專利名稱：高頻天線單元及等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種感應(yīng)耦合型高頻天線及使用該高頻天線的基板表面處理裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在真空容器內(nèi)配置高頻天線的內(nèi)置天線方式的等離子處理裝置被開(kāi)發(fā)且 不斷實(shí)用化。在該離子處理裝置中，通過(guò)在高頻天線上流動(dòng)高頻電流而在高頻天線的周邊 形成感應(yīng)電場(chǎng)，從而在真空容器內(nèi)激發(fā)放電等離子。使用此放電等離子，可在被處理物體表 面上形成期望的薄膜，或蝕刻處理被處理物體表面。在內(nèi)置天線方式的等離子處理裝置中，因?yàn)樵诟哳l天線及放電等離子之間形成靜 電場(chǎng)，在高頻天線中對(duì)于等離子產(chǎn)生負(fù)的直流自給偏壓。由于此偏壓，等離子中的離子被加 速后入射至高頻天線，且高頻天線本身被濺鍍(sputtering)。因?yàn)槿绱吮粸R鍍的高頻天線 的材料的原子及離子被混入至放電等離子中，在這些直接或一旦附著于真空容器的內(nèi)壁等 之后，會(huì)導(dǎo)致附著于被處理物體表面的問(wèn)題。為了防止這種高頻天線的濺鍍，目前以絕緣體制(例如石英制)的保護(hù)管覆蓋高 頻天線的外周。例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了一種內(nèi)置天線，以直徑15mm的石英制保護(hù)管 覆蓋直徑6mm的銅導(dǎo)管的高頻天線的周?chē)２贿^(guò)，在專利文獻(xiàn)1記載的構(gòu)成中，在高頻天線及保護(hù)管之間的空間內(nèi)的壓力為 與制程氣壓相同的壓力。因此，在該空間內(nèi)也會(huì)發(fā)生放電，結(jié)果，從高頻天線放射的感應(yīng) 電場(chǎng)被消耗于上述空間中的放電，產(chǎn)生的問(wèn)題是在真空容器內(nèi)產(chǎn)生等離子這一目的難以實(shí) 現(xiàn)。[專利文獻(xiàn)1]特開(kāi)平11-317299號(hào)公報(bào)為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的課題在于提供一種高頻天線單元，其抑制在高頻天 線與保護(hù)管之間發(fā)生放電，且在真空容器內(nèi)產(chǎn)生高密度的放電等離子。另外，課題還在于提 供使用這些高頻天線單元的等離子處理裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的高頻天線單元，在用以在真空容器內(nèi)產(chǎn)生等離子的 裝置中使用，其特征在于，包括a)高頻天線，用以流動(dòng)高頻電流；b)絕緣體制作的保護(hù)管，被設(shè)置在上述高頻天線之中位于真空容器內(nèi)的部分的周 圍；及C)上述高頻天線與上述保護(hù)管之間的緩沖區(qū)域。在此，“緩沖區(qū)域”表示抑制電子加速的區(qū)域，例如，可由真空或絕緣體形成。在此， 絕緣體也可系固體、液體、氣體的任一狀態(tài)。另外，緩沖區(qū)域也可由纖維狀或粉末狀等具有 間隙的絕緣體形成。例如，市售的玻璃棉中，各個(gè)玻璃纖維為絕緣體，且在玻璃纖維之間具 有數(shù)十 數(shù)百μ m(不壓縮而直接使用時(shí))的間隙。即使制程氣體進(jìn)入這種間隙，通過(guò)存在玻璃纖維，可抑制高頻電場(chǎng)造成之電子的加速及由其導(dǎo)致的制程氣體的離子化。因?yàn)橥ㄟ^(guò)如此在緩沖區(qū)域中抑制電子的加速，可抑制在此區(qū)域中發(fā)生持續(xù)的放 電，故可防止由高頻天線產(chǎn)生的電磁波的能量被無(wú)益地消耗。結(jié)果，可更有效率地在真空容 器內(nèi)產(chǎn)生等離子。在本發(fā)明中，雖然如上述制程氣體很可能侵入緩沖區(qū)域內(nèi)，為了更進(jìn)一步抑制放 電，最好在上述保護(hù)管及上述真空容器之間包括氣密封。通過(guò)使用這種氣密封，可獨(dú)立于真 空容器調(diào)整緩沖區(qū)域內(nèi)的氣體的壓力。