專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，更詳細地說，是涉及表面貼裝型小型和薄型的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近年來，高亮度、高輸出功率的半導體發(fā)光元件及使用其的小型的發(fā)光裝置得到 開發(fā)，并被利用于各個領(lǐng)域。這樣的發(fā)光裝置使小型、低消耗功率和輕量等的特征持續(xù)有 效，例如作為移動電話等液晶背光用光源、各種儀表的光源及各種讀取傳感器用等(例如 專利文獻1)被進行著各式各樣的利用。專利文獻1 特開2003-78172公報在前述的專利文獻1中，公開在發(fā)光裝置的外部引線電極的折疊工序中，會在引 線框架的一部分設(shè)置支承封裝的引線直到工序結(jié)束。圖12是表示專利文獻1的發(fā)光裝置的制造途中的狀態(tài)的圖。在圖12中，封裝7 具有被設(shè)于封裝的上面10的引線4b、4c ；被設(shè)于封裝7的側(cè)面4a、4d ；被設(shè)于封裝的下面 4e，通過將引線4a 4d的端部埋入封裝7，從而支承封裝7。引線4e是例如由圖中的虛線部等切斷并折疊，成為外部引線電極的部分。由于引 線4e被虛線部切斷，封裝7處于由引線4a 4d支承的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，實施引線4e的 折疊加工。其后，使不再需要的引線4a 4d從封裝脫離，從而能夠形成發(fā)光裝置。但是，由于封裝的成形條件，會導致封裝的成形材料沿著引線4a 4d流淌，在引 線4a 4d的脫離時形成毛刺。雖然這只是部分性的，但由此仍會造成封裝7的外形比設(shè) 計尺寸大。特別是在薄型的發(fā)光裝置的情況下，因為需要使封裝的厚度Hl很薄，所以若在 上面有這樣的毛刺則不為優(yōu)選。雖然能夠在之后的工序中以切削等方法清除已經(jīng)發(fā)生的毛 刺，但這將使工序增加，生產(chǎn)效率差。而且，該毛刺通常形成得大小不同，因此即使去除，在 程序等上也難以管理，無法面向量產(chǎn)。因此，在薄型的發(fā)光裝置中，支承封裝的引線(以下稱為支承引線。)例如大多只 被配置在即使發(fā)生了毛刺也對其厚度影響小的部分，即封裝的側(cè)面。另外，為了實現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化，而使外部引線電極從封裝的底面的側(cè)面?zhèn)妊?伸出來，并設(shè)可以收納外部引線電極的凹部。由此，能夠抑制由于引線框架的厚度導致發(fā)光 裝置變厚，如果那樣封裝的側(cè)面的厚度變薄。在制造工序中，為了將封裝穩(wěn)定地支承在引線 框架上，需要支承引線達到一定程度的寬度。但是，若以原封不動的形狀使上述的發(fā)光裝置小型化，則也會使封裝的側(cè)面變薄， 因此埋入其中的支承引線變細。由此容易扭曲變形，容易發(fā)生封裝傾斜等不良。另外，折疊 外部引線電極時封裝也會遭受應(yīng)力，由此導致寬度狹窄的支承引線扭曲，封裝傾斜。若封裝 傾斜，則不能進行發(fā)光元件的貼裝，從而成為不合格品的原因。另外，將薄型的發(fā)光裝置貼 裝到基板等之上時，若發(fā)生外部引線電極的高度不同和貼裝焊盤圖案上所涂布的焊料量的 差異，則由于焊料熔融時的表面張力的差，或者焊料固化時的收縮應(yīng)力等，導致一側(cè)的外部 引線電極以浮起的狀態(tài)被固定，發(fā)生所謂被稱作曼哈頓現(xiàn)象的貼裝不良。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明目的在于，以一直以來所期望的進一步薄型化和小型化為目的，提供 一種發(fā)光裝置，特別是(1)在制造工序中，能夠穩(wěn)定地支承引線框架上所固定的封裝，(2) 在將發(fā)光裝置貼裝到基板等之上時，能夠抑制貼裝不良。為了達成以上的目的，本發(fā)明的發(fā)光裝置是具有在正面?zhèn)溆休d置發(fā)光元件的窗口 部的封裝和從所述封裝的底面突出的外部引線電極的發(fā)光裝置，其特征在于，所述封裝在 所述底面具有設(shè)于側(cè)面?zhèn)鹊膫?cè)面凸部和形成于中央部的中央凸部，所述外部引線電極被收 納在由所述側(cè)面凸部與所述中央凸部所形成的凹部，在所述側(cè)面凸部的側(cè)面具有槽部。在該發(fā)光裝置中，優(yōu)選所述封裝至少具有2個切口部，在這2個切口部的正下方配 置所述外部引線電極。在該發(fā)光裝置中，優(yōu)選所述側(cè)面凸部和所述中央凸部的厚度與所述外部引線電極 的厚度大體相同。優(yōu)選所述封裝的厚度為1. 5mm以下。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，在制造工序中能夠穩(wěn)定地支承封裝，能夠提供薄型、小型 的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明的發(fā)光裝置，在將發(fā)光裝置貼裝到基板等之上時，能夠抑制貼裝 不良。


