專利名稱：小型可插拔電連接模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及小型可插拔電連接模塊，尤其涉及應(yīng)用于吉比特以太網(wǎng)交換機(jī)互 連通信的小型可插拔電連接模塊。
背景技術(shù)：
目前，超短距離以太網(wǎng)交換機(jī)的互連通信有兩種方案。一種方案是用兩只 1000BASE-SX光電轉(zhuǎn)換收發(fā)合一小型可插拔(Small Form-factor Pluggable, SFP)模塊進(jìn) 行互連。這種方案的通信介質(zhì)為多模光纖，電磁兼容特性良好，理論傳輸距離為550m ；但 是，1000BASE-SX光電轉(zhuǎn)換收發(fā)合一 SFP模塊的壽命受到其內(nèi)部有源器件的限制，而且價(jià)格 昂貴，造成資源浪費(fèi)。另一種互連方案是兩端采用SFP標(biāo)準(zhǔn)接口、中間采用超五類網(wǎng)線。這 種方案雖然維護(hù)方便，但是電磁兼容特性差，不滿足CISPR22 :1997協(xié)議的要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型旨在提供一種小型可插拔電連接模塊，用于在低成本的情況下，改善 小型可插拔電連接模塊的傳輸特性和電磁兼容特性。一種小型可插拔電連接模塊，包括兩個(gè)SFP接口和一條將所述兩個(gè)SFP接口連接 在一起的屏蔽電纜，所述屏蔽電纜具有至少一個(gè)吸收低頻噪聲的屏蔽層和至少一個(gè)吸收高 頻噪聲的屏蔽層。其中，所述屏蔽電纜具有兩個(gè)屏蔽層，所述兩個(gè)屏蔽層由外及內(nèi)分別為吸收低頻 噪聲的銅網(wǎng)屏蔽層和吸收高頻噪聲的鋁箔屏蔽層。其中，所述屏蔽電纜具有三個(gè)屏蔽層，所述三個(gè)屏蔽層由外及內(nèi)分別為吸收低頻 噪聲的銅網(wǎng)屏蔽層、吸收高頻噪聲的第一鋁箔屏蔽層和吸收高頻噪聲的第二鋁箔屏蔽層。其中，所述第二鋁箔屏蔽層為兩個(gè)，并且其中一個(gè)所述第二鋁箔屏蔽層包裹所述 屏蔽電纜的數(shù)字信號(hào)發(fā)射差分對(duì)，另一個(gè)所述第二鋁箔屏蔽層包裹所述屏蔽電纜的數(shù)字信 號(hào)接收差分對(duì)。其中，所述屏蔽電纜具有兩條地線，分別位于兩個(gè)所述第二鋁箔屏蔽層內(nèi)部。其中，所述屏蔽電纜還包括位于所述第一鋁箔屏蔽層和所述第二鋁箔屏蔽層之間 的填充層。其中，所述屏蔽層與所述SFP接口的金屬殼體良好接觸，所述SFP接口的金屬殼體 通過(guò)交換機(jī)的內(nèi)部殼體連接到地。其中，所述屏蔽電纜的地線焊接到印刷電路板的地。其中，所述屏蔽電纜采用26AWG*2P規(guī)格。

圖1是本實(shí)用新型SFP電連接模塊的示意圖；圖2是本實(shí)用新型SFP電連接模塊的屏蔽電纜的截面圖；[0015]圖3是本實(shí)用新型SFP電連接模塊的屏蔽電纜的另一截面圖；圖4是圖3所示SFP電連接模塊的電眼圖；圖5是圖3所示SFP電連接模塊的垂直方向的電磁干擾特性；圖6是圖3所示SFP電連接模塊的水平方向的電磁干擾特性。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員 更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。如圖1所示，本實(shí)用新型小型可插拔電連接模塊100，包括兩個(gè)SFP接口 101和一 條將所述兩個(gè)SFP接口 101連接在一起的屏蔽電纜102，所述屏蔽電纜102具有至少一個(gè)吸 收低頻噪聲的屏蔽層和至少一個(gè)吸收高頻噪聲的屏蔽層。采用所述的小型可插拔電連接模塊100，由于屏蔽電纜102的屏蔽層能夠吸收低 頻噪聲和高頻噪聲，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)而言，能夠在低成本的情況下改善SFP電連接模 塊100的傳輸特性和電磁兼容特性。下面對(duì)屏蔽電纜102的結(jié)構(gòu)進(jìn)行舉例說(shuō)明。如圖2屏蔽電纜102的截面圖所示， 屏蔽電纜102包括外包裹層201、銅網(wǎng)屏蔽層202、鋁箔屏蔽層203、信號(hào)線204和地線205， 其中銅網(wǎng)屏蔽層202用于吸收低頻(例如低于10MHz)噪聲，鋁箔屏蔽層203用于吸收高頻 (例如高于10MHz)噪聲。這兩個(gè)屏蔽層與兩端的SFP接口的金屬殼體良好接觸，而SFP金 屬殼體通過(guò)交換機(jī)的內(nèi)部殼體(cage)連接到地，這樣就形成了完整的屏蔽網(wǎng)絡(luò)，保證實(shí)現(xiàn) 交換機(jī)互連通信時(shí)，輻射騷擾值在規(guī)定范圍之內(nèi)，滿足CISPR22 1997協(xié)議的要求。此外，如圖3屏蔽電纜102的截面圖所示，屏蔽電纜102包括外包裹層201、銅網(wǎng)屏 蔽層202、第一鋁箔屏蔽層303、第二鋁箔屏蔽層304a、第二鋁箔屏蔽層304b、填充層305、信 號(hào)線204和地線205，其中銅網(wǎng)屏蔽層202用于吸收低頻(例如低于10MHz)噪聲，第一鋁箔 屏蔽層303、第二鋁箔屏蔽層304a和第二鋁箔屏蔽層304b用于吸收高頻(例如高于10MHz) 噪聲。各個(gè)屏蔽層與兩端的SFP接口的金屬殼體良好接觸，SFP金屬殼體通過(guò)交換機(jī)的內(nèi) 部殼體連接到地，地線205焊接到印刷電路板的地，這樣就形成了完整的屏蔽網(wǎng)絡(luò)，保證實(shí) 現(xiàn)交換機(jī)互連通信時(shí)，輻射騷擾值在規(guī)定范圍之內(nèi)，滿足CISPR22 1997協(xié)議的要求。