若使緩沖區(qū)域成為真空，則可幾近完全地防止在緩 沖區(qū)域內(nèi)的放電。另一方面，也可使緩沖區(qū)域與真空容器外連通，使得緩沖區(qū)域內(nèi)變成大氣 壓。在大氣壓之下，因?yàn)閴毫Ρ纫话愕入x子處理中的制程氣體高，電子以更高的頻率撞擊氣 體分子。因此，電子不會(huì)被充分地加速，故可防止持續(xù)地放電。對(duì)于上述保護(hù)管，可使用在成為基底的管的表面上施以由對(duì)等離子的耐受性比該 基底管的材料高之材料構(gòu)成的高耐受性被覆而成的構(gòu)件。結(jié)果，通過(guò)高耐受性被覆確保高 的耐等離子性，而可以基于耐等離子性以外的觀點(diǎn)選擇基底管的材料。例如，在產(chǎn)生鹵素等離子時(shí)，基底管的材料可使用雖然對(duì)鹵素等離子的耐受性比 較低但加工性優(yōu)異的石英，高耐受性被覆的材料可使用氧化物陶瓷(氧化鋁、氧化釔等)、 氟化物陶瓷(氟化鎂及氟化鋁等)、氮化物陶瓷(氮化硅、氮化鋁等)、碳化物陶瓷(碳化硅 等)、硅的任一種或其二個(gè)以上的混合物。對(duì)于上述高頻天線，可使用在成為基底的金屬部件的表面上施以由導(dǎo)電性比該基 底金屬部件的材料高之金屬構(gòu)成的高導(dǎo)電性被覆而成的構(gòu)件。由于高頻電流在流過(guò)導(dǎo)體時(shí) 集中于導(dǎo)體表面(集膚效應(yīng))，被施以這種高導(dǎo)電性被覆的高頻天線，無(wú)論基底金屬部件的 材料如何都具有高導(dǎo)電性。因此，基底金屬部件的材料可使用具有導(dǎo)電性以外的特點(diǎn)(耐 腐蝕性、加工的容易性、價(jià)格等)的材料。上述高頻天線最好是使冷媒通過(guò)的管狀構(gòu)件。從而，可防止高頻天線的溫度上升， 電阻變高。作為這種管狀的高頻天線，可使用在由對(duì)上述冷媒的耐蝕性比銅高的高耐蝕性金 屬構(gòu)成的管(上述基底金屬部件)的表面上，施以由導(dǎo)電性比該耐蝕性金屬高的金屬構(gòu)成 的高導(dǎo)電性被覆而成的構(gòu)件。雖然銅具有導(dǎo)電性高且比較便宜的特點(diǎn)，但有與水等的冷媒 反應(yīng)而腐蝕的危險(xiǎn)。于是，通過(guò)使用由上述高耐蝕性金屬構(gòu)成的管，可防止由與冷媒反應(yīng)造 成的腐蝕。另外，通過(guò)上述高導(dǎo)電性被覆，與僅使用由高耐蝕性金屬構(gòu)成的管的情況相比， 可提高其導(dǎo)電性。上述高耐蝕性金屬可適當(dāng)?shù)厥褂貌讳P鋼，上述高導(dǎo)電性被覆可適當(dāng)?shù)厥?用金或鉬。上述高頻天線最好系開(kāi)路環(huán)型。開(kāi)路環(huán)型的高頻天線系相當(dāng)于匝數(shù)小于一圈的線 圈，且具有電感低而可流通大電流的特點(diǎn)。開(kāi)路環(huán)型的高頻天線可包含矩形、U字形、半圓 形、缺少部分圓弧的形狀等。在上述高頻天線單元中，具有用以將上述開(kāi)路環(huán)型高頻天線安裝至上述真空容器 之安裝工具，其保持該開(kāi)路環(huán)型高頻天線的兩端，且設(shè)置有與上述緩沖區(qū)域連通的連通孔。 連通孔可用以將緩沖區(qū)域內(nèi)抽成真空的排氣口，且可作為使緩沖區(qū)域內(nèi)變成大氣壓之空氣 的導(dǎo)入口。通過(guò)本發(fā)明的高頻天線單元，可抑制在高頻天線與保護(hù)管之間發(fā)生放電。從而，可更有效率地在真空容器內(nèi)產(chǎn)生高密度的放電等離子，提供高生產(chǎn)率的等離子處理裝置。


圖1是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第1實(shí)施例的剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的一實(shí)施例的概略構(gòu)成圖。圖3是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第2實(shí)施例的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第3實(shí)施例的剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第4實(shí)施例的剖面圖。