圖IA是本發(fā)明的發(fā)光裝置的立體圖。
圖IB是圖IA的前視圖。
圖IC是圖A的仰視圖。
圖ID是圖IA的部分放大圖。
圖2A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。
圖2B是圖2A的后視圖。
圖2C是圖2A的俯視圖。
圖2D是圖2A的右視圖。
圖2E是圖2A的左視圖。
圖2F是圖2A的仰視圖。
圖2G是從斜上方看圖2A的立體圖。
圖2H是從斜下方看圖2A的立體圖。
圖21是表示圖2A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。
圖3A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。
圖3B是圖3A的后視圖。
圖3C是圖3A的俯視圖。
圖3D是圖3A的右視圖。
圖3E是圖3A的左視圖。
圖3F是圖3A的仰視圖。
圖3G是從斜上方看圖3A的立體圖。
圖3H是從斜下方看圖3A的立體圖。圖31是表示圖3A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖4A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。圖4B是圖4A的后視圖。圖4C是圖4A的俯視圖。圖4D是圖4A的右視圖。圖4E是圖4A的左視圖。圖4F是圖4A的仰視圖。圖4G是從斜上方看圖4A的立體圖。圖4H是從斜下方看圖4A的立體圖。圖41是表示圖4A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖5A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。圖5B是圖5A的后視圖。圖5C是圖5A的俯視圖。圖5D是圖5A的右視圖。圖5E是圖5A的左視圖。圖5F是圖5A的仰視圖。圖5G是從斜上方看圖5A的立體圖。圖5H是從斜下方看圖5A的立體圖。圖51是表示圖5A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖6A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。圖6B是圖6A的后視圖。圖6C是圖6A的俯視圖。圖6D是圖6A的右視圖。圖6E是圖6A的左視圖。圖6F是圖6A的仰視圖。圖6G是從斜上方看圖6A的立體圖。圖6H是從斜下方看圖6A的立體圖。圖61是表示圖6A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖7A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。圖7B是圖7A的后視圖。圖7C是圖7A的俯視圖。圖7D是圖7A的右視圖。圖7E是圖7A的左視圖。圖7F是圖7A的仰視圖。圖7G是從斜上方看圖7A的立體圖。圖7H是表示圖7A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖8A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個實施例的前視圖。圖8B是圖8A的后視圖。
圖8C是圖8A的俯視圖。圖8D是圖8A的右視圖。圖8E是圖8A的左視圖。圖8F是圖8A的仰視圖。圖8G是從斜上方看圖8A的立體圖。圖8H是從斜下方看圖8A的立體圖。圖81是表示圖8A的密封構(gòu)件未被填充的狀態(tài)的前視圖。圖9A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的概略剖面圖。圖9B是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的概略剖面圖。圖9C是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的概略剖面圖。圖9D是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的概略剖面圖。圖10是本發(fā)明的帶封裝引線框架的概略頂視圖。圖11是本發(fā)明的帶封裝引線框架的概略頂視圖。圖12是表示現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置在制造途中的狀態(tài)的圖。符號說明100、200、300、400、500、600、700、800 發(fā)光裝置101 窗口部102、202 封裝103、703、803 側(cè)面凸部104中央凸部106 槽部107、307、407、807 凹部112導電性導線113支承引線116、316、516、616、816 外部引線電極117引線框架118、318 發(fā)光元件121 后面126、326 側(cè)面230、330 切口部234 澆口332突起部834外部引線電極846、848澆鑄金屬模具856支承引線862 空洞866突出部864材料注入口868形成材料
