專利名稱：扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶體管器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及封裝元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶
體管器件。
背景技術(shù)：
目前，常見的雙IGBT絕緣柵雙極型晶體管器件都采用標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝，底部帶有銅 底板，外加塑料殼包封，體積很大，生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，對于中小功率的雙IGBT器件就顯得 很不適用，同時造成了成本的增加和占用空間大等問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是為了解決上述存在的缺點與不足，提供一種扁 平事封裝雙絕緣柵雙極功率管元器件。 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種扁平式封裝雙絕緣柵雙 極型晶體管器件，具有引線框架，引線框架上設(shè)置有兩個絕緣柵雙極功率管芯片，引線框架 的外圍塑封絕緣樹脂形成扁平結(jié)構(gòu)，下端引出有功能引腳，功能引腳包括引腳一號、引腳二 號、引腳三號、引腳四號和引腳五號，引腳二號和引腳四號分別作為兩個絕緣柵雙極功率管 芯片的控制門極，引腳一號是作為絕緣柵雙極功率管芯片的發(fā)射極與另一個絕緣柵雙極功 率管芯片的集電極的公共電極，引腳三號為與公共電極集電極對應(yīng)的發(fā)射極，引腳五號為 與公共電極發(fā)射極對應(yīng)的集電極，當(dāng)在控制門極端加上正電壓信號，集電極與發(fā)射極可即 時道統(tǒng)，當(dāng)控制門極端加上適當(dāng)負電壓信號，集電極與發(fā)射極又可完全及時關(guān)斷，開關(guān)的頻 率高。 進一步，為了方便與散熱裝置緊固安裝，扁平結(jié)構(gòu)中間設(shè)置有安裝孔，散熱的功能 好。 為了使得整體結(jié)構(gòu)的體積小，扁平結(jié)構(gòu)的長度為35士3mm、寬度為23士3mm、高度 為3± lmm。 本實用新型的有益效果是，本實用新型的扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶體管器 件，結(jié)構(gòu)扁平，體積小，熱阻低，適合線路板安裝使用，使用時性能穩(wěn)定，可靠抗干擾，生產(chǎn)工 藝簡單，適合批量生產(chǎn)，應(yīng)用廣泛，生產(chǎn)成本低，且占用的安裝空間小。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)簡圖； 圖2是本實用新型的局部剖視圖； 圖3是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本實用新型的電路連接簡圖。 圖中1.引線框架，2.絕緣山雙擊功率管芯片，3.絕緣樹脂，4.功能引腳，5.安裝孔。
具體實施方式現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡 化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān) 的構(gòu)成。 如圖1、圖2、圖3、圖4所示的最佳實施方式的扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶體管 器件，具有引線框架1，引線框架1上設(shè)置有兩個絕緣柵雙極功率管芯片2，引線框架1的外 圍塑封絕緣樹脂3形成扁平結(jié)構(gòu)，下端引出有功能引腳4，功能引腳4包括引腳一號4-1、引 腳二號4-2、引腳三號4-3、引腳四號4-4和引腳五號4-5，引腳二號4-2和引腳四號4-4分 別作為兩個絕緣柵雙極功率管芯片2的控制門極，引腳一號4-1是作為絕緣柵雙極功率管 芯片2的發(fā)射極與另一個絕緣柵雙極功率管芯片2的集電極的公共電極，引腳三號4-3為 與公共電極集電極對應(yīng)的發(fā)射極，引腳五號4-5為與公共電極發(fā)射極對應(yīng)的集電極，當(dāng)在 控制門極端加上正電壓信號，集電極與發(fā)射極可即時導(dǎo)通，當(dāng)控制門極端加上適當(dāng)負電壓 信號，集電極與發(fā)射極又可完全及時關(guān)斷，開關(guān)的頻率高，扁平結(jié)構(gòu)中間設(shè)置有安裝孔5，扁 平結(jié)構(gòu)的長度為35士3mm、寬度為23士3mm、高度為3± lmm，使得整體結(jié)構(gòu)體積小。 本實用新型使用時通過中間的安裝孔5將其緊固于散熱裝置，各功能引腳4連接 相應(yīng)線路端，通過在控制門極端加上電壓信號，控制集電極與發(fā)射極的導(dǎo)通榆關(guān)斷，開關(guān)的 頻率高，適合高頻場合使用。 以上述依據(jù)本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項實用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項實 用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù) 性范圍。
權(quán)利要求一種扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶體管器件，具有引線框架(1)，其特征是引線框架(1)上設(shè)置有兩個絕緣柵雙極功率管芯片(2)，引線框架(1)的外圍塑封絕緣樹脂(3)形成扁平結(jié)構(gòu)，下端引出有功能引腳(4)，功能引腳(4)包括引腳一號(4-1)、引腳二號(4-2)、引腳三號(4-3)、引腳四號(4-4)和引腳五號(4-5)，引腳二號(4-2)和引腳四號(4-4)分別作為兩個絕緣柵雙極功率管芯片(2)的控制門極，引腳一號(4-1)是作為絕緣柵雙極功率管芯片(2)的發(fā)射極與另一個絕緣柵雙極功率管芯片(2)的集電極的公共電極，引腳三號(4-3)為與公共電極集電極對應(yīng)的發(fā)射極，引腳五號(4-5)為與公共電極發(fā)射極對應(yīng)的集電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的扁平式封裝雙絕緣雙極功率管元器件，其特征是所述的扁 平結(jié)構(gòu)中間設(shè)置有安裝孔(5)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的扁平式封裝雙絕緣雙極功率管元器件，其特征是所述的扁 平結(jié)構(gòu)的長度為35士3mm、寬度為23士3mm、高度為3士lmm。
專利摘要本實用新型涉及封裝元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種扁平式封裝雙絕緣柵雙極型晶體管器件，具有引線框架，引線框架上設(shè)置有兩個絕緣柵雙極功率管芯片，引線框架的外圍塑封絕緣樹脂形成扁平結(jié)構(gòu)，下端引出有功能引腳，功能引腳包括引腳一號、引腳二號、引腳三號、引腳四號和引腳五號，引腳二號和引腳四號分別作為兩個絕緣柵雙極功率管芯片的控制門極，引腳一號是作為絕緣柵雙極功率管芯片的發(fā)射極與另一個絕緣柵雙極功率管芯片的集電極的公共電極，引腳三號為與公共電極集電極對應(yīng)的發(fā)射極，引腳五號為與公共電極發(fā)射極對應(yīng)的集電極，結(jié)構(gòu)扁平，體積小，熱阻低，適合線路板安裝使用，使用時性能穩(wěn)定可靠，抗干擾性強，生產(chǎn)工藝簡單，適合批量生產(chǎn)。
文檔編號H01L23/495GK201478305SQ20092023296
公開日2010年5月19日 申請日期2009年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月27日
發(fā)明者沈富德 申請人:沈富德