圖6是表示對(duì)于使用第4實(shí)施例的高頻天線單元的情況、及使用保護(hù)管僅由石英 制的管構(gòu)成的高頻天線單元的情況，在產(chǎn)生氟等離子時(shí)測(cè)定保護(hù)管的直徑的時(shí)間變化的結(jié) 果的圖表。圖7是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第5實(shí)施例的剖面圖。圖8是表示本發(fā)明的高頻天線單元的第6實(shí)施例的剖面圖。圖中10、30、40、50、60、70 高頻天線單元；10A、30A、50A、60A、70A (狹義的)高頻天線單元；11、31 高頻天線；12、32、52、62 保護(hù)管；13、33 緩沖區(qū)域；14、34 導(dǎo)通孔(7 4 — 卟卜■、；^卟一)；15、35 安裝工具；16 高頻電源；20 等離子處理裝置；21-真空容器；22 高頻天線單元安裝孔；23 匹配器；37 真空密封；38 排氣裝置；381 連通孔；521 基底管；522、622 高耐受性被覆；711 高耐蝕性管；712 高導(dǎo)電性被覆。
具體實(shí)施例方式
下面，參閱附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。[實(shí)施例1]使用圖1，說(shuō)明本發(fā)明的高頻天線單元的第1實(shí)施例。本實(shí)施例的高頻天線單元， 具有高頻天線11、覆蓋高頻天線11的保護(hù)管12、及高頻天線11與保護(hù)管12之間的緩沖區(qū)域13。在本實(shí)施例中，將由此三個(gè)構(gòu)成元件構(gòu)成的物品定義為狹義的高頻天線單元10A。狹 義的高頻天線單元10A，經(jīng)由導(dǎo)通孔14被安裝于安裝工具(真空法蘭)15。安裝工具15與 被設(shè)置在真空容器21 (圖2)的壁上的相對(duì)側(cè)法蘭(未圖示)連接。在本實(shí)施例中，將狹義 的高頻天線單元10A、導(dǎo)通孔14及安裝工具15，一并定義為(廣義的)高頻天線單元10。高頻天線11.由銅制的導(dǎo)管構(gòu)成，在導(dǎo)管的內(nèi)部可流通冷卻水(未圖示)。高頻天 線11的形狀系矩形，朝向真空容器內(nèi)的突出部分的長(zhǎng)度為10cm，與真空容器壁平行的部分 的長(zhǎng)度為12cm，外徑為6mm。高頻天線11的一端被連接至高頻電源16，另一端接地。保護(hù)管12由介電常數(shù)約9. 0的氧化鋁導(dǎo)管制作，其內(nèi)徑為16mm。因此，保護(hù)管12 的內(nèi)壁面與高頻天線11的外壁面之間的距離，即緩沖區(qū)域13的厚度為5mm。在緩沖區(qū)域 13中填充實(shí)質(zhì)的介電常數(shù)為1. 1 1. 3的玻璃棉。在填充狀態(tài)下的玻璃棉的纖維之平均間 隔為數(shù)十μ 數(shù)百μ 。使用圖2，說(shuō)明具有第1實(shí)施例的高頻天線單元10的等離子處理裝置的一例。該 離子處理裝置20在真空容器31的側(cè)壁上具有多個(gè)安裝高頻天線單元10的孔(高頻天線 單元安裝孔)22。高頻天線單元10，從真空容器21的外側(cè)插入至高頻天線單元安裝孔22， 在安裝工具15及真空容器21之間夾著真空密封，且通過(guò)固定安裝工具15安裝于真空容器 21。各高頻天線單元10的高頻天線11，一端經(jīng)由匹配器23連接至高頻電源16，另一端被 接地。一個(gè)高頻電源16與多個(gè)高頻天線11連接。雖然圖2表示了將高頻天線單元10設(shè)置在真空容器的側(cè)壁的例子，但也可設(shè)置于 頂部，或設(shè)置于側(cè)壁及頂部。另外，使用后述的第2及第3實(shí)施例的高頻天線單元30及40 時(shí)，也可構(gòu)成與第1實(shí)施例相同的等離子處理裝置。說(shuō)明使用本實(shí)施例的高頻天線單元10進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。在此實(shí)驗(yàn)中，在將高頻 天線單元10安裝于真空容器的頂部，將高頻天線的一端經(jīng)由匹配器(未圖示)連接至頻 率13. 