具體實施例方式以下一邊參照附圖，一邊說明用于實施本發(fā)明的最佳的方式。但是，以下所示的方 式只是一個示例，本發(fā)明沒有將發(fā)光裝置限定為以下的發(fā)光裝置。此外，在以下的說明中， 同一名稱、符號表示同一或相同性質(zhì)的構(gòu)件，會適宜省略詳細的說明。本發(fā)明的發(fā)光裝置100，如圖IA 圖II所示，是具有在正面?zhèn)溆休d置發(fā)光元件的 窗口部101的封裝102，和從封裝102的底面突出的外部引線電極116的發(fā)光裝置。在本發(fā) 明中，封裝102在其底面具有側(cè)面凸部103和中央凸部104，外部引線電極116被折疊收納 在由該側(cè)面凸部103和中央凸部104形成的凹部107中。而且，在側(cè)面凸部103的側(cè)面具 有槽部106。(槽部106)槽部106是在發(fā)光裝置的制造工序中被埋入支承引線的部分，直到外部引線電極 116的折疊工序完畢。如圖10所示，支承引線113被埋入封裝102的側(cè)面和側(cè)面凸部103 的側(cè)面。支承引線113經(jīng)后面的工序而從封裝102脫離時，支承引線113曾被埋入的部分 成為槽部。形成槽部的部分，與配置在封裝102內(nèi)的內(nèi)部引線電極834處于大致同一平面 上，槽部的寬度W2(圖ID所示)與內(nèi)部引線電極834的厚度大致相同。(側(cè)面凸部103)如圖IA所示，側(cè)面凸部103設(shè)于封裝的底面的側(cè)面126側(cè)。通過采取這一結(jié)構(gòu)， 不僅封裝的側(cè)面126能夠具有槽部106，而且側(cè)面凸部103的側(cè)面也能夠具有槽部106，如 圖10所示，能夠不必使支承引線113的寬度Wl成為窄幅而加以配置。此外，將發(fā)光裝置100貼裝到基板等之上時，能夠借助側(cè)面凸部103來抑制貼裝不 良。在一側(cè)的外部引線電極116以浮起的狀態(tài)由焊料固定前，在浮起一側(cè)的側(cè)面設(shè)置側(cè)面 凸部103的部分，發(fā)光裝置的重量增加，重力起作用。由此，外部引線電極的浮起得到抑制。 如此，可以抑制貼裝不良。如圖8H所示，若側(cè)面凸部803從正面?zhèn)鹊亩瞬恐梁竺鎮(zhèn)鹊亩瞬窟B續(xù)設(shè)置，則能夠 進一步抑制外部引線電極的浮起。另外，如圖8H所示，從側(cè)面?zhèn)瓤矗ㄟ^覆蓋外部引線電極 而設(shè)置凸部，無論從發(fā)光裝置的側(cè)面?zhèn)仁┘尤我庖环N力時，都能夠避免外部引線電極受壓 彎曲等的問題。用于保護外部引線電極的凸部，可以與側(cè)面凸部103—體地設(shè)置(參照圖 8H的側(cè)面凸部803)，也可以分開分別設(shè)置。這時，至少一方作為側(cè)面凸部發(fā)揮機能，另一方 的凸部實現(xiàn)保護外部引線電極的效用。如圖ID所示，側(cè)面凸部103的側(cè)面的寬度W3優(yōu)選比引線電極的厚度寬，由此，在 將發(fā)光裝置貼裝到基板等之上時，能夠穩(wěn)定地載置。另外，從封裝的正面觀看的側(cè)面凸部 103的寬度W4優(yōu)選比槽部106的深度W5寬。說到原因是由于，槽部106是支承引線被埋入 的部分，因此能夠?qū)⒎庋b強固地支承在引線框架上。還有，如果側(cè)面凸部103的寬度W4比 槽部深度W5寬，則側(cè)面凸部的側(cè)部與封裝的側(cè)面126也可以不在同一平面上。S卩，側(cè)面凸 部103的側(cè)面可以形成得比封裝102的側(cè)面126突出，也可以形成得比其凹陷。在圖IB中，側(cè)面凸部103前視為梯形形狀，但并不限于這一形狀，只要可以形成槽 部106，哪種形狀都可以。另外在本發(fā)明中，側(cè)面凸部103優(yōu)選分別具有大致相同的厚度H2。 在此，所述厚度大致相同，意思是厚度在實質(zhì)上相同，允許0 0. 05mm左右的高度差。通過采取這一方式，能夠穩(wěn)定地將發(fā)光裝置載置在貼裝基板等之上。(中央凸部104)中央凸部104在發(fā)光裝置100的前視下形成于中央部。在中央部104形成有窗口 部101。另外，在中央凸部104的底面，如圖IA所示，可以形成得表面平坦，也可以為凹凸 構(gòu)造。還有，側(cè)面凸部103和中央凸部104是指，以外部引線電極116突出的封裝的底面為 基準面，從該基準面突出的部分。側(cè)面凸部和中央凸部在圖IB和圖IC中，作為影線區(qū)域表示。為了使貼裝基板和發(fā)光裝置的電連接良好，如圖IB所示，優(yōu)選側(cè)面凸部103和中 央凸部104的厚度H2與外部引線電極116的厚度大致相同。在此，所謂厚度大致相同，意思是在外部引線電極的表面的一部分與處于封裝的 底面的側(cè)面凸部103和中央凸部104之間，實質(zhì)上不產(chǎn)生高度差。但是高度差允許為0 0. 05mm。(凹部107)凹部107是夾在側(cè)面凸部103和中央凸部104而形成的部分。