專利名稱：光電子半導(dǎo)體本體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電子半導(dǎo)體本體以及一種用于制造光電子半導(dǎo)體本體的方法。光電子半導(dǎo)體本體用于許多不同的照明應(yīng)用中。尤其是當(dāng)在小的空間上需要高的 光產(chǎn)出時，光電子半導(dǎo)體本體是適合的。應(yīng)用光電子半導(dǎo)體本體的例子在投影應(yīng)用并且也 在汽車領(lǐng)域中能找到，在那里尤其是應(yīng)用在前燈中。然而仍然需要提出光電子半導(dǎo)體本體，該半導(dǎo)體本體相對于傳統(tǒng)的照明裝置具有 在同時較低的復(fù)雜性的情況下的改進的效率。該任務(wù)通過根據(jù)獨立權(quán)利要求的光電子半導(dǎo)體本體及其制造方法來解決。本發(fā)明 的改進方案和擴展方案分別是從屬權(quán)利要求的主題，它們的公開內(nèi)容明確地結(jié)合到說明書 中。根據(jù)所提出的原理，在一個實施形式中光電子半導(dǎo)體本體包括基本上平面地設(shè)置 的半導(dǎo)體層序列以及適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層，其中該半導(dǎo)體層序列帶有第一主側(cè)和第
二主側(cè)。有源層在此可以是pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱(SQW，single quantum well)或 者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW，multi quantum well)用于產(chǎn)生輻射。術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)在此并未說明 關(guān)于量子化維度方面的意義。其通常尤其是包括量子槽、量子線和量子點以及這些結(jié)構(gòu)的 任意組合。對于多量子阱結(jié)構(gòu)的例子在出版物WO 01/39282,US 5, 831, 277,US 6，172，382 和US 5，684，309中進行了描述，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。在擴展方案中，第一主側(cè)設(shè)置用于發(fā)射電磁輻射。此外，至少半導(dǎo)體層序列的有源 層通過穿過有源層的溝被分成至少兩個彼此電絕緣的有源部分層。換言之，溝將半導(dǎo)體層 序列的有源層分開，由此構(gòu)建半導(dǎo)體層序列中的彼此電絕緣的有源部分層。此外，光電子半導(dǎo)體本體分別包括設(shè)置在第二主側(cè)上的第一連接層和第二連接 層，用于接觸有源部分層。在此，術(shù)語“設(shè)置在第二主側(cè)上的連接層”表示第一連接層或第 二連接層的至少一部分在從前側(cè)到后側(cè)的方向上跟隨在半導(dǎo)體層序列之后。然而在此并不 必要的是，第一連接層或第二連接層直接施加在半導(dǎo)體層序列的第二主側(cè)上。第一連接層 和第二連接層也不必完全覆蓋半導(dǎo)體層序列的第二主側(cè)。更確切地說，第一連接層和第二 連接層至少部分地設(shè)置第二主側(cè)上用于接觸有源部分層。其因此與半導(dǎo)體層序列的第一主 側(cè)相比更靠近第二主側(cè)。根據(jù)本發(fā)明，分別接觸至少兩個電絕緣的有源部分層的第一連接層和第二連接層 地彼此導(dǎo)電連接，使得有源部分層形成串聯(lián)連接。換言之，有源部分層的兩個連接層彼此連接，使得有源部分層形成串聯(lián)連接。因此，光電子半導(dǎo)體本體劃分成部分區(qū)域，這些部分區(qū)域在形成串聯(lián)連接的情況 下通過不同的連接層彼此電連接。由此實現(xiàn)的是，光電子半導(dǎo)體本體在工作中具有明顯更 低的電流。更確切地說，現(xiàn)在更多地將單個的有源部分區(qū)域彼此連接成串聯(lián)連接。光電子 半導(dǎo)體本體因此可以以電壓驅(qū)動的方式在同時低的電流的情況下來饋電。由此例如可以通 過相應(yīng)的高電壓源替代昂貴的驅(qū)動級以及大電流源，該高電壓源更容易制造。通過劃分成 部分區(qū)域，因此可以以與劃分相關(guān)地可選擇的不同的電壓來驅(qū)動該光電子半導(dǎo)體本體。
合乎目的，半導(dǎo)體本體單片地構(gòu)建，即其僅僅包括一個本體，所有線路平面以及有 源層集成在該本體中，并且在制造期間相繼地實施。這允許在整個晶片上的大面積的制造， 包括在共同的襯底上構(gòu)建有源層和線路平面。在一個擴展方案中，半導(dǎo)體本體是薄膜發(fā)光二極管芯片，尤其是半導(dǎo)體本體在其 背側(cè)上具有支承襯底。在一個擴展方案中，第一連接層和第二連接層至少局部地設(shè)置在半 導(dǎo)體層序列和支承襯底之間。薄膜發(fā)光二極管芯片的特征在于如下特征的至少一個-在產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體層序列(該半導(dǎo)體層序列尤其是產(chǎn)生輻射的外延層序列) 的朝著支承元件、尤其是朝著支承襯底的主面上，施加或者構(gòu)建有反射層，其將半導(dǎo)體層序 列中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分反射回半導(dǎo)體層序列中；-薄膜發(fā)光二極管芯片具有支承元件，其中該支承元件并不是其上外延地生長有 半導(dǎo)體層序列的生長襯底，而是事后固定在半導(dǎo)體層序列上的單獨的支承元件；-半導(dǎo)體層序列具有在20μ m或者更小的范圍中的、尤其是在10 μ m或者更小的范 圍中的厚度；-半導(dǎo)體層序列沒有生長襯底。在此，“沒有生長襯底”表示可能用于生長的生長 襯底被從半導(dǎo)體層序列去除或者至少被強烈地薄化。尤其是，其被薄化為使得其本身或者 與外延層序列一起單獨并非自由支承的。