專利名稱：貼合基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造貼合基板的方法。
背景技術(shù)：
近年來，為實現(xiàn)半導體器件更高的性能，絕緣體上覆硅(SOI)基板受到了很多關(guān) 注。不含硅的支撐基板(支撐基板)，例如石英上覆硅(SOQ)基板和藍寶石上覆硅(SOS)基 板等已應(yīng)用于TFT-LCD及高頻(RF)器件等領(lǐng)域。目前已有多種制造貼合基板的方法，其中具有代表性的是Smartcut法(注冊商 標)。在該方法中，氫離子被注入形成有氧化膜的單晶硅基板(施主基板，在本說明書中也 稱為第一基板)，所述單晶硅基板與支持基板(支撐基板，在本說明書中也稱為第二基板) 貼合后，加熱至500°C左右，然后，沿著氫離子注入界面將硅基板剝離，將單晶硅薄膜轉(zhuǎn)印至 支撐基板。這種情況下，被稱為微腔(microcavities)的氫的小孔在氫離子注入界面的形 成，使得硅基板可在界面進行剝離。隨后，為了提高單晶硅薄膜和支撐基板間的結(jié)合強度， 可施以1000°C以上的高溫熱處理，之后再進行最終的表面處理(CMP、熱處理等)(參見例如 專利文獻1和2及非專利文獻1)。另一方面，在SiGen方法中，在貼合面一側(cè)注入氫離子后的硅基板與硅基板或其 它材料的基板進行貼合之前，所述基板的一個或兩個貼合面被施以等離子體處理，兩種基 板以表面活化的狀態(tài)彼此貼合，再施以例如350°C的低溫熱處理以提高貼合強度(接合強 度)，隨后在常溫下進行機械剝離，由此獲得貼合SOI基板(參見例如專利文獻3-5)。上述兩種方法的不同點主要在于剝離硅薄膜的方法，即Smartcut法必須在高溫 下進行處理以剝離硅薄膜，而SiGen方法可在常溫下剝離。特別地，對于將硅基板這樣的半導體基板與其他材料的基板貼合以制造貼合基板 時，不同材料間產(chǎn)生熱膨脹率和固有耐熱溫度的不同等，由此獲得的基板往往易于產(chǎn)生缺 口和局部裂縫，所以需要在盡可能低的溫度下完成直至剝離處理的各工序。因此，可在低溫 下剝離的SiGen方法可優(yōu)選作為將不同材料的基板貼合而制造貼合基板的方法。同時，通過上述這些貼合方法的貼合基板的制造方法中，由于異物或氣體溜進貼 合界面，所得基板常常產(chǎn)生欠缺半導體層的缺陷，所述缺陷也稱為空隙(voids)。這些空隙 等缺陷會在制造器件時造成障礙，因而需要盡可能地減少。當貼合層的表面由于異物等無 法彼此緊密貼合時，這些空隙會造成那部分半導體層在剝離時無法轉(zhuǎn)印。為了防止產(chǎn)生空 隙，貼合前基板的清潔度或貼合環(huán)境的清潔度十分重要。因此，在即將貼合前立即進行清 洗，同時，進行貼合的氣氛的清潔度需保持在高水平。然而，即使貼合前基板的清潔度及貼合環(huán)境的清潔度均保持在高水平，仍存在很 容易特別是在貼合終端部產(chǎn)生空隙的問題。另外，為了防止貼合終端部的空隙，需要更高的 清潔度，但為實現(xiàn)該目的，存在需要付出巨大的成本和勞力的問題。專利文獻1 專利第3048201號公報 專利文獻2 特開平11-145438號公報
專利文獻3 美國專利第6263941號說明書專利文獻4 美國專利第6513564號說明書專利文獻5 美國專利第6582999號說明書非專利文獻1 :A. J. Auberton-Herve et al. ,"SMART CUT TECHNOLOGY INDUSTRIAL STATUS of SOI WAFER PRODUCTION and NEW MATERIAL DEVELOPMENTS" (Electrochemical Society Proceedings, Volume 99-3 (1999)p. 93-106)

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種制造貼合基板的方法，所述基板在 整個基板表面、特別是貼合終端部附近具有良好的薄膜。為解決所述問題，本發(fā)明提供了一種制造貼合基板的方法，其特征在于，使第一基 板和第二基板貼合，將所述第一基板進行薄膜化，所述第二基板上具有薄膜的貼合基板的 制造方法，所述方法至少包含以下工序在作為半導體基板的所述第一基板的表面，通過注 入氫離子和/或稀有氣體離子形成離子注入層的工序；對所述第一基板的離子注入面及所 述第二基板的貼合面中的至少一面施以表面活化處理的工序；在濕度30%以下和/或水分 含量6g/m3以下的氣氛中，將所述第一基板的離子注入面和所述第二基板的貼合面進行貼 合的貼合工序；將所述第一基板在所述離子注入層分離，以使所述第一基板薄膜化的剝離 工序，由此制成在所述第二基板上具有薄膜的貼合基板。如上所述，根據(jù)本發(fā)明制造貼合基板的方法，通過降低貼合時的氣氛的濕度(降 低水分含量)，可降低貼合時緊密貼合部的擴散速度。因此，可有效排出貼合界面存在的氣 體和微小異物。由此可防止附著物積聚并堵塞在貼合終端部，從而防止貼合終端部空隙的產(chǎn)生。只要所述貼合基板的制造方法包含在濕度30%以下和/或水分含量6g/m3以下的 氣氛中將第一基板和第二基板貼合的工序，通過降低貼合時的氣氛濕度(降低水分含量)， 可降低貼合時緊密貼合部的擴散速度。因此，可有效排出貼合界面存在的氣體和微小異物。 由此可防止附著物積聚并堵塞在貼合終端部，從而防止貼合終端部空隙的產(chǎn)生。