56MHz的高頻電源16，并將另一端接地，且將氬及氫的混合氣體導(dǎo)入至真空容器內(nèi)之 后，使氣體壓力在0. 5 30Pa的范圍中變化，同時(shí)在真空容器內(nèi)發(fā)生放電等離子。結(jié)果，無(wú) 論氣體壓力值是多少，在緩沖區(qū)域13都不產(chǎn)生放電，并且確認(rèn)被接通的高頻電力有效地被 消耗于真空容器內(nèi)的放電等離子產(chǎn)生。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)存在于緩沖區(qū)域13內(nèi)的玻璃棉的纖 維，電子的加速被抑制，氣體不至于被離子化。[實(shí)施例2]使用圖3，說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例的高頻天線單元30。高頻天線31及保護(hù)管32 的形狀及尺寸與第1實(shí)施例相同。另外，在高頻天線31與保護(hù)管32之間填充玻璃棉這一 點(diǎn)也與第1實(shí)施例相同。在本實(shí)施例中，保護(hù)管32的端面夾著真空密封37被固定于安裝 工具35。緩沖區(qū)域33與被設(shè)置在安裝工具35上的連通孔381連通，能夠通過(guò)被連接至連 通孔381的排氣裝置38將內(nèi)部排氣形成0. IPa以下的高真空。在將本實(shí)施例的(廣義的)高頻天線單元30安裝至真空容器的頂部，與第1實(shí)施 例同樣進(jìn)行對(duì)高頻電源的連接及接地，且將氬及氫的混合氣體導(dǎo)入至真空容器內(nèi)之后，在 真空容器內(nèi)發(fā)生放電等離子。在本實(shí)施例中，將緩沖區(qū)域33的壓力保持于0. 05Pa以下。 雖然使真空容器內(nèi)的壓力在0. 5 30Pa的范圍中變化以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，但無(wú)論氣體壓力的值如 何，在緩沖區(qū)域33都不產(chǎn)生放電，并且確認(rèn)被接通的高頻電力有效地被消耗于在真空容器 內(nèi)產(chǎn)生放電等離子。
[實(shí)施例3]使用圖4，說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施例的高頻天線單元40。除了連通孔381對(duì)大氣 開(kāi)放之外，本實(shí)施例的高頻天線單元40具有與第2實(shí)施例的高頻天線單元30相同的構(gòu)成。在隔著空間配置的2個(gè)電極間產(chǎn)生放電時(shí)的最低電壓(火花電壓)Vs，遵守帕森定 律。根據(jù)帕森定律，如第2實(shí)施例，在將空間(緩沖區(qū)域33)排氣成真空而使氣體壓力變得 足夠小時(shí)，火花電壓Vs變高，且放電變得難以發(fā)生。同時(shí)，在使ρ變得足夠大時(shí)，火花電壓 Vs也變高。這是由于氣體壓力ρ變得越大，電子越容易撞擊氣體分子而無(wú)法充分加速。不 過(guò)，發(fā)生放電的難度不僅取決于氣體壓力P，也取決于電極間的距離。在內(nèi)置天線方式的等離子處理裝置中，高頻天線與真空容器的壁(通常此壁被接 地)之間，特別是在兩者距離最短的高頻天線的根部與此壁之間的放電電壓成為問(wèn)題，但 此最短距離一般為數(shù)mm 數(shù)cm。在這種距離范圍中，若緩沖區(qū)域?yàn)榇髿鈮?，則滿足上述氣 體壓力P足夠高的條件，可抑制放電的發(fā)生。因此，如第3實(shí)施例，通過(guò)將連通孔381開(kāi)放 至大氣這種簡(jiǎn)單的構(gòu)成，可抑制放電的發(fā)生。[實(shí)施例4]使用圖5，說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施例的高頻天線單元50。取代第1實(shí)施例的高頻 天線單元10中的氧化鋁制的保護(hù)管12，本實(shí)施例的高頻天線單元50使用在石英制的基底 管521的表面上施以氧化鋁制的高耐受性被覆522的保護(hù)管52。由高頻天線11、保護(hù)管52 及緩沖區(qū)域13構(gòu)成狹義的高頻天線單元50A。其他的高頻天線單元50的構(gòu)成與第1實(shí)施 例的高頻天線單元10相同。因?yàn)槭⒌募庸ば员妊趸X更好，通過(guò)使用石英制的基底管521，可更容易地使其 形狀與高頻天線11的U字形的形狀匹配。