專利名稱：微型散熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種散熱器，尤其涉及一種微型散熱器。
背景技術(shù)：
由于集成電路芯片工作時在非常小的空間內(nèi)進(jìn)行運算處理，必將產(chǎn)生相當(dāng)多的熱 量，因此所產(chǎn)生的熱量必須通過適當(dāng)?shù)姆绞缴⒊?，以避免集成電路芯片因過熱導(dǎo)致運算處 理錯誤，甚至嚴(yán)重時造成硬件電路的損毀。因此，封裝中的散熱問題就越發(fā)關(guān)鍵。隨著半導(dǎo) 體集成電路不斷改進(jìn)、發(fā)展，其功能不斷提高的同時，體積不斷減小，密集程度不斷增加，封 裝尺寸也不斷變小。采用金屬熱沉或者熱管散去微處理器中的熱量，取得了較好的效果。然而現(xiàn)有的 散熱器，如金屬散熱翅片、熱管等，體積較大，容易導(dǎo)致整個封裝體的體積增大，難以適應(yīng)對 于要求更小封裝體積場合的需求。因此迫切需要一種封裝體積更小，散熱效率更高的散熱
ο電流的傳遞通常通過量子隧道效應(yīng)，對于傳遞介質(zhì)之間的距離要求較低；而熱量 的傳遞在碳納米管中通常主要通過聲子傳遞。碳納米管具有較高的熱導(dǎo)率(缺陷較少的碳 納米管的熱導(dǎo)率可望達(dá)到3000W/m. k以上)，現(xiàn)有技術(shù)在生長片上沉積金屬催化劑(鐵、鈷、 鎳，同時作為碳納米管生長的催化劑)生長出碳納米管陣列，同時將生長出的碳納米管用 作熱沉，然而由于碳納米管陣列與金屬催化劑之間結(jié)合的機(jī)械強(qiáng)度較低，因而實質(zhì)上碳納 米管陣列難以作為散熱器直接應(yīng)用，另一方面，由于較弱的結(jié)合同時導(dǎo)致較高的接觸熱阻， 使得熱源的熱量難以通過生長片傳遞到碳納米管陣列上；現(xiàn)有技術(shù)還運用聚合物或者焊劑 將碳納米管固定在襯底上，然而聚合物的熱導(dǎo)率較低，導(dǎo)致界面熱阻較高；焊劑在加熱過程 中往往容易被碳化而形成一層無定型碳，大大增加了界面熱阻，從而使得熱源的熱量無法 傳遞到碳納米管陣列上；碳納米管在于流體換熱時容易脫離生長片。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種體積小、散熱效率高、界面熱阻小的碳納米管陣列微型散熱
ο本實用新型的采用如下技術(shù)方案一種微型散熱器，包括碳納米管陣列、金屬錨 區(qū)，與碳納米管垂直的碳納米管陣列端面與金屬錨區(qū)相接觸，在金屬錨區(qū)與碳納米管接觸 的表面設(shè)有與碳納米管陣列端面潤濕的金屬浸潤層。上述技術(shù)方案中，金屬浸潤層為鈦、鎢、鋁或鉻中的一種；為進(jìn)一步降低金屬浸潤 層與碳納米管之間的界面熱阻，所述金屬浸潤層與碳納米管之間具有金屬碳化物。金屬錨 區(qū)的另外一個表面為金層。所述金屬浸潤層為鎢，所述金屬碳化物對應(yīng)為碳化鎢。所述金 屬浸潤層為鈦，所述金屬碳化物對應(yīng)為碳化鈦。所述金屬浸潤層的厚度為0. 01-0. 3微米。 所述金屬浸潤層的厚度0. 05-0. 1微米。所述金屬錨區(qū)包括鎳層和金層，鎳層的厚度為0. 05 微米-0. 3微米，金層厚度為0. 02微米-0. 4微米，其中鎳層與金屬浸潤層鄰接。[0008]本實用新型獲得如下技術(shù)效果1.本實用新型因為碳納米管具有較小的尺寸從而使得最后散熱器整體的尺寸較 ?。惶技{米管陣列具有較大的比表面積和高的熱導(dǎo)率使其具有散熱效率高的特點。