在凹部107中，外 部引線電極116沿著封裝的底面被彎曲收納。由此，既能夠在封裝底面配置外部引線電極， 又能夠降低發(fā)光裝置整體的厚度。(切口部 230)如圖2C所示，優(yōu)選在封裝上形成有2個切口部230，在2個切口部230的正下方配 置折疊的外部引線電極116。換言之，外部引線電極116由于切口部230，從上面看會被露 出。由此，可以確認外部引線電極配置的處所。另外，因為外部引線電極116能夠從上面確 認，所以將發(fā)光裝置貼裝到貼裝基板上時，可以確認其與基板的貼裝狀態(tài)。此外，也可以與切口部230不同，在封裝的后面形成切口部。這樣的切口部能夠在 例如注入封裝的成形材料的注入口(以下也稱澆口)被設(shè)置的地方形成。由此，能夠使?jié)?口不會比封裝的后面的最外部更突出。(封裝102)本發(fā)明的封裝102，具有前述的側(cè)面凸部103、中央凸部104、槽部106。此外，封裝 102在其正面具有載置發(fā)光元件的窗口部101，作為固定保持從封裝102的底面突出的外部 引線電極116等的支承體發(fā)揮作用，也具有保持發(fā)光元件夠受外部環(huán)境侵害的功能。本發(fā)明使用的封裝的成形材料未特別限定，能夠使用液晶聚合物、聚鄰苯二甲酰 胺樹脂、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等公知的所謂熱塑性樹脂。另外，也能夠使用公知的 熱固化性樹脂。特別是若使用像聚鄰苯二甲酰胺樹脂這樣含有高熔點結(jié)晶而構(gòu)成的半結(jié)晶 聚合物樹脂，則表面能變大，能夠獲得與填充在封裝的窗口部內(nèi)的密封構(gòu)件(后述)的附著 性良好的封裝。由此，在填充并使密封構(gòu)件硬化的工序中，能夠防止冷卻過程中封裝和密封 構(gòu)件的界面的剝離。為了高效率地反射來自發(fā)光元件的光，也可以在封裝成形材料中混合氧化鈦等白 色顏料，不混合白色顏料而使封裝具有透光性，也能夠成為配光寬的發(fā)光裝置。另外，如圖10所示，在封裝102的正面形成有用于搭載發(fā)光元件118的窗口部 101。該窗口部的形狀沒有特別限定，只要在窗口部之內(nèi)、優(yōu)選在窗口部的底面載置發(fā)光元 件118，使采取電連接的內(nèi)部引線電極834的一部分表面露出，窗口部的形狀為圓、橢圓、三角、四角等等或與這些近似的任何一種形狀均可以。優(yōu)選窗口部的內(nèi)壁傾斜。由此，來自發(fā) 光元件的光能夠由窗口部的內(nèi)壁反射，高效率地向前方釋放出。另外，窗口部101的深度 能夠根據(jù)推薦的發(fā)光元件數(shù)量、接合方法等進行適宜地調(diào)整。為了獲得更寬的配光，窗口部 101的大小優(yōu)選大的方法。還有，優(yōu)選該窗口部101的底面和/或內(nèi)壁通過壓紋加工或等離 子體處理等而使附著表面積增加，從而使后述的密封構(gòu)件的附著性提高。另外，如圖4A所示，封裝的正面可以形成得表面平坦，也可以如圖IA所示，具有隆 起部。如圖31所示，也能夠在窗口部的底面設(shè)置突起部332。通過設(shè)置突起起332，經(jīng)由 接合構(gòu)件(未圖示)接合發(fā)光元件318時，能夠使該接合構(gòu)件不會跑到導線接合區(qū)域。所謂封裝的厚度H3，如圖IB所示，是指封裝的上面和封裝的側(cè)面凸部103的底面 的距離，在本發(fā)明中由于以薄型化為目的，因而更優(yōu)選厚度薄的方法。在本發(fā)明中，優(yōu)選厚 度H3為1. 5mm以下。另外，如圖2H所示，也能夠在封裝202上，從正面?zhèn)瘸蚝竺鎮(zhèn)冉档秃穸榷纬缮?面和底面。也能夠在封裝202的底面形成澆口 234，使之與封裝的后面相連。利用這樣的結(jié) 構(gòu)，能夠加大澆口直徑，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制毛刺的發(fā)生的小型、量產(chǎn)性優(yōu)良的發(fā)光裝置200。(引線電極)引線電極如圖10所示，由如下構(gòu)成配置在封裝102內(nèi)部的內(nèi)部引線電極834 ；之 后被從引線框架117切斷而成為外部引線電極116的部分。引線電極的材料只要具有導電性則沒有特別限定，但是要求其與作為跟發(fā)光 元件進行電連接的構(gòu)件的導電性導線等的接合性和電傳導性良好。作為具體的電阻為 300 μ Ω · cm以下。作為滿足這些條件的材料，可適當列舉鐵、銅、銅鐵合金、銅錫合金和鍍 有銅、錢、銀、鈀的鋁、鐵、銅等。從光釋放效率、制造成本的方面看，鍍敷的表面的光澤度優(yōu) 選為0.2 2.0的范圍。鍍敷的厚度優(yōu)選為0.5μπι ΙΟμπι。(外部引線電極116)外部引線電極116為了向載置于窗口部101內(nèi)的發(fā)光元件118供給來自外部的電 而設(shè)置。在本發(fā)明中，外部引線電極116從封裝102的底面突出，沿著封裝的底面被折疊收 納在凹部107中。另外，在本發(fā)明中，外部引線電極116也能夠采取前端部分岔成2個的方式。