專利名稱：半導(dǎo)體裝置、其制造方法、印刷電路板及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及搭載有該半導(dǎo)體裝置的印 刷電路板及電子設(shè)備。特別是涉及將運(yùn)算處理器和多個(gè)存儲(chǔ)器件以及/或者多個(gè)無(wú)源部件 組合而制成的小型半導(dǎo)體裝置及其制造方法等。
背景技術(shù)：
圖20示出采用相關(guān)的安裝技術(shù)(表面裝配技術(shù)[SMT，SurfaceMount Technology])安裝了半導(dǎo)體部件的印刷電路板，是相關(guān)的半導(dǎo)體裝置(之一)。該半導(dǎo)體 裝置的特征在于在運(yùn)算處理器封裝101的周圍二維地排列安裝多個(gè)存儲(chǔ)器封裝102(例如 DRAM封裝)和多個(gè)無(wú)源部件103 (電容器、電阻器、電感器等)而成的構(gòu)造，該半導(dǎo)體裝置用 在很多電子設(shè)備中。此外，圖21示出相關(guān)的半導(dǎo)體裝置(之二)的剖視圖，該半導(dǎo)體裝置的特征在 于下述構(gòu)造將半導(dǎo)體的裸片204、205層疊成棱錐狀(裸片之間利用被稱作芯片粘接膜 (die attach film)的粘接薄膜粘接)，利用引線接合將各個(gè)裸片的外部端子連接在內(nèi)插板 (interposer) 206的外部端子上，并對(duì)整體進(jìn)行樹脂封固。該半導(dǎo)體裝置是采用了多個(gè)器件 的半導(dǎo)體裝置，而且是能夠使器件的安裝面積小型化的封裝技術(shù)，是在移動(dòng)電話機(jī)中廣泛 使用的三維安裝型半導(dǎo)體裝置之一。此外，圖22示出專利文獻(xiàn)1 (日本特開2006-190834號(hào)公報(bào))中所記載的半導(dǎo)體 裝置(之三)的剖視圖，是一種三維安裝型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使外型尺寸不同的第 一半導(dǎo)體芯片301和第二半導(dǎo)體302的外部端子(焊盤304)彼此面對(duì)并利用凸點(diǎn)303使 彼此連接，并且，利用凸點(diǎn)303將在中心部設(shè)有孔309的內(nèi)插板(柔性電路板306)和位于 外形尺寸較大一方的半導(dǎo)體芯片(在圖中為301)的外周部的外部端子(焊盤304)彼此連 接，在所述孔309中收納有外形尺寸較小一方的半導(dǎo)體芯片(在圖22中為302)。此外，圖23示出專利文獻(xiàn)2 (日本特開2007-188921號(hào)公報(bào))所記載的半導(dǎo)體裝 置(之四)的剖視圖，是一種三維安裝型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，采用使剛性配線板402 和柔性配線板403合成一體而成的內(nèi)插板，在剛性配線板402的局部的兩面安裝半導(dǎo)體元 件(LSI401)，將柔性配線板403的局部折彎，并將柔性板403固定于一方的LSI 401的背面 側(cè)(外部端子面的相反面?zhèn)?。發(fā)明想要解決的課題關(guān)于圖20所示的半導(dǎo)體裝置(之一)的構(gòu)造，形成為在運(yùn)算處理器封裝101的周 圍二維地排列安裝了多個(gè)DRAM封裝102和多個(gè)無(wú)源部件103 (電阻器、電容器、電感器等) 而成的構(gòu)造(采用了所謂的表面裝配技術(shù)(SMT)的構(gòu)造)，上述的運(yùn)算處理器和多個(gè)DRAM 的安裝總面積變大，存在難以使應(yīng)用該半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備小型化的課題。而且，如果運(yùn) 算處理器和DRAM的工作時(shí)鐘頻率變高(例如IOOMHz以上)，則在圖20所示的構(gòu)造中，運(yùn)算 處理器與DRAM之間的配線距離長(zhǎng)，因此存在信號(hào)延遲的問(wèn)題變得顯著、而且信號(hào)損失變大 從而引起工作不良的課題。此外，在為了縮小半導(dǎo)體裝置的外形尺寸、以及為了縮短器件之間的配線距離而在多個(gè)器件中采用裸片的情況下，由于將半導(dǎo)體的裸片作為KGD(確好芯 片，Known GoodDie)而獲得的情況是不可能的或者非常困難，所以存在半導(dǎo)體的組裝成品 率變低、制造成本變高的課題。此外，如果采用圖21所示的芯片堆疊(chip stack)型半導(dǎo)體裝置(之二)的構(gòu) 造制成三維安裝了運(yùn)算處理器(裸片)204和存儲(chǔ)器(裸片)205的半導(dǎo)體裝置，則其構(gòu)造 成為裸片彼此之間隔著薄粘接層207而接觸的構(gòu)造。例如在運(yùn)算處理器采用三維圖像處理 器且存儲(chǔ)器采用DRAM的情況下，由于三維圖像處理器的發(fā)熱量大、一般為大約5W以上，因 此存在從處理器產(chǎn)生的熱直接傳遞到DRAM、導(dǎo)致DRAM的溫度為DRAM的工作保證溫度(一 般在大約70 80°C以下)以上從而半導(dǎo)體裝置無(wú)法工作的課題。此外，在圖22所示的專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體裝置(之三)中形成為如下的構(gòu) 造使外型尺寸不同的半導(dǎo)體芯片(在圖中為301和302)的外部端子(焊盤304)彼此相對(duì) 并利用凸點(diǎn)303使彼此的外部端子連接，并且，使在中心部設(shè)有孔309的內(nèi)插板(柔性電路 板306)和位于外形尺寸較大一方的半導(dǎo)體芯片(在圖中為301)的外周部的外部端子(焊 盤304)連接，并將外形尺寸較小一方的半導(dǎo)體芯片(在圖中為302)收納于設(shè)在內(nèi)插板306 的中心的孔309中。但是，能夠?qū)崿F(xiàn)本構(gòu)造的多個(gè)半導(dǎo)體芯片被互相限定成預(yù)先對(duì)外部端 子的布局進(jìn)行專門設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體芯片，存在半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)自由度低的課題。而且，由于 需要專門設(shè)計(jì)半導(dǎo)體芯片，因此存在需要較長(zhǎng)的開發(fā)時(shí)間、制造成本變高、存儲(chǔ)器容量無(wú)法 根據(jù)顧客的需求自由變更的課題。再進(jìn)一步，由于難以將電阻器、電容器、電感器等多個(gè)無(wú) 源部件安裝在半導(dǎo)體芯片(特別是存儲(chǔ)器芯片)的附近，因此存在難以使由高速的運(yùn)算處 理器和高速的DRAM等存儲(chǔ)器組合而成的半導(dǎo)體裝置工作的課題。此外，在圖23所示的專利文獻(xiàn)2所記載的半導(dǎo)體裝置(之四)中形成為如下的構(gòu) 造采用使剛性配線板402和柔性配線板403合成一體而成的內(nèi)插板，在剛性配線板402的 局部的兩面安裝半導(dǎo)體元件(LSI 401)，將柔性配線板403的局部折彎，并將柔性板403固 定于一方的LSI 401的背面?zhèn)?外部端子面的相反面?zhèn)?。但是，存在最初使剛性配線板 402和柔性配線板403合成一體而成的內(nèi)插板的制造成本高的課題。而且，在安裝于內(nèi)插板 的器件的外形大的情況下或是安裝的器件有多個(gè)的情況下，存在內(nèi)插板的面積變大、板的 翹曲變大、容易招致安裝不良的課題。此外，還考慮了為了改善上述情況而加厚內(nèi)插板的方 法，但是這樣的話則存在半導(dǎo)體裝置的厚度增加的課題。此外，與上述的技術(shù)相關(guān)，不論使用存儲(chǔ)器件還是不使用存儲(chǔ)器件，當(dāng)在電路板、 電子設(shè)備中使用例如以時(shí)鐘頻率超過(guò)數(shù)百M(fèi)Hz那樣的高速來(lái)工作的運(yùn)算處理器的情況下， 如果運(yùn)算處理器以高速進(jìn)行開關(guān)(switching)(工作的ON、OFF)，則例如圖24所示，存在 因存在于從直流電源505到器件的配線、以及印刷電路板的過(guò)孔(via)、通孔中的寄生電感 (L)而引起向器件供給的直流電壓V瞬時(shí)降低(變動(dòng)；△ V)、引起工作不良的課題。圖24示出將以上升時(shí)間tl高速地開關(guān)的運(yùn)算處理器504安裝于印刷電路板507 的情況下的、向運(yùn)算處理器504供給的直流電壓(V)的變動(dòng)(AV)。在圖24中，在印刷 電路板507上并未安裝對(duì)直流電壓V的變動(dòng)(AV)進(jìn)行抑制或者補(bǔ)償?shù)娜ヱ铍娙萜鳌D 25示出圖24的等價(jià)電路。如果運(yùn)算處理器504以高速進(jìn)行開關(guān)，則由于存在于直流電源 和運(yùn)算處理器504之間的配線、或印刷電路板507的過(guò)孔、通孔506中的寄生電感L(= L1+L2+L3+L4+L5+L6)，向運(yùn)算處理器504供給的直流電壓V會(huì)發(fā)生變動(dòng) Δν)。此處，直流電壓的變動(dòng)量Δν以⑴式表示。L的符號(hào)為-是因?yàn)楦袘?yīng)電動(dòng)勢(shì)以抵消瞬時(shí)產(chǎn)生的電流 i的方式產(chǎn)生。AV = -LXdi/dt......(1)因此，存在于配線501、502、503、過(guò)孔、通孔506中的寄生電感、和電流的時(shí)間變動(dòng) 率(di/dt)越大，則電壓變動(dòng)量AV越大。若時(shí)鐘頻率變高，則上升時(shí)間tl變短，因此，根 據(jù)(1)式可知電壓變動(dòng)量AV變得更大。而且，除此之外，近年來(lái)，在運(yùn)算處理器504中，為 了減少耗電量，正在推進(jìn)輸入電壓V的低電壓化(例如從3. 3V向1. 8V)，電壓變動(dòng)率(AV/ V)有越來(lái)越大的傾向，導(dǎo)致Δν/ν超過(guò)運(yùn)算處理器的工作規(guī)范允許值(例如一般為大約 5%).雖然只要開關(guān)電源能夠?qū)υ撾妷旱淖儎?dòng)進(jìn)行補(bǔ)償即可，但由于通過(guò)開關(guān)電源進(jìn)行補(bǔ) 償需要IOOns 數(shù)十μ s的時(shí)間，所以無(wú)法追隨以高速進(jìn)行開關(guān)(數(shù)百ps Ins)的器件 的電壓變動(dòng)。因此，為了防止由這種電壓變動(dòng)導(dǎo)致的誤操作，如圖26所示，在運(yùn)算處理器604的 電源線-地(接地)線之間并聯(lián)地連接有所謂的去耦電容器607。去耦電容器607具有以 下兩個(gè)效果使從運(yùn)算處理器604產(chǎn)生的高速開關(guān)信號(hào)分流(bypath)而縮短高速信號(hào)的路 徑，從而使寄生電感L變小(其結(jié)果是，使AV =-LXdi/dt變小)(效果1)；通過(guò)從去耦 電容器607供給電荷(放電)而對(duì)在高速開關(guān)時(shí)暫時(shí)下降的電壓進(jìn)行補(bǔ)償(效果2)。根 據(jù)(1)式，為了縮小△￥，只要使存在于高速信號(hào)的路徑中的電感L(存在于配線、過(guò)孔、通孔 中的L等)最小即可，一般情況下，為了使該L最小，如圖26所示，將去耦電容器607安裝 于運(yùn)算處理器604的正側(cè)方或者隔著印刷電路板608安裝于運(yùn)算處理器604的正下方。其 結(jié)果是，基于去耦電容器607的效果1和效果2，向運(yùn)算處理器604供給的直流電壓的變動(dòng) AV降低。圖27示出圖26的等價(jià)電路?；谌ヱ铍娙萜?在圖27中簡(jiǎn)記為DCC)的效果1 和效果2，向運(yùn)算處理器供給的直流電壓的變動(dòng)Δ V如圖27右上部的曲線圖中的虛線所示 那樣降低。但是，一般情況下，為了抑制這種直流電壓的變動(dòng)而采用的去耦電容器的數(shù)量 多，安裝占用面積大，存在印刷電路板大面積化和隨之而來(lái)的成本變高的課題。而且，如果 去耦電容器與運(yùn)算處理器之間的配線距離長(zhǎng)，則存在于配線路徑中的寄生電感變大，存在 無(wú)法防止瞬時(shí)的電壓降低、無(wú)法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作的課題。即，去耦電容器與運(yùn) 算處理器之間的配線距離越短越能夠?qū)崿F(xiàn)工作穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于以上的課題而做出的，其目的在于一種如下的三維安裝型半導(dǎo)體 裝置及其制造方法該三維安裝型半導(dǎo)體裝置是組合了運(yùn)算處理器、多個(gè)存儲(chǔ)器件、多個(gè)無(wú) 源部件等多個(gè)器件而成的半導(dǎo)體裝置，并且是小型薄型的，即便是在采用高速工作的處理 器和存儲(chǔ)器的情況下也能夠工作，散熱特性也好，能夠不受處理器的耗電量的影響地自由 地選擇處理器，組裝成品率高，且安裝可靠性高，成本低。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種由于搭載這樣的三維安裝型半導(dǎo)體裝置而外形 面積和體積進(jìn)一步變小、其結(jié)果是能夠?qū)崿F(xiàn)更低成本的印刷電路板及電子設(shè)備。用于解決課題的手段(1)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括一個(gè)柔性電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部電極和第三外 部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)存儲(chǔ)器件；多個(gè)無(wú)源部件，該 無(wú)源部件包含電阻器、電容器以及電感器中的至少一種以上；支承體，該支承體設(shè)有收納所 述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，其特征 在于， 所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多 個(gè)無(wú)源部件平面安裝于所述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連 接，并且，所述無(wú)源部件安裝在所述存儲(chǔ)器件的附近，所述支承體以包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器件 和所述多個(gè)無(wú)源部件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者與設(shè)在第一面上的第 一外部電極電連接，該多個(gè)存儲(chǔ)器件和該無(wú)源部件被收納在該支承體的槽的內(nèi)側(cè)，所述柔 性電路板沿著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該支 承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板粘接于所述 支承體的表面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述無(wú)源部件的所述第一外 部電極的表里相反側(cè)的第二面上具有所述柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與 所述第二外部電極電連接，所述運(yùn)算處理器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述 多個(gè)存儲(chǔ)器件的外部端子面及多個(gè)無(wú)源部件彼此面對(duì)的方式安裝，在所述支承體的表面中 的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有所述柔性電路板的第三外部電極，在所述第三外 部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料凸點(diǎn)定義為下面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上根據(jù)該發(fā)明，由于是如下的三維安裝構(gòu)造多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件平面安 裝于柔性電路板的一方的面上并電連接，運(yùn)算處理器與安裝有多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部 件的面的表里相反側(cè)的面電連接，運(yùn)算處理器的外部端子面以隔著柔性電路板而與多個(gè)存 儲(chǔ)器件的外部端子面及多個(gè)無(wú)源部件彼此面對(duì)的方式安裝，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)采用多個(gè)器件 的半導(dǎo)體裝置，且能夠?qū)崿F(xiàn)小型的半導(dǎo)體裝置，并且，由于多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件平 面安裝于柔性電路板的同一面上，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄型的半導(dǎo)體裝置，并且由于能夠縮短運(yùn) 算處理器與多個(gè)存儲(chǔ)器件之間的配線距離，因此，即便是在所使用的器件的工作頻率為高 速(例如大約IOOMHz以上)的情況下也能夠減少信號(hào)延遲和信號(hào)損失，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的工 作。