強烈薄化的生長襯底的所保留的剩余物尤其是不 適于生長襯底的功能；以及-半導(dǎo)體層序列包含至少一個半導(dǎo)體層，其帶有至少一個如下的面該面具有混 勻結(jié)構(gòu)，該混勻結(jié)構(gòu)在理想情況下導(dǎo)致光在半導(dǎo)體層序列中的近似各態(tài)歷經(jīng)的分布，也就 是說，其具有盡可能各態(tài)歷經(jīng)的隨機散射特性。薄膜發(fā)光二極管芯片的基本原理例如在I. Schnitzer等人于1993年10月18日 所著的出版物Appl. Phys. Lett. 63(16)，第2174-2176頁中進行了描述，其公開內(nèi)容通過引 用結(jié)合于此。對于薄膜發(fā)光二極管芯片的例子在出版物EP 0905797 A2和WO 02/13281 Al 中進行了描述，其公開內(nèi)容同樣通過引用結(jié)合于此。薄膜發(fā)光二極管芯片良好地近似于朗伯特表面輻射器并且因此例如良好地適于 應(yīng)用在前燈、例如車輛前燈中。在另一擴展方案中，溝基本上垂直于半導(dǎo)體層序列的有源層延伸。溝可以完全穿 過半導(dǎo)體層序列的有源層延伸。所述溝可以填充以電絕緣的材料并且在數(shù)微米厚度的范圍中。優(yōu)選地，其至少穿 過有源層的、其中載流子進行復(fù)合并且由此產(chǎn)生電磁輻射的區(qū)域?？商孢x地，溝可以垂直地 通過半導(dǎo)體層序列的大的區(qū)域延伸，并且由此半導(dǎo)體層序列劃分成分別具有有源部分層的 部分區(qū)域。由此，使在各個部分區(qū)域或者有源部分層之間的漏電流降低。例如，溝也可以垂 直地分開兩個連接層的至少之一。在一個擴展方案中，用于接觸至少兩個有源部分層的第一有源部分層的第一連接 層與用于接觸至少兩個部分層的第二部分層的第二連接層導(dǎo)電連接。換言之，因此第一有 源部分層的η摻雜的區(qū)域通過連接層與第二有源部分層的ρ摻雜的區(qū)域?qū)щ娺B接。由此形 成了由兩個有源部分層構(gòu)成的串聯(lián)連接。為了接觸有源部分層在一個擴展方案中設(shè)計的是，第二連接層的第二部分區(qū)域從 第二主側(cè)穿過有源部分層的穿通部朝著第一主側(cè)延伸。因此，穿過有源部分層構(gòu)建有穿通部，有源部分層的朝著第一主側(cè)的區(qū)域可以借助穿通部接觸。有利地，半導(dǎo)體層序列和光電子器件的發(fā)射光的第一主側(cè)沒有電接觸部位。以此 方式降低了由有源部分層在工作中發(fā)射的電磁輻射的一部分被電接觸部位遮擋或者吸收 的風(fēng)險。在本發(fā)明的一個擴展方案中，因此第一電連接層和第二連接層分別包括部分區(qū)域， 其與在半導(dǎo)體本體的背離第一主側(cè)的側(cè)上的接觸部位連接?？商孢x地，在本發(fā)明的一個擴 展方案中，在半導(dǎo)體本體的第一主側(cè)上的接觸面構(gòu)建在發(fā)射輻射的區(qū)域旁邊。該發(fā)射輻射 的區(qū)域與第一連接層和/或第二連接層導(dǎo)電耦合。優(yōu)選地，第一電連接層或第二電連接層可以構(gòu)建有導(dǎo)電的鏡層，使得將朝著第二 主側(cè)方向的電磁輻射朝著第一主側(cè)方向反射。在另一擴展方案中，在半導(dǎo)體層序列和/或 第二電連接層之間至少局部地設(shè)置有鏡層。該鏡層可以是半導(dǎo)電的或也可以是電絕緣的。 在后一情況下，其可以具有多個開口，第一電連接層和/或第二電連接層通過所述開口接 觸半導(dǎo)體層序列和有源部分層。同樣，在半導(dǎo)體層序列和第一連接層之間可以設(shè)置有橫向 的電流分布層，以便改進電流耦合輸入。電流擴展層可以包括導(dǎo)電的氧化物，然而也可以具 有鏡層并且因此用作反射層?？商孢x地，半導(dǎo)體層序列的有源層可以包括彼此堆疊的有源部分層。例如，有源層 可以包含雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)。此外，有源層的部分區(qū)域可以被不同地?fù)诫s，使得 在復(fù)合時發(fā)射不同波長的電磁輻射。例如，在不同的部分區(qū)域中的有源部分層可以不同地 摻雜，使得不同波長的電磁輻射被發(fā)射到各個部分區(qū)域中。為了改進發(fā)射可以將層序列的第一主面結(jié)構(gòu)化。同樣可能的是，將轉(zhuǎn)換材料施加 到第一主側(cè)上，以便將所發(fā)射的電磁輻射轉(zhuǎn)換成不同波長的第二輻射。在相應(yīng)合適的轉(zhuǎn)換 材料以及對于有源層的確定的材料系的情況下，由此可以產(chǎn)生例如用于前燈或投影系統(tǒng)的 白光。在一個擴展方案中，根據(jù)本發(fā)明的光電子半導(dǎo)體本體通過將半導(dǎo)體層序列外延生 長在生長襯底上來產(chǎn)生。在此，在形成適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層的情況下生長半導(dǎo)體層 序列。此外，第一電連接層施加在半導(dǎo)體層序列的背離第一主側(cè)的側(cè)上用于接觸有源層，以 及施加分離層和第二電連接層，其中第一電連接層、分離層和第二電連接層至少部分橫向 交疊地構(gòu)建。此外，該方法包括至少在半導(dǎo)體層序列的有源層中構(gòu)建電絕緣的溝來將半導(dǎo)體層 序列并且尤其是有源層劃分成至少兩個有源部分層的步驟。借助該步驟，因此將半導(dǎo)體層 序列劃分成分別帶有有源部分層的部分區(qū)域。這些有源部分區(qū)域通過第一連接層和第二連 接接觸，使得第二有源部分層形成串聯(lián)連接。合乎目的地，在施加第一電連接層之后進行電絕緣的溝的構(gòu)建，由此第一電連接 層同樣被劃分。在進一步的過程中，于是第一部分區(qū)域的第一電連接層或者接觸第一有源 部分層地與第二部分區(qū)域的第二電連接層導(dǎo)電耦合或者接觸第二有源部分層地導(dǎo)電耦合。 由此將兩個有源部分層彼此串聯(lián)地連接。在該方法的一個擴展方案中，在有源層中構(gòu)建穿通部以及在穿通部中構(gòu)建第二電 連接層的部分區(qū)域，其中第二電連接層借助分離層與第一電連接層電絕緣。第二電連接層 通過部分區(qū)域接觸有源層并且尤其是有源部分層。對此，在每個通過溝形成的半導(dǎo)體層序 列的部分區(qū)域或有源部分層中，可以在相應(yīng)的有源部分層中設(shè)置有穿通部。