例如， 也能夠采取的方式如圖IC所示，2個前端部彼此向反對方向延長，1個前端部朝向封裝的側(cè) 面126延長。通過采取這樣的方式，0能夠增加外部引線電極116的表面積，即使經(jīng)過薄型 化的封裝也能夠得到散熱性高的外部引線電極。如圖6Η所示，外部引線電極616也能夠采取前端部分岔成3個的形態(tài)。外部引線電極如圖5F所示，也能夠進行適宜變更，使寬度W6和寬度W7成為大致 相同的寬度等。在本發(fā)明中，外部引線電極優(yōu)選的配置方式為，不從封裝的寬度最寬的部分突出。 若使外部引線電極不從封裝的后面?zhèn)鹊膫?cè)面326突出而配置，即使在發(fā)光裝置的貼裝或發(fā) 光裝置的搬運時，也能夠防止外部引線電極受到外力，可以防止外部引線電極的變形。還 有，外部引線電極316不突出封裝的后面?zhèn)鹊膫?cè)面而配置時，如上述，優(yōu)選在封裝的后面設(shè) 置切口部330 (參照圖3C)。由此，可以確認配置外部引線電極316的地方，能夠從上面確認貼裝時的連接。(內(nèi)部引線電極834)內(nèi)部引線電極834配置在封裝102的內(nèi)部，其設(shè)置是用于把外部引線電極116從 外部獲得的電供給到發(fā)光元件。(發(fā)光元件118)載置于窗口部101的發(fā)光元件118，由稱為所謂發(fā)光二極管的元件的哪一種半導 體構(gòu)件構(gòu)成都可以。例如，可列舉在基板上，由如下各種半導體形成含有活性層的層疊構(gòu) 造InN、AlN、GaN、InGaN,AlGaN, InGaAlN等的氮化物半導體；III-V族化合物半導體；I-VI 族化合物半導體等。在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，發(fā)光元件118可以搭載不止一個，可以被搭載多個。這 時，為了使發(fā)光度提高，也可以組合多個散發(fā)相同發(fā)光色的光的發(fā)光元件。另外，例如與RGB 相對應(yīng)而組合多個發(fā)光色不同的發(fā)光元件，由此能夠使色澤復現(xiàn)性提高。這些發(fā)光元件如圖10所示，通過接合構(gòu)件(未圖示)被固定在封裝102的窗口部 101的底面或內(nèi)部引線電極834表面。這樣的接合構(gòu)件，例如為在絕緣性基板上(藍寶石基 板等)使氮化物半導體生長而形成的發(fā)光元件時，能夠采用環(huán)氧樹脂、硅酮等。另外，考慮 到來自發(fā)光元件的光和熱造成的劣化，也可以在發(fā)光元件背面鍍Al，將Au-Sn共晶等的焊 料、低熔點金屬等的釬料、導電性漿料等作為接合構(gòu)件使用。另外，像由導電性基板(GaAs 等)構(gòu)成，發(fā)出紅色光的發(fā)光元件這樣，在兩面形成有電極的發(fā)光元件的情況下，由銀、金、 鈀等導電性漿料等固定。(導電性導線112)導電性導線112如圖10所示，分別使發(fā)光元件118的正極和負極與內(nèi)部引線電極 834電連接。導電性導線112要求與發(fā)光元件的電極的歐姆性(ohmic)、機械的連接性、導電 性和導熱性良好。作為導熱率優(yōu)選為0. OlcaV(S) (cm2) (°C/cm)以上，更優(yōu)選0. 5cal/ (s) (cm2) (°C /cm)以上。另外，導電性導線的直徑考慮到操作性等，優(yōu)選為Φ IOym以上、 Φ45μπι以下。導電性導線的直徑更優(yōu)選為25 μ m以上，從發(fā)光元件的發(fā)光面積的確保和 處理容易度的觀點出發(fā)，更優(yōu)選為35 μ m以下。作為這樣的導電性導線，具體可列舉使用了 金、銅、白金、鋁等的金屬及其合金的導電性導線。(密封構(gòu)件)在本發(fā)明中，窗口部101也可以由密封構(gòu)件密封。密封構(gòu)件保護發(fā)光元件118和 導電性導線112免受外部環(huán)境侵害。通過使填充到封裝的窗口部101內(nèi)的密封構(gòu)件的材料 硬化，使之覆蓋發(fā)光元件118和導電性導線112，由此以密封構(gòu)件被覆發(fā)光元件118和導電 性導線112。密封構(gòu)件的材料沒有特別限定，例如能夠使用硅樹脂、環(huán)氧樹脂、尿素樹脂、氟樹 脂、和至少含有這些樹脂的一種以上的雜化樹脂(hybrid resin)等抗老化性優(yōu)異的透光性 樹脂。另外，密封構(gòu)件并不限于有機物，也能夠使用玻璃、硅膠等耐光性優(yōu)異的無機物。另 外，本發(fā)明的密封構(gòu)件根據(jù)用途，能夠添加粘度增量劑、光擴散劑、顏料、熒光物質(zhì)等任何構(gòu) 件。作為光擴散劑，例如可列舉鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、二氧化硅、碳酸鈣和至少含有其一 種以上的混合物等。另外，通過使密封構(gòu)件的光出射面?zhèn)瘸蔀槠谕男螤?，能夠使之擁有透鏡效果。具體來說，除了凸透鏡形狀、凹透鏡形狀以外，從發(fā)光觀測面看，還能夠成為橢圓形 狀或?qū)⑷缟隙喾N形狀加以組合的形狀。