并且，根據(jù)本發(fā)明，即便是在運(yùn)算處理器的耗電量大的情況下，也由于運(yùn)算處理器 位于半導(dǎo)體裝置的最上面，因此是容易散熱的構(gòu)造，其結(jié)果是，即便運(yùn)算處理器發(fā)熱也能夠 抑制相鄰接的存儲(chǔ)器件的溫度上升，能夠容易地將環(huán)境溫度保持在存儲(chǔ)器件的工作保證溫 度以下。此外，根據(jù)該發(fā)明，由于多個(gè)無(wú)源部件(電容器、電阻器等)安裝在運(yùn)算處理器和 存儲(chǔ)器件的附近，因此即便是在所使用的器件的工作頻率為例如大約IOOMHz以上的高速 的情況下也能夠有效地降低高速信號(hào)傳播中的以開關(guān)噪聲為首的各種噪聲，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo) 體裝置的穩(wěn)定的工作。此外，根據(jù)該發(fā)明，由于是利用設(shè)有槽的支承體包圍多個(gè)存儲(chǔ)器件和 多個(gè)無(wú)源部件并利用柔性電路板包裹支承體的周圍，并且將半導(dǎo)體裝置的外部電極設(shè)在支 承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面(該側(cè)為平坦的面)的構(gòu)造，因此能夠獲 得平坦性良好且安裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(2)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成為所述運(yùn)算處理器的面積比所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的合計(jì)的面積大。在上述第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，運(yùn)算處理器搭載在最上面，根據(jù)本發(fā)明， 如果以形成本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的核心的運(yùn)算處理器(由于在半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)的最初 就決定運(yùn)算處理器的規(guī)范，因此定義為核心)的面積作為基礎(chǔ)，以多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú) 源部件的合計(jì)的面積比運(yùn)算處理器的面積小的方式設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置的話，則能夠?qū)雽?dǎo)體 裝置整體的外形尺寸抑制在最小限度。(3)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括一個(gè)柔性 電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部電極和第三外 部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)無(wú)源部件，該無(wú)源部件包含電 阻器、電容器以及電感器中的至少一種以上；支承體，該支承體設(shè)有收納所述多個(gè)無(wú)源部件 的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，其特征在于，所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)無(wú)源部件平面安裝 于所述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連接，所述支承體以包圍 所述多個(gè)無(wú)源部件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者與設(shè)在第一面上的第一 外部電極電連接，所述多個(gè)無(wú)源部件被收納在所述支承體的槽的內(nèi)側(cè)，所述柔性電路板沿 著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該支承體的表面 中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板粘接于所述支承體的表 面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)無(wú)源部件的所述第一外部電極的表里相反側(cè)的第二 面上具有所述柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與所述第二外部電極電連接， 所述運(yùn)算處理器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述多個(gè)無(wú)源部件彼此面對(duì)的 方式安裝，在所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有所述柔性電路 板的第三外部電極，在所述第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料凸點(diǎn)定義為下 面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上面。根據(jù)該發(fā)明，由于能夠?qū)⒃景惭b于運(yùn)算處理器的正側(cè)方、或是隔著印刷電路板 安裝在運(yùn)算處理器的相反面上的主要是多個(gè)去耦電容器(也稱為旁路電容器)放入半導(dǎo)體 裝置中，因此能夠?qū)崿F(xiàn)印刷電路板的小型化。而且，特別是在本發(fā)明中內(nèi)插板采用配線層數(shù) 為兩層以上的柔性電路板，與以往的剛性電路板(厚度大約0. 8mm 1.0mm)相比，柔性電 路板的厚度薄、通常為大約0. 09mm 0. 15mm,能夠縮小存在于基板內(nèi)部的配線、過(guò)孔、通孔 等中的寄生電感，因此具有能夠進(jìn)一步降低高頻信號(hào)的噪聲的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于能夠?qū)⑷ヱ铍娙萜髋渲迷谟∷㈦娐钒?主板)與運(yùn)算處理器之間、且在 運(yùn)算處理器的電源端子和接地端子的附近，因此，與以往的安裝形態(tài)相比能夠縮小存在于 運(yùn)算處理器與去耦電容器之間的寄生電感，能夠縮小運(yùn)算處理器在開關(guān)操作時(shí)所產(chǎn)生的電 壓變動(dòng)，能夠獲得工作穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。(4)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括一個(gè)柔性 電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部電極和第三外 部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)存儲(chǔ)器件；支承體，該支承體 設(shè)有收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，其特征在于，所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件平面安裝 于所述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連接，所述支承體以包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者與設(shè)在第一面上的第一 外部電極電連接，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件被收納在所述支承體的槽的內(nèi)側(cè)，所述柔性電路板沿 著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該支承體的表面 中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板粘接于所述支承體的表 面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的所述第一外部電極的表里相反側(cè)的第二 面上具有所述柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與所述第二外部電極電連接， 所述運(yùn)算處理器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的外部端子 面彼此面對(duì)的方式安裝，在所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有 所述柔性電路板的第三外部電極，在所述第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料 凸點(diǎn)定義為下面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上面。該結(jié)構(gòu)與上述第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置類似，但是，在半導(dǎo)體裝置內(nèi)部未安 裝多個(gè)無(wú)源部件這點(diǎn)不同。例如，在半導(dǎo)體裝置被面向移動(dòng)設(shè)備來(lái)使用且運(yùn)算處理器和多 個(gè)存儲(chǔ)器件的工作頻率在大約IOOMHz以下的情況等、即使在半導(dǎo)體裝置內(nèi)部沒(méi)有無(wú)源部 件半導(dǎo)體裝置也能夠單獨(dú)工作的情況，可以是該第三觀點(diǎn)所涉及的結(jié)構(gòu)。如果不在半導(dǎo)體 裝置內(nèi)部安裝多個(gè)無(wú)源部件的話，則有能夠使半導(dǎo)體裝置相應(yīng)地小型化的優(yōu)點(diǎn)。而且，還存 在基于使用者的情況而想要在以后將無(wú)源部件安裝于主板上的半導(dǎo)體裝置的周圍的情況， 因此，在這種情況下，該第三觀點(diǎn)的結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的。(5)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一觀點(diǎn) 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu) 成為所述運(yùn)算處理器具有散熱器和熱沉中的至少某一個(gè)。根據(jù)該發(fā)明，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的冷卻效果，能夠進(jìn)一步抑制半導(dǎo)體裝 置的溫度上升，能夠?qū)崿F(xiàn)工作穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。(6)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為所述運(yùn)算處理器和多個(gè)存儲(chǔ)器件、或者所述運(yùn)算處理器是BGA(球柵陣列，Ball Grid Array)類型的封裝。根據(jù)該發(fā)明，由于多個(gè)存儲(chǔ)器件和一個(gè)運(yùn)算處理器、或者一個(gè)運(yùn)算處理器不是裸 片，而是經(jīng)過(guò)質(zhì)量保證的BGA類型的封裝，因此能夠獲得高組裝成品率的半導(dǎo)體裝置。此 外，作為經(jīng)過(guò)質(zhì)量保證的封裝，除了 BGA類型，還有TSOP(薄型小尺寸封裝，Thin Small OutlinePackage)、SOP(小尺寸封裝，Small Outline Package)、GFP(方形扁平封裝，Quad Flat Package)以及TCP (帶載封裝，Tape CarrierPackage)類型等各種形態(tài)的封裝，其中， BGA類型的封裝尤其小型，因此能夠通過(guò)采用BGA類型的封裝使半導(dǎo)體裝置更加小型化。另 外，所謂BGA類型的封裝有例如μ (微，Micro)－BGA、FBGA(精確柵距BGA,Fine pitch BGA)、 晶圓級(jí)封裝(Wafer Level CSP)等，也包含其他的BGA類型的封裝，是指作為外部端子具有 釬料球(或者釬料凸點(diǎn))的封裝。(7)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置(除了上 述(3)的發(fā)明之外)中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，Dynamic Random Access Memory)，且所述運(yùn)算處理器是圖像處理器。根據(jù)該發(fā)明，由于存儲(chǔ)器件采用多個(gè)DRAM，運(yùn)算處理器采用圖像處理器，能夠高速 地處理大容量的信息，因此能夠?qū)崿F(xiàn)能夠在畫面上映出高精細(xì)的圖像和三維動(dòng)畫圖像的小 型的圖像處理模塊。
(8)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置(除了上 述(3)的發(fā)明之外)中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的至少一個(gè)是多芯片封裝或者彼此層疊而成的 層疊封裝構(gòu)造。根據(jù)該發(fā)明，由于存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)采用多芯片封裝或者彼此層疊而成的層 疊封裝(Package on Package)構(gòu)造，因此能夠在相同面積中安裝更多的存儲(chǔ)器件，能夠?qū)?現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)器的大容量化。(9)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成為 所述支承體由金屬材料形成，并與所述柔性電路板的地線電連接。根據(jù)該發(fā)明，由于支承體采用金屬材料，且將該支承體與柔性電路板的地線連接， 因此，即便是在支承體采用金屬材料的情況下，支承體的電位也不會(huì)變得不穩(wěn)定，而且能夠 強(qiáng)化半導(dǎo)體裝置的地線整體，因此能夠?qū)崿F(xiàn)沒(méi)有電位變動(dòng)、或者電位變動(dòng)少的地線，能夠?qū)?現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。(10)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為所述支承體的至少一部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合金、陶瓷以及Si中的 任一種材料構(gòu)成。根據(jù)該發(fā)明，由于支承體的至少一部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合 金、陶瓷以及Si中的任一種材料構(gòu)成，這些材料的線膨脹率小，大約為3ppm 5ppm，因此能 夠防止配置在支承體的槽上的柔性電路板的撓曲和凹凸，能夠防止安裝在槽之上的柔性電 路板上的運(yùn)算處理器的安裝不良。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(11)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為所述支承體由設(shè)有用于收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上的 貫通孔的至少一片以上的板、和一片平板層疊而制成。根據(jù)該發(fā)明，由于由設(shè)有用于收納多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上 的貫通孔的至少一片以上的板和一片平板層疊而制成具有槽的支承體，因此，與通過(guò)蝕刻 或采用金屬模在一個(gè)平板材料上形成槽的方法相比，能夠廉價(jià)地制造。而且，由于能夠組合 多種材料制成支承體，因此，與利用一種材料制成支承體的情況相比較，能夠容易地實(shí)現(xiàn)支 承體所期望的低線膨脹率、輕量、廉價(jià)等。(12)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述(11)的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，所述支承 體中的至少設(shè)有貫通孔的板的部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合金制成。根據(jù)該發(fā)明，與柔性電路板粘接或連接的至少設(shè)有貫通孔的板的部分由42合金、 科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合金制成，這些材料的線膨脹率小、大約為3ppm 5ppm，因此能 夠防止配置在支承體的槽上的柔性電路板的撓曲和凹凸，能夠防止安裝在槽之上的柔性電 路板上的運(yùn)算處理器的安裝不良。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。而且， 由于與柔性電路板粘接或連接的至少設(shè)有貫通孔的板部分是42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等 含有Ni的合金，因此能夠?qū)⑵渑c柔性電路板的地線連接來(lái)強(qiáng)化地線。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn) 地線電位沒(méi)有變動(dòng)、或者電位變動(dòng)少的地線，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。(13)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述(11)的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成為， 構(gòu)成所述支承體的材料中的至少所述一片平板由鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、陶瓷、以及Si中 的任一種材料制成。