電絕緣的溝和穿通部對此可以通過對有源層共同執(zhí)行刻蝕來產(chǎn)生。在另一擴展方案中，第一電連接層反射地構(gòu)建，使得在有源層中產(chǎn)生的、朝著第一 電連接層的與第一主側(cè)背離的側(cè)的方向發(fā)射的電磁輻射被朝著第一主側(cè)的方向反射。在一個改進方案中，在分離層中添加穿通部并且穿通部填充以如下材料該材料 將接觸第一有源部分層的第一連接層與接觸第二有源部分層的第二連接層導(dǎo)電連接。以此 方式，在通過溝分離的有源部分層之間建立連接。這于是例如可以進一步連接成串聯(lián)連接 和/或并聯(lián)連接。在另一擴展方案中，接觸板構(gòu)建在背離第一主側(cè)的側(cè)上，這些接觸板分別接觸第 一連接層和第二連接層地將各個有源部分層電連接。因此，通過各個接觸板可以對每個有 源部分層單獨地施加電流。這能夠?qū)崿F(xiàn)可選地激勵半導(dǎo)體層序列的各個部分區(qū)域。在外部 電子裝置中，因此半導(dǎo)體層序列的有源部分層可以在部分區(qū)域中根據(jù)所希望的應(yīng)用情況串 聯(lián)或者并聯(lián)地連接。在該方法的另一擴展方案中，在生長半導(dǎo)體層序列之后，去除生長襯底的至少一 部分。該去除可以在施加各個連接層之前或者之后進行。例如，其可以尤其是在劃分成各 個部分區(qū)域并且接著接觸各個部分區(qū)域之后進行。生長襯底可以被劈開，例如借助激光剝 離方法。在一個擴展方案中，在去除生長襯底之前可以在半導(dǎo)體本體的背側(cè)上設(shè)置支承襯 底。該支承襯底可以是單獨的支承元件，使得例如借助焊接層或者粘合材料層與半導(dǎo)體層 序列連接。此外，支承襯底可以是第一連接層和/或第二連接層的一部分。在另一擴展方 案中，在半導(dǎo)體層序列的背側(cè)上局部地實施半導(dǎo)電的或者電絕緣的鏡層。在該實施例中，可 以在鏡層中設(shè)置有開口，有源層可以通過開口與第一連接層和/或第二連接層電連接。由 此，第一電連接層和/或第二連接層分別包含穿過鏡層的開口延伸的部分區(qū)域。以下將參照附圖
借助不同的擴展方案來詳細(xì)地闡述本發(fā)明。其中圖IA至IG示出了根據(jù)所提出的原理制造光電子半導(dǎo)體本體的方法的實施例，圖2示出了根據(jù)另一實施形式的光電子半導(dǎo)體本體的截面圖，圖3示出了根據(jù)第三實施形式的光電子半導(dǎo)體本體的截面圖，圖4A、4B示出了根據(jù)一個實施形式的示意性截面圖，圖4C、4D示出了在圖4A、B中的實施形式的等效電路圖。圖4E、4F示出了對應(yīng)于圖4A至4D的截面圖和等效電路圖的、劃分成四個部分區(qū) 域的光電子半導(dǎo)體本體的俯視圖，圖5A、5B示出了具有通過有源層的穿通部的擴展方案的光電子半導(dǎo)體本體的俯 視圖。在這些實施例中，所示的元件的大小關(guān)系基本上不應(yīng)視為合乎比例的。更確切地 說，各個元件例如層例如為更好的理解和/或更好的可示性而夸大地或者夸厚地示出。圖IA至IG示出了根據(jù)所提出的原理的用于制造單片光電子半導(dǎo)體本體的方法的 一個實施例。表述“單片地”理解為一種制造，其中各個層并非彼此分離地制造。更確切地說， 將層沉積或者構(gòu)建在前面的工藝步驟中制造的層上，而與這些層滿足何種功能無關(guān)。由此
7在相繼的步驟中根據(jù)所提出的原理制造半導(dǎo)體本體。示出的是在方法的不同階段中的示意性截面圖以及俯視圖。特別是，為了表明通 過連接層產(chǎn)生的串聯(lián)連接分別示出了通過實線或者虛線表示的兩個截面圖。在該方法中首先在生長襯底10上外延地生長半導(dǎo)體層序列20。半導(dǎo)體層序列20基于半導(dǎo)體材料系，其根據(jù)應(yīng)用可以不同地?fù)诫s。例如，可以使 用所謂的III/V化合物半導(dǎo)體或者II/VI化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體層序列2在此具有在5微 米到7微米之間的厚度。III/V化合物半導(dǎo)體材料具有來自第三主族的至少一種元素，例如Al、Ga、In，和 來自第五主族的至少一種元素，例如B、N、P、As。尤其是，術(shù)語“III/V化合物半導(dǎo)體材料”包 括二元、三元或四元化合物的族，其包含來自第三主族的至少一種元素和來自第五主族的 至少一種元素，尤其是氮化物化合物半導(dǎo)體和磷化物化合物半導(dǎo)體。這種二元、三元或者四 元化合物例如還可以具有一種或多種摻雜材料以及附加的組成部分。例如氮化物-πι-化 合物半導(dǎo)體材料和磷化物-III-化合物半導(dǎo)體材料例如GaN、GaAs和InGaAlP屬于III/V 化合物半導(dǎo)體材料。同樣，AlGaN/GaN材料系屬于上述化合物半導(dǎo)體。相應(yīng)地，II/VI化合物半導(dǎo)體材料具有來自第二主族的至少一種元素，例如Be、 Mg、Ca、Sr和來自第六主族的至少一種元素譬如0、S、Se。尤其是，術(shù)語“ II/VI化合物半導(dǎo) 體材料”包括二元、三元或四元化合物，其包含來自第二主族的至少一種元素和來自第六主 族的至少一種元素。這種二元、三元或者四元化合物例如還可以具有一種或多種摻雜材料 以及附加的組成部分。例如ZnO、ZnMgO、CdS、CnCdS、MgBeO屬于II/VI化合物半導(dǎo)體材料。根據(jù)所希望的波長或者所希望的波長譜，可以提供上述化合物中的一種或者多種 作為用于光電子器件的材料系。所示的半導(dǎo)體層序列20具有η摻雜的第一層21，其與例如由藍(lán)寶石構(gòu)成的生長襯 底10相鄰地生長。而根據(jù)所希望的應(yīng)用，均勻地在層21中的摻雜也可以具有漸進的差別。 隨后接著是P摻雜的層23，其因此設(shè)置在半導(dǎo)體層序列20的背離生長襯底10的側(cè)上。通 過兩個層21和23的不同摻雜，在其間形成有源區(qū)22。