此外，圖3中的屏蔽電纜102有兩組差分信號(hào)線對(duì)，分別為數(shù)字信號(hào)發(fā)射差分對(duì)和 數(shù)字信號(hào)接收差分對(duì)，其中，第二鋁箔屏蔽層304a包裹數(shù)字信號(hào)發(fā)射差分對(duì)和地線，而第 二鋁箔屏蔽層304b包裹數(shù)字信號(hào)接收差分對(duì)和地線，這樣，就避免了兩組差分信號(hào)對(duì)之間 的干擾。采用圖3所示的屏蔽電纜102，由于銅網(wǎng)屏蔽層202能夠吸收低頻噪聲，第一鋁箔 屏蔽層303、第二鋁箔屏蔽層304a和第二鋁箔屏蔽層304b能夠吸收高頻噪聲，從而避免了 內(nèi)部數(shù)字信號(hào)對(duì)外界的電磁輻射并屏蔽了外界對(duì)內(nèi)部數(shù)字信號(hào)的電磁干擾，所以，在低成 本的情況下，提高了產(chǎn)品穩(wěn)定性，改善了產(chǎn)品的電磁兼容特性。應(yīng)當(dāng)理解的是，基于實(shí)際的應(yīng)用情況，第二鋁箔屏蔽層304可以為一個(gè)、兩個(gè)或者 多于兩個(gè)。此外，在上述各實(shí)施例中，屏蔽電纜102均采用26AWG*2P規(guī)格。而且，根據(jù)實(shí)際應(yīng) 用需要，可以增加或減小銅網(wǎng)屏蔽層和/或鋁箔屏蔽層的數(shù)目。[0028]下面以圖3的屏蔽電纜102結(jié)構(gòu)為例，說(shuō)明本實(shí)用新型SFP電連接模塊的性能。圖 4是1250Mbps傳輸1. 5m電眼圖，可見(jiàn)傳輸性能測(cè)試良好。圖5是30M至1000M頻率垂直方 向的輻射騷擾值，圖6為30M至1000M頻率水平方向的輻射騷擾值，可見(jiàn)輻射騷擾值在規(guī)定 范圍內(nèi)，電磁干擾特性良好。以上所述實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本實(shí)用新型而所舉的較佳的實(shí)施例，本發(fā)明的保 護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本 發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述小型可插拔SFP電連接模塊包括兩個(gè)SFP接口和一條將所述兩個(gè)SFP接口連接在一起的屏蔽電纜，所述屏蔽電纜具有至少一個(gè)吸收低頻噪聲的屏蔽層和至少一個(gè)吸收高頻噪聲的屏蔽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜具有兩 個(gè)屏蔽層，所述兩個(gè)屏蔽層由外及內(nèi)分別為吸收低頻噪聲的銅網(wǎng)屏蔽層和吸收高頻噪聲的 鋁箔屏蔽層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜具有三 個(gè)屏蔽層，所述三個(gè)屏蔽層由外及內(nèi)分別為吸收低頻噪聲的銅網(wǎng)屏蔽層、吸收高頻噪聲的 第一鋁箔屏蔽層和吸收高頻噪聲的第二鋁箔屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述第二鋁箔屏蔽層 為兩個(gè)，其中一個(gè)所述第二鋁箔屏蔽層包裹所述屏蔽電纜的數(shù)字信號(hào)發(fā)射差分對(duì)，另一個(gè) 所述第二鋁箔屏蔽層包裹所述屏蔽電纜的數(shù)字信號(hào)接收差分對(duì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜具有兩 條地線，分別位于兩個(gè)所述第二鋁箔屏蔽層內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜還包括 位于所述第一鋁箔屏蔽層和所述第二鋁箔屏蔽層之間的填充層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6任一項(xiàng)所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽層 與所述SFP接口的金屬殼體良好接觸，所述SFP接口的金屬殼體通過(guò)交換機(jī)的內(nèi)部殼體連 接到地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜的地線 焊接到印刷電路板的地。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型可插拔電連接模塊，其特征在于，所述屏蔽電纜采用 26AWG*2P 規(guī)格。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種小型可插拔電連接模塊，用于在低成本的情況下，改善小型可插拔電連接模塊的傳輸特性和電磁兼容特性。一種小型可插拔電連接模塊，包括兩個(gè)SFP接口和一條將所述兩個(gè)SFP接口連接在一起的屏蔽電纜，所述屏蔽電纜具有至少一個(gè)吸收低頻噪聲的屏蔽層和至少一個(gè)吸收高頻噪聲的屏蔽層。
文檔編號(hào)H01R11/11GK201584591SQ200920174480
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者張春艷 申請(qǐng)人:武漢電信器件有限公司