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根據(jù)該發(fā)明，由于構(gòu)成支承體的材料中的至少一片平板由鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、 陶瓷、以及Si中的任一種材料制作，這些材料的比重小，因此能夠使支承體輕量化。如果支 承體的重量增加，則當(dāng)將半導(dǎo)體裝置二次安裝于印刷基板上時(shí)，由于半導(dǎo)體裝置的自重導(dǎo) 致外部端子的釬料球的壓潰量變大，容易與相鄰的釬料球短路，存在安裝成品率低的課題， 但是，通過(guò)采用該結(jié)構(gòu)，能夠改善短路不良，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(14)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述(11) (13)的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu) 成為，構(gòu)成所述支承體的層疊的材料至少一部分彼此經(jīng)由導(dǎo)電性材料或絕緣性材料粘接或 連接，或者至少一部分彼此焊接。根據(jù)該發(fā)明，在構(gòu)成支承體的設(shè)有貫通孔的板和平板中，各自的至少一部分彼此 經(jīng)由導(dǎo)電性材料或絕緣性材料粘接或連接，或者至少一部分彼此焊接，因此，在將柔性電路 板折彎并粘接于支承體的周圍的工序中，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的形狀的支承體(在使柔性電路板 粘接的工序中支承體不會(huì)分解而散亂)，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(15)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述(11) (13)的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu) 成為，在構(gòu)成所述支承體的層疊的材料中的一方的材料的表面上形成有突起，在與所述材 料彼此重合的另一方的材料上形成有接納所述突起的貫通孔或槽，層疊的材料彼此在所述 突起與所述貫通孔或槽的部分連接。根據(jù)該發(fā)明，由于在構(gòu)成所述支承體的層疊的材料中的一方的材料的表面上形成 有突起，在與所述材料彼此重合的另一方的材料上形成有接納所述突起的貫通孔或槽，層 疊的材料彼此在所述突起與所述貫通孔或槽的部分連接，因此，與(14)同樣，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn) 定的形狀的支承體，且不使用粘接材料和焊接工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)支承體，因此能夠以比(14) 的半導(dǎo)體裝置還低的成本制造支承體。(16)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為在所述支承體的槽的周圍、構(gòu)成所述支承體的設(shè)有貫通孔的板中的所述貫通孔的周圍、 以及構(gòu)成所述支承體的一片平板內(nèi)之中的至少任一個(gè)部位設(shè)有多個(gè)貫通孔。根據(jù)該發(fā)明，通過(guò)在支承體的槽的周圍、構(gòu)成支承體的設(shè)有貫通孔的板中的貫通 孔的周圍、或構(gòu)成支承體的一片平板內(nèi)之中的至少任一個(gè)部位設(shè)有多個(gè)貫通孔，能夠減少 構(gòu)成支承體的材料的實(shí)質(zhì)的體積，因此能夠減少支承體的重量。其結(jié)果是，當(dāng)將半導(dǎo)體裝置 二次安裝于印刷基板上時(shí)，能夠抑制因半導(dǎo)體裝置的自重導(dǎo)致的外部端子的釬料球的壓潰 量的增加，能夠改善與相鄰的釬料球之間的短路不良的課題，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半 導(dǎo)體裝置。(17)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，所述 存儲(chǔ)器件與所述支承體經(jīng)由導(dǎo)熱材料而接觸。根據(jù)該發(fā)明，即便是在存儲(chǔ)器件的耗電量大的情況下，也能夠經(jīng)由導(dǎo)熱材料使從 存儲(chǔ)器件產(chǎn)生的熱散發(fā)到支承體(支承體起到存儲(chǔ)器件的熱沉的作用)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)半 導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。(18)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為，在所述柔性電路板的第一面的一部分上粘貼有用于與所述支承體的表面粘接的熱塑性 粘接樹脂薄膜或固化處理前的熱固性粘接樹脂薄膜。根據(jù)該發(fā)明，由于在柔性電路板的第一面的一部分上且是粘接于支承體的表面上的區(qū)域粘貼有熱塑性粘接樹脂薄膜或固化處理前的熱固性粘接樹脂薄膜，因此能夠一邊對(duì) 柔性電路板進(jìn)行加熱一邊折彎并容易地粘接于支承體的表面上，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的 半導(dǎo)體裝置。而且，由于粘接材料采用薄膜形態(tài)的材料，所以能夠使粘接層的厚度大致恒 定，能夠減小粘接在了支承體的表面上的柔性電路板的表面的凹凸，能夠獲得平坦性佳的 半導(dǎo)體裝置，其結(jié)果是，當(dāng)將半導(dǎo)體裝置二次安裝于印刷基板上時(shí)能夠獲得高安裝組裝成 品率。而且，由于采用熱塑性粘接樹脂薄膜作為粘接層，如果對(duì)柔性電路板進(jìn)行加熱則 這些材料的彈性率顯著變小(幾MPa 幾十MPa的程度)、變軟，因此即便柔性電路板的厚 度增加與粘接層相當(dāng)?shù)牧?，也能夠容易地將柔性電路板折彎，并能夠容易地與支承體粘接。 此外，通過(guò)粘接層采用熱固化前(所謂的B階段狀態(tài))的熱固性粘接樹脂薄膜，與熱塑性樹 脂同樣，該材料的彈性率小(一般在IOOMPa以下)，因此即便柔性電路板的厚度增加也能夠 容易地將柔性電路板折彎，并能夠容易地與支承體粘接。(19)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為在所述運(yùn)算處理器上安裝有熱沉，該熱沉是覆蓋半導(dǎo)體模塊整體的形狀。根據(jù)該發(fā)明，由于在位于半導(dǎo)體裝置的最上面?zhèn)鹊倪\(yùn)算處理器安裝有熱沉，且熱 沉是覆蓋半導(dǎo)體模塊整體的形狀，因此能夠使熱沉整體的表面積大，能夠?qū)崿F(xiàn)散熱性能佳 的半導(dǎo)體裝置。(20)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在上述第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成 為所述柔性電路板中的沿著所述支承體被折彎的區(qū)域的配線層數(shù)比未被折彎的其他區(qū)域 的配線層數(shù)少。一般情況下，在柔性電路板中，如果配線層數(shù)增加，則配線材料(一般為金屬材 料)的體積增加，因此難以進(jìn)行將柔性電路板折彎并粘接于支承體的表面的工序(如果柔 性電路板的配線層數(shù)增加，則折彎時(shí)柔性電路板想要返回原來(lái)的形狀的反力變大，因此難 以粘接固定于支承體的表面)。根據(jù)該發(fā)明，柔性電路板中的沿著支承體折彎的區(qū)域的配線層數(shù)比未折彎的其他 區(qū)域的配線層數(shù)少，因此，即便是在柔性電路板為多層配線板的情況下也能夠更容易地折 彎，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(21)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的印刷電路板的特征在于搭載有上述第一 第三 觀點(diǎn)所涉及的(1) (20)中的任一半導(dǎo)體裝置。根據(jù)該發(fā)明，由于是搭載有本發(fā)明的任一半導(dǎo)體裝置的印刷電路板，因此能夠使 外形尺寸比以往的表面裝配型的印刷電路板的外形尺寸小。(22)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于搭載有上述第一 第三觀 點(diǎn)所涉及的(1) (20)中的任一半導(dǎo)體裝置。(23)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于搭載有上述(21)所涉及 的印刷電路板。根據(jù)這些(22)、(23)的發(fā)明，由于是搭載有本發(fā)明的任一半導(dǎo)體裝置或者印刷電 路板的電子設(shè)備，因此能夠?qū)崿F(xiàn)比搭載有以往的半導(dǎo)體裝置或以往的印刷基板的電子設(shè)備 更小型的電子設(shè)備。(24)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包含以下工序(a)將多個(gè)無(wú)源部件安裝在柔性電路板的第一面上的工序；(b)將 多個(gè)存儲(chǔ)器件安裝在所述柔性電路板的第一面上的工序；(C)以覆蓋安裝在該柔性電路板 的第一面上的所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的方式進(jìn)行支承體向所述柔性電路 板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件 的槽；(d)將所述柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè) 以上的側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將 該柔性電路板粘接于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(e)將運(yùn)算處理器安裝在 所述柔性電路板的第二外部電極上的工序，所述第二外部電極形成于安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ) 器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的所述柔性電路板的第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上；以 及(f)在粘接于所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電 路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn)的工序。另外，以下的制造方法的發(fā)明是分別與上述 第一 第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置對(duì)應(yīng)的制造方法，因此直接使用在第一、第二、第三觀 點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置中采用的用語(yǔ)。根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地制成組合了運(yùn)算處理器、多個(gè)存儲(chǔ)器件以及多個(gè)無(wú)源部 件的三維安裝型半導(dǎo)體裝置。(25)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述第一觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法中，構(gòu)成為(a)和(b)的工序、(a)和(b)和(c)的工序、(e)和(f)的工序中的至少 任一組工序同時(shí)進(jìn)行。根據(jù)該發(fā)明，與上述(24)的半導(dǎo)體裝置的制造工序相比，能夠減少制造工序，能 夠降低制造成本。而且，由于能夠減少回流工序，因此能夠?qū)⒋鎯?chǔ)器件、無(wú)源部件以及運(yùn)算 處理器的熱過(guò)程減少至最小限度，能夠獲得高組裝成品率的半導(dǎo)體裝置。(26)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特 征在于，包含以下工序a)將多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板的第一面上的工序；(b)以覆 蓋安裝于該柔性電路板的第一面上的所述多個(gè)無(wú)源部件的方式進(jìn)行支承體向所述柔性電 路板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述多個(gè)無(wú)源部件的槽；(c)將所述 柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該支 承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將該柔性電路板粘接 于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(d)將運(yùn)算處理器安裝在所述柔性電路板的 第二外部電極上的工序，所述第二外部電極形成于安裝有所述多個(gè)無(wú)源部件的所述柔性電 路板的第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上；以及(e)在粘接于所述支承體的表面中的 形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn)的 工序。根據(jù)該發(fā)明，能夠容易地制成組合了運(yùn)算處理器和多個(gè)無(wú)源部件的三維安裝型半 導(dǎo)體裝置。(27)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述第二觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法中，構(gòu)成為(a)和(b)的工序、(d)和(e)的工序中的至少任一組工序同時(shí)進(jìn)行。根據(jù)該發(fā)明，與上述(26)的半導(dǎo)體裝置的制造工序相比，能夠減少制造工序，能 夠降低制造成本。而且，由于能夠減少回流工序，因此能夠?qū)o(wú)源部件以及運(yùn)算處理器的熱 過(guò)程減少至最小限度，能夠獲得高組裝成品率的半導(dǎo)體裝置。
