專利名稱：場效應(yīng)晶體管的制作方法
場效應(yīng)晶體管
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷發(fā)展，諸如場效應(yīng)晶體管(FET)之類的器件越來越小并且越 來越廉價(jià)。這種器件的設(shè)計(jì)和布局受工藝特定的該器件各結(jié)構(gòu)的最小尺寸、間隔、對準(zhǔn)和重 疊以及制造方法的制約。在制造期間，部分器件由于加工變化而有缺陷。典型的功率MOSFET器件可能具有成千上萬并聯(lián)的MOSFET單元。大量并聯(lián)連接的 單元使得所述器件能夠處理高電流并具有低電阻。通常，所述器件的載流量越高，器件中的 單元數(shù)量越多。當(dāng)器件中的單個(gè)單元有缺陷(諸如柵極-源極或源極-漏極短路)時(shí)，該 缺陷通常會毀壞整個(gè)器件。因此，當(dāng)一個(gè)單元有缺陷時(shí)，不得不廢棄整個(gè)器件，這減小了成 品率。大規(guī)模的并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)還使得很難篩選這些器件。具體地，不容易檢測到源極-柵 極和漏極-柵極之間的非災(zāi)難性的缺陷。因此，非災(zāi)難性的器件可能使得該器件和/或使 用該器件的電子設(shè)備具有可靠性問題。

發(fā)明內(nèi)容
在此給出的實(shí)施例是針對自修復(fù)晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，場效應(yīng)晶體管(FET) 器件包括多個(gè)FET單元。在所述多個(gè)單元與所述器件的源極互連之間布置介質(zhì)層。每個(gè)單 元的源極觸點(diǎn)通過相應(yīng)的源極熔斷體耦接至源極互連。在另一個(gè)實(shí)施例中，集成電路(IC)包括漏極區(qū)、柵極區(qū)、多個(gè)源極區(qū)、多個(gè)體區(qū)以 及多個(gè)柵極絕緣區(qū)。所述柵極區(qū)布置在所述漏極區(qū)之上，其中所述柵極區(qū)的第一部分形成 為第一多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)，而所述柵極區(qū)的第二部分形成為垂直于所述第一多個(gè) 實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)的第二多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)源極區(qū)被布置為與由 所述第一和第二多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)限定的每個(gè)單元內(nèi)的柵極區(qū)周邊接近。所述多 個(gè)體區(qū)被布置在每個(gè)單元內(nèi)的漏極區(qū)和源極區(qū)之間。所述柵極絕緣區(qū)被布置在所述柵極區(qū) 與所述多個(gè)源極區(qū)之間、所述柵極區(qū)與所述多個(gè)體區(qū)之間、以及所述柵極區(qū)和所述漏極區(qū) 之間。集成電路(IC)還包括多個(gè)源極觸點(diǎn)、源極互連、以及多個(gè)源極熔斷體。所述多個(gè)源 極觸點(diǎn)中的每一個(gè)耦接至相應(yīng)的源極區(qū)。所述源極熔斷體將相應(yīng)的源極觸點(diǎn)耦接至源極互 連。在再一個(gè)實(shí)施例中，場效應(yīng)晶體管的制造方法包括形成多個(gè)場效應(yīng)晶體管單元， 其中每個(gè)單元包括源極區(qū)。該方法還包括形成多個(gè)源極觸點(diǎn)、多個(gè)源極熔斷體、以及源極互 連。每個(gè)給定的源極觸點(diǎn)耦接至相應(yīng)的源極區(qū)。每個(gè)源極熔斷體耦接至相應(yīng)的源極觸點(diǎn)。 源極互連耦接至多個(gè)源極熔斷體。概括地，本文公開了一種自修復(fù)場效應(yīng)晶體管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，自修復(fù)場效應(yīng)晶 體管(FET)器件包括多個(gè)FET單元，每個(gè)FET單元具有熔斷體。在相應(yīng)的單元中，所述熔斷 體適于在高電流事件期間熔斷。


通過示例的方式而非限制的方式來說明本工藝的實(shí)施例，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，并且其中根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖1示出了示例性的溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管(TM0SFET)器件的截面圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖2示出了具有源極熔斷體熔斷的示例性TM0SFET器 