由于聲 子或者電子為熱載流子在界面處產(chǎn)生較大的散射，該散射隨著界面失配度的增加而增大， 從而導(dǎo)致接觸熱阻變大。本實用新型在金屬錨區(qū)與碳納米管陣列的一個端面的界面上采用 金屬浸潤層由于與碳納米管具有很好的潤濕性，使得該界面具有較好的匹配性且接觸面積 較大，因而該散熱器具有較低的界面接觸熱阻和良好的導(dǎo)熱性能。金屬錨區(qū)的另一面與熱 源接觸。采用金屬錨區(qū)與金屬浸潤層配合使得碳納米管陣列與熱源之間能夠產(chǎn)生更好的熱 接觸，使得接觸熱阻較小，因而熱量更能快速傳導(dǎo)到碳納米管陣列上。然后利用微流體與碳 納米管的換熱作用帶走熱量。2.本實用新型通過在金屬浸潤層與碳納米管之間反應(yīng)形成金屬碳化物，從而使得 金屬浸潤層與碳納米管之間具有更好的過渡晶體結(jié)構(gòu)，與潤濕狀態(tài)的金屬浸潤層與碳納米 管之間的界面相比，能夠進(jìn)而進(jìn)一步降低聲子和電子等熱載流子的散射，從而進(jìn)一步降低 碳納米管與熱源之間的接觸熱阻。3.本實用新型選用的金屬浸潤層包括鈦、鎢、鋁或鉻，它們具有與碳納米管較好的 潤濕性，同時具有與碳納米管反應(yīng)形成碳化物的能力。其中鎢作為金屬浸潤層與碳納米管 陣列的潤濕效果最好，能夠有效降低熱阻。此外，在反應(yīng)形成碳化物的條件下，形成碳化鎢 的速度較慢，反應(yīng)形成碳化物的厚度最容易控制，不至于因為碳化物的完全消耗而導(dǎo)致與 金屬錨區(qū)脫離引起界面失配，進(jìn)而導(dǎo)致更大的界面熱阻。此外，碳化鎢的導(dǎo)熱系數(shù)最大，為 121ff/m. k，而碳化鈦只有31. 8ff/m. k，因而相對于其它金屬碳化物，由材料碳化鎢本身造成 的熱阻也最小。4.控制金屬浸潤層的厚度為0. 01-0. 3微米。厚度越大，材料本身造成的熱阻越 高。但是由于沉積金屬時難以保證厚度均勻，一部分金屬甚至沉積進(jìn)入碳納米管陣列內(nèi)部， 因此沉積厚度如果太小，金屬難以將碳納米管陣列的端部全部覆蓋，不利于利用浸潤金屬 降低碳納米管陣列與熱源的接觸熱阻。5.本實用新型利用金屬錨區(qū)對碳納米管陣列進(jìn)行機(jī)械固定，由于金屬錨區(qū)本身 是導(dǎo)熱率較高的材料，因而造成的熱阻較低。另外，金屬錨區(qū)還與熱源相接觸，因此金屬錨 區(qū)的表面應(yīng)該具有抗氧化的效果。金屬錨區(qū)的金層具有最好的抗氧化的效果，從而避免了 使用其他金屬導(dǎo)致形成氧化物而增加額外的熱阻。此外，在使用低熔點金屬將本實用新型 的微型散熱器安裝于熱源表面時，金層的使用可以使得安裝時避免因使用助焊劑而形成污 染。金屬錨區(qū)與金屬浸潤層接觸的含有鎳層，在金層被低熔點金屬如錫合金(譬如錫銀銅 合金，牌號為SAC305)消耗以后，能夠與低熔點金屬具有較慢的反應(yīng)速度，從而避免因反應(yīng) 速度過快而導(dǎo)致低熔點金屬從碳納米管表面剝離。6.本實用新型散熱器所使用碳納米管及金屬錨區(qū)都是高導(dǎo)熱材料，因而散熱效果 較好。

圖1本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖圖2本實用新型具有反應(yīng)形成的碳化物層的結(jié)構(gòu)示意圖[0017]圖3本實用新型的反應(yīng)形成碳化物后的XRD圖(小角度衍射，慢掃描)
具體實施方式
