專利名稱：包括橫向波紋管和非接觸顆粒密封的可調(diào)節(jié)間隙電容耦合rf等離子反應(yīng)器的制作方法
包括橫向波紋管和非接觸顆粒密封的可調(diào)節(jié)間隙電容耦合
RF等離子反應(yīng)器相關(guān)申請的交叉引用這個申請要求美國臨時專利申請61/006，985的優(yōu)先權(quán)，主題為“ADJUSTABLE GAP CAPACITIVELY COUPLED RF PLASMA REACTOR INCLUDING LATERAL BELLOWS AND NON-CONTACT PARTICLE SEAL”，遞交于2008年2月8日，特此通過引用結(jié)合其全部內(nèi)容。
背景技術(shù)：
收縮的特征尺寸和新材料在在下一代的器件制造中的實現(xiàn)對等離子處理設(shè)備提 出了新的要求。更小的器件特征、更大的襯底尺寸和新的處理技術(shù)(多步驟制法，如雙鑲嵌 蝕刻)增加了縱貫晶片保持良好一致性以獲得更好的器件成品率的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
等離子處理設(shè)備的實施方式包括室，其包括側(cè)壁圍繞內(nèi)部區(qū)域并具有開口 ；懸 臂組件，包括延伸通過該側(cè)壁的開口并具有位于該內(nèi)部區(qū)域之外的外面部分的臂單元，以 及該臂單元上并設(shè)在該內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的襯底支撐件；驅(qū)動機(jī)構(gòu)，耦接到該臂單元的該外面部 分并運(yùn)轉(zhuǎn)以在垂直方向移動該懸臂組件，波紋管裝置提供該臂單元和該側(cè)壁之間的真空密 封。


圖IA-C示出可調(diào)節(jié)間隙受限電容耦合RF等離子反應(yīng)器的實施方式，包括橫向波 紋管和非接觸顆粒密封。圖2示出用于可調(diào)節(jié)間隙等離子反應(yīng)器室的安裝懸臂的RF偏置框架的實施方式， 其允許該下部電極垂直平移。圖3說明圖IA-C示出的橫向波紋管的實施方式的局部剖視圖。圖4示出圖3中Q框的放大的細(xì)節(jié)，示出可移動波紋管屏蔽板和固定的波紋管屏 蔽的細(xì)節(jié)。圖5A和5B示出當(dāng)下部電極在中間位置(中等間隙)時，曲徑式密封件的實施例 方式的局部剖視和端視圖。圖6A和6B示出當(dāng)該下部電極在下部位置(大間隙)時，圖5A和5B的實施方式 的局部剖視和端視圖。
具體實施例方式圖I-IC說明可調(diào)節(jié)間隙受限電容耦合RF等離子反應(yīng)器600的實施方式。如所描 述的，真空室602包括室框架604，圍繞背部空間容納下部電極606。在該室602的上部，上 部電極608與該下部電極606垂直隔開。該上部和下部電極608、606的平面基本上平行 并與該電極之間的該垂直方向正交。優(yōu)選地，該上部和下部電極608、606為圓形并與垂直
4軸同軸。該上部電極608的下表面面向該下部電極606的上表面。該隔開的、面對的電極 表面在它們之間限定可調(diào)節(jié)間隙610。運(yùn)行過程中，該下部電極606由RF功率供應(yīng)源(匹 配)620提供RF功率。RF功率通過RF供應(yīng)管622、RF帶6 和RF功率構(gòu)件6 提供到該 下部電極606。接地屏蔽636可圍繞該RF功率構(gòu)件626以提供對該下部電極606更均勻 的RF屏蔽。如共同所有共同待決美國專利申請公布2008/0171444(其全部內(nèi)容通過引用 結(jié)合在這里)所述，晶片插入通過晶片口 682并在該間隙610中支撐在該下部電極606上 用以處理，工藝氣體提供到該間隙610并通過RF功率激發(fā)為等離子。該上部電極608可通 電或接地。圖1A-1C示出的實施方式中，該下部電極606是支撐在下部電極支撐板616上。絕 緣體環(huán)614介于該下部電極606和該下部電極支撐板616之間，將該下部電極606絕緣該 支撐板616。RF偏置框架630將該下部電極606支撐在RF偏置框架盆632上。該盆632通過 室壁板618中的開口由該RF偏置框架630的臂634連接到導(dǎo)管支撐板638。