件的截面圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖3示出了示例性的源極熔斷體的截面圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖4示出了示例性的芯片電阻的曲線圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖5示出了熔斷源極熔斷體所需的示例性時(shí)間的曲線 圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖6A至圖6D示出了制造封閉單元溝槽金屬氧化物半 導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(TM0SFET)的方法的流程圖；根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，圖7A至圖7M示出了說明制造封閉單元溝槽金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(TM0SFET)的方法的方框圖；根據(jù)本工藝的另一個(gè)實(shí)施例，圖8示出了示例性的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng) 晶體管(MOSFET)器件的截面圖；根據(jù)本工藝的另一個(gè)實(shí)施例，圖9示出了示例性的垂直結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式此處，對本工藝實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，在附圖中說明其具體示例。在結(jié)合這些實(shí) 施例來描述本工藝的同時(shí)，應(yīng)該理解的是，沒有將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。相反，本發(fā)明 旨在覆蓋可以包含于由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)的可選方案、變型以及等效方 案。此外，在以下的本工藝的詳細(xì)描述中，對許多具體細(xì)節(jié)的描述是為了提供對本工藝的充 分理解。但是，應(yīng)該理解的是，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可以實(shí)踐本工藝。在其他情況下，為了 不使本工藝的各方面沒有必要地變得模糊，沒有對已知的方法、程序、部件、以及電路進(jìn)行 詳細(xì)描述。本發(fā)明的實(shí)施例包括自修復(fù)場效應(yīng)晶體管(FET)及其制造方法。具體地，為具有 大量并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)的FET器件的每個(gè)單獨(dú)的單元增加熔斷體。當(dāng)一個(gè)單元有缺陷時(shí)，通過 該單元的過電流將熔斷該單元的熔斷體，從而自動地禁用該有缺陷的單元。該熔斷體可以 與該單元垂直地對準(zhǔn)，從而基本上不增大該單元的表面積。所述FET器件可以是M0SFET、 JFET等。此外，所述FET器件可以具有垂直或平面的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)該認(rèn)識到，F(xiàn)ET器件是基本上對稱的。具體地，所述FET器件的源極和漏極通常 可以交換。因此，應(yīng)該理解的是，當(dāng)源極和漏極互換時(shí)，本文使用的術(shù)語“源極”也等效于“漏 極”。參考圖1，根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，示出了示例性垂直溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)晶體管(TM0SFET)器件100。如圖所示，F(xiàn)ET可以是封閉單元溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)晶體管(TM0SFET)。所述封閉單元TM0SFET 100包括多個(gè)垂直的MOSFET單元，其中每 個(gè)單元包括源極區(qū)、體區(qū)、柵極區(qū)、和漏極區(qū)。所述垂直MOSFET單元彼此并聯(lián)連接。所述MOSFET器件可以包括多個(gè)源極/體觸點(diǎn)110、多個(gè)源極區(qū)115、柵極區(qū)120、柵