有源區(qū)22的厚度與兩個生長的層 21和23的摻雜有關(guān)。在該裝置的稍后的工作中，注入到層21和23中的載流子在ρη結(jié)22 中復(fù)合，并且在此與所使用的半導(dǎo)體系統(tǒng)的帶隙有關(guān)地發(fā)射電磁輻射。因此在層序列21和 23中也提及了有源層。有源層在此均勻地設(shè)置在光電子半導(dǎo)體本體上。在一個可替選的擴展方案中，半導(dǎo)體層序列2構(gòu)建ηρη層序列，其中ρ摻雜的層23 的背離η摻雜的層21的側(cè)上構(gòu)建另一 η摻雜的層。在另一擴展方案中，ρ摻雜的層23與 生長襯底10相鄰，并且η摻雜的層21與生長襯底10背離。在另一變形方案中，在生長半導(dǎo)體層序列20之前將附加的緩沖層施加到生長襯 底10(藍(lán)寶石)上。這允許將稍后要生長的層序列的晶格常數(shù)與生長襯底10匹配，使得降 低層序列中的應(yīng)力并且減少可能的缺陷部位。附加地，該緩沖層可以未摻雜或者弱η摻雜， 例如濃度在2 X IO17原子/cm3或更小。這種緩沖層盡管并不適合被半導(dǎo)體本體的工作電流 流經(jīng)，然而這在制成的半導(dǎo)體本體的情況下降低了由于靜電放電引起的損傷或者損毀的危 險。在該方法的擴展方案中，在結(jié)束制造半導(dǎo)體層序列20之后將導(dǎo)電的接觸層30施 加到半導(dǎo)體層序列的P摻雜的層23上。此外，導(dǎo)電層30可以是反射性的，使得稍后的工作中發(fā)射的朝著導(dǎo)電層30的方向的電磁輻射被其反射并且朝著所希望的方向射出。導(dǎo)電的 材料例如可以包括銀或者包括其他反射性的金屬。接著，借助光掩膜結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層30并且于是例如形成圓形的規(guī)則設(shè)置的接觸開 口 32。這在半導(dǎo)體本體1的俯視圖中可以在中部的視圖中看到。此外，溝31刻蝕到導(dǎo)電層 30中，使得導(dǎo)電層如在此所示地劃分成四個部分區(qū)域。這些部分區(qū)域?qū)?yīng)于稍后的光電子 半導(dǎo)體本體成四個部分區(qū)域的劃分。為了清楚起見，在兩個截面圖中，光電子半導(dǎo)體本體的 右邊的部分區(qū)域用R表示，而半導(dǎo)體本體的左邊的部分區(qū)域用L表示。接著，根據(jù)圖IB在半導(dǎo)體層序列中構(gòu)建多個穿通部用于接觸層21。這例如通過對 半導(dǎo)體層序列的合適的刻蝕來進行，其中施加到其上的結(jié)構(gòu)化的金屬化物可以用作刻蝕掩 膜。各個穿通部41穿過半導(dǎo)體層序列2的pn結(jié)22并且因此接觸η摻雜的層21。此外，也 刻蝕金屬層的溝31的區(qū)域，使得在半導(dǎo)體層序列中構(gòu)建同樣穿過有源層延伸的溝42。此外通過合適的措施可能的是，用于接觸半導(dǎo)體層21的穿通部在一定的深度停 止，而溝42達到明顯更大的深度。例如，在達到穿通部41的第一深度時停止刻蝕過程，隨 后將這些穿通部借助光掩膜覆蓋并且將溝42進一步刻蝕直至最終深度。自然，溝和穿通部 也可以首先具有相同的深度。借助新構(gòu)建的溝42將光電子半導(dǎo)體本體劃分成多個部分區(qū) 域，其中有源層22相應(yīng)地分離成有源部分層。此外，通過在光電子半導(dǎo)體本體的不同的部 分區(qū)域中產(chǎn)生多個穿通部41，實現(xiàn)了 η摻雜的層21中的均勻的橫向電流分布。在用于產(chǎn)生溝42和穿通部41的不同刻蝕方法結(jié)束之后，施加不導(dǎo)電層40，其填充 溝42以及穿通部41。絕緣的層例如可以透明地構(gòu)建，使得如在圖IB中以俯視圖所示的那 樣還可以看到各個溝42以及穿通部32。在接下來的步驟中，根據(jù)圖IC借助光掩膜去除在導(dǎo)電層30的區(qū)域中以及在光電 子半導(dǎo)體本體的右側(cè)外部部分中的絕緣層。而在穿通部41以及溝42的區(qū)域中，保留絕緣 材料，使得形成相應(yīng)的柱41a、42a。同樣地，在光電子半導(dǎo)體本體的右邊區(qū)域中，半導(dǎo)體層序 列20的第二層23露出。這稍后用于接觸半導(dǎo)體層序列以驅(qū)動半導(dǎo)體本體。在俯視圖中現(xiàn) 在可以看到在溝42的區(qū)域中的露出的接片42a以及在穿通部41的區(qū)域中的柱41a。在去除溝42和穿通部41之外的絕緣材料之后，如在圖ID中所示施加并且結(jié)構(gòu)化 另外的導(dǎo)電接觸層50，使得在穿通部41以及溝42的區(qū)域中在該另外的導(dǎo)電接觸層中形成 開口 50a。同樣，在光電子半導(dǎo)體本體的右邊區(qū)域中相應(yīng)地將導(dǎo)電材料51施加到半導(dǎo)體層 序列20的第二層23上。層50的材料稍后形成用于接觸部分層的兩個連接層。相應(yīng)地，如在截面圖中可以從截面1和截面2看到的那樣，金屬接觸部50安置在 溝42以及穿通部41的區(qū)域中。這在圖ID中的俯視圖中可清楚看到。圖ID的光電子半導(dǎo) 體本體的右下部的部分區(qū)域稍后形成第一接觸板，而在區(qū)域51中沉積的材料是第二接觸 板。在到目前為止的方法步驟中施加的導(dǎo)電層30和50例如可以被氣相淀積并且具有 不同的厚度。于是，層30尤其可以比導(dǎo)電層50更薄地構(gòu)建。此外，導(dǎo)電層30也可以作為 電流擴展層而適于將稍后要說明的載流子盡可能好地橫向分布。兩個層可以具有相同以及 不同的材料。根據(jù)圖IE現(xiàn)在將絕緣層45施加到導(dǎo)電的材料50和51上。在區(qū)域51中又去除 該絕緣層。優(yōu)選地，作為絕緣層使用相同的材料，其也填充穿通部40和溝42。接著，借助光掩膜將穿通部41中的絕緣材料45刻蝕并且部分去除。然而在穿通部41的壁上還保留有 絕緣材料?？涛g過程可以各向異性地進行并且在溝的中部去除絕緣材料直至穿通部41的 底部。穿通部中的繼續(xù)絕緣的側(cè)壁防止了在接下來的步驟中所引入的材料60造成與半導(dǎo) 體層序列2的各個層的短路。因此，在穿通部中在穿通部的表面的一部分上構(gòu)建有分離層。