在一個優(yōu)選實 施方式中，該RF偏置框架盆632和RF偏置框架臂634整體形成一個部件，然而，該臂634 和盆632也可以是用螺栓連接或結(jié)合在一起的兩個單獨(dú)的部件。該RF偏置框架臂634包括一個或多個中空通道，用以將RF功率和設(shè)備(如氣體冷 卻劑、液體冷卻劑、RF能量、用以提升銷控制的電纜、電子監(jiān)視和驅(qū)動信號)從該真空室602 外面?zhèn)鞯皆撜婵帐?02里面、在該下部電極606背部的空間。該RF供應(yīng)管622與該RF偏置 框架臂634隔開，該RF偏置框架臂634提供到該RF功率供應(yīng)源620的RF功率返回路徑。 設(shè)備導(dǎo)管640提供用于設(shè)備部件的通道。該設(shè)備部件的更多細(xì)節(jié)在美國專利5，948，704以 及共同所有共同待決美國專利申請公布2008/0171444中描述，這里為了描述簡介而未示。 該間隙610優(yōu)選地被限制環(huán)組件(未示)圍繞，其細(xì)節(jié)可在共同所有公開的美國專利公布 2007/0284045中找到，通過引用結(jié)合在這里。該導(dǎo)管支撐板638連接到驅(qū)動機(jī)構(gòu)642。驅(qū)動機(jī)構(gòu)的細(xì)節(jié)在共同所有共同待決美 國專利公布2008/0171444中描述，通過引用結(jié)合在這里。該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642(如伺服機(jī)械電 機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等)例如通過螺紋傳動裝置646連接到垂直直線軸承644，如滾珠絲杠和用于 轉(zhuǎn)動該滾珠絲杠的馬達(dá)。運(yùn)行過程中為了調(diào)節(jié)該間隙的尺寸610，該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642沿該垂直 直線軸承644行進(jìn)。圖IA說明當(dāng)該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642在該直線軸承644上高位置、產(chǎn)生小間隙 610a的布置。圖IB說明當(dāng)該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642在該直線軸承644上中間位置的布置。如所示， 該下部電極606、該RF偏置框架630、該導(dǎo)管支撐板638、該RF功率供應(yīng)源620全部已經(jīng)移 動相對該室框架604和該上部電極608較低，產(chǎn)生中等大小的間隙610b。圖IC說明當(dāng)該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642在該直線軸承下部位置時的大間隙610c。優(yōu)選地，該 上部和下部電極608、606在該間隙調(diào)節(jié)過程中保持同軸，以及該上部和下部電極跨過該間 隙的面向的表面保持平行。這個實施方式允許該CCP室602中該下部和上部電極606、608之間的該間隙610 在多步驟工藝制法(BARC、HARC和STRIP等)調(diào)節(jié)，例如以便縱貫大直徑襯底保持一致蝕 刻，如300mm晶片或平板顯示器。具體地，這個實施方式屬于機(jī)械裝置，以促進(jìn)在下部和上 部電極606、608提供該可調(diào)節(jié)間隙所必須的直線運(yùn)動。圖IA說明橫向偏轉(zhuǎn)的波紋管650，其近端密封于該導(dǎo)管支撐板638和遠(yuǎn)端密封于室壁板618的臺階狀凸緣628。該臺階狀凸緣的內(nèi)徑在該室壁板618中限定開口 612，該RF 偏置框架臂634通過該開口。該橫向偏轉(zhuǎn)的波紋管650提供真空密封，同時允許該RF偏置框架630、導(dǎo)管支撐板 638和驅(qū)動機(jī)構(gòu)642的垂直移動。該RF偏置框架630、導(dǎo)管支撐板638和驅(qū)動機(jī)構(gòu)642可 稱為懸臂組件。優(yōu)選地，該RF功率供應(yīng)源620與該懸臂組件一起移動并可連接到該導(dǎo)管支 撐板638。圖IB示出該波紋管650當(dāng)該懸臂組件在中間位置時處于中性位置。