5極絕緣區(qū)125、多個(gè)體區(qū)130、漏極區(qū)135、140以及漏極互連145?？蛇x地，漏極區(qū)135、140 可以包括第一漏極部分140 (通常被稱為漂移區(qū))和第二漏極部分135 (通常被稱為漏極 區(qū))。所述MOSFET器件還包括密封層150、多個(gè)源極熔斷體155、以及源極互連160。在漏極區(qū)135、140之上布置體區(qū)130、源極區(qū)115、柵極區(qū)120以及柵極絕緣區(qū) 125。柵極區(qū)120的第一部分和柵極絕緣區(qū)125形成基本平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)。柵極區(qū)120的第 二部分和柵極絕緣區(qū)125形成基本垂直于平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)。柵極區(qū)120的第一和第二部分 互連并形成多個(gè)單元。體區(qū)130布置在由柵極區(qū)120形成的多個(gè)單元內(nèi)。柵極絕緣區(qū)125 包圍柵極區(qū)120。因此，柵極區(qū)120通過柵極絕緣區(qū)125與周圍區(qū)域電絕緣。源極區(qū)115沿 柵極絕緣區(qū)125的外圍形成于多個(gè)單元中。在一種實(shí)現(xiàn)中，源極區(qū)115和漏極區(qū)140是重η摻雜(+N)半導(dǎo)體，諸如具有磷或 砷的硅摻雜。體區(qū)130是ρ摻雜(P)半導(dǎo)體，諸如具有硼的硅摻雜。柵極區(qū)120是重η摻 雜半導(dǎo)體(N+)，諸如具有磷的多晶硅摻雜。柵極絕緣區(qū)125可以是絕緣體，諸如二氧化硅。源極/體觸點(diǎn)110耦接至每個(gè)單元的源極區(qū)115和體區(qū)130。因此源極/體觸點(diǎn) 110耦接了每個(gè)單元的源極區(qū)115和體區(qū)130。在柵極區(qū)120、源極區(qū)115、源極/體觸點(diǎn) 110、源極熔斷體155、與源極互連160之間布置密封層。源極熔斷體155布置在源極/體觸 點(diǎn)110與源極互連160之間。源極互連160耦接多個(gè)源極區(qū)115以形成所述器件的公共源 極。在每個(gè)單獨(dú)的單元之上，源極熔斷體155從源極/體觸點(diǎn)115垂直地延伸，從而不占用 器件100中額外的側(cè)面面積。當(dāng)柵極區(qū)120相對于源極區(qū)115的電勢增加到大于器件100的閾值電壓時(shí)，沿柵 極絕緣區(qū)125的外圍在體區(qū)130中感生出導(dǎo)電溝道。從而，器件100將在漏極區(qū)140與源 極區(qū)115之間傳導(dǎo)電流。因此，器件100處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)柵極區(qū)120的電勢減小到閾值電壓以下時(shí)，則不再感生出所述導(dǎo)電溝道。因此， 漏極區(qū)140與源極區(qū)115之間所施加的電壓電勢將不會引起電流在其間流動。從而，所述 器件處于斷開狀態(tài)，并且由體區(qū)130和漏極區(qū)140形成的結(jié)點(diǎn)承受施加在源極和漏極兩端 的電壓。如果漏極區(qū)135、140包括布置在第一部分140之上的第二部分135，則漏極區(qū)的第 二部分135為輕η摻雜(Ν-)半導(dǎo)體(諸如具有磷或砷的硅摻雜)，并且漏極區(qū)的第一部分 140位重η摻雜(N+)半導(dǎo)體(諸如具有磷的硅摻雜)。漏極區(qū)的第二部分135的輕η摻雜 (Ν-)導(dǎo)致耗盡區(qū)，該耗盡區(qū)延伸至體區(qū)130和漏極區(qū)的第二部分135中，從而減小擊穿效 應(yīng)。因此，輕η摻雜(Ν-)的漏極區(qū)的第二部分135用作增大封閉單元TM0SFET 100的擊穿 電壓。封閉單元TM0SFET 100的溝道寬為源極區(qū)115的寬度之和的函數(shù)。因此，封閉單元 TM0SFET 100具有相對較低的溝道電阻(例如，漏極-源極導(dǎo)通電阻Rds_。n)。較低的溝道電 阻減小了封閉單元TM0SFET100中耗散的功率。類似地，封閉單元TM0SFET 100的柵極-漏 極電容為柵極區(qū)120的底部與漏極區(qū)140之間的重疊面積的函數(shù)。在一種實(shí)現(xiàn)中，密封層150可以是電介質(zhì)，諸如但不限于BPSG。源極/體觸點(diǎn)110 可以由高熔點(diǎn)金屬(諸如但不限于鉭、鈦、鎢、氮化鈦、氮化鉭、和/或硅化鈦)制成。源極 熔斷體155可以由低熔點(diǎn)金屬(諸如但不限于銅、鋁、鉍、銦和/或錫)制成。源極互連160 可以由高熔點(diǎn)或低熔點(diǎn)金屬或其組合制成。
在一種實(shí)現(xiàn)中，源極熔斷體155本質(zhì)上可以為固體。當(dāng)相對較高的電流流過給定 單元的源極時(shí)，熱量將集中在相應(yīng)的源極熔斷體中。該熱量熔化該給定熔斷體的金屬，并且 使得周圍的密封層150局部地熔化。周圍的密封層的局部熔化形成空隙，使得源極熔斷體 的低熔點(diǎn)金屬在該空隙中流動，從而使得源極熔斷體斷開。當(dāng)源極熔斷體中發(fā)生斷開時(shí)，該 熔斷體“熔斷”并且穿過該單元的高電流路徑斷開。在另一種實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)源極熔斷體155可以包含一個(gè)空腔，如圖1所示。該空腔可 以基本上延伸源極熔斷體155的長度或僅僅是源極熔斷體155長度的一部分。當(dāng)相對較高 的電流流過給定單元的源極時(shí)，熱量將集中在所述空腔中。如圖2所示，該熱量熔化給定熔 斷體255的金屬，使其流入所述空腔并使得源極熔斷體255斷開。當(dāng)源極熔斷體255中發(fā) 生斷開時(shí)，該熔斷體“熔斷”并且貫穿單元的高電流路徑斷開。