28)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特 征在于，包含以下工序(a)將多個(gè)存儲(chǔ)器件安裝于柔性電路板的第一面上的工序；(b)以 覆蓋安裝于該柔性電路板的第一面上的所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的方式進(jìn)行支承體向所述柔性 電路板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的槽；(c)將所 述柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該 支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將該柔性電路板粘 接于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(d)將運(yùn)算處理器安裝于所述柔性電路板 的第二外部電極上的工序，所述第二外部電極形成于安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的所述柔性 電路板的第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上；以及(e)在粘接于所述支承體的表面中 的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn) 的工序。根據(jù)該發(fā)明，能夠容易地制成組合了運(yùn)算處理器和多個(gè)存儲(chǔ)器件的三維安裝型半 導(dǎo)體裝置。(29)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述第三觀點(diǎn)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法中，構(gòu)成為(a)和(b)的工序、(d)和(e)的工序中的至少任一組工序同時(shí)進(jìn)行。根據(jù)該發(fā)明，與上述(28)的半導(dǎo)體裝置的制造工序相比，能夠減少制造工序，能 夠降低制造成本。并且，由于能夠減少回流工序，因此能夠?qū)⑦\(yùn)算處理器的熱過(guò)程減少至最 小限度，能夠獲得高組裝成品率的三維安裝型半導(dǎo)體裝置。發(fā)明的效果如以上所說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，具有能夠提供如下的三維安裝型半導(dǎo)體裝置 的效果，即該三維安裝型半導(dǎo)體裝置是組合了運(yùn)算處理器、多個(gè)存儲(chǔ)器件、多個(gè)無(wú)源部件 等許多器件而成的半導(dǎo)體裝置，并且是小型薄型的，即便是在采用高速工作的處理器或存 儲(chǔ)器的情況下也能夠工作，由于采用多個(gè)存儲(chǔ)器，因此性能更高，散熱特性也好，能夠不受 處理器的耗電量影響地自由地選擇處理器，組裝成品率高，且安裝可靠性高，成本低。此外，通過(guò)將本發(fā)明那樣的小型的半導(dǎo)體裝置搭載于印刷電路板上，具有以下效 果能夠提供外形面積更小的印刷電路板，能夠縮小外形面積，由此能夠使印刷電路板的成 本更低。此外，通過(guò)將本發(fā)明那樣的小型的半導(dǎo)體裝置或印刷電路板搭載于以?shī)蕵?lè)設(shè)備、 家庭用游戲機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、個(gè)人計(jì)算機(jī)、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、車載模塊等為代表的電子設(shè)備，能夠 實(shí)現(xiàn)這些電子設(shè)備的小型化、輕量化、高性能化。


圖IA 圖IC是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖2是將多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件平面安裝于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用 的柔性電路板的第一面時(shí)的圖(從正上方觀察)。圖3是在將多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板之后，以包圍這些部 件的方式將支承體粘接于柔性電路板的第一面上或是與形成在第一面上的第一外部電極 連接后的圖(從正上方觀察)，是假定將柔性電路板在支承體的兩條邊處折彎的圖。圖4是示出沿著圖3中的A-A’線的剖面的圖。
圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的柔性電路板的一例的剖視圖。圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的變形例的剖視圖。圖7是在將多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板之后，以包圍這些部 件的方式將支承體粘接于柔性電路板的第一面上或是與形成在第一面上的第一外部電極 連接后的圖(從正上方觀察)，是假定將柔性電路板在支承體的一條邊處折彎的圖。圖8是在將多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板之后，以包圍這些部 件的方式將支承體粘接于柔性電路板的第一面上或是與形成在第一面上的第一外部電極 連接后的圖(從正上方觀察)，是假定將柔性電路板在支承體的三條邊處折彎的圖。圖9是在將多個(gè)存儲(chǔ)器件和多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板之后，以包圍這些部 件的方式將支承體粘接于柔性電路板的第一面上或是與形成在第一面上的第一外部電極 連接后的圖(從正上方觀察)，是假定將柔性電路板在支承體的四條邊處折彎的圖。圖IOA 圖IOE是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖11是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖13A 圖13E是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4所采用的支承體的特征的圖，其中，圖 13A 圖13D示出剖視圖，圖13E是從槽側(cè)的正上方觀察到的俯視圖。圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖15A和圖15B是示出本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖16是示出本發(fā)明的實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖17是示出本發(fā)明的實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖18是示出作為本發(fā)明的實(shí)施方式9而搭載有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的印刷基板 的圖。圖19A是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置所采用的BGA類型的DDR-DRAM封裝。圖19B是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置所采用的BGA類型的三維圖像處理器封裝。圖19C是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置所采用的支承體。圖19D是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置所采用的柔性電路板的剖視圖。圖19E是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖19F是用于對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置所采用的支承體進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖20示出采用相關(guān)的安裝技術(shù)(表面裝配技術(shù))安裝有所制成的半導(dǎo)體部件的 印刷電路板，是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置(之一)。圖21示出相關(guān)的半導(dǎo)體裝置(之二)的剖視圖。圖22示出專利文獻(xiàn)1(日本特開2006-190834號(hào)公報(bào))所記載的半導(dǎo)體裝置(之
三)的剖視圖。圖23示出專利文獻(xiàn)2(日本特開2007-188921號(hào)公報(bào))所記載的半導(dǎo)體裝置(之
四)的剖視圖。圖24是示出將以上升時(shí)間tl高速地進(jìn)行開關(guān)的運(yùn)算處理器安裝于印刷電路板的 情況下的、向運(yùn)算處理器供給的直流電壓(V)的變動(dòng)(AV)的圖。圖25是示出圖24的等價(jià)電路的圖。
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圖26示出將運(yùn)算處理器安裝于印刷電路板、并且在運(yùn)算處理器的電源線-地(接 地)線之間連接有去耦電容器的圖。圖27是示出圖26的等價(jià)電路的圖。圖28是本發(fā)明的實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的柔性電路板的折彎部的放大剖視 圖。附圖標(biāo)記的說(shuō)明1:運(yùn)算處理器；2:存儲(chǔ)器件；3:柔性電路板；4:支承體；5:無(wú)源部件；6 槽；7 熱沉(heat sink)；8 釬料凸點(diǎn)(或者釬料球)；9 半導(dǎo)體裝置的外部端子；10:柔性電路板的第一面；11 柔性電路板的第二面；12 位于柔性電路板的第一面?zhèn)鹊牡谝煌獠侩姌O；13 位于柔性電路板的第二面?zhèn)鹊牡诙獠侩姌O；14 位于柔性電路板的第二面?zhèn)鹊牡谌獠侩姌O；15:散熱器；16:支承體的側(cè)面；17 在支承體中與形成有槽的面表里相反側(cè)的面；18:支承體的邊；19 運(yùn)算處理器的外部端子面；20 存儲(chǔ)器件的外部端子面；21 設(shè)有貫通孔的板(支承體的一部分)；22 平板；23 貫通孔；24 導(dǎo)熱材料；25:印刷電路板；26:本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置；27 示出本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置；28 =DDR-DRAM 的裸片；29:粘接層；30:配線圖案;31 第一絕緣層；32:第二絕緣層；33:第三絕緣層；
34:第四絕緣層；35:第五絕緣層；36:第六絕緣層；37:第七絕緣層；38:過(guò)孔或者通孔；39 突起；40 與突起連接的貫通孔、或者槽；41 沿著支承體將柔性電路板折彎的區(qū)域；42:配線層數(shù)少的區(qū)域；43 外側(cè);101:運(yùn)算處理器封裝；102:存儲(chǔ)器封裝；103:無(wú)源部件；104:印刷電路板；201:封固樹脂;202 釬料凸點(diǎn)；203:Au 導(dǎo)線；204 半導(dǎo)體裸片、或者運(yùn)算處理器(裸片)；205 半導(dǎo)體裸片、或者存儲(chǔ)器(裸片)；206:內(nèi)插板;207:粘接層；301:第一半導(dǎo)體芯片；302:第二半導(dǎo)體芯片；303:凸點(diǎn);304:焊盤;305:中央加強(qiáng)部件；306 柔性電路板(柔性基板)；307 釬料球；308:板狀加強(qiáng)部件；309 : L ；401 =LSI ；402 剛性布線板；403:柔性布線板；404:底部填料(underfill)；405 釬料球；406 主板；407:粘接樹脂；501 印刷基板的第一層配線；502 印刷基板的第二層和第三層配線；
503 印刷基板的第四層配線；504:運(yùn)算處理器；505:直流電源；506:過(guò)孔、通孔；507:印刷電路板；601 印刷基板的第一層配線；602 印刷基板的第二層和第三層配線；603 印刷基板的第三層配線；604 運(yùn)算處理器；605 直流電源；606 過(guò)孔、通孔；607:去耦電容器；608:印刷電路板。
具體實(shí)施例方式[實(shí)施方式]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)敘述。(實(shí)施方式1)圖IA 圖IC是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖2是將多個(gè) 存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5平面安裝于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的柔性電路板3的第 一面時(shí)的俯視圖(從正上方觀察)。圖3是將多個(gè)存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5安裝于柔 性電路板3之后，以包圍這些部件的方式將設(shè)有用于收納這些部件的槽6的支承體4粘接 于柔性電路板3的第一面10上或是與形成在第一面10上的第一外部電極12連接后的俯 視圖(從正上方觀察)。圖4是示出沿著圖3中的A-A’線的剖面的圖。圖IA所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置具有一個(gè)柔性電路板3，具有至 少兩層以上的配線層，并且在第一面10上設(shè)有第一外部電極12，在第二面11上設(shè)有第二外 部電極13和第三外部電極14 ；多個(gè)存儲(chǔ)器件2 ；包含電阻器、電容器、電感器中的至少一種 以上的多個(gè)無(wú)源部件5 ；支承體4，設(shè)有至少一個(gè)以上的槽6，所述槽6用于收納多個(gè)存儲(chǔ)器 件2和多個(gè)無(wú)源部件5 ；以及具有散熱器15和熱沉7的一個(gè)運(yùn)算處理器1。圖IB所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置為從圖IA所示的構(gòu)造中僅除去熱 沉7而成的構(gòu)造。如果僅利用運(yùn)算處理器1所具有的散熱器15就能夠?qū)雽?dǎo)體裝置冷卻 至能夠工作的溫度，則如圖IB所示沒(méi)有熱沉7的構(gòu)造也可以。圖IC所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置為從圖IB所示的構(gòu)造中僅除去散 熱器15的構(gòu)造。即便在運(yùn)算處理器中不具備散熱器15和熱沉7，如果能夠利用外置的冷卻 風(fēng)扇或水冷機(jī)構(gòu)等將半導(dǎo)體裝置冷卻至能夠工作的溫度，則如圖IC所示沒(méi)有熱沉7和散熱 器15的構(gòu)造也可以。上述情況是針對(duì)以下所有的實(shí)施方式而言的。柔性電路板3為至少兩層以上的配線層構(gòu)造，以便能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)配線/地線(微 帶線)的構(gòu)造。配線層數(shù)由于配線寬度/空間的制造余量和配線規(guī)則的制約等而被確定為 例如三層、四層等。另一方面，如果能夠盡可能地減少配線層數(shù)，則能夠減少柔性電路板3的制造工序，能夠低成本地進(jìn)行制造，因此是優(yōu)選的。多個(gè)存儲(chǔ)器件2由裸片或者能夠進(jìn)行老化測(cè)試(burn in test)和功能測(cè)試 (function test)的封裝形態(tài)(TSOP、BGA類型的封裝等)的DRAM、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器，Static Random AccessMemory)、閃存等易失性存儲(chǔ)器或者非易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成，例 如可以僅由多個(gè)DRAM構(gòu)成，也可以由DRAM和閃存、DRAM和SRAM等多個(gè)種類的存儲(chǔ)器構(gòu)成。進(jìn)一步地說(shuō)，作為運(yùn)算處理器1和多個(gè)存儲(chǔ)器件2，與裸片相比，采用能夠進(jìn)行老 化測(cè)試和功能測(cè)試的封裝形態(tài)(TSOP、BGA等)在半導(dǎo)體裝置整體的組裝成品率高、能夠削 減檢查所需要的設(shè)備投資、容易保證質(zhì)量、可靠性高等方面是優(yōu)選的。運(yùn)算處理器1 一般情 況下大多耗電量大(例如大約5W以上)，需要安裝散熱器15或熱沉7。因此，與后安裝散 熱器15、熱沉7這些部件相比，優(yōu)選采用預(yù)先具備了散熱器15或者熱沉7的BGA類型的封 裝。此外，存儲(chǔ)器件2也優(yōu)選采用能夠使外形尺寸比TSOP小的BGA類型的封裝。此外，為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高性能化，作為存儲(chǔ)器件2，優(yōu)選采用能夠與運(yùn)算處 理器1高速地進(jìn)行隨機(jī)存取的DDR(雙倍數(shù)據(jù)率，Double Data Rate) -DRAM, DDR2-DRAM、 DDR3-DRAM這樣的能夠以高速(時(shí)鐘頻率100MHz以上)工作的DRAM、并且是存儲(chǔ)容量盡 可能大的DRAM。無(wú)源部件5是具有電阻器、電容器、電感器的功能的部件，可以是芯片形狀的部 件、薄膜形狀的部件，關(guān)于電容器也可以是像電場(chǎng)電容器等那樣的圓柱狀的形態(tài)。并且，運(yùn) 算處理器1由圖像處理器、聲音處理器等各種中央運(yùn)算處理裝置(CPU=Central Processor Unit)等構(gòu)成。特別是，本發(fā)明由于具有能夠縮短運(yùn)算處理器1與多個(gè)存儲(chǔ)器件2之間的配線距 離的本發(fā)明所起到的優(yōu)點(diǎn)而優(yōu)選應(yīng)用于需要大容量且高速的存儲(chǔ)器的三維圖像處理模塊 或能夠進(jìn)行高精細(xì)的圖像處理的電子設(shè)備等中。在該情況下，優(yōu)選多個(gè)存儲(chǔ)器件2是DRAM， 進(jìn)一步地說(shuō)，是DDR、DDR2、DDR3這樣的高速DRAM，并且運(yùn)算處理器1是圖像處理器。支承體4由金屬材料、陶瓷材料、玻璃、Si、樹脂基板、樹脂與金屬箔的層疊材料等 構(gòu)成，優(yōu)選廉價(jià)且平坦性好的材料。利用化學(xué)藥品對(duì)這些材料進(jìn)行蝕刻而形成槽6，并且，如 果是金屬材料、樹脂基板、樹脂與金屬箔的層疊材料的話，也可以利用金屬模形成槽6。由于 支承體4采用平坦性好、廉價(jià)的材料，所以，即便安裝有采用釬料球形成的凸點(diǎn)8也能夠?qū)?現(xiàn)平坦性(共面性，coplanarity)好的半導(dǎo)體裝置，能夠提供二次安裝成品率高的半導(dǎo)體