圖IC示出 該波紋管650當(dāng)該懸臂組件在下部位置橫向偏轉(zhuǎn)。曲徑式密封件648提供該波紋管650和該等離子處理室框架604內(nèi)部之間的顆粒 阻擋。固定的屏蔽656固定不動地連接到該室框架604的內(nèi)側(cè)壁的該室壁板618，以便提供 曲徑式凹槽660(狹槽)，可移動的屏蔽板658在該凹槽中垂直移動以適應(yīng)該懸臂組件的垂 直移動。該可移動的屏蔽板658的外面部分在該下部電極606的所有垂直位置都保持在該 狹槽中。在所示的實施方式中，該曲徑式密封件648包括固定的屏蔽656在該室壁板618 中開口 612的邊緣連接到該室壁板618的內(nèi)表面，形成曲徑式凹槽660。該可移動的屏蔽板 658連接到該RF偏置框架臂634，并從該臂徑向延伸，其中該臂634通過該室壁板618中的 該開口 612。該可移動的屏蔽板658延伸進(jìn)入該曲徑式凹槽660，同時由第一間隙(圖4中 通道“B”)與該固定的屏蔽656隔開，以及由第二間隙(圖4中通道“C”)與該室壁板618 的內(nèi)部表面隔開，允許該懸臂組件垂直移動。該曲徑式密封件648阻止從該波紋管650落 下的顆粒遷移進(jìn)入該真空室內(nèi)部605 (圖2)，并且阻止來自工藝氣體等離子的自由基遷移 到該波紋管650，在這里自由基會形成沉積物，之后會剝落。圖IA示出當(dāng)該懸臂組件在高位置(小間隙610a)時，該可移動的屏蔽板658在該 曲徑式凹槽660中、在該RF偏置框架臂634的上方較高的位置。圖IC示出當(dāng)該懸臂組件 在下部位置(大間隙610c)時，該可移動的屏蔽板658處于該曲徑式凹槽660中、該RF偏 置框架臂634上方較低的位置。圖IB示出該懸臂組件在中間位置(中等間隙610b)，該可 移動的屏蔽板658處于該曲徑式凹槽660內(nèi)中性或中間位置。盡管該曲徑式密封件648示 為關(guān)于該RF偏置框架臂634對稱，但是在其他實施方式中，該曲徑式密封件648可不關(guān)于 該RF偏置臂634對稱。圖2示出在可調(diào)節(jié)間隙電容耦合受限RF等離子反應(yīng)器中懸臂組件的部件的實施 方式。該部件局部剖開示出并且為了描述容易沒有示出其他部件。在該說明中，該RF偏置 框架630由位于該室外面的導(dǎo)管支撐板638支撐在該真空室602里面。該RF偏置框架臂 634的近端連接到該導(dǎo)管支撐板638。該導(dǎo)管支撐板638中的服務(wù)開口允許進(jìn)入該設(shè)備導(dǎo) 管640和RF供應(yīng)管622，該供應(yīng)管軸向通過該RF偏置框架臂634的內(nèi)部至該下部電極606 下方的空間。該RF供應(yīng)管622和設(shè)備導(dǎo)管640處于第一壓強(qiáng)，如大氣壓，該真空室602內(nèi) 部處于第二壓強(qiáng)，如經(jīng)過真空口 680連接到真空泵導(dǎo)致的減少的壓強(qiáng)。該波紋管650提供 真空密封同時允許該懸臂組件垂直移動。該導(dǎo)管支撐板638連接到該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642，其相對該真空室602、沿直線軸承644 垂直上下行進(jìn)。該直線軸承644連接到該室壁板618，其提供該真空室602的側(cè)壁。該室壁 板618在該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642的運(yùn)行過程中不移動，但是以可分離的方式連接到該真空室602 以便于該RF偏置框架630和下部電極組件在該真空室602中的去除和插入。當(dāng)該驅(qū)動機(jī)構(gòu)642相對該真空室602垂直行進(jìn)，該導(dǎo)管支撐板638和RF偏置框架630也在圖2中箭頭 A-A'所示的方向垂直行進(jìn)。該室壁板618具有臺階狀凸緣628，在該室框架604中形成開口。該RF偏置框架 臂634通過該臺階狀凸緣628的內(nèi)徑形成的該開口 612進(jìn)入該室框架604的內(nèi)部。限定該 開口 612的該臺階狀凸緣628的內(nèi)徑大于該RF偏置框架臂634的外部橫向直徑以允許該 臂634在該垂直方向A-A'移動。