至少局部地在金屬 層30、接觸層50以及層序列20的層23的區(qū)域中，該分離層覆蓋環(huán)繞的側(cè)壁或者穿通部42 的側(cè)壁。此外，分離層45覆蓋接觸層50并完全填充溝42。接著，穿通部41以材料60填滿，使得得到用于半導(dǎo)體層序列20的第一層21的接 觸元件46。根據(jù)在圖IE中的截面圖(截面1)，接觸區(qū)域63完全以導(dǎo)電材料60填充，使得 其形成通過接觸元件46a與第一層21的電接觸。此外，在光電子半導(dǎo)體本體的右邊的部分 區(qū)域和左邊的部分區(qū)域之間在溝42的區(qū)域中的層60被分離。在光電子半導(dǎo)體本體的俯視圖中示出了另外的開口 48。這如截面圖(截面2)中 通過孔形成，孔實施在鈍化層45中并且達到接觸層50。圖IF示出了在另外的制造步驟之后的結(jié)構(gòu)。鈍化層施加到層60上，該層將區(qū)域 63與每個部分區(qū)域的溝42接觸。鈍化層由與層45相同的材料構(gòu)成，其中孔48還被留空。 它們在后續(xù)的步驟中如從截面2的視圖中可看到的那樣以導(dǎo)電材料54填滿。此外，材料層 55沉積在鈍化層的表面上，其中在材料的與端子63連接的部分區(qū)域56和區(qū)域55的材料之 間沒有形成電接觸。這例如可以通過將材料平面地施加到孔中以及施加到鈍化層45的表 面上并且隨后結(jié)構(gòu)化來實現(xiàn)。部分區(qū)域56的層導(dǎo)電地與層60連接，該層接觸穿通部46。該層因此形成用于接 觸層序列20的層21的連接層。相應(yīng)地，右邊的部分區(qū)域R的層50形成第二連接層用于通 過半導(dǎo)體層序列20的中間層30來接觸。右邊的部分區(qū)域R的第二連接層50通過元件54 與光電子半導(dǎo)體本體的左邊的部分區(qū)域L中的層55連接。層55又導(dǎo)電地與左邊的部分區(qū) 域L的層60接觸，該層接觸在光電子半導(dǎo)體本體的左邊的部分區(qū)域L中的穿通部46。相應(yīng)地，左邊的部分區(qū)域L的層55和60形成左邊的部分區(qū)域的第一連接層，用于 接觸在光電子半導(dǎo)體本體中的有源部分層。由此形成了，在所示的串聯(lián)連接中，光電子半導(dǎo) 體本體的部分區(qū)域的第二連接層與光電子半導(dǎo)體本體的第二部分區(qū)域的第一連接層以形 成串聯(lián)連接的形式連接。在根據(jù)圖IG的后續(xù)的方法步驟中，隨后在半導(dǎo)體層序列2的與生長襯底10背離 的背側(cè)上借助焊接層或者粘合材料層固定替代支承體80。該替代支承體對此例如可以由氮 化鋁或者其他材料構(gòu)成。尤其是絕緣的替代支承體襯底80、例如玻璃支承襯底適合于此。在隨后的方法步驟中，生長襯底10被薄化并且接著完全被去除。這例如可以借助 原理上對于本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的激光剝離方法來進行。對此，生長襯底10或者半導(dǎo)體層 序列20可以具有附加的犧牲層，其在用激光照射時分解。由此，生長襯底10爆裂。接著，半導(dǎo)體層序列20的背離替代支承體80的側(cè)被補充耦合輸出結(jié)構(gòu)25。此外， 在溝42的區(qū)域中，半導(dǎo)體層序列被從上側(cè)去除，使得形成溝狀的縫隙49。該縫隙現(xiàn)在將光 電子半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列的部分區(qū)域完全分離，使得避免了漏電流。縫隙49又可以 以絕緣材料例如SiO2填充。此外，在連接接觸部63的區(qū)域中，半導(dǎo)體層序列被去除，使得材料的表面露出。該區(qū)域形成第一接觸板63'用于進行接觸。在半導(dǎo)體本體的其中半導(dǎo)體層序列的材料同樣被 去除的另外的區(qū)域中，同樣構(gòu)建第二接觸板63"用于接觸。通過光電子半導(dǎo)體本體的四個 部分區(qū)域的串聯(lián)連接，可以通過接觸板63'和63"來為所有四個部分區(qū)域供給工作所需 的電流。圖IG中所示的光電子半導(dǎo)體本體對此設(shè)計為將在四個部分區(qū)域中在工作中產(chǎn)生 的電磁輻射朝著半導(dǎo)體層序列的結(jié)構(gòu)化的側(cè)的方向發(fā)射。在pn結(jié)22的區(qū)域中朝著替代支 承體80的方向輻射出的電磁輻射在導(dǎo)電的中間層上朝著層序列20的結(jié)構(gòu)化的側(cè)的方向反 射。通過劃分為四個部分區(qū)域，降低了光電子半導(dǎo)體本體的工作所需要的電流，然而對此由 于串聯(lián)連接而提高了對于工作所需的電壓。在該實施例中，光電子器件劃分成四個部分區(qū) 域，由此將使用電壓提高了四倍并且同時將電流消耗降低了相應(yīng)倍數(shù)。在基于InGaN的材 料系的情況下，在該擴展方案中，可以實現(xiàn)具有12伏的工作電壓的發(fā)光器件。就此而言，圖4F至4F示出了根據(jù)所提出的原理的一個實施形式的示意圖。圖4A 示出了沿著圖4E中所示的方向通過光電子半導(dǎo)體本體的截面圖。分別在邊緣區(qū)域中通過 接觸元件410或411來進行接觸。接觸元件410與穿通部446導(dǎo)電連接，穿通部接觸半導(dǎo) 體層序列20的層21。在兩個不同摻雜的層21和23之間形成pn結(jié)22，在工作中所注入的 載流子在該pn結(jié)中復(fù)合并且發(fā)射電磁輻射。此外，橫向電流分布層450設(shè)置到層23上，該 電流分布層由與該電子半導(dǎo)體本體的第二部分區(qū)域的接觸層411相同的材料構(gòu)成。第二連接層460接觸光電子半導(dǎo)體本體的右邊的部分區(qū)域的電流分布層450并且 形成用于在光電子半導(dǎo)體本體的左邊的部分區(qū)域中的半導(dǎo)體層序列的層21'的穿通接觸。 相應(yīng)地，第二連接層410與半導(dǎo)體層序列20'的第二層23'連接。在光電子半導(dǎo)體本體的左邊和右邊的部分區(qū)域之間如在截面圖4A以及在圖4E的 俯視圖中所示的那樣設(shè)置有絕緣的溝。