另外，因?yàn)檠趸X對(duì)鹵素等離子的耐受性比石英 高，通過(guò)使用氧化鋁制的高耐受性被覆522，可阻止保護(hù)管52被該種等離子蝕刻。對(duì)于使用第4實(shí)施例的高頻天線單元50的情況及使用保護(hù)管僅由石英制的基底 管521構(gòu)成的高頻天線單元的情況，在高頻天線單元的周?chē)a(chǎn)生氟等離子時(shí)測(cè)定保護(hù)管的 直徑的時(shí)間變化。在此實(shí)驗(yàn)中，在真空容器內(nèi)設(shè)置1個(gè)高頻天線單元，對(duì)真空容器內(nèi)供給 CF4氣體及O2氣體使其流量比為1 5、壓力為l.OPa，在40分鐘內(nèi)持續(xù)地對(duì)高頻天線投入 1000W的高頻電力。結(jié)果，如圖6所示，在使用保護(hù)管僅由石英制的管構(gòu)成的高頻天線單元 時(shí)，隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)保護(hù)管的直徑慢慢地變小，而在第4實(shí)施例的高頻天線單元50中，保護(hù) 管52的直徑幾乎沒(méi)有變化，確認(rèn)保護(hù)管52對(duì)于氟等離子具有高耐受性。[實(shí)施例5]使用圖7，說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施例的高頻天線單元60。取代第4實(shí)施例的高頻 天線單元50中的氧化鋁制的高耐受性被覆522，本實(shí)施例的高頻天線單元60系使用施加硅 制的高耐受性被覆622的保護(hù)管62。其他的構(gòu)成與第4實(shí)施例的高頻天線單元50相同。 本實(shí)施例的高頻天線單元60，適合在進(jìn)行硅制的基體的蝕刻及硅薄膜的堆積等與硅有關(guān)的 等離子處理時(shí)使用，以防止保護(hù)管的材料成為雜質(zhì)被混入至被處理物體中。[實(shí)施例6]使用圖8，說(shuō)明本發(fā)明的第6實(shí)施例的高頻天線單元70。取代第1實(shí)施例的高頻 天線單元10中的銅導(dǎo)管制的高頻天線單元11，本實(shí)施例的高頻天線單元70，使用在不銹鋼 制的高耐蝕性管711的表面上施以金制的高導(dǎo)電性被覆712的構(gòu)件。其他的構(gòu)成系與第1實(shí)施例的高頻天線單元10相同。因?yàn)榕c冷卻水連接的是不銹鋼制的高耐蝕性管711，本實(shí) 施例的高頻天線單元70比使用銅制管之高頻天線的情況更不易被腐蝕。另外，通過(guò)施以金 制的高導(dǎo)電性被覆712，可確保高導(dǎo)電性。對(duì)于第6實(shí)施例的高頻天線單元70，以及除了使用在銅制的管的表面上施以金制 的被覆的高頻天線之外與第6實(shí)施例具有相同構(gòu)成的高頻天線單元，進(jìn)行下面的實(shí)驗(yàn)。首 先，設(shè)不銹鋼制的高耐蝕性管711及銅制的管的壁厚為1mm，金制的被覆的厚度兩者均為 40 μ m。將這些高頻天線單元逐一安裝于真空容器內(nèi)。然后，對(duì)真空容器內(nèi)供給1.3Pa的氫 氣，且在這些管內(nèi)供給冷卻水，并持續(xù)1000小時(shí)將2000W的高頻電力接通至高頻天線。然 后，在測(cè)定不銹鋼制的高耐蝕性管711及銅制的管的厚度時(shí)，銅制的管減少至0. 82mm，而不 銹鋼制的高耐蝕性管711仍為1mm。在第1 第6實(shí)施例中，雖然使用玻璃棉做為填滿緩沖區(qū)域的絕緣體，但并不限定 于此。例如以微小的介電球、介電微粒子等填充也達(dá)成相同的效果。另外，通過(guò)以絕緣性液 體或氣體(例如絕緣油)填充緩沖區(qū)域，可得到相同的效果。通過(guò)循環(huán)這些絕緣性液體或 氣體，可冷卻高頻天線。在第1 第6實(shí)施例中，雖然表示使用矩形的高頻天線的例子，但高頻天線可采用 U字形、半圓形、圓形、直線形等任意的形狀。
權(quán)利要求