該RF偏置框架臂634的近端連接并密封于該導(dǎo)管支撐板 638，并使得該RF偏置框架臂634可相對該室壁板618垂直移動。該波紋管650產(chǎn)生真空 密封以將該RF偏置框架臂634的近端密封于該室壁板618，如將參照圖3描述的。圖3示出該波紋管650在該RF偏置框架臂634的近端和該室壁板618之間形成 可橫向移動的真空密封。這里示出該波紋管650手風(fēng)琴式的外觀。波紋管650的細(xì)節(jié)在共 同所有共同待決美國專利申請公布2008/0171444進(jìn)一步描述。該波紋管650的近端650a 利用0形環(huán)夾在該RF偏置框架臂634的夾邊6M下面，以將該近端650a的較小直徑端夾 在該夾邊6M和該導(dǎo)管支撐板638之間。該波紋管650的較大直徑的遠(yuǎn)端650b夾在夾圈 652下面以對著圍繞鄰近該臺階狀凸緣628的內(nèi)部直徑的開口 612邊緣的該室壁板618外 側(cè)壁形成密封。該夾圈652優(yōu)選地與該室壁板618螺栓連接。該波紋管650通過曲徑式密封件648與該真空室602內(nèi)部基本上隔開(圖3和圖 4中的“Q”框)。該可移動的屏蔽板658從該RF偏置框架臂634徑向延伸并與該懸臂組件 一起垂直移動。在該室壁板618的內(nèi)部表面上、圍繞該臺階狀凸緣628內(nèi)徑的邊緣的凹入 被固定的屏蔽656覆蓋，在該內(nèi)部壁該室壁板618和該固定的屏蔽656限定該曲徑式凹槽 660。該可移動的屏蔽板658延伸進(jìn)入該曲徑式凹槽660，在該可移動的屏蔽板658的任一 側(cè)有間隙，從而該可移動的屏蔽板658設(shè)在該曲徑式凹槽660中，與該曲徑式凹槽660的壁 隔開。由此，該可移動的屏蔽板658可在該曲徑式凹槽660垂直移動，而不會接觸任何限定 該曲徑式凹槽660的表面。如圖4所述，該曲徑式凹槽660的這種設(shè)置在該固定的屏蔽板 656和該可移動的屏蔽板658之間產(chǎn)生環(huán)形通道“B ”，以及在該可移動的屏蔽板658和該 室壁板618的表面之間產(chǎn)生第二通道“C”。該曲徑式密封件648大體上阻止真空處理條件下該橫向波紋管的該內(nèi)部686和該 真空室內(nèi)部605之間的顆粒遷移。優(yōu)選地，該曲徑式凹槽660中通道“B”和“C”厚度與該 可移動屏蔽板658突入該曲徑式凹槽660的深度的比在大約1 8到大約1 50的范圍。 例如，該“B ”和“C”通道厚度是該可移動的屏蔽板658與一側(cè)該室壁板618以及與另一側(cè) 該固定的屏蔽板6 56之間的間隙的大小。圖5A說明當(dāng)該懸臂組件在中間或中性位置(中等間隙610b)時，該曲徑式密封件 648實施方式的縱向剖面，圖5B說明從該真空室602的內(nèi)部的橫向視圖。該RF偏置框架臂 634通過該室壁板618中、由該臺階狀凸緣628的內(nèi)徑限定的開口。該可移動的屏蔽板658 比該曲徑式凹槽660窄，從而該可移動的屏蔽板658的外緣穿入該曲徑式凹槽660以在該 波紋管650的內(nèi)部686和該真空室內(nèi)部605之間形成非接觸顆粒密封。該可移動的屏蔽板 658可通過螺栓692與該RF偏置框架臂634連接或者通過可去除的粘結(jié)劑等連接。該固定 的屏蔽656可通過螺栓690連接到該室壁板618的內(nèi)部表面，或者通過粘結(jié)劑或其他可分 開接頭等連接。圖6A說明當(dāng)該懸臂組件在下部位置(大間隙610c)，圖5A和5B示出的該曲徑式密封件648的實施方式的縱向剖面，圖6B說明從該真空室602的內(nèi)部的橫向剖面。如所 述，該固定的屏蔽656可由多個部分構(gòu)成以允許安裝和去除該固定的屏蔽656，以及安裝和 去除該可移動的屏蔽板658。例如，該固定的屏蔽板656包括下部固定的屏蔽部分657和上 部固定的屏蔽部分659。 盡管參照其具體實施方式