(熒光物質(zhì))本發(fā)明的發(fā)光裝置，能夠使密封構(gòu)件中含有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)使來自發(fā)光元 件的光的波長變換。作為這種熒光物質(zhì)的一例，有以下所闡述的含有稀土元件的熒光物質(zhì)。具體來說，可列舉石榴石(garnet)型熒光體，其含有從Y、Lu、Sc、La、Gd、Tb及Sm 之中選出的至少一種元素、和從Al、Ga和In之中選出的至少一種元素。特別是鋁石榴石系 熒光體，其含有Al和Y、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu、Ga、In和Sm之中的至少一種元素，并且是由 從稀土元素中選出的至少一種元素來激活的熒光體，是被從發(fā)光元件出射的可見光或紫外 線激勵而發(fā)光的熒光體。例如，除了釔鋁氧化物系熒光體(YAG系熒光體)以外，還可列舉 Tb2.95Ce0.05 15012、Y2.90Ce0 05Tb0 05A_l5012、Y2.94Ce0 05Pr0 01Al5012、Y2 90Ce0 05Pr0 05Al5O12 等。其中， 特別是在本發(fā)明中，利用的是含有Y，并且由Ce或Pr激活而組成不同的兩種以上的釔鋁氧 化物系熒光體。另外，氮化物系熒光體，其含有N，并且含有從Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Zn之中選出的 至少一種元素，和從C、Si、Ge、Sn、Ti、&和Hf之中選出的至少一種元素，是由從稀土元素中 選出的至少一種元素激活的熒光體。作為氧化物系熒光體，可列舉例如(Sra97Euaci3)2Si5Nr
(Ca0. 985^^0. 015) 2§土5^8、(δ *0291^^0.〇3) 5^8 ^。以下，將本發(fā)明的發(fā)光裝置100的制造方法分為1.封裝102的制造方法;2.由封裝102制造發(fā)光裝置100的工序而進行說明。(1.封裝102的制造方法)以下，一邊參照圖9Α 圖9D —邊說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法。首先，對金屬平板實施沖孔加工，對其表面實施金屬鍍敷，形成具有內(nèi)部引線電極 和支承引線、之后成為外部引線電極的部分的引線框架(未圖示)。接著，如圖9Α所示，將內(nèi)部引線電極834和支承引線856、之后成為外部引線電極 的部分配置在被上下分割的封裝成形用的澆鑄金屬模具846、848之間并夾緊。這時，配置 在封裝內(nèi)部的內(nèi)部引線電極834和支承引線856其定位方式是使之配置在具有封裝102的 形狀的澆鑄金屬模具846、848的空洞862之中，由澆鑄金屬模具846、848夾緊。支承引線 856的端部直至脫離封裝102為止都處于被埋入封裝的側(cè)面的狀態(tài)。上側(cè)澆鑄金屬模具846具有用于形成封裝的窗口部的突出部866，和與在后面的 工序中于封裝的底面所形成的側(cè)面凸部103和中央凸部104相對應(yīng)的凹部(未圖示)。另 外，下側(cè)澆鑄金屬模具848上，設(shè)有與在后面的工序中于封裝的底面所形成的側(cè)面凸部103 和中央凸部104相對應(yīng)的凹部(未圖示)和材料注入口 864。接著，如圖9Β所示，從下側(cè)澆鑄金屬模具848的材料注入口 864向澆鑄金屬模具 846,848的空洞862內(nèi)注入成形材料868。接著，如圖2C所示，使成形材料868硬化，如圖2D所示，首先脫掉下側(cè)澆鑄金屬模 具848，其次脫掉上側(cè)澆鑄金屬模具846。通過以上一系列工序，能夠得到圖9所示這樣的帶封裝102的引線框架117。艮口， 成型的封裝102在底面具有側(cè)面凸部103，并具有在窗口部101內(nèi)部露出的內(nèi)部引線電極834。內(nèi)部引線電極834由引線框架切斷后，與構(gòu)成外部引線電極116的部分相連。另外， 支承引線113被埋入封裝102的側(cè)面和側(cè)面凸部103的側(cè)面。在這一狀態(tài)下，封裝102通 過從封裝的底面突出、并之后成為外部引線電極116的部分和支承引線113，被支持在引線 框架117上。還有，在圖10中，只采用1個封裝102進行說明，但通常如圖11所示，會在一個弓I 線框架117上形成多個(該圖中為縱3個X橫2個共計6個)封裝102、102……。制造多 個封裝102、102……時，使用具有多個封裝用空洞862的澆鑄金屬模具846、848，在這些空 洞862中同時注入成形材料，由此能夠同時形成全部的封裝102、102……。(2.發(fā)光裝置100的制造方法)使用由上述的制造方法得到的封裝102，一邊參照圖10、圖11，一邊說明發(fā)光裝置 100的制造方法。在封裝102的窗口部101內(nèi)載置發(fā)光元件118后，分別通過導電性導線112將發(fā) 光元件118的正極和負極與配置在封裝內(nèi)部的內(nèi)部引線電極834進行電連接。