一種高頻天線單元，在用以在真空容器內(nèi)產(chǎn)生等離子的裝置中使用，其特征在于，包括a)高頻天線，用以流動(dòng)高頻電流；b)絕緣體制作的保護(hù)管，被設(shè)置在上述高頻天線之中位于真空容器內(nèi)的部分的周?chē)患癱)上述高頻天線與上述保護(hù)管之間的緩沖區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻天線單元，其特征在于， 在上述緩沖區(qū)域與上述真空容器之間具有氣密封構(gòu)造。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻天線單元，其特征在于， 上述緩沖區(qū)域?yàn)檎婵铡?br> 4.如權(quán)利要求2所述的高頻天線單元，其特征在于， 上述緩沖區(qū)域內(nèi)的壓力為大氣壓。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的高頻天線單元，其特征在于，上述保護(hù)管，是在成為基底的管的表面上施以高耐受性被覆而成，該高耐受性被覆由 對(duì)等離子的耐受性比該基底管的材料高的材料構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的高頻天線單元，其特征在于，上述基底管的材料為石英，上述高耐受性被覆的材料為氧化物陶瓷、氟化物陶瓷、氮化 物陶瓷、碳化物陶瓷、硅的任一種，或其二種以上的混合物。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的高頻天線單元，其特征在于，上述高頻天線，是在成為基底的金屬部件的表面上施以高導(dǎo)電性被覆而成，該高導(dǎo)電 性被覆由導(dǎo)電性比該基底金屬部件的材料高的金屬構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的高頻天線單元，其特征在于， 上述高頻天線是使冷媒通過(guò)的管狀構(gòu)件。
9.如權(quán)利要求8所述的高頻天線單元，其特征在于，上述高頻天線，是在由對(duì)上述冷媒的耐蝕性比銅高的高耐蝕性金屬構(gòu)成的管的表面 上，施以由導(dǎo)電性比該耐蝕性金屬高的金屬構(gòu)成的高導(dǎo)電性被覆而成。
10.如權(quán)利要求9所述的高頻天線單元，其特征在于，上述高耐蝕性金屬為不銹鋼，且上述高導(dǎo)電性被覆由金或鉬構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的高頻天線單元，其特征在于， 上述高頻天線為開(kāi)路環(huán)型。
12.如權(quán)利要求11項(xiàng)所述的高頻天線單元，其特征在于，該高頻天線單元具有用以將上述開(kāi)路環(huán)型高頻天線安裝至上述真空容器的安裝工具， 其保持該開(kāi)路環(huán)型高頻天線的兩端，且在上述安裝工具上設(shè)置有與上述緩沖區(qū)域連通的連 通孑L。
13.一種等離子處理裝置，其特征在于至少具有如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的高頻天線單元。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種高頻天線單元，其可在真空容器內(nèi)產(chǎn)生高密度的放電等離子。本發(fā)明的高頻天線單元的特征為，包括用以流動(dòng)高頻電流的高頻天線(11)、被設(shè)置在高頻天線之中位于真空容器內(nèi)的部分的周?chē)慕^緣體制作的保護(hù)管(12)、及上述高頻天線(11)與上述保護(hù)管(12)之間的緩沖區(qū)域(13)。在此，“緩沖區(qū)域”表示抑制電子加速的區(qū)域，例如，可由真空或絕緣體形成。通過(guò)這種構(gòu)成，因?yàn)榭梢种圃谔炀€(11)及保護(hù)管(12)之間發(fā)生放電，故可在真空容器內(nèi)產(chǎn)生高密度的放電等離子。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101971715SQ20098010737
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2009年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月5日
發(fā)明者江部明憲, 節(jié)原裕一 申請(qǐng)人:Emd株式會(huì)社