實施例1一種微型散熱器，包括碳納米管陣列4、金屬錨區(qū)1，與碳納米管垂直的碳納米管 陣列4端面與金屬錨區(qū)1相接觸，在金屬錨區(qū)與碳納米管接觸的表面設(shè)有與碳納米管陣列 端面潤濕的金屬浸潤層2。上述技術(shù)方案中，金屬浸潤層為鈦、鎢或鉻中的一種，這些金屬與碳納米管陣列端 面的潤濕性較好。為進(jìn)一步降低金屬浸潤層與碳納米管陣列端面之間的界面熱阻，所述金 屬浸潤層與碳納米管之間具有金屬碳化物3。碳納米管陣列中碳納米管的縱向平均長度為 1-200微米，例如可以選取為1微米，10微米，25微米，40微米，50微米，75微米，90微米， 100微米，115微米，120微米，150微米，165微米，170微米，180微米，190微米，195微米， 可以為單壁或者兩壁以上的多壁碳納米管；所述金屬浸潤層為鎢，所述金屬碳化物對應(yīng)為 碳化鎢。所述金屬浸潤層為鈦，所述金屬碳化物對應(yīng)為碳化鈦。所述金屬浸潤層的厚度為 0. 01-0. 3微米，例如可以選取為0. 02微米，0. 04微米，0. 05微米，0. 08微米，0. 1微米，0. 15 微米，0. 2微米。所述金屬浸潤層的厚度0. 05-0. 1微米。所述金屬錨區(qū)包括鎳層和金層5， 鎳層的厚度為0. 05微米-0.3微米，鎳層厚度可以選取為0. 08微米，0. 10微米，0. 15微米， 0. 2微米，0. 25微米，金層厚度為0. 02微米-0. 4微米，例如可以選取為0. 03微米，0. 05微 米，0. 08微米，0. 10微米，0. 15微米，0. 2微米，0. 25微米，0. 3微米，0. 35微米，其中鎳層與 金屬浸潤層鄰接。金屬錨區(qū)還包括低熔點金屬，低熔點金屬與金層5鄰接。低熔點金屬可以 是錫合金，鉍合金等，低熔點金屬為錫銀銅，例如牌號為SAC305的合金，可以是Bi58Sn42合 金。在錨區(qū)的各層中，金屬浸潤層與金層之間還可以是銅、坦等金屬，厚度為0. 05微米-0. 3 微米。在使用時，首先，在生長片上生長碳納米管陣列，然后在碳納米管自由端面沉積金屬 錨區(qū)，首先沉積與碳納米管陣列端面潤濕的金屬，如鈦、鋁、鎢中的一種，然后再沉積其它金 屬層，例如鎳層、金層，鎳層用于與低熔點金屬潤濕(低熔點金屬是在將碳納米管安裝于芯 片時用于連接碳納米管陣列的金屬錨區(qū)與芯片時使用)，同時鎳層與低熔點金屬具有較慢 的反應(yīng)速度從而使得界面不至于因潤濕層鎳層的消耗盡而分層，而金層用于抗氧化作用， 與低熔點金屬互連時連接方便。例如首先在碳納米管陣列表面沉積100納米的鈦，然后依 次沉積200納米的鎳和200納米的金層，其中金層作為與其它金屬連接的抗氧化層。將上 述碳納米管散熱器放置在真空或氮氣或者氫氣保護(hù)的爐中加熱到900攝氏度，保溫5小時。 或者，將上述碳納米管散熱器放置在微波中加熱，微波的功率為500W，頻率為6GHz，處理時 間為400秒，均可對上述碳納米管散熱器進(jìn)行熱處理形成所述的碳化物。微波處理處理碳 納米管可達(dá)到1000攝氏度以上左右的高溫，在處理時可明顯觀察到炫目的亮色。處理后用 X射線對其表面進(jìn)行小角度衍射分析，結(jié)果表明生成了碳化物(碳化鈦，碳化鎢，碳化鋁)。 附圖所示的樣品的XRD衍射圖譜，表明有碳化鈦晶體結(jié)構(gòu)的形成。碳化鈦的形成使得碳納 米管陣列和金屬錨區(qū)之間過渡區(qū)形成了過渡晶體結(jié)構(gòu)(碳化鈦晶體)，因而相對于空隙，界 面導(dǎo)熱的聲子散射得到了極大的降低，從而界面熱阻得到了大大的降低。實施例2 —種微 型散熱器，包括碳納米管陣列4、金屬浸潤層2和金屬錨區(qū)1，金屬浸潤層2處于碳納米管陣 列4的端面與金屬錨區(qū)1之間，金屬浸潤層2與碳納米管陣列浸潤接觸，金屬浸潤層2與金屬錨區(qū)1之間通過化學(xué)鍵連接。