由此，部分區(qū)域彼此電分離。在根據(jù)圖4C的等效電 路圖中，因此兩個二極管分別串聯(lián)連接。二極管作用在此由所示的半導(dǎo)體層序列20或20' Wpn結(jié)得到。圖4B示出了一個可替選的擴展方案，其中代替單pn結(jié)設(shè)置有多個pn結(jié)。這些結(jié) 如兩個相繼連接的二極管那樣起作用，如從根據(jù)圖4D的等效電路得到的那樣。根據(jù)圖4B的截面的示出沿著如在圖4F中所示的軸線I地進行。在該實施例中，光 電子半導(dǎo)體本體劃分成四個部分區(qū)域，它們分別由溝442絕緣地分離。不同的連接層410、 411,460和450分別接觸不同的部分區(qū)域的半導(dǎo)體層序列和位于其中的pn結(jié)。連接層410、 411、450至470在此構(gòu)建為使得它們將四個部分區(qū)域如在根據(jù)圖4D的等效電路圖中所說明 的那樣連接。由此在根據(jù)所提出的原理的光電子半導(dǎo)體本體的情況下實現(xiàn)了由四個每兩個相 繼連接的二極管構(gòu)成的串聯(lián)連接。在該裝置工作時因此需要更高的工作電壓。通過由在外 延層中的串聯(lián)連接構(gòu)成的靈巧組合，可以使用昂貴的驅(qū)動級和大電流源，因為現(xiàn)在在光電 子半導(dǎo)體本體的低的電流的情況下以電壓驅(qū)動的方式來饋送功率。此外，通過避免吸收的 接觸部，形成了優(yōu)化的面利用，因為所有產(chǎn)生光的組成部分可以以節(jié)約電流的方式實現(xiàn)在 各個半導(dǎo)體本體上。此外，芯片的串聯(lián)連接也可以僅僅借助頂部接觸部和導(dǎo)電的支承體來 實施。這種例子在圖2中示出。
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根據(jù)所提出的原理的器件實施為單片的半導(dǎo)體本體，即各個層相繼地施加并且并 不在各分離的工藝中制造并且接著彼此連接。由此改進了精度并且也提高了穩(wěn)定性。與前面的實施例不同，在根據(jù)圖2的實施例中，穿通部203通過有源區(qū)200實施為 在半導(dǎo)體層序列的整個厚度上延伸的穿通部。穿通部203于是在此從在上側(cè)上的第一主面 向下延伸至半導(dǎo)體層序列的第二主面202。其形成了在半導(dǎo)體層序列200中的孔。在半導(dǎo)體層序列200的結(jié)構(gòu)化的上側(cè)225上施加有另一電流擴展層209。該另一 電流擴展層是除了設(shè)置在半導(dǎo)體層序列的背側(cè)上的電流擴展層209之外還設(shè)置的。兩個電 流擴展層用于保證盡可能良好的橫向電流分布和電流至半導(dǎo)體層序列的耦合輸入。由此， 提高了器件的效率而另一方面避免了由于在半導(dǎo)體層序列中的過大的電流引起的局部加 熱。對此，電流擴展層具有盡可能小的面電阻。此夕卜，電流擴展層209'可以附加地作為透明材料例如以透明導(dǎo)電氧化物如ITO 的形式實施。在背離發(fā)射方向的側(cè)上的電流擴展層209優(yōu)選可以反射性地實施，然而也可 以透明地實施。在后一情況下，如所示的那樣，光電子半導(dǎo)體本體具有附加的鏡層210。如 果在鏡層210和連接層203的材料之間未設(shè)置附加的絕緣的鈍化層，則該鏡層優(yōu)選不導(dǎo)電 地實施。在一個實施形式中，鏡層210可以包括與分離層205相同的材料。由此，即使在平 行于半導(dǎo)體層序列的有源層發(fā)射時，也通過在側(cè)壁上的反射改進了反射特性。為了接觸，電流擴展層通過輸送穿通部210a與電連接層204連接。該連接層通過 電中間層208與背面上的接觸元件207耦合。接觸元件207同時也形成了對光電子半導(dǎo)體 本體的替代支承襯底。在根據(jù)圖2的實施例中，僅僅示出了半導(dǎo)體本體的第一部分區(qū)域。半導(dǎo)體本體的 另一部分區(qū)域在左側(cè)接著在此所示的第一部分區(qū)域。該部分區(qū)域?qū)嵤槭沟玫诙B接層 204與半導(dǎo)體層序列200中的未示出的穿通部導(dǎo)電連接。該穿通部接觸第二部分區(qū)域的半 導(dǎo)體層序列200的第一層221并且這樣形成串聯(lián)連接。同時，設(shè)置在左側(cè)的絕緣材料205 和210形成將半導(dǎo)體層序列分離成部分區(qū)域的溝。在到目前為止的實施例中，串聯(lián)連接尤其是通過半導(dǎo)體本體內(nèi)的連接層的相應(yīng)布 置來實現(xiàn)。然而此外也可能的是，在外部構(gòu)建串聯(lián)連接或者布線變形方案的一部分，以便不 僅實現(xiàn)串聯(lián)連接而且實現(xiàn)并聯(lián)連接及其組合。由此，可以根據(jù)應(yīng)用通過相應(yīng)的激勵電子裝 置來改變半導(dǎo)體本體的典型的特征。例如可能的是，在照明前燈的情況下通過相應(yīng)的接入 或斷開半導(dǎo)體本體的各個部分區(qū)域來改變光強度。圖3示出了一個相應(yīng)的實施形式的橫截面圖。在該實施形式中，同樣在背側(cè)設(shè)置 有全部接觸元件。半導(dǎo)體層序列320又包含η摻雜的第一層321，與該第一層相鄰地施加有 P摻雜的層323。在界面上如所示地形成ρη結(jié)322。例如可以使用InGaN/GaN作為層序列的材料系，其發(fā)射譜在可見的藍(lán)色光的范圍 中。通過所設(shè)置的、施加的結(jié)構(gòu)化部325，改進了光電子半導(dǎo)體本體的發(fā)射特征。此外，還可 以設(shè)置轉(zhuǎn)換裝置并且施加到結(jié)構(gòu)化部325的表面上。由此，將所發(fā)射的藍(lán)色光的一部分轉(zhuǎn) 換成其他波長的光，由此可以實現(xiàn)產(chǎn)生白色光。在半導(dǎo)體層序列320的第二層323的背離結(jié)構(gòu)化部325的側(cè)上設(shè)置有導(dǎo)電的、反 射的連接層330。該連接層同時也用作橫向電流擴展層以耦合輸入載流子。層330通過多 個引線元件350接觸，引線元件借助穿通部251連接到設(shè)置在背側(cè)的接觸部390。