接著，由密封構(gòu)件填充封裝102的窗口部101，密封發(fā)光元件118和導電性導線 112。然后，在圖10的虛線X的位置割斷引線框架117，由此成為封裝102由支承引線 113支承的狀態(tài)。接下來，沿著封裝102的底面將割斷而成為外部引線電極116的部分折疊。這時， 也可以再沿著側(cè)面126折疊外部引線電極116。另外如圖11所示，因為是通過在一個引線框架117上形成多個封裝102，從而對于 多個封裝102同時進行外部引線電極的折疊，所以能夠提高發(fā)光裝置的制造效率。最后，使封裝102從支承引線113脫離，從而能夠成為如圖1所示的發(fā)光裝置100。實施例1以下，對于本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施例進行詳述。還有，本發(fā)明并不僅限于以下所 示的實施例。本實施例的發(fā)光裝置100如圖IA 圖ID所示，是具有在正面?zhèn)溆休d置發(fā)光元件 的窗口部101的封裝102，和從封裝102的底面突出的外部引線電極116的發(fā)光裝置。在本 實施例中，封裝102在其底面具有側(cè)面凸部103和中央凸部104，外部引線電極116被收納 在由該側(cè)面凸部103與中央凸部104所形成的凹部107中。而且在側(cè)面凸部103的側(cè)面具 有槽部106。在本實施例中，首先，形成在由厚度0. Ilmm的銅鐵合金構(gòu)成的金屬板的表面實施 了鍍銀的引線框架。然后，將得到的引線框架配置在金屬模具內(nèi)，作為成形材料，注入聚鄰 苯二甲酰胺樹脂，使之硬化并脫掉金屬模具。經(jīng)一系列的工序，所形成的帶封裝引線框架如圖10所示，在封裝102的側(cè)面和側(cè) 面凸部103的側(cè)面埋入有支承引線113，由此能夠穩(wěn)定地支承封裝直到折疊工序完畢。在如 此形成的封裝102的窗口部101內(nèi)部露出的電極834上，通過環(huán)氧樹脂粘接固定由氮化物 半導體構(gòu)成的發(fā)光元件118。接著，分別由以Au為主要材料的導電性導線112連接被固定的發(fā)光元件的電極， 和配置在封裝102的窗口部的內(nèi)部的內(nèi)部引線電極834。
將硅樹脂中添加有擴散劑的密封構(gòu)件填充到封裝102的窗口部101內(nèi)并使之硬 化。然后，從引線框架117上割斷成為外部引線電極116的部分，沿著封裝的底面將其 折疊到后面121方向，收納在凹部107中。在本實施例中，外部引線電極116的前端部分岔 成2個，各自向反對方向延長，1個前端部朝向封裝102的側(cè)面126延長。最后，通過卸除埋入封裝102的側(cè)面126的支承引線，使發(fā)光裝置100從引線框架 脫離。這時，如圖IA所示，在封裝的側(cè)面126和側(cè)面凸部103形成槽部106。如此形成的發(fā)光裝置100，在側(cè)面凸部103的側(cè)面具有槽部106，在凹部107中收 納外部引線電極116，由此在制造工序中，能夠穩(wěn)定支承固定在引線框架上的封裝，在貼裝 到基板等之上時，能夠抑制貼裝不良。實施例2圖2A 圖21中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置200的一個實施例。在實施例2的發(fā)光裝置200中，封裝從正面?zhèn)瘸蚝竺鎮(zhèn)葴p薄厚度而形成上面和 底面。然后，在封裝的底面形成澆口 234，使之與封裝的后面相連。由此，能夠加大澆口直 徑，即使在很低的金屬模具內(nèi)壓下也能夠?qū)⑷廴跇渲┙o到金屬模具內(nèi)，成型性良好，因此 能夠?qū)崿F(xiàn)抑制毛刺的發(fā)生的小型而量產(chǎn)性優(yōu)良的發(fā)光裝置200。在實施例2的發(fā)光裝置200中，也能夠得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效^ ο實施例3圖3A 圖31中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置300的一個實施例。如圖3C、圖3F所示，實施例3的發(fā)光裝置的外部引線電極316沒有從封裝的側(cè)面 326突出，如此被收納在位于封裝的底面的凹部307中。另外，實施例3的發(fā)光裝置，在封裝 的后面具有切口部330，在切口部330的正下方配置有外部引線電極316。由此，可以從上 面方向確認外部引線電極316被配置的地方。另外，如圖31所示，在窗口部的底面具有突出部332。在該突起部332作用下，在 發(fā)光元件318經(jīng)由接合構(gòu)件(未圖示)而接合時，能夠使該接合構(gòu)件不會跑到導線接合區(qū) 域。在實施例3的發(fā)光裝置300中，也可以得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效^ ο實施例4圖4A 圖41中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置400的一個實施例。