直ο進(jìn)一步，支承體4優(yōu)選至少一部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含有Ni的合金、 陶瓷、Si中的任一種材料構(gòu)成。特別是，優(yōu)選與柔性電路板3粘接或者連接的支承體的一 部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含有Ni的合金、陶瓷、Si中的任一種材料構(gòu)成。由于這 些材料的線膨脹率小，約為3ppm 5ppm，因此能夠防止配置在支承體4的槽6上的柔性電 路板3的撓曲、凹凸，能夠防止在槽6之上的柔性電路板3上安裝的運(yùn)算處理器1的安裝不 良(開啟不良)。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。此外，在支承體4采用金屬材料的情況下、或是支承體4的一部分采用金屬材料的 情況下，由于該金屬材料是導(dǎo)體，因此優(yōu)選支承體4與柔性電路板3的地線電連接。如果由 金屬材料形成的支承體4與柔性電路板3的地線電連接的話，則支承體4的電位不會(huì)變得 不穩(wěn)定，而且能夠強(qiáng)化半導(dǎo)體裝置的地線整體，因此能夠?qū)崿F(xiàn)沒(méi)有電位變動(dòng)或者電位 動(dòng)少的地線，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。如圖2和圖3所示，柔性電路板3具有比支承體4的面積大的面積(圖3)，多個(gè)存 儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5平面安裝于柔性電路板3的第一面10上(圖2)，并與第一面 10的第一外部電極12電連接(在圖2中，雖然在第一面10上形成有第一外部電極12，但 是由于是從正上方觀察到的俯視圖，所以第一外部電極12隱藏在存儲(chǔ)器件2和無(wú)源部件的 下方)，并且，無(wú)源部件5安裝在存儲(chǔ)器件2的附近，支承體4以包圍多個(gè)存儲(chǔ)器件2和多個(gè) 無(wú)源部件5的方式粘接于柔性電路板3的第一面10上，并與設(shè)于第一面10上的第一外部 電極12電連接，多個(gè)存儲(chǔ)器件2和無(wú)源部件5被收納在支承體4的槽6的內(nèi)側(cè)。柔性電路板3沿著支承體4的邊18 (在圖3中為支承體4的相面對(duì)的兩個(gè)邊)而 被折彎。而且，該柔性電路板3包裹支承體4的側(cè)面16 (在圖3中為兩個(gè)側(cè)面)和支承體 4的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面17，并粘接于支承體4的表面。此處，作為柔性電路板3與支承體4之間的粘接方法，有如下方法預(yù)先在支承體 4的表面上涂布熱固性粘接劑，將柔性電路板3折彎并臨時(shí)粘接于支承體4的表面上，最后 使熱固性粘接劑熱硬化(固化)。但是，在這種方法中，存在難以使粘接劑的厚度均勻從而 粘接于支承體4的表面上的柔性電路板3的表面的凹凸變大的課題。并且，存在液狀或者 凝膠狀的熱固性粘接劑從支承體4與柔性電路板3之間的間隙露出至外部，隨后將其除去 的工序耗費(fèi)勞力，導(dǎo)致制造成本變高的課題。因此，為了改善這種課題，優(yōu)選采用在柔性電路板3的第一面上、在粘接于支承體 4的表面上的部位的對(duì)應(yīng)部分預(yù)先粘貼有熱塑性粘接樹脂薄膜或者固化處理前的熱固性粘 接樹脂薄膜的柔性電路板3。通過(guò)采用這種構(gòu)造，能夠一邊對(duì)柔性電路板3進(jìn)行加熱一邊將 柔性電路板3折彎，使柔性電路板3容易地粘接于支承體4的表面，并且粘接材料露出至柔 性電路板3和支承體4的外部這一不良情況也能夠改善，能夠減小粘接材料層的厚度的偏 差因此柔性電路板3的表面的凹凸也能夠改善，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率和相對(duì)于印刷基板的 二次安裝可靠性高的半導(dǎo)體裝置。此外，如圖1所示，在第一面10上安裝有多個(gè)存儲(chǔ)器件2和無(wú)源部件5，且具有第 一外部電極12，該第一面10的表里相反側(cè)的面具有柔性電路板3的第二外部電極13，運(yùn)算 處理器1與第二外部電極13電連接，運(yùn)算處理器1的外部端子面19以隔著柔性電路板3 而與多個(gè)存儲(chǔ)器件2的外部端子面20和多個(gè)無(wú)源部件相對(duì)的方式安裝。此處，在本發(fā)明的 半導(dǎo)體裝置中，大多在半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)的最初就決定運(yùn)算處理器1的規(guī)范，運(yùn)算處理器1 大多是例如FCBGA(倒裝芯片球柵陣列，F(xiàn)lip Chip BGA)那樣的大型器件。在這種情況下， 優(yōu)選以運(yùn)算處理器1的面積為基礎(chǔ)，以使多個(gè)存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5的總計(jì)的面積 比運(yùn)算處理器1的面積小的方式設(shè)計(jì)半導(dǎo)體裝置，其結(jié)果是，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置整體的外 形尺寸抑制在最小限度，因此是優(yōu)選的。此外，支承體4的表面中的、形成有槽6的面的表里相反側(cè)的面17具有柔性電路 板3的第三外部電極14，在第三外部電極14上形成有釬料凸點(diǎn)8，該釬料凸點(diǎn)8成為半導(dǎo) 體裝置的外部端子9。此處，當(dāng)將釬料凸點(diǎn)8 (半導(dǎo)體裝置的外部端子9)定義為下面時(shí)，運(yùn)算處理器1安 裝于最上面，進(jìn)一步地說(shuō)，安裝于運(yùn)算處理器1上的熱沉成為最上面。在構(gòu)成本發(fā)明的半導(dǎo) 體裝置的器件中耗電量最大的器件一般是運(yùn)算處理器1，通過(guò)形成運(yùn)算處理器1位于半導(dǎo)體裝置的最上面的構(gòu)造，能夠使來(lái)自運(yùn)算處理器1的熱量高效地向外部散發(fā)，并且能夠使 熱盡量不傳導(dǎo)至安裝于附近的存儲(chǔ)器。 圖5是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的柔性電路板的一例的剖視圖。在圖5 中舉出柔性電路板3的配線層數(shù)為4層的情況。在圖5中，第一絕緣層31和第七絕緣層 37例如采用阻焊劑(solder resist)或預(yù)浸(pre-preg)材料，阻焊劑采用能夠耐受回流 (reflow)時(shí)的溫度(在SnAg、SnAgCu、SnCu等的無(wú)鉛釬焊(Pb free soldering)的情況下， 峰值溫度為大約250°C 260°C)的材料。而且，采用當(dāng)將柔性電路板3折彎時(shí)不會(huì)產(chǎn)生裂 紋或斷裂的材料。此外，第二絕緣層32、第四絕緣層34以及第六絕緣層36 —般優(yōu)選采用聚 酰亞胺基材。此外，第三絕緣層33和第五絕緣層35是用于將兩側(cè)的絕緣層粘接在一起的 粘接劑，這些也采用耐熱溫度能夠耐受回流時(shí)的溫度(在SnAg、SnAgCU、SnCU等的無(wú)鉛釬焊 的情況下，峰值溫度為大約250°C 260°C )的材料。 此外，對(duì)于柔性電路板3中的沿著支承體4折彎的區(qū)域的部分，為了使柔性電路板 3的折彎容易(為了能夠以較小的外力折彎)、以及為了減小將柔性電路板3折彎時(shí)產(chǎn)生的 想要恢復(fù)原來(lái)的形狀的反力(為了減少反力以使與支承體之間的粘接更容易)，優(yōu)選僅在 折彎部分的區(qū)域減少配線材料的占有率(例如使占有率為大約50%以下)?；蛘?，基于同 樣的目的，優(yōu)選形成為僅使折彎區(qū)域的配線層數(shù)比其他不折彎的區(qū)域的配線層數(shù)少的構(gòu)造 (其結(jié)果是，配線材料的占有率變小)，例如優(yōu)選不折彎的區(qū)域的配線層數(shù)為四層而僅在折 彎的區(qū)域使配線層數(shù)為三層等。此外，各層的配線圖案30之間的連接通過(guò)過(guò)孔或通孔38來(lái)進(jìn)行。柔性電路板3 具有第一面10和第二面11，在第一面10側(cè)有第一外部電極12，在第二面11側(cè)有第二外部 電極13和第三外部電極14。在本實(shí)施方式1的情況下，在第一外部電極12上連接有多個(gè) 存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5。另一方面，在第二外部電極13上連接有運(yùn)算處理器1，在第 四外部電極14上形成有作為半導(dǎo)體裝置的外部端子9的釬料球(或者釬料凸點(diǎn))8。進(jìn)一步，在柔性電路板3的第一面10上，在使支承體4的表面與柔性電路板3粘 接的部分形成有作為半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成材料之一的粘接層29。作為粘接層29，優(yōu)選熱塑性 粘接樹脂薄膜或者進(jìn)行固化處理之前的熱固性粘接樹脂薄膜。雖然在圖5中示出配線層數(shù) 為四層的例子，但是，作為傳送線路只要能夠形成微帶線且配線能夠迂回，則配線層數(shù)也可 以是兩層、三層。而且，也可以是五層以上。此外，雖然在圖5中示出在第一面10上形成有 粘接層29的例子，但是，也可以采用沒(méi)有粘接層29的柔性電路板3，并在支承體4的表面預(yù) 先形成粘接層。此外，雖然在圖5中舉例示出第一外部電極12為兩處、第二外部電極13為 兩處、第三外部電極14為兩處的例子，但是，實(shí)際上當(dāng)然是與所使用的器件的外部端子數(shù) 相匹配地具有多個(gè)。圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的簡(jiǎn)單的變形例的圖。在圖1所示的本發(fā)明的實(shí) 施方式1中，在運(yùn)算處理器1上安裝有熱沉7，但是，如果不安裝熱沉7而僅利用散熱器15 就能夠充分地發(fā)揮冷卻功能的話，則也可以如圖6所示的例子那樣是沒(méi)有熱沉7的構(gòu)造。圖7 圖9是示出柔性電路板3的折彎構(gòu)造的例子的說(shuō)明圖。在本實(shí)施方式1中 采取在支承體4的兩條邊處將柔性電路板3折彎的方法，但是，如圖7所示也可以是在支承 體的一條邊處將柔性電路板3折彎的構(gòu)造，或者，如圖8所示也可以是在支承體4的三條邊 處將柔性電路板3折彎的構(gòu)造，或者，如圖9所示也可以是在支承體4的四條邊處將柔性電路板3折彎的構(gòu)造。對(duì)此，優(yōu)選在考慮了能夠進(jìn)一步減少配線的層數(shù)、或者能夠更容易地進(jìn) 行柔性電路板3的折彎工序等的基礎(chǔ)上選擇最佳的柔性電路板3的折彎方法。下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖IOA 圖IOE是示出本發(fā)明 的實(shí)施方式1的制造方法的一例的工序圖。首先，在柔性電路板3的第一面10的第一外部電極12上涂布助焊劑(flux)或者 釬焊膏，將多個(gè)存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件5臨時(shí)安裝在第一外部電極上，利用回流工序使 釬料熔融，從而將這些器件安裝于柔性電路板3的第一面上(圖10A)。在該柔性電路板3 的制造工序中，如果在柔性電路板3的第一面10上預(yù)先安裝多個(gè)無(wú)源部件5能夠更容易地 制造半導(dǎo)體裝置，則也是可以的。接著，采用釬料或?qū)щ娦哉辰觿⒕哂杏糜谑占{多個(gè)存儲(chǔ)器件2和多個(gè)無(wú)源部件 5的槽6的支承體4連接在柔性電路板3的第一面10上的第一外部電極12 (與柔性電路板 3內(nèi)的地線連結(jié))上(圖10B)。支承體4以包圍多個(gè)無(wú)源部件5的方式安裝。由于在利用 釬料使支承體4和柔性電路板3連接的情況下使用回流裝置，因此，也為了減少熱過(guò)程，優(yōu) 選同時(shí)進(jìn)行多個(gè)存儲(chǔ)器件2及多個(gè)無(wú)源部件5的安裝和支承體4的安裝。在利用導(dǎo)電性粘 接劑進(jìn)行粘接的情況下，可以在剛剛使支承體4粘接于柔性電路板3之后就利用加熱爐或 者熱板等使導(dǎo)電性粘接劑熱固化，也可以在以后的半導(dǎo)體裝置的制造工序的中途或最后的 工序中使導(dǎo)電性粘接劑熱固化。此外，如果采用熱固化的時(shí)間短的材料，則能夠在中途的回 流工序中進(jìn)行熱固化，無(wú)需特意再增加熱固化處理。此外，支承體4也可以采用絕緣性粘接劑來(lái)與柔性電路板3的表面(絕緣層)粘 接。關(guān)于使絕緣性粘接劑熱固化的工序，與如上所述的采用導(dǎo)電性粘接劑的情況相同。接著，將柔性電路板3沿著支承體4的外周折彎，使柔性電路板3粘接在支承體4 的側(cè)面16和支承體4的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面17上(圖10C)。接著，在柔性電路板3的第二面11的第二外部電極13上涂布助焊劑或者釬焊膏， 將運(yùn)算處理器1與之重疊(層疊)，并采用回流裝置進(jìn)行釬焊連接(圖10D)，其中，上述第 二外部電極13形成于安裝有多個(gè)無(wú)源部件5的柔性電路板3的第一外部電極12的表里相 反側(cè)的面上。最后，在柔性電路板3上的第三外部電極14上涂布助焊劑，通過(guò)釬料球轉(zhuǎn)印法、或 者不涂布助焊劑而直接在第三外部電極上印刷釬焊膏的印刷法進(jìn)行涂布，并采用回流裝置 形成釬料凸點(diǎn)8(圖10E)，其中，上述第三外部電極14粘接于支承體4的表面中的形成有槽 6的面的表里相反側(cè)的面17側(cè)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式1(圖1A)完成。此處，優(yōu)選利用回流裝置同時(shí)進(jìn)行以下兩個(gè)工序?qū)⒗弥С畜w4包圍多個(gè)存儲(chǔ) 器件2和多個(gè)無(wú)源部件5并利用柔性電路板3包裹支承體4的周圍而成的形態(tài)的封裝和 運(yùn)算處理器1層疊的工序(圖10D)；和在第三外部電極14上形成釬料凸點(diǎn)8的工序(圖 10E)。在半導(dǎo)體裝置的制造工序中盡可能地減少熱過(guò)程能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠 性。通過(guò)采用這種構(gòu)成的制造方法，能夠容易地制作像本發(fā)明這樣的組合了運(yùn)算處理 器和多個(gè)無(wú)源部件而成的三維安裝型半導(dǎo)體裝置，并且能夠獲得可靠性高的三維安裝型半 導(dǎo)體裝置。