此外，設(shè)置有穿通部346，其填充以導(dǎo)電材料361。穿通部從半導(dǎo)體本體的背側(cè)穿 過所有層延伸直至半導(dǎo)體層序列320的層321。其側(cè)壁基本上幾乎完全用絕緣材料364包 圍，以便避免例如與連接層330的短路。此外，接觸部361與在光電子半導(dǎo)體本體的背側(cè)上 的背側(cè)接觸部391以及導(dǎo)電材料層350'連接。材料層350'接觸半導(dǎo)體本體的左邊的部 分區(qū)域的連接層330'。該左邊的部分區(qū)域與右邊的部分區(qū)域通過絕緣溝342完全電分離。 溝342填充以絕緣材料，該絕緣材料也填滿在各個穿通部350'和350之間的間隙。絕緣材 料同時可以用作對替代支承體380的支承襯底。導(dǎo)電層350'與層330' —起形成光電子半導(dǎo)體本體的左邊部分區(qū)域的第一連接 層并且接觸半導(dǎo)體層序列320的層323。相應(yīng)地，在半導(dǎo)體本體的左邊部分區(qū)域中也構(gòu)建 溝361'，其側(cè)壁346a設(shè)置有絕緣材料。溝361'的材料接觸位于背側(cè)的表面上的接觸部 390'。在外部，在背側(cè)上的接觸部390'以及391與開關(guān)Sl耦合，該開關(guān)通向第一端子 Al。接觸部390與第二端子A2耦合。在該裝置的工作中，現(xiàn)在與開關(guān)狀態(tài)Sl有關(guān)地僅僅 為光電子器件的右邊的部分或者光電子器件的兩個部分供給電流。在所示的開關(guān)狀態(tài)中， 在半導(dǎo)體裝置的工作中，電流通過接觸部390和饋電裝置350流入半導(dǎo)體本體的右邊區(qū)域 的半導(dǎo)體層序列中。在那里的Pn結(jié)中載流子復(fù)合并且發(fā)射光。在工作期間，在所示的開關(guān) 狀態(tài)中，半導(dǎo)體本體的左邊的部分區(qū)域被關(guān)斷。 現(xiàn)在如果端子Al與接觸部390 ‘通過開關(guān)Sl耦合，則電路通過在半導(dǎo)體本體的右 邊部分區(qū)域中的溝361'流入在半導(dǎo)體本體的左邊部分區(qū)域中的層350'和330'構(gòu)成的 第一連接層中。由此，兩個半導(dǎo)體層序列和包含于其中的pn結(jié)串聯(lián)連接。與各個連接層及其在相應(yīng)的部分區(qū)域中的接觸的構(gòu)型有關(guān)地可以實現(xiàn)光電子半 導(dǎo)體本體的各個部分區(qū)域的外部并聯(lián)或者串聯(lián)連接。圖5A和5B以示意性俯視圖示出了在制造過程期間對于將光電子半導(dǎo)體本體劃分 成不同的部分區(qū)域的不同的變形方案。此外，示出了穿通部505和由此所露出的有源層506 的材料的不同形式。在相應(yīng)的半導(dǎo)體本體的邊緣區(qū)域中還存在接觸元件507，其稍后形成接 觸板561的一部分。穿通部505在該擴展方案中溝狀地實施并且穿透絕緣層541以及半導(dǎo) 體層序列的第二層和有源區(qū)。此外，半導(dǎo)體本體通過溝542劃分成總共三個部分區(qū)域，其中 中間的部分區(qū)域具有明顯更小的伸展。通過對連接層的相應(yīng)布線以及在外部的外部連接， 可以通過所示的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)串聯(lián)連接和并聯(lián)連接的任意形式。在根據(jù)圖5B的實施形式中，穿通部505以規(guī)則地布置的圓的形式構(gòu)建。它們穿 透絕緣層504和其下的半導(dǎo)體層序列541的第二層和有源區(qū)。在該實施例中，也設(shè)置有溝 542，其將光電子半導(dǎo)體本體分裂成大小不同的部分區(qū)域。在該實施例中，布線設(shè)計為使得 兩個部分區(qū)域1和2之一分別針對自身被供給工作所需的能量或者以串聯(lián)連接的形式與部 分區(qū)域3連接。該布線在此可以根據(jù)所希望的應(yīng)用情況串聯(lián)地或者并聯(lián)地進行。所提出的本發(fā)明，即通過絕緣地劃分成不同的部分區(qū)域來分裂半導(dǎo)體本體并且接 著借助合適地制造連接層將這些部分區(qū)域以串聯(lián)連接或并聯(lián)連接的形式布線，并不局限于 在此所示的實施例。更確切地說，本發(fā)明包括任意可能的布線的組合并且在此尤其是包括 不同的連接層的構(gòu)型。通過在制造半導(dǎo)體層序列之后相應(yīng)地結(jié)構(gòu)化并且產(chǎn)生連接層可以產(chǎn) 生半導(dǎo)體本體的任意布線。
各個半導(dǎo)體本體的制造和稍后的成不同部分區(qū)域的劃分能夠在同時提高光效率 的情況下通過幾何上相近的構(gòu)型來實現(xiàn)成本低廉的制造。通過使用帶有多個pn 結(jié)的LED 結(jié)構(gòu)(所謂連續(xù)的LED(gest印pte LEDs))可以實現(xiàn)串聯(lián)連接和并聯(lián)連接的靈巧組合。尤 其是，可以在外延層中進行布線，其中還可以使用導(dǎo)電的支承材料。
權(quán)利要求
一種光電子半導(dǎo)體本體，包括 基本上平面的半導(dǎo)體層序列，其具有第一主側(cè)和第二主側(cè)，該半導(dǎo)體層序列具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層， 其中第一主側(cè)設(shè)計用于發(fā)射電磁輻射； 至少將半導(dǎo)體層序列的有源層分開的溝，用于將半導(dǎo)體層序列的有源層劃分成電絕緣的至少兩個有源部分層； 分別設(shè)置在第二主側(cè)上的第一連接層和第二連接層，用于接觸有源部分層，其中分別接觸所述至少兩個有源部分層的第一連接層和第二連接層彼此導(dǎo)電地耦合，使得所述至少兩個有源部分層形成串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中用于接觸所述至少兩個有源部分層 的第一有源部分層的第一連接層與用于接觸所述至少兩個有源部分層的第二有源部分層 的第二連接層導(dǎo)電連接。