上述技術(shù)方案中，碳納米管陣列中碳納米管的平均長度為 150微米，金屬浸潤層為鉻，厚度為lOOnm，金屬錨區(qū)貼近鈦的為鎳層，厚度為200nm，然后為 金層5，厚度為200nm。在使用時，在生長片上生長碳納米管陣列，然后在碳納米管自由端沉 積金屬，首先沉積100納米的鈦，然后依次沉積200納米的鎳和200納米的金層5，其中金 層作為與其它金屬連接的抗氧化層。然后將上述碳納米管散熱器放置在真空、氮氣或者氫 氣保護(hù)的爐中加熱到1000攝氏度，保溫5小時。或?qū)⑸鲜鎏技{米管散熱器放置在微波中加 熱，微波的功率為500W，頻率為6GHz，處理時間為200妙，可對上述碳納米管散熱器進(jìn)行熱 處理形成所述的碳化物。微波處理處理碳納米管可達(dá)1000攝氏度以上左右的高溫，在處理 時可明顯觀察到高亮色。如此完成熱處理。在應(yīng)用上述碳納米管散熱器時，可將上述碳納米管散熱器通過低熔點金屬， SnAgCu合金、BiSn合金，這里選用SAC305，將其焊接到硅芯片的表面，其中硅表面可以沉積 鈦、鎳、金用以形成與硅芯片連接。實施例2一種微型散熱器，包括碳納米管陣列4、金屬浸潤層2和金屬錨區(qū)1，金屬浸潤層2 處于碳納米管陣列4的端面與金屬錨區(qū)1之間，金屬浸潤層與碳納米管陣列浸潤接觸，金屬 浸潤層與金屬錨區(qū)之間通過化學(xué)鍵連接。上述技術(shù)方案中，碳納米管陣列中碳納米管的平均長度為50微米，金屬浸潤層為 鈦，厚度為lOOnm，金屬錨區(qū)貼近鈦的為鎳層，厚度為200nm，然后為金層5，厚度為200nm。在 使用時，首先，在生長片上生長碳納米管陣列，然后在碳納米管自由端沉積金屬，首先沉積 100納米的鈦，然后依次沉積200納米的鎳和200納米的金層，其中金層作為與其它金屬連 接的抗氧化層。然后將上述微型散熱器放置在真空或氮氣或者氫氣保護(hù)的爐中加熱到900攝氏 度，保溫5小時?；蛘?，將上述碳納米管散熱器放置在微波中加熱，微波的功率為500W，頻 率為6GHz，處理時間為200妙，均可對上述碳納米管散熱器進(jìn)行熱處理形成所述的碳化物。 還可選用微波處理處理碳納米管可達(dá)到1000攝氏度以上左右的高溫，在處理時可明顯觀 察到高亮色。如此完成熱處理。在應(yīng)用上述碳納米管散熱器時，可將上述微型熱器通過低熔點金屬，SnAgCu合金、 BiSn合金，這里選用SAC305，將其焊接到硅芯片的表面，其中硅表面可以沉積鈦、鎳、金用 以形成與硅芯片連接。實施例3一種微型散熱器，包括碳納米管陣列4、金屬浸潤層2和金屬錨區(qū)1，金屬浸潤層處 于碳納米管陣列的端面與金屬錨區(qū)之間，金屬浸潤層與碳納米管陣列浸潤接觸，金屬浸潤 層與金屬錨區(qū)之間通過化學(xué)鍵連接。上述技術(shù)方案中，碳納米管陣列中碳納米管的平均長度為20微米，金屬浸潤層為 鎢，厚度為lOOnm，金屬錨區(qū)貼近鈦的為鎳層，厚度為200nm，然后為金層，厚度為200nm。在 使用時，首先，在生長片上生長碳納米管陣列，然后在碳納米管自由端沉積金屬，首先沉積 100納米的鈦，然后依次沉積200納米的鎳和200納米的金層，其中金層作為與其它金屬連 接的抗氧化層。然后將上述碳納米管散熱器放置在真空或氮氣或者氫氣保護(hù)的爐中加熱到900攝氏度，保溫5小時?；蛘?，將上述碳納米管散熱器放置在微波中加熱，微波的功率為500W， 頻率為6GHz，處理時間為200妙，均可對上述碳納米管散熱器進(jìn)行熱處理形成所述的碳化 物。還可選用微波處理處理碳納米管可達(dá)到1000攝氏度以上左右的高溫，在處理時可明顯 觀察到高亮色。