。[0013] 本實(shí)用新型齊納電壓調(diào)整二極管屬于低噪聲系列穩(wěn)壓管，具有低電壓、低漏電的 特點(diǎn)，能夠在小電流狀態(tài)穩(wěn)定工作，其封裝采用冶金燒結(jié)工藝，具有極高的可靠性，因此廣 泛應(yīng)用于低功耗的基準(zhǔn)電路及各種精密儀器電路中。 最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型而并非限制本實(shí)用新型所 描述的技術(shù)方案；因此，盡管本說(shuō)明書(shū)參照上述的各個(gè)實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型已進(jìn)行了詳細(xì) 的說(shuō)明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，仍然可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行修改或等同替 換；而一切不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進(jìn)，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型 的權(quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求一種齊納電壓調(diào)整二極管，包括管芯，其特征在于所述管芯包括一個(gè)PN結(jié)，所述PN結(jié)雙面設(shè)置有電極；PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層SiO2層，所述電極、Si3N4層和SiO2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的齊納電壓調(diào)整二極管，其特征在于所述PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種齊納電壓調(diào)整二極管，包括管芯，所述管芯包括一個(gè)PN結(jié)，所述PN結(jié)雙面設(shè)置有電極；PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層SiO2層，所述電極、Si3N4層和SiO2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。它屬于低噪聲系列穩(wěn)壓管，具有低電壓、低漏電的特點(diǎn)，能夠在小電流狀態(tài)穩(wěn)定工作，廣泛應(yīng)用于低功耗的基準(zhǔn)電路及各種精密儀器電路中。
文檔編號(hào)H01L29/43GK201440418SQ200920171198
公開(kāi)日2010年4月21日 申請(qǐng)日期2009年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者牟廣慶 申請(qǐng)人:朝陽(yáng)無(wú)線電元件有限責(zé)任公司