以上，如果在本發(fā)明中采用實(shí)施方式1，則能夠提供如下的三維安裝型半導(dǎo)體裝置該三維安裝型半導(dǎo)體裝置是組合了運(yùn)算處理器1、多個(gè)存儲(chǔ)器件2、多個(gè)無(wú)源部件5等多 個(gè)器件而成的半導(dǎo)體裝置，是小型薄型的，即便是在采用高速工作的處理器和存儲(chǔ)器的情 況下也能夠工作，由于采用了多個(gè)存儲(chǔ)器因此性能更高，散熱特性也好，能夠不受處理器的 耗電量的影響地自由地選擇處理器，組裝成品率高，并且安裝可靠性高、成本低。(實(shí)施方式2)圖11是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖11所示的本發(fā)明的 實(shí)施方式2是與圖1所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1類似的構(gòu)造，但是，在采用多個(gè)層疊了 BGA 類型的封裝而成的結(jié)構(gòu)(所謂的層疊封裝(package on package)構(gòu)造)方面與實(shí)施方式 1不同。在圖11中示出將BGA類型的封裝2級(jí)層疊的構(gòu)造，但是，并不限于BGA類型的封 裝，也可以是層疊了在外部端子具有配線的TSOP類型的封裝而成的結(jié)構(gòu)。此外，圖11中 示出采用兩組將封裝2級(jí)層疊的結(jié)構(gòu)的方式，但是，只要面積限制允許，也可以采用三組以 上。此外，只要高度限制允許，封裝也可以層疊3級(jí)以上，也可以包含不層疊的封裝單體。進(jìn) 一步，即便是封裝單體，也可以包含在內(nèi)部包含多個(gè)存儲(chǔ)器裸片那樣的多芯片封裝。多芯片 封裝是指在封裝單體的內(nèi)部以三維層疊的方式安裝有多個(gè)裸片的形態(tài)，或者在封裝單體的 內(nèi)部平面排列地安裝有多個(gè)裸片的形態(tài)等。關(guān)鍵點(diǎn)在于，只要能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置所需要 的存儲(chǔ)器容量，可以組合任意形態(tài)的器件。通過(guò)采用本實(shí)施方式，其特點(diǎn)在于能夠使半導(dǎo)體 裝置的存儲(chǔ)器容量大容量化。(實(shí)施方式3)圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖12所示的本發(fā)明的 實(shí)施方式3是與圖1所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1類似的構(gòu)造，但是，在支承體4是由設(shè)有貫 通孔的板21、和平板22層疊而制成的這方面與實(shí)施方式1不同。如果采用本實(shí)施方式，與 圖1的本發(fā)明的實(shí)施方式1所示的在一個(gè)平板部件上利用蝕刻或金屬模形成槽6的方法相 比能夠廉價(jià)地進(jìn)行制造。而且，由于能夠組合多種材料來(lái)制成支承體，因此與利用一種材料 制成支承體的情況相比能夠容易地實(shí)現(xiàn)支承體所期望的低線膨脹率、輕量、廉價(jià)等。 此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，優(yōu)選支承體4中的至少設(shè)有貫通孔的板21的部 分采用42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含有Ni的合金來(lái)制成。由于這些合金材料的線膨脹率 小、約為3ppm 5ppm，因此能夠防止配置在支承體4的槽6之上的柔性電路板3的撓曲、凹 凸，能夠防止安裝于槽6之上的柔性電路板3上的運(yùn)算處理器1的安裝不良(開啟不良)。 其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。此外，在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，優(yōu)選構(gòu)成支承體4的材料中的至少平板22由鋁、 鋁合金、鈦、鈦合金、陶瓷、Si中的任一種材料制成。這些材料的比重小，因此能夠使支承體 4輕量化。如果支承體4的重量增加，則當(dāng)將半導(dǎo)體裝置二次安裝于印刷基板上時(shí)，由于半 導(dǎo)體裝置的自重而導(dǎo)致外部端子9的釬料球的壓潰量變大，容易與相鄰的釬料球短路，存 在安裝成品率低的課題，但是，通過(guò)形成為這樣的結(jié)構(gòu)，能夠改善短路不良，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn) 組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。圖12中示出設(shè)有貫通孔的板21和平板22均各為一片并且它們層疊的構(gòu)造，但 是，設(shè)有貫通孔的板21和平板22并不限于各為一片，也可以各為兩片以上，或者是例如兩 片設(shè)有貫通孔的板和一片平板層疊的構(gòu)造。關(guān)鍵點(diǎn)在于，只要能夠防止配置在支承體4的
26槽之上的柔性電路板3的撓曲和凹凸、且能夠?qū)崿F(xiàn)支承體4的輕量化，可以以任意的組合制 成支承體4。此外，優(yōu)選構(gòu)成支承體4的層疊的材料各自的至少一部分彼此經(jīng)由導(dǎo)電性或者絕 緣性材料粘接或者連接，或者至少一部分被彼此焊接(例如點(diǎn)焊接等)。如果層疊的材料并 未彼此固定，則在將柔性電路板3折彎并粘接在支承體4的周圍的工序中，層疊的多種材料 移動(dòng)而容易產(chǎn)生組裝不良，但是，通過(guò)采用本實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定形狀的支承體4，其結(jié) 果是，能夠?qū)崿F(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。(實(shí)施方式4)圖13A 圖13E是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4所采用的支承體4的特征的圖，圖 13A 圖13D示出剖視圖，圖13E是從槽6側(cè)的正上方觀察到的俯視圖。在本發(fā)明的實(shí)施方式4中，與其他的實(shí)施方式相比僅支承體的構(gòu)造不同。在該實(shí) 施方式4中，以支承體4的輕量化為目的，在支承體4的槽6的周圍、或者構(gòu)成支承體4的 設(shè)有貫通孔的板21中的貫通孔的周圍、或者構(gòu)成支承體的平板22這其中的至少某一個(gè)部 位設(shè)有多個(gè)貫通孔23。通過(guò)在構(gòu)成支承體4的材料上設(shè)置多個(gè)貫通孔23，能夠降低材料的 實(shí)質(zhì)上的體積，因此能夠?qū)崿F(xiàn)支承體4的輕量化。此外，如果支承體4的體積大則熱容量也大，因此，在回流工序中如果不提高外部 加熱溫度則難以使釬料熔融而形成釬料凸點(diǎn)8。但是，如果提高外部加熱溫度，則存在構(gòu)成 柔性電路板3的阻焊劑剝離的課題、或者在柔性電路板3的內(nèi)部發(fā)生層間粘接劑剝離的課 題，因此是不優(yōu)選的。特別是在采用SnAg類的無(wú)鉛釬料的情況下，如果支承體4的熱容量 大則支承體4奪取熱量，由于如果不使外部溫度上升至大約260°C以上則無(wú)法使釬料充分 熔融，因此上述課題變得顯著。另一方面，如果支承體4采用本實(shí)施方式4這樣的構(gòu)造，則 能夠降低支承體4的熱容量，因此能夠盡可能地降低回流工序中的外部加熱溫度，能夠防 止柔性電路板3中的阻焊劑的剝離和層間粘接劑的剝離。(實(shí)施方式5)圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。本發(fā)明的實(shí)施方式5 與其他的實(shí)施方式之間的構(gòu)造上的不同點(diǎn)在于多個(gè)存儲(chǔ)器件2和支承體4經(jīng)由導(dǎo)熱材料 24接觸。導(dǎo)熱材料24是導(dǎo)電性或者絕緣性的材料，由熱固性的材料、凝膠狀的材料、橡膠材 料等構(gòu)成。在圖14中，存儲(chǔ)器件2的表面中的、表面積大的存儲(chǔ)器件的外部端子面20的表 里相反側(cè)的面與支承體4經(jīng)由導(dǎo)熱材料24接觸。由于采用這種構(gòu)造，即便是在存儲(chǔ)器件2的耗電量變大的情況下，也由于能夠使 從存儲(chǔ)器件2產(chǎn)生的熱經(jīng)由導(dǎo)熱材料24散發(fā)至支承體(支承體4起到作為存儲(chǔ)器件2的 熱沉的作用)而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。作為支承體4的材料、特別是經(jīng)由導(dǎo)熱材料24而與存儲(chǔ)器件2接觸的部分的材 料，優(yōu)選是熱導(dǎo)率高、能夠廉價(jià)地制造的Cu、Al、或者是以這些元素作為主原料的合金。進(jìn) 一步，為了實(shí)現(xiàn)輕量化，優(yōu)選是Al或以Al為主原料的合金。此外，由于采用這樣的構(gòu)造，不僅能夠發(fā)揮存儲(chǔ)器件2自身的冷卻效果，而且還能 夠使從運(yùn)算處理器1傳導(dǎo)至多個(gè)存儲(chǔ)器件2的熱散發(fā)至支承體4，從而能夠?qū)⒋鎯?chǔ)器件2保 持在工作保證溫度以下的環(huán)境中，因此能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的穩(wěn)定的工作。此外，作為導(dǎo)熱材料24，優(yōu)選凝膠狀的材料、橡膠材料(散熱用凝膠、作為散熱用橡膠在市面上銷售的材料等)。如果導(dǎo)熱材料24采用導(dǎo)電性或者絕緣性的粘接材料且采用 熱固性的材料從而將支承體4和存儲(chǔ)器件2固定，則存在由于因支承體4與存儲(chǔ)器件2之 間的熱膨脹率之差引起的應(yīng)力而在導(dǎo)熱材料24上產(chǎn)生裂紋，冷卻效果降低的課題、和由于 上述應(yīng)力而產(chǎn)生存儲(chǔ)器件2與柔性電路板3之間的連接不良的課題。因此，如果導(dǎo)熱材料 24采用凝膠狀的材料從而不將支承體4與存儲(chǔ)器件2固定而成為只是相接觸的狀態(tài)，則由 于能夠緩和上述應(yīng)力，因此能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高的半導(dǎo)體裝置。(實(shí)施方式6)圖15A和圖15B是示出本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。本發(fā)明的實(shí) 施方式6與其他的實(shí)施方式之間的構(gòu)造上的不同點(diǎn)在于安裝于運(yùn)算處理器1上的熱沉7 是覆蓋半導(dǎo)體模塊整體的形狀。通過(guò)采用這樣的熱沉7的形狀，首先能夠使熱沉整體的表 面積更大，能夠獲得散熱性佳的半導(dǎo)體裝置。由于圖15A和圖15B是剖視圖，所以雖然能夠 看到存儲(chǔ)器件2和無(wú)源部件5，但實(shí)際上是熱沉在支承體4的四個(gè)邊方向上進(jìn)行覆蓋的構(gòu) 造。此外，如果形成為圖15A那樣的構(gòu)造，則還有能夠降低包含熱沉7在內(nèi)的半導(dǎo)體裝 置的安裝高度的優(yōu)點(diǎn)。此處，根據(jù)圖15那樣的構(gòu)造，熱沉7的體積變大，因此，作為熱沉7 的材料，優(yōu)選熱導(dǎo)率高且輕量的Al或以Al為主成分的合金。(實(shí)施方式7)圖16是示出本發(fā)明的實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。本發(fā)明的實(shí)施方式7的 半導(dǎo)體裝置是包含以下部件的半導(dǎo)體裝置一個(gè)柔性電路板3，具有至少兩層以上的配線 層，并且在第一面10上設(shè)有第一外部電極12，在第二面11上設(shè)有第二、第三外部電極(分 別為13、14)；包含電阻器、電容器、電感器中的至少一種以上的多個(gè)無(wú)源部件5 ；支承體4， 設(shè)有至少一個(gè)以上的槽6，所述槽6用于收納多個(gè)無(wú)源部件5 ；以及具有散熱器15或熱沉7 的一個(gè)運(yùn)算處理器1。而且，柔性電路板3具有比支承體4的面積大的面積。多個(gè)無(wú)源部件5平面安裝 于柔性電路板3的第一面10上，并與該第一面10的第一外部電極12電連接。支承體4以 包圍多個(gè)無(wú)源部件5的方式粘接于柔性電路板3的第一面10上，并與設(shè)在第一面10上的 第一外部端子12電連接。多個(gè)無(wú)源部件5被收納在支承體4的槽6的內(nèi)側(cè)。柔性電路板 3沿著支承體4的外周被折彎，至少包裹支承體4的一個(gè)以上的側(cè)面16和支承體4的表面 中的形成有槽6的面的表里相反側(cè)的面17的至少一部分，并與支承體4的表面的至少一部 分粘接。安裝有多個(gè)無(wú)源部件5的第一外部電極12的表里相反側(cè)的面具有柔性電路板3 的第二外部電極13。運(yùn)算處理器1與該第二外部電極13電連接，運(yùn)算處理器1的外部端子 面19以隔著柔性電路板3而與多個(gè)無(wú)源部件5彼此相對(duì)的方式安裝。支承體4的表面中 的形成有槽6的面的表里相反側(cè)的面17具有柔性電路板3的第三外部電極14。在該第三 外部電極14上形成有釬料凸點(diǎn)8，并成為當(dāng)將該釬料凸點(diǎn)8定義為下面時(shí)運(yùn)算處理器1安 裝在最上面的構(gòu)造。本實(shí)施方式7與其他的實(shí)施方式類似，但是，作為電子器件不包含存儲(chǔ)器件2這一 點(diǎn)在構(gòu)造上不同。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒈緛?lái)安裝于運(yùn)算處理器1的正側(cè)方的、或是隔著印刷電路板(主板)安裝于運(yùn)算處理器1的相反面上的主要是多個(gè)去耦電容器放入半導(dǎo)體裝置中。因 此，能夠?qū)崿F(xiàn)印刷電路板的小型化。而且，由于能夠?qū)⑷ヱ铍娙萜髋渲迷谟∷㈦娐钒迮c運(yùn)算 處理器1之間且在運(yùn)算處理器1的電源端子及地線端子附近，因此與以往的實(shí)施方式相比 能夠減小存在于運(yùn)算處理器1和去耦電容器之間的配線中的寄生電感，能夠減小在運(yùn)算處 理器1開關(guān)操作時(shí)所產(chǎn)生的電壓變動(dòng)，能夠獲得工作穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。此外，在本實(shí)施方式7中是安裝有熱沉7的構(gòu)造，但是，只要能夠?qū)⒐ぷ鲿r(shí)的環(huán)境 溫度冷卻至運(yùn)算處理器1的工作保證溫度以下，也可以是僅具有散熱器15的構(gòu)造、即沒(méi)有 熱沉7的構(gòu)造。下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式7的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。該制造方法的說(shuō)明圖與圖 IOA 圖IOE所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1的制造方法類似，因此省略。從圖IOA 圖IOE中 除去多個(gè)存儲(chǔ)器件2而成的圖就是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式7的制造方法的圖。首先，在柔性電路板3的第一面10的第一外部電極12上涂布釬焊膏，將多個(gè)無(wú)源 部件5臨時(shí)安裝在第一外部電極12上，利用回流裝置進(jìn)行無(wú)源部件5與柔性電路板3之間 的釬焊連接。接著，采用釬料或者導(dǎo)電性粘接劑將具有用于收納多個(gè)無(wú)源部件5的槽6的支承 體4連接在柔性電路板3的第一面10上的第一外部電極12 (與柔性電路板3內(nèi)的地線連 結(jié))上。支承體4以包圍多個(gè)無(wú)源部件5的方式安裝。由于在利用釬料使支承體4與柔性 電路板3連接的情況下使用回流裝置，因此也為了減少熱過(guò)程，優(yōu)選同時(shí)進(jìn)行無(wú)源部件5的 安裝和支承體4的安裝。在利用導(dǎo)電性粘接劑進(jìn)行粘接的情況下，可以在剛剛將支承體4 粘接于柔性電路板3之后就利用加熱爐或者熱板等使導(dǎo)電性粘接劑固化，也可以在以后的 半導(dǎo)體裝置的制造工序的中途或最后的工序中使導(dǎo)電性粘接劑熱固化。此外，如果采用熱 固化的時(shí)間短的材料的話，則能夠利用中途的回流工序進(jìn)行熱固化，無(wú)需特意再增加熱硬 化處理。此外，支承體4也可以采用絕緣性粘接劑來(lái)與柔性電路板3的表面(絕緣層)粘 接。關(guān)于使絕緣性粘接劑熱固化的工序，與如上所述的采用導(dǎo)電性粘接劑的情況相同。接著，將柔性電路板3沿著支承體4的外周折彎，使柔性電路板3粘接于支承體4 的側(cè)面16以及支承體4的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面17上。