如此完成熱處理。在應(yīng)用上述碳納米管散熱器時，可將上述碳納米管散熱器通過低熔點金屬， SnAgCu合金、BiSn合金，這里選用SAC305，將其焊接到通的表面，其中銅表面需要用助焊 劑，以清除氧化物。實施例4碳納米管陣列樣品制備本實用新型碳納米管陣列為單壁、雙壁或者多壁碳納米管陣列中的一種或多種。 所述碳納米管陣列可用化學(xué)氣相沉積法，具體包括以下步驟首先提供一個平整的襯底，該 襯底可選用P型或N型硅襯底，或選用形成有氧化層的硅襯底，本實施例選用1平方厘米 硅襯底；然后，在襯底表面均勻形成一層催化劑層，催化劑材料可選用鐵、鈷、鎳或其任意組 合的合金之一；再將上述形成有催化劑層的襯底在700-900攝氏度的空氣中退火30-90分 鐘；將處理過的襯底置于反應(yīng)爐中，在保護(hù)氣體環(huán)境下加熱到500-740攝氏度，然后通入碳 源氣體反應(yīng)約5-30分鐘，生長得到碳納米管陣列，其高度為1-200微米。其長度的大小可 通過反應(yīng)時間控制的長短來控制。該碳納米管陣列中的碳納米管彼此通過范德華力緊密接 觸形成陣列。實施例中，碳源氣體可以選用乙炔、乙烯、甲烷等探親化合物，優(yōu)選乙炔，保護(hù) 氣體為氮氣或惰性氣體，本實施例優(yōu)選的保護(hù)氣體為氬氣。使用掃描電鏡對所述碳納米管 陣列進(jìn)行表征，多壁碳納米管的長度約40微米，適合本實用新型使用的范圍在1-200微米。 該長度能夠使得散熱器具有較小的體積，同時具有較大的表面積。PECVD制備碳納米管方法具體如下PECVD系統(tǒng)等離子源(DC、射頻、DC輔助的熱絲、微波和電感耦合的等離子反應(yīng) 器)，匹配的網(wǎng)絡(luò)、其他能量耦合成分、質(zhì)量流量控制器和一個或多個真空泵。首先在硅基底上濺射7nm厚的鎳層作為催化劑，將基片放入反應(yīng)器，將系統(tǒng)抽真 空至IO-5Torr或更低壓力除去雜質(zhì)和水蒸汽；將基片加熱到預(yù)定溫度(900°C )，通入碳源 (碳?xì)浠衔?，通過節(jié)流閥分別設(shè)置氣體流速和反應(yīng)室壓力(1-20ΤΟΠ·)；施加能量使其耦 合產(chǎn)生等離子體流(以DC等離子體反應(yīng)器為例，DC等離子體反應(yīng)器由接地腔中的一對電 極構(gòu)成，其中一個電極接地，另一個電極與電源相連。在陰極上施加負(fù)的直流偏壓擊穿進(jìn)料 氣體，發(fā)生輝光放電并產(chǎn)生電子、正離子和負(fù)離子、原子及自由基。其中電子溫度1 IOeV 范圍內(nèi)，離子溫度約為0. 5eV ；電極間隙d由壓強(qiáng)和給定的偏壓決定)，并用氬氣清洗，待反 應(yīng)器熱卻至300°C以下后取出基片。碳納米管生長機(jī)理高反應(yīng)活性的基團(tuán)和碳?xì)浠衔镝尫牌渲械臍?，并斷裂部?碳鍵，在催化劑粒子表面聚集從而形成碳納米管結(jié)構(gòu)。碳?xì)浠衔镌诘入x子體的作用下碳 蒸氣中存在有大量的碳原子簇(C2 C8)碎片和環(huán)狀碳原子簇。在納米管的生長過程中， 這種環(huán)狀的碳原子簇的起始構(gòu)形決定了最終將形成的碳納米管的結(jié)構(gòu)。為了形成柱面，單 環(huán)的碳原子數(shù)目必須是偶數(shù)。如果起始單環(huán)的碳原子數(shù)目為奇數(shù)，則形成的是圓錐面，其中 部分形成多面體碳微粒或具有很大直徑的碳納米管。在隨后的碳納米管的形成過程中，首 先是碳原子簇聚合到某一環(huán)狀碳原子簇上，生成兩端具有懸空(不飽和)鍵且鍵角近似為120°的短的單層管。