另外地或可選地，除源極熔 斷體的金屬熔化之外，高電流可以造成源極熔斷體中金屬的電遷移。該電遷移單獨(dú)地或與 源極熔斷體金屬的熱熔化相結(jié)合地可以使得熔斷體熔斷。每個(gè)熔斷體255被構(gòu)造為在相應(yīng)單元損壞其他單元之前熔斷。典型的MOSFET單元 在直流模式(DC模式)中承載約0. ImA的電流，而在脈沖模式中承載約0. 5mA的電流。當(dāng)一 個(gè)給定單元有缺陷并且柵極-源極、柵極-漏極、或源極-漏極之間具有高電流路徑(即， 短路)時(shí)，給定單元中的沖擊(in rush)電流將逐漸變大，典型地達(dá)到10-100mA。所述熔斷 體被構(gòu)造為在相應(yīng)單元達(dá)到該高電流電平之前熔斷，從而防止損壞器件中的剩余單元。因 此，有缺陷的單元將被禁用，而剩余單元保持其功能。因此，所述器件進(jìn)行自修復(fù)，只有很小 的或根本沒有性能降低。參考圖3，根據(jù)本工藝的一個(gè)實(shí)施例，示出了示例性源極熔斷體。源極熔斷體310 可以具有高度L、內(nèi)徑d和外徑D。所述源極熔斷體可以形成在χ乘y的源極/體觸點(diǎn)320 之上。在一種實(shí)現(xiàn)中，源極/體觸點(diǎn)可以具有χ = y = 2. 5 μ m的尺寸。在一種實(shí)現(xiàn)中，源極 熔斷體可以為鋁。鋁的特征在于如下參數(shù)密度(固體)2698kg/m3;密度(液體)2400kg/ m3 ；熔點(diǎn) 933. 5K ；沸點(diǎn) 2740K ；熔化焓 10. 67KJ/mole ；蒸發(fā)焓 293. 72KJ/mole ；電阻率(固 體)2. 66E-08m-ohm ；熱容(固體)24. 35J/ (mole · K)；以及摩爾質(zhì)量 26. 98g。在示例性實(shí)現(xiàn)中，對于具有源極熔斷體的FET器件，假設(shè)沒有熱量損失到周圍，則 室溫與熔點(diǎn)之間的熱容恒定。源極熔斷體310中空隙的容積基本等于源極熔斷體310的鋁 的體積。假設(shè)熔化能量為升高溫度所需熱量與熔化焓之和。在示例性器件中，并聯(lián)單元的 數(shù)量可以為約1，000，000個(gè)。假設(shè)芯片在295K的室溫下運(yùn)行?？梢愿鶕?jù)如下等式1來計(jì)算單獨(dú)的單元的熔斷體面積電阻r = P *L*4/ [ π * (D2_d2) ] (1)可以根據(jù)如下等式2來計(jì)算由于增加了鋁熔斷體而產(chǎn)生的芯片電阻R = r/N (2)其中N為并聯(lián)單元的數(shù)量。可以根據(jù)如下等式3來計(jì)算熔化一個(gè)單元熔斷體所需 的能量E =體積 *d* (Cp* Δ T+Δ Hfusion) /Aff (3)其中AW為原子量，d為密度，Cp為摩爾熱容，以及AHfusion為熔化焓。因此，可 以根據(jù)如下等式4來計(jì)算熔化單元的源極熔斷體所需的時(shí)間t = E/(RI2)
權(quán)利要求
一種場效應(yīng)晶體管器件，其包括多個(gè)場效應(yīng)晶體管單元，其中每個(gè)單元都包括相應(yīng)的源極觸點(diǎn)；源極互連；以及多個(gè)源極熔斷體，其中每個(gè)給定的源極熔斷體將給定的源極觸點(diǎn)耦接至源極互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中每個(gè)源極熔斷體包括空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中在有缺陷的場效應(yīng)晶體管單元中， 相應(yīng)的源極熔斷體在高電流事件期間熔斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中當(dāng)一個(gè)特定場效應(yīng)晶體管單元中的 源極_漏極短路時(shí)，源極熔斷體禁用該相應(yīng)的場效應(yīng)晶體管單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中當(dāng)一個(gè)特定場效應(yīng)晶體管單元中的 柵極_源極短路時(shí)，源極熔斷體禁用該相應(yīng)的場效應(yīng)晶體管單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中 所述多個(gè)源極觸點(diǎn)包括具有相對較高熔點(diǎn)的金屬；以及 所述多個(gè)源極熔斷體包括具有相對較低熔點(diǎn)的金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中所述多個(gè)場效應(yīng)晶體管單元包括 500至50億個(gè)場效應(yīng)晶體管單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中場效應(yīng)晶體管單元包括平面金屬氧 化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中場效應(yīng)晶體管單元包括垂直金屬氧 化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管器件，其中源極觸點(diǎn)、源極熔斷體、以及源極 互連在垂直于場效應(yīng)晶體管器件的制造表面的軸線方向上對準(zhǔn)。