詳細(xì)描述本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然可進(jìn) 行各種不同的改變和修改，以及采用等同方式，而不背離所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子處理設(shè)備，包括室，包括將該室內(nèi)部分為第一和第二區(qū)域的側(cè)壁，該側(cè)壁之中具有開口，該開口在該第 一和第二區(qū)域之間提供流體連通；懸臂組件，包括臂單元，其水平延伸通過該開口從而第一端在該第一區(qū)域中，第二端在 該第二區(qū)域中，襯底支撐件位于該第一端的上部；驅(qū)動機(jī)構(gòu)，耦接到該臂單元的該第二端并運(yùn)轉(zhuǎn)以在垂直方向移動該懸臂組件；以及 波紋管裝置，提供該臂單元和該側(cè)壁之間的真空密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中該襯底支撐件包括下部電極組件，具有適于支撐襯底的頂部表面； 該等離子處理室進(jìn)一步包括上部電極組件，其具有底部表面，該表面面向該襯底支撐 件的該頂部表面并與之隔開以在它們之間形成間隙；該下部電極組件經(jīng)由位于該臂單元中的RF傳輸構(gòu)件耦接到射頻(RF)功率供應(yīng)源；以及該驅(qū)動機(jī)構(gòu)可運(yùn)轉(zhuǎn)以移動該襯底支撐件至相對該上部電極組件的各種不同高度，以在 襯底等離子處理過程中調(diào)節(jié)該間隙的尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理設(shè)備，其中該下部電極組件包括靜電卡盤，其可 運(yùn)轉(zhuǎn)以在等離子處理過程中將該襯底卡緊在適當(dāng)?shù)奈恢谩?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理室，其中 該臂單元包括內(nèi)腔；以及該等離子處理室進(jìn)一步包括RF管，位于該腔內(nèi)并具有耦接到RF功率供應(yīng)源的一端，以及運(yùn)轉(zhuǎn)以經(jīng)過其傳輸來自該 RF功率供應(yīng)源的RF功率；以及RF導(dǎo)體，耦接到該RF管的另一端，以及運(yùn)轉(zhuǎn)以收集該RF功率并將該RF功率發(fā)送到該 襯底支撐件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子處理設(shè)備，其中該RF功率供應(yīng)源安裝在該臂單元的外 面部分上，從而該RF功率供應(yīng)源與該懸臂組件一起由該驅(qū)動機(jī)構(gòu)移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，進(jìn)一步包括圍繞該開口的該側(cè)壁上的非接 觸顆粒密封，該非接觸顆粒密封包括從該臂單元垂直延伸出的固定的板且該側(cè)壁包括容納 該固定的板的狹槽，從而該板不接觸該狹槽以及該板的外面部分在該臂單元的所有垂直位 置保持在該狹槽中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中(a)當(dāng)該臂單元移至最上面的位置，該 波紋管的上部壓縮而該波紋管的下部擴(kuò)張，以及(b)當(dāng)該臂單元移至最下面的位置，該波 紋管的上部擴(kuò)張而該波紋管的下部壓縮。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中該波紋管包括可移動的波紋管屏蔽板 和固定的波紋管屏蔽，該可移動的波紋管板從該臂單元的該第二端延伸，該固定的波紋管 屏蔽安裝在該側(cè)壁上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中 該驅(qū)動機(jī)構(gòu)包括垂直直線軸承滾珠絲杠，可轉(zhuǎn)動固定于該臂單元并當(dāng)轉(zhuǎn)動時運(yùn)轉(zhuǎn)以移動該臂單元；以及馬達(dá)，轉(zhuǎn)動該滾珠絲杠。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理設(shè)備，其中該上部電極組件包括至少一個隔板，用以將工藝氣體提供進(jìn)該間隙；以及 該RF功率供應(yīng)源可運(yùn)轉(zhuǎn)以提供RF功率至該下部電極組件以便激發(fā)該工藝氣體產(chǎn)生等1 子。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理設(shè)備，進(jìn)一步包括限制環(huán)組件，包括至少一個限 制環(huán)，其構(gòu)造為環(huán)繞該間隙并由此將該等離子限制在該間隙中。