最后，通過碳原子簇的聚集迅速生成多層碳納米管，此時的碳納米管 的表面具有弱的共振效應(yīng)。在碳納米管的生長過程中，當(dāng)具有層狀結(jié)構(gòu)的碳納米管網(wǎng)絡(luò)中 的六元環(huán)發(fā)生變形而形成五元環(huán)時，就在碳納米管的一端形成了帽形的封閉端。最后，在高 溫條件下，最終所形成的碳納米管如果發(fā)生整體變形，將形成具有更穩(wěn)定的類似于洋蔥的 晶體微粒。 在應(yīng)用上述碳納米管散熱器時，可將上述微型熱器通過低熔點金屬，SnAgCu合金、 BiSn合金，這里選用SAC305，將其焊接到硅芯片的表面，其中硅表面可以沉積鈦、鎳、金用 于硅芯片連接。
權(quán)利要求1.一種微型散熱器，其特征在于，包括碳納米管陣列G)、金屬錨區(qū)(1)，與碳納米管垂 直的碳納米管陣列(4)端面與金屬錨區(qū)(1)相接觸，在金屬錨區(qū)與碳納米管接觸的表面設(shè) 有與碳納米管陣列(4)端面潤濕的金屬浸潤層(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型散熱器，其特征在于金屬錨區(qū)的另外一個表面為金層⑶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層與碳納米管之 間具有金屬碳化物(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層為鈦、鎢、鋁或鉻 中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層為鎢，所述金屬碳 化物對應(yīng)為碳化鎢。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層為鈦，所述金屬碳 化物對應(yīng)為碳化鈦。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層的厚度為 0. 01-0. 3 微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬浸潤層的厚度0.05-0. 1 微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型散熱器，其特征在于，所述金屬錨區(qū)還包括鎳層和金 層，鎳層的厚度為0. 05微米-0. 3微米，金層厚度為0. 02微米-0. 4微米，其中鎳層與金屬 浸潤層鄰接。
專利摘要本實用新型公開一種微型散熱器，包括碳納米管陣列、金屬錨區(qū)，與碳納米管垂直的碳納米管陣列端面與金屬錨區(qū)相接觸，在金屬錨區(qū)與碳納米管接觸的表面設(shè)有與碳納米管陣列端面潤濕的金屬浸潤層。所述金屬浸潤層與碳納米管陣列之間反應(yīng)形成金屬碳化物。本實用新型通過在金屬浸潤層與碳納米管之間反應(yīng)形成金屬碳化物，從而使得金屬浸潤層與碳納米管之間具有更好的過渡晶體結(jié)構(gòu)，與潤濕狀態(tài)的金屬浸潤層與碳納米管之間的界面相比，能夠進(jìn)而進(jìn)一步降低聲子和電子等熱載流子的散射，從而進(jìn)一步降低碳納米管與熱源之間的接觸熱阻。
文檔編號H01L23/367GK201927595SQ200920283488
公開日2011年8月10日 申請日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者尚金堂, 張迪, 徐超, 陳波寅, 黃慶安 申請人:東南大學(xué)