接著，在柔性電路板3的第二面11的第二外部電極13上涂布助焊劑或者釬焊膏， 將運(yùn)算處理器1與之重疊(層疊)，并采用回流裝置進(jìn)行釬焊連接，其中，上述第二外部電 極13形成于安裝有多個(gè)無(wú)源部件5的柔性電路板3的第一外部電極12的表里相反側(cè)的面 上。最后，在柔性電路板3上的第三外部電極14上涂布助焊劑，通過(guò)釬料球轉(zhuǎn)印法、或 者不涂布助焊劑而直接在第三外部電極上印刷釬焊膏的印刷法進(jìn)行涂布，并采用回流裝置 形成釬料凸點(diǎn)8，其中，上述第三外部電極14粘接于支承體4的表面中的形成有槽6的面的 表里相反側(cè)的面17側(cè)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式7完成。此處，優(yōu)選利用回流裝置同時(shí)進(jìn)行以下兩個(gè)工序?qū)⒗弥С畜w4包圍多個(gè)無(wú)源 部件5并利用柔性電路板3包裹支承體4的周圍而成的形態(tài)的封裝和運(yùn)算處理器1層疊的 工序；和在第三外部電極14上形成釬料凸點(diǎn)8的工序。在半導(dǎo)體裝置的制造工序中盡可能 地減少熱過(guò)程能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)的制造方法，能夠容易地制作像本發(fā)明這樣的組合了運(yùn)算處理 器和多個(gè)無(wú)源部件而成的三維安裝型半導(dǎo)體裝置，并且能夠獲得可靠性高的三維安裝型半 導(dǎo)體裝置。(實(shí)施方式8)圖17是示出本發(fā)明的實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。本實(shí)施方式8與圖IB 所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1類似，只是在半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部未安裝多個(gè)無(wú)源部件這方面在 構(gòu)造上與實(shí)施方式1不同。作為采用本實(shí)施方式8的實(shí)例，例如有半導(dǎo)體裝置被面向移動(dòng)設(shè)備來(lái)使用且運(yùn)算 處理器1和多個(gè)存儲(chǔ)器件2的工作頻率在大約IOOMHz以下的情況等、即使在半導(dǎo)體裝置 內(nèi)部沒(méi)有無(wú)源部件半導(dǎo)體裝置也能夠單獨(dú)工作的情況，適合需要更小型的半導(dǎo)體裝置的用 途。此外，還存在基于使用者方的情況而想要在以后將無(wú)源部件安裝于主板上的半導(dǎo) 體裝置的周圍的情況，因此，在這種情況下，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的。制造方法與此前 敘述的其他的實(shí)施方式的制造方法大致同樣，因此省略說(shuō)明。此外，在圖17中示出了運(yùn)算處理器1采用具有散熱器15的器件的例子，但是，只 要能夠?qū)雽?dǎo)體裝置冷卻至工作保證溫度以下，搭載了熱沉7的例子、或是既沒(méi)有散熱器 15也沒(méi)有熱沉7的構(gòu)造當(dāng)然也可以。(實(shí)施方式9)圖18是作為本發(fā)明的實(shí)施方式9示出搭載了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的印刷基板的 剖視圖。圖18示出利用表面裝配技術(shù)搭載了運(yùn)算處理器1、多個(gè)存儲(chǔ)器件2以及多個(gè)無(wú)源 部件的印刷電路板。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置采用三維安裝。此前，器件的安裝面積是各個(gè)器件的安裝面 積之和，但是，根據(jù)本發(fā)明，如圖18所示，能夠使器件的安裝面積大致為運(yùn)算處理器1的外 形尺寸。其結(jié)果是，能夠使印刷電路板25變小多個(gè)存儲(chǔ)器件2的安裝總面積及多個(gè)無(wú)源部 件5的安裝總面積的合計(jì)量，制造成本也便宜。而且，通過(guò)采用本發(fā)明，能夠?qū)υ谝酝谋?面裝配中由于安裝面積不足、或者想要縮短配線距離而雙面安裝于印刷電路板25上的器 件進(jìn)行單面安裝，因此，還能夠減少印刷電路板25的配線層數(shù)，其結(jié)果是，能夠使印刷電路 板25的制造成本便宜。(實(shí)施方式10)省略采用圖進(jìn)行的說(shuō)明，如果采用此前敘述的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置、或者是圖18 所示的本發(fā)明的實(shí)施方式9那樣的安裝有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的印刷電路板來(lái)組裝電子 設(shè)備，則能夠形成比以往小型的電子設(shè)備，能夠?qū)崿F(xiàn)印刷電路板的小型化，能夠減少配線層 數(shù)。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本的電子設(shè)備。作為所應(yīng)用的電子設(shè)備，例如需要在畫面上映 出高精細(xì)的圖像或三維動(dòng)畫圖像的娛樂(lè)設(shè)備、家庭用游戲機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、個(gè)人計(jì)算機(jī)、汽車 導(dǎo)航系統(tǒng)、車載模塊等是合適的。(實(shí)施方式11)圖28是本發(fā)明的實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的柔性電路板3的折彎部的放大剖視 圖。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的柔性電路板3中，只是將柔性電路板3沿著支承體16折彎的 區(qū)域41的配線3的層數(shù)比未將柔性電路板3折彎的其他區(qū)域中的配線3的層數(shù)少。一般情況下，在柔性電路板3中，若配線3的層數(shù)增加，則由于配線材料(一般為金屬材料)的 體積增加，所以難以進(jìn)行將柔性電路板3折彎并粘接于支承體16的表面上的工序(若柔性 電路板的配線層數(shù)增加，則折彎時(shí)柔性電路板想要返回原來(lái)的形狀的反力變得更大，因此 難以粘接固定在支承體的表面上)。根據(jù)本發(fā)明，如圖28所示，在柔性電路板3中，沿著支承體16折彎的區(qū)域41的配 線3的層數(shù)(在圖28中為三層)比未折彎的其他區(qū)域的配線3的層數(shù)(在圖28中為四 層)少，因此，即便是在柔性電路板3為多層配線板的情況下也能夠更容易地折彎，能夠?qū)?現(xiàn)組裝成品率高的半導(dǎo)體裝置。在圖28中僅示出了一例，但是，例如沿著支承體折彎的區(qū)域41的配線3的層數(shù)也
可以是一層或兩層。此外，使沿著支承體折彎的區(qū)域41中的配線3的層數(shù)比其他區(qū)域少的部位并無(wú)特 殊限定，但是，優(yōu)選去掉將柔性電路板3折彎時(shí)位于距離支承體16最遠(yuǎn)的位置的最外側(cè)43 的配線層。由于將柔性電路板3折彎時(shí)位于外側(cè)43的配線層的機(jī)械伸長(zhǎng)最大，因此容易斷 裂，通過(guò)去掉位于外側(cè)43的配線，能夠改善配線斷裂的不良情況。以上敘述了多個(gè)實(shí)施方式，但是，除此之外，只要不超出本發(fā)明的主旨，本發(fā)明當(dāng) 然不限于上述實(shí)施方式。[實(shí)施例]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例子進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，只要不超出本發(fā)明的主 旨，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。(實(shí)施例1)為了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，準(zhǔn)備以下部件4個(gè)圖19A所示的BGA類型的DDR-DRAM封裝(外形尺寸大約13mmX 13mmX高 度0. 7mm，存儲(chǔ)器容量256Mbit，外部時(shí)鐘頻率166MHz，外部端子數(shù)大約170管腳，釬料 球間距0. 8mm) ；1個(gè)圖19B所示的BGA類型的三維圖像處理器封裝(大約38mmX38mmX 高度2. 0mm，外部時(shí)鐘頻率:166MHz，外部端子數(shù)大約800管腳，釬料球間距1. 27mm) ；16 個(gè)(IOOpF IOOnF) 1005類型的芯片電容器(1. OmmX 0. 5mm) ；4個(gè)1005類型的芯片電阻器 (33 Ω 1. OmmX 0. 5mm) ； 1個(gè)圖19C所示的由Al形成的支承體(44mmX 44mmX厚度1. 3mm)； 和1個(gè)圖19D所示的配線層數(shù)為4層的柔性電路板(外形尺寸大約為44mmX91mmX 厚度0. 14mm)；并且，作為用作本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的外部端子的釬料球，準(zhǔn)備大約800個(gè) 直徑大約為0. 8mm的SnAgCu釬料球。此處，如圖19A所示，DDR-DRAM封裝采用在封裝內(nèi)部平面地排列安裝有兩個(gè) DDR-DRAM裸片28的結(jié)構(gòu)。而且，DDR-DRAM封裝采用DDR-DRAM封裝內(nèi)的各個(gè)裸片28中的 數(shù)據(jù)端子(一般以DQ表示的端子)分別獨(dú)立地與DDR-DRAM封裝的外部端子(在圖19A中， 釬料凸點(diǎn)(球)8為外部端子)電連接的規(guī)范的器件。兩個(gè)DDR-DRAM裸片的數(shù)據(jù)端子并不 共同連接，而是這樣獨(dú)立地連接(外部端子數(shù)相應(yīng)地增加)，由此，能夠擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線(data bus)寬度，能夠?qū)崿F(xiàn)更高速的數(shù)據(jù)傳送。此外，如圖19D所示，在柔性電路板3的第一面10 上，預(yù)先在與粘接于支承體4的表面上的部位對(duì)應(yīng)的部分粘貼厚度為25 μ m的熱塑性的粘 接片來(lái)作為粘接層29。熱塑性片采用能夠在大約150°C以上粘接的材料。而且，支承體通過(guò)以點(diǎn)焊接使設(shè)有貫通孔的Al板和Al平板局部連接而制成。首先，在柔性電路板的第一面的外部電極上涂布膏狀釬料(釬焊膏)，采用倒裝芯 片貼片機(jī)和貼片機(jī)分別將DDR-DRAM封裝以及芯片電容器和芯片電阻器臨時(shí)搭載于柔性電 路板上。然后，采用回流裝置將上述器件釬焊連接于柔性電路板上。接著，采用導(dǎo)電性粘接劑將支承體以包圍DDR-DRAM封裝、芯片電容器以及芯片電 阻器的方式粘接于柔性電路板的第一面的外部電極上(與地線連接的外部電極)。支承體 與柔性電路板之間的粘接采用貼片機(jī)進(jìn)行。
接著，使樣品吸附固定在加熱至180°C的加熱臺(tái)(heater stage)上，采用加壓工 具在支承體的兩條邊處將柔性電路板折彎，并使之粘接于支承體的表面，利用支承體包圍 多個(gè)DDR-DRAM封裝和多個(gè)電容器、電阻器，并使柔性電路板粘接于支承體的周圍，由此制 成了封裝。在這樣制成的封裝的面中，在DDR-DRAM封裝的外部端子面?zhèn)戎丿B了運(yùn)算處理器 封裝、在DDR-DRAM封裝的外部端子的表里相反側(cè)的面上利用助焊劑臨時(shí)搭載了作為半導(dǎo) 體裝置的外部端子的釬料球，然后投入于回流爐進(jìn)行釬焊連接，從而完成圖19E所示的半 導(dǎo)體裝置。這樣制成的半導(dǎo)體封裝的外形尺寸大約為44mmX44mmX高度4mm。而且，雖然外 形尺寸大，但是組裝性良好，在將該半導(dǎo)體封裝搭載于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的主板時(shí)，能夠確 認(rèn)實(shí)現(xiàn)通常的產(chǎn)品那樣的圖像。而且，通過(guò)采用本實(shí)施例，能夠縮小個(gè)人計(jì)算機(jī)的主板的面積。另外，雖然在圖19E 中省略，但是，在將本實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置安裝于個(gè)人計(jì)算機(jī)的主板之后，利用導(dǎo)電性粘 接劑使熱沉粘接在散熱器15上。(實(shí)施例2)為了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，支承體如下制成如圖19F所示，由在一方的表面 上設(shè)有多個(gè)Al的突起且設(shè)有貫通孔的Al板21、和設(shè)有多個(gè)貫通孔的平板通過(guò)使“突起-貫 通孔”的部分連接而制成支承體。采用這樣的支承體，其他采用與實(shí)施例1相同的材料和制 造方法來(lái)制造半導(dǎo)體裝置。這樣制成的半導(dǎo)體封裝的組裝性與實(shí)施例1同樣地良好，當(dāng)將該半導(dǎo)體封裝搭載 于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的主板時(shí)，能夠確認(rèn)實(shí)現(xiàn)通常的產(chǎn)品那樣的圖像。此外，與在實(shí)施例1中采用的支承體相比，利用上述方法制成的支承體能夠更廉 價(jià)地制造，因此能夠?qū)崿F(xiàn)成本比實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的成本低的半導(dǎo)體裝置。以上說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，當(dāng)然能夠在不脫 離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)實(shí)施更多的改變。以上參照實(shí)施方式和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本申請(qǐng)的發(fā)明并 不限定于上述實(shí)施方式和實(shí)施例。本申請(qǐng)的發(fā)明的結(jié)構(gòu)和詳細(xì)情況能夠在本申請(qǐng)的發(fā)明的 范圍內(nèi)進(jìn)行本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的各種各樣的變更。本申請(qǐng)主張以2008年3月28日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦?008-087138為基 礎(chǔ)的優(yōu)先權(quán)，其公開的全部?jī)?nèi)容都寫入本申請(qǐng)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括一個(gè)柔性電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部電極和第三外部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)存儲(chǔ)器件；多個(gè)無(wú)源部件，該無(wú)源部件包含電阻器、電容器以及電感器中的至少一種以上；支承體，該支承體設(shè)有收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件平面安裝于所述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連接，并且，所述無(wú)源部件安裝在所述存儲(chǔ)器件的附近，所述支承體以包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者與設(shè)在第一面上的第一外部電極電連接，該多個(gè)存儲(chǔ)器件和該無(wú)源部件被收納在該支承體的槽的內(nèi)側(cè)，所述柔性電路板沿著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板粘接于所述支承體的表面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述無(wú)源部件的所述第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上具有所述柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與所述第二外部電極電連接，所述運(yùn)算處理器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的外部端子面及多個(gè)無(wú)源部件彼此面對(duì)的方式安裝，在所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有所述柔性電路板的第三外部電極，在所述第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料凸點(diǎn)定義為下面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述運(yùn)算處理器的面積比所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的合計(jì)的面積大。