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中該波紋管是橫向偏轉(zhuǎn)的波紋管，其一 端密封在該側(cè)壁的外側(cè)，該波紋管的內(nèi)部限定該第二區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，其中RF源支撐在位于該第二區(qū)域的外面 的該臂的該第二端上。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理設(shè)備，其中(a)該襯底支撐件包括RF驅(qū)動的下 部電極，該臂單元在其該第二端包括框架，該框架包含為該電極提供RF匹配的電路；(b)該 臂單元包括至少一個氣體管線，其可運(yùn)轉(zhuǎn)以將背側(cè)冷卻提供至安裝在該襯底支撐件上的襯 底；(c)該支撐臂包括至少一個電連接件，其可運(yùn)轉(zhuǎn)以傳輸來自位于該襯底支撐件中的傳 感器的信號；和/或(d)該支撐臂包括流體通道，其可運(yùn)轉(zhuǎn)以在該襯底支撐件中循環(huán)熱傳遞 液體。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理設(shè)備，進(jìn)一步包括位于該室外面的可移動的支 撐板，該可移動的支撐板連接到該支撐臂的一端并具有多個服務(wù)開口，與該支撐臂中的服 務(wù)開口水平對齊，該可移動的支撐板連接到可移動的環(huán)形板，該環(huán)形版沿該室的側(cè)壁的外 表面、沿直線導(dǎo)軌滑動，該環(huán)形板限定圍繞該支撐臂的圓周空間，其中設(shè)有該波紋管。
16.一種處理半導(dǎo)體襯底的方法，包括在根據(jù)權(quán)利要求2所述的該等離子處理設(shè)備中，將半導(dǎo)體襯底支撐在該襯底支撐件上；在該上部和下部電極組件之間的空間中生成等離子； 經(jīng)由該驅(qū)動機(jī)構(gòu)，通過移動該懸臂組件調(diào)節(jié)該間隙；以及 利用該等離子處理該半導(dǎo)體襯底。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該處理包括等離子蝕刻。
18.一種用于處理襯底的等離子處理室的懸臂組件的橫向波紋管單元，在該室中，側(cè)壁 將該室內(nèi)部分為經(jīng)由該側(cè)壁中的開口流體連通第一和第二區(qū)域，該波紋管單元包括固定的環(huán)形板，其安裝在該室的該側(cè)壁上，該環(huán)形板中的開口圍繞該側(cè)壁中的開口 ； 可移動的板，其連接到該臂單元在該第一和第二區(qū)域外面的一端，該臂單元構(gòu)造為水 平延伸通過該側(cè)壁中的開口，從而第一端在該第一區(qū)域中和第二端在由該波紋管限定的該 第二區(qū)域中，襯底支撐件位于該第一端的上部；波紋管，在該固定的環(huán)形板和該可移動的板之間延伸，該固定的板，其中(a)當(dāng)該臂單 元移至最上面的位置，該波紋管的上部壓縮和該波紋管的下部擴(kuò)張，以及(b)當(dāng)該臂單元 移至最下面的位置，該波紋管的上部擴(kuò)張和該波紋管的下部壓縮。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的橫向波紋管單元，其中該波紋管是錐形的，并且在密封于 該室的該側(cè)壁的一端具有較大的直徑。
全文摘要
一種等離子處理室，包括懸臂組件和至少一個構(gòu)造為抵消大氣負(fù)荷的真空隔離構(gòu)件。該室包括圍繞內(nèi)部區(qū)域并具有開口的壁。懸臂組件包括襯底支撐件，用于在該室內(nèi)支撐襯底。該懸臂組件延伸通過該開口，從而其一部分位于該室外面。該室包括驅(qū)動機(jī)構(gòu)，其運(yùn)行以相對該壁移動該懸臂組件。
文檔編號H01L21/3065GK102084468SQ200980104906
公開日2011年6月1日 申請日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月8日
發(fā)明者斯科特·杰弗里·史蒂夫諾特, 詹姆斯·E·塔潘 申請人:朗姆研究公司