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求1至2之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中第一連接層和第二連 接層以及分離層橫向交疊。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求1至3之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中第一電連接層和/或 第二電連接層將由所述至少兩個有源部分層之一朝著第二主側(cè)方向發(fā)射的電磁輻射的部 分朝著第一主側(cè)的方向反射。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求1至4之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中在半導(dǎo)體層序列和第 一電連接層和/或第二電連接層之間至少局部地設(shè)置有半導(dǎo)電的或者電絕緣的鏡層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中半導(dǎo)電的或者電絕緣的鏡層具有多 個開口，并且第一電連接層和/或第二電連接層通過開口延伸至半導(dǎo)體層序列。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中半導(dǎo)電的或者電絕緣的鏡層覆 蓋半導(dǎo)體層序列的第二主側(cè)的50%或更大。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求1至7之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中半導(dǎo)體層序列具有與 第二主側(cè)相鄰的電流擴展層，尤其是導(dǎo)電氧化物。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求1至8之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中用于接觸層序列的部 分層的第一連接層和第二連接層分別具有接觸區(qū)域，該接觸區(qū)域適于從第二主側(cè)電接觸半 導(dǎo)體本體。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求1至9之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中第一連接層和第二連 接層分別包括部分元件，該部分元件形成設(shè)置在半導(dǎo)體本體外部的引線并且與在半導(dǎo)體本 體的表面上的接觸部連接。
11.一種用于制造光電子半導(dǎo)體本體的方法，包括-在生長襯底上外延地生長半導(dǎo)體層序列，其中半導(dǎo)體層序列具有適于產(chǎn)生電磁輻射 的有源層并且設(shè)計用于從第一主側(cè)發(fā)射電磁輻射；-至少在半導(dǎo)體層序列的有源層中構(gòu)建電絕緣的溝，用于劃分成至少兩個有源部分層；-將第一電連接層施加在半導(dǎo)體層序列的背離第一主側(cè)的側(cè)上，用于接觸有源層；-在半導(dǎo)體層序列的背離第一主側(cè)的側(cè)上構(gòu)建分離層；以及-將第二電連接層施加到半導(dǎo)體層序列的背離第一主側(cè)的側(cè)上，其中“第一電連接層、分離層和第二電連接層至少部分橫向交疊地構(gòu)建，并且 “連接層與至少兩個有源部分層在形成串聯(lián)連接的情況下接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括 -在有源層中構(gòu)建穿通部；-在穿通部中構(gòu)建第二電連接層的部分區(qū)域，其中第二電連接層借助分離層與第一電 連接層電絕緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求11至12之一所述的方法，其中第一電連接層反射性地構(gòu)建。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13之一所述的方法，其中在分離層中添加穿通部，該穿通部將 接觸第一有源部分層的第一連接層與第二連接層導(dǎo)電連接，其中該第二連接層接觸第二有 源部分層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14之一所述的方法，還包括_在背離第一主側(cè)的側(cè)上構(gòu)建第一接觸板，該第一接觸板接觸第一連接層地電接觸第 一有源部分層；以及_在背離第一主側(cè)的側(cè)上構(gòu)建第二接觸板，該第二接觸板接觸第二連接層地電接觸第 二有源部分層。
全文摘要
一種光電子半導(dǎo)體本體，包括基本上平面的半導(dǎo)體層序列(20)，其帶有第一主側(cè)和第二主側(cè)，該半導(dǎo)體層序列具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層(22，22′)。此外，半導(dǎo)體本體還包括至少一個將半導(dǎo)體層序列的有源層分開的溝，用于將半導(dǎo)體層序列的有源層劃分成至少兩個電絕緣的有源部分層(22，22′)。設(shè)置在第二主側(cè)上的第一和第二連接層(410，411，460)用于接觸有源部分層。在此，用于接觸至少兩個有源部分層的第一和第二連接層彼此導(dǎo)電連接，使得有源部分層形成串聯(lián)連接。
文檔編號H01L33/38GK101960602SQ200980107282
公開日2011年1月26日 申請日期2009年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日
發(fā)明者卡爾·恩格爾, 盧茨·赫佩爾, 帕特里克·羅德, 馬丁·斯特拉斯伯格 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司