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括一個(gè)柔性電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部 電極和第三外部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)無(wú)源部件，該無(wú) 源部件包含電阻器、電容器以及電感器中的至少一種以上；支承體，該支承體設(shè)有收納所述 多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)無(wú)源部件平面安裝于所 述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連接，所述支承體以包圍所述多個(gè)無(wú)源部件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者 與設(shè)在第一面上的第一外部端子電連接，所述多個(gè)無(wú)源部件被收納在所述支承體的槽的內(nèi) 側(cè)，所述柔性電路板沿著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的 側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板 粘接于所述支承體的表面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)無(wú)源部件的所述第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上具有所述 柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與所述第二外部電極電連接，所述運(yùn)算處理 器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述多個(gè)無(wú)源部件彼此面對(duì)的方式安裝，在所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有所述柔性電路板的 第三外部電極，在所述第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料凸點(diǎn)定義為下面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上面。
4. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括一個(gè)柔性電路板，該柔性電路板在第一面設(shè)有第一外部電極，在第二面設(shè)有第二外部 電極和第三外部電極，并且該柔性電路板具有至少兩層以上的配線層；多個(gè)存儲(chǔ)器件；支 承體，該支承體設(shè)有收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的至少一個(gè)以上的槽；以及一個(gè)運(yùn)算處理器，所述柔性電路板具有比所述支承體的面積大的面積，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件平面安裝于所 述柔性電路板的第一面上并與所述第一面的第一外部電極電連接，所述支承體以包圍所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的方式粘接于所述柔性電路板的第一面上，或者 與設(shè)在第一面上的第一外部電極電連接，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件被收納在所述支承體的槽的內(nèi) 側(cè)，所述柔性電路板沿著所述支承體的外周被折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以上的 側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，該柔性電路板 粘接于所述支承體的表面的至少一部分上，在安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的所述第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上具有所述 柔性電路板的第二外部電極，所述運(yùn)算處理器與所述第二外部電極電連接，所述運(yùn)算處理 器的外部端子面以隔著所述柔性電路板而與所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的外部端子面彼此面對(duì)的 方式安裝，在所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上具有所述柔性電路板的 第三外部電極，在所述第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)，當(dāng)將所述釬料凸點(diǎn)定義為下面時(shí)，所述運(yùn)算處理器安裝在最上面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述運(yùn)算處理器具有散熱器和熱沉中的至少某一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述運(yùn)算處理器和多個(gè)存儲(chǔ)器件、或者所述運(yùn)算處理器是BGA類型的封裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4至6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個(gè)存儲(chǔ)器件為DRAM，且所述運(yùn)算處理器是圖像處理器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4至7中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的至少一個(gè)是多芯片封裝或者彼此層疊而成的層疊封裝構(gòu)造。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述支承體由金屬材料形成，并與所述柔性電路板的地線電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述支承體的至少一部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合金、陶瓷以及Si中 的任一種材料構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述支承體由設(shè)有用于收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的至少一個(gè)以上 的貫通孔的至少一片以上的板、和一片平板層疊而制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述支承體中的至少設(shè)有貫通孔的板的部分由42合金、科瓦鐵鎳鈷合金等含Ni的合 金制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述支承體的材料中的至少所述一片平板由鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、陶瓷、以及Si 中的任一種材料制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述支承體的層疊的材料至少一部分彼此經(jīng)由導(dǎo)電性材料或絕緣性材料粘接或 連接，或者至少一部分彼此焊接。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在構(gòu)成所述支承體的層疊的材料中的一方的材料的表面上形成有突起，在與所述材料 彼此重合的另一方的材料上形成有接納所述突起的貫通孔或槽，層疊的材料彼此在所述突 起與所述貫通孔或槽的部分連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述支承體的槽的周圍、構(gòu)成所述支承體的設(shè)有貫通孔的板中的所述貫通孔的周 圍、以及構(gòu)成所述支承體的一片平板內(nèi)之中的至少任一個(gè)部位設(shè)有多個(gè)貫通孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器件與所述支承體經(jīng)由導(dǎo)熱材料而接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述柔性電路板的第一面的一部分上粘貼有用于與所述支承體的表面粘接的熱塑 性粘接樹脂薄膜或固化處理前的熱固性粘接樹脂薄膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述運(yùn)算處理器上安裝有熱沉，該熱沉是覆蓋半導(dǎo)體模塊整體的形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柔性電路板中的沿著所述支承體被折彎的區(qū)域的配線層數(shù)比未被折彎的其他區(qū) 域的配線層數(shù)少。
21.—種印刷電路板，其特征在于，所述印刷電路板搭載有權(quán)利要求1至20中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
22.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備搭載有權(quán)利要求1至20中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
23.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備搭載有權(quán)利要求21所述的印刷電路板。
24.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含以下工序(a)將多個(gè)無(wú)源部件安裝在柔性電路板的第一面上的工序；(b)將多個(gè)存儲(chǔ)器件安裝在所述柔性電路板的第一面上的工序；(C)以覆蓋安裝在該柔性電路板的第一面上的所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件 的方式進(jìn)行支承體向所述柔性電路板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述 多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的槽；(d)將所述柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以 上的側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將該 柔性電路板粘接于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(e)將運(yùn)算處理器安裝在所述柔性電路板的第二外部電極上的工序，所述第二外部電 極形成于安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件和所述多個(gè)無(wú)源部件的所述柔性電路板的第一外部電 極的表里相反側(cè)的第二面上；以及(f)在粘接于所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電 路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn)的工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，(a)和(b)的工序、(a)和(b)和(c)的工序、(e)和(f)的工序中的至少任一組工序 同時(shí)進(jìn)行。
26.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含以下工序(a)將多個(gè)無(wú)源部件安裝于柔性電路板的第一面上的工序；(b)以覆蓋安裝于該柔性電路板的第一面上的所述多個(gè)無(wú)源部件的方式進(jìn)行支承體向 所述柔性電路板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述多個(gè)無(wú)源部件的槽；(c)將所述柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以 上的側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將該 柔性電路板粘接于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(d)將運(yùn)算處理器安裝在所述柔性電路板的第二外部電極上的工序，所述第二外部電 極形成于安裝有所述多個(gè)無(wú)源部件的所述柔性電路板的第一外部電極的表里相反側(cè)的第 二面上；以及(e)在粘接于所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電 路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn)的工序。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，(a)和(b)的工序、(d)和(e)的工序中的至少任一組工序同時(shí)進(jìn)行。
28.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包含以下工序(a)將多個(gè)存儲(chǔ)器件安裝于柔性電路板的第一面上的工序；(b)以覆蓋安裝于該柔性電路板的第一面上的所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的方式進(jìn)行支承體向 所述柔性電路板的第一面安裝的工序，所述支承體具有用于收納所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的槽；(c)將所述柔性電路板沿著所述支承體的外周折彎，并至少包裹所述支承體的一個(gè)以 上的側(cè)面和該支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面的至少一部分，并且將該 柔性電路板粘接于所述支承體的表面的至少一部分上的工序；(d)將運(yùn)算處理器安裝于所述柔性電路板的第二外部電極上的工序，所述第二外部電 極形成于安裝有所述多個(gè)存儲(chǔ)器件的所述柔性電路板的第一外部電極的表里相反側(cè)的第二面上；以及(e)在粘接于所述支承體的表面中的形成有槽的面的表里相反側(cè)的面上的所述柔性電 路板的第三外部電極上形成釬料凸點(diǎn)的工序。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， (a)和(b)的工序、(d)和(e)的工序中的至少任一組工序同時(shí)進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其包含在第一面設(shè)有第一外部電極、在第二面設(shè)有第二和第三外部電極的柔性電路板；多個(gè)存儲(chǔ)器件和無(wú)源部件；在一方的面上設(shè)有槽的支承體；以及運(yùn)算處理器。存儲(chǔ)器件和無(wú)源部件連接于第一外部電極上，支承體的一方的面粘接于柔性電路板的第一面上，使得槽收納存儲(chǔ)器件和無(wú)源部件，柔性電路板沿著支承體的周圍被折彎，并包裹支承體的側(cè)面和另一方的面。在柔性電路板的與第一外部電極相對(duì)的第二面上設(shè)有第二外部電極，并且，在被折彎至支承體的另一方的面的第二面上設(shè)有第三外部電極，運(yùn)算處理器與第二外部電極連接，在第三外部電極上形成有釬料凸點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L25/065GK101960591SQ200980107119
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日
發(fā)明者增田靜昭, 山崎隆雄, 渡邊真司, 鈴木克彥 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社;Nec愛克賽斯科技株式會(huì)社