11.一種集成電路，其包括 漏極區(qū)；柵極區(qū)，其被布置在所述漏極區(qū)之上，其中所述柵極區(qū)的第一部分形成為第一多個(gè)實(shí) 質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)，并且所述柵極區(qū)的第二部分形成為與所述第一多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì) 長結(jié)構(gòu)垂直的第二多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)；多個(gè)源極區(qū)，其被布置為靠近所述第一多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)和第二多個(gè)實(shí)質(zhì)上 平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)之間的柵極區(qū)周邊；多個(gè)體區(qū)，其被布置在所述漏極區(qū)和所述多個(gè)源極區(qū)之間、以及所述第一多個(gè)實(shí)質(zhì)上 平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)和第二多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的細(xì)長結(jié)構(gòu)之間；柵極絕緣區(qū)，其被布置在所述柵極區(qū)和所述多個(gè)源極區(qū)之間、所述柵極區(qū)和所述多個(gè) 體區(qū)之間、以及所述柵極區(qū)和所述漏極區(qū)之間；多個(gè)源極觸點(diǎn)，其中每個(gè)源極觸點(diǎn)耦接至相應(yīng)的源極區(qū)和體區(qū)； 源極互連；電介質(zhì)層，其被布置在多個(gè)單元和所述源極互連之間；以及多個(gè)源極熔斷體，其中每個(gè)源極熔斷體將給定的源極觸點(diǎn)耦接至所述源極互連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中每個(gè)源極熔斷體包括適于集中熱量的空
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中每個(gè)源極熔斷體包括具有空腔的金屬，所 述空腔從相應(yīng)的源極觸點(diǎn)實(shí)質(zhì)上延伸至所述源極互連。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中每個(gè)源極熔斷體包括具有空腔的金屬，所 述空腔實(shí)質(zhì)上處于該源極熔斷體的中間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中每個(gè)源極熔斷體包括金屬，并且適于通過 失效模式的電流電平來熔斷。
16.一種場效應(yīng)晶體管器件的制造方法，其包括步驟形成多個(gè)場效應(yīng)晶體管單元，其中每個(gè)單元均包括源極區(qū)；形成多個(gè)源極觸點(diǎn)，其中每個(gè)給定的源極觸點(diǎn)耦接至相應(yīng)的源極區(qū)；形成源極互連；以及形成多個(gè)源極熔斷體，其中每個(gè)源極熔斷體耦接在相應(yīng)的源極觸點(diǎn)和源極互連之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述多個(gè)源極熔斷體包括從包含銅、鋁、鉍、銦 和錫的組中選出的一種或多種金屬。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)源極觸點(diǎn)包括從包含鉭、鈦、鎢、氮化 鈦、氮化鉭、和硅化鈦的組中選出的一種或多種金屬。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中每個(gè)源極熔斷體包括空腔。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述多個(gè)源極觸點(diǎn)包括從包含鉭、鈦、鎢、氮化 鈦、氮化鉭、和硅化鈦的組中選出的一種或多種金屬。
全文摘要
本發(fā)明提供一種自修復(fù)場效應(yīng)晶體管(FET)器件，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，其包括多個(gè)FET單元，每個(gè)FET單元都具有一個(gè)熔斷體。在相應(yīng)的單元中，這些熔斷體適于在高電流事件期間熔斷。
文檔編號H01L29/78GK101971305SQ200980102930
公開日2011年2月9日 申請日期2009年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月13日
發(fā)明者羅伯特·許 申請人:威世硅尼克斯