實施例4的發(fā)光裝置400，如圖4F所示，正面沒有設(shè)置凹部407。在實施例4的發(fā)光裝置400中，也可以得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效^ ο實施例5圖5A 圖51中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置500的一個實施例。如圖5F所示，在外部引線電極516中，寬度W6和寬度W7被形成為大致相同的寬度。在實施例5的發(fā)光裝置500中，也可以得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效
實施例6圖6A 圖61中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置600的一個實施例。如圖6H所示，在外部引線電極616中，成為前端部成為分岔成3個的形態(tài)。在實施例6的發(fā)光裝置600中，也可以得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效^ ο實施例7圖7A 圖71中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置700的一個實施例。如圖7A所示，封裝的側(cè)面凸部703前視為長方形。在實施例7的發(fā)光裝置700中，也可以得到與前述實施例1的發(fā)光裝置同樣的效^ ο實施例8圖8A 圖81中顯示本發(fā)明的發(fā)光裝置800的一個實施例。如圖8H所示，在實施例8的發(fā)光裝置中，封裝的側(cè)面的側(cè)面凸部803從封裝的正 面?zhèn)榷瞬吭O(shè)置到后面?zhèn)榷瞬?，在凹?07中，收納有沿底面折疊的外部引線電極816。在該實施例的發(fā)光裝置中，如圖8C、圖8F所示，在俯視、仰視中，外部引線電極816 其形成沒有從封裝側(cè)面突出。此外在本實施例中，如圖8D和圖8E所示，在側(cè)視中，外部引 線電極816的大部分都由封裝后面?zhèn)鹊膫?cè)面凸部803(參照圖8H)覆蓋而形成。通過如此 構(gòu)成，無論從側(cè)面方向受到任何的力時，都能夠降低外部引線電極816受壓而彎曲等的問 題發(fā)生的可能性。在圖8的發(fā)光裝置800中，在側(cè)面凸部803的作用下，能夠得到與前述實施例1的 發(fā)光裝置同樣的效果。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠作為液晶顯示器的背光、面板式儀表、指示燈和移動電子設(shè)備等所使 用的光源加以利用。
權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，其具備在正面具有載置發(fā)光元件的窗口部的封裝；和從所述封裝的底面突出的外部引線電極，其特征在于，所述封裝在所述底面具有設(shè)于側(cè)面?zhèn)鹊膫?cè)面凸部和形成于中央部的中央凸部，所述外部引線電極被收納在由所述側(cè)面凸部與所述中央凸部所形成的凹部中，在所述側(cè)面凸部的側(cè)面具有槽部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述封裝至少具有2個切口部，在該2個切 口部的正下方配置有所述外部引線電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述側(cè)面凸部和所述中央凸部的厚度與 所述外部引線電極的厚度大致相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的發(fā)光裝置，其中，所述封裝的厚度為1.5mm以下。
全文摘要
提供一種在制造中穩(wěn)定地支承封裝，成品率高且薄型、小型的發(fā)光裝置。一種在正面?zhèn)溆休d置發(fā)光元件的窗口部的封裝和從所述封裝的底面突出的外部引線電極的發(fā)光裝置，其特征在于，封裝在底面具有設(shè)于側(cè)面?zhèn)鹊膫?cè)面凸部和形成于中央部的中央凸部，外部引線電極被收納在由側(cè)面凸部與中央凸部所形成的凹部，在側(cè)面凸部的側(cè)面具有槽部。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，在制造工序中，能夠穩(wěn)定地支承封裝，能夠提供薄型、小型的發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明的發(fā)光裝置，在將發(fā)光裝置貼裝到基板等之上時，能夠抑制貼裝不良。
文檔編號H01L33/62GK101939858SQ20098010443
公開日2011年1月5日 申請日期2009年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月8日
發(fā)明者山本才氣 申請人:日亞化學工業(yè)株式會社