圖1為貼合終端部的緊密貼合部擴散方式的示意圖(a)本發(fā)明的低濕度條件下； (b)傳統(tǒng)的高溫度條件下。圖2是貼合起始部的緊密貼合部擴散方式的示意圖。圖3是表示貼合速度與氣氛中水分含量和相對濕度間的關(guān)系的圖。圖4是貼合基板制造方法的一個實例的流程圖，所述貼合基板應(yīng)用本發(fā)明的貼合 基板的制造方法。
具體實施例方式以下詳細說明本發(fā)明。如上所述，以往的貼合基板制造方法的問題在于，即使貼合前基板的清潔度及貼合環(huán)境的清潔度均保持在高水平，仍然存在特別是在基板的貼合終端部很容易產(chǎn)生空隙的問題。另外，為了防止貼合終端部的空隙，需要更高的清潔度，但為實現(xiàn)該目的，存在需要付 出巨大的成本和勞力等的問題。以下，本發(fā)明人等研究了容易產(chǎn)生空隙的原因，特別是在貼合終端部產(chǎn)生空隙的 原因。所述貼合以重合狀態(tài)的兩枚基板部分緊密貼合的方式進行。所述貼合可以下述方 式進行將基板上的任意一點定為貼合起始點，對該起點加壓，由此在以該點為中心使基板 按圓周運動旋轉(zhuǎn)的同時，可進行使空氣不進入這樣的滑動。在緊密貼合部分的周圍，由于 基板彼此間隔狹小，所述基板自發(fā)地緊密貼合，這一范圍便由貼合起始部向其他方向擴散 (傳播)。圖2顯示了貼合起始部周圍緊密貼合部的擴散方式。在緊密貼合部的擴散前端， 貼合界面存在的氣體和微小異物被擠出，然后被掃出。大的異物在貼合時無法移動，便殘留 于那里。即使在貼合之前已經(jīng)對基板進行清洗的情況下，在清洗后的氣氛、基板收納部的 氣氛及貼合氣氛中存在的氣體和微小異物微量附著于基板表面。在貼合前對基板表面進行 活化，基板表面更易于吸附氣體和微小異物。隨著貼合時緊密貼合部的擴大，微量附著的物 質(zhì)沿著貼合界面移動并聚集。所述聚集的附著物會導致貼合終端部出現(xiàn)無數(shù)的空隙。為了減少貼合終端部空隙的產(chǎn)生，本發(fā)明者實施了更進一步的研究及實驗。結(jié)果 發(fā)現(xiàn)，可以通過降低貼合時氣氛中的水分含量(即降低濕度)來減少貼合終端部空隙的產(chǎn) 生。所述發(fā)現(xiàn)可由以下事實解釋貼合時，降低氣氛氣體的水分含量可以降低緊密貼 合部的擴散速度，并有效地將聚集的附著物從貼合界面向外排出。本發(fā)明人等對貼合時的氣氛氣體中的水分含量(濕度)與貼合所需時間之間的關(guān) 系進行了測定。圖3顯示了溫度為20°C時的測定結(jié)果。貼合的完成通過目視表面狀態(tài)進行 判斷。如圖3所示，當氣氛的水分含量越多(濕度越高)時，貼合時間越短。更具體地說， 貼合速度越快，緊密貼合部的擴散也越快。以往，為達到減少基板表面附著物等目的，將濕度控制在約45-65%之間以防止靜 電。此外，如特開2007-141946號公報的記載，對于清洗裝置及清潔室(clean room)的氣 氛，濕度換算成25°C時為46-60%。貼合終端部附近的緊密貼合部的擴散方式根據(jù)貼合時的氣氛中的水分含量(濕 度)進行變化。圖1顯示了貼合終端部附近的緊密貼合部的擴散方式，其中圖1 (a)是水分含量較 少即濕度較低的情況(本發(fā)明的情況)，而圖1(b)是水分含量較多即濕度較高的情況(以 往的情況)。如圖1 (b)所示，以往的高濕度的情況可加快緊密貼合部的擴散速度，緊密貼合 部還可擴散到外周部，使得緊密貼合部從外周部分擴散到貼合終端部，掃出附著物的開口 變窄，導致附著物堵塞在內(nèi)部。另一方面，如圖1(a)所示，在低濕度的情況下，緊密貼合部 的擴散速度變慢，不會受到來自外周部的緊密貼合部的擴散的影響，從而確保了掃出附著 物的開口，使得聚集的附著物可被有效地除去。本發(fā)明人等進行了更進一步的研究，發(fā)現(xiàn)通過將水分含量(濕度)的具體數(shù)值控 制在溫度30%以下和/或水分含量6g/m3以下，可十分有效地減少貼合終端部的空隙，由此完成了本發(fā)明。
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明，但本發(fā)明并不限于以下實施方式。圖4顯示了本發(fā)明適用的制造貼合基板的方法。首先，圖4(a)顯示了第一基板10及第二基板20的制備，其中所述第一基板是半 導體基板(工序a)。在該情況下，第一基板10可為單晶硅基板，特別是表面形成有氧化膜的單晶硅基 板。當?shù)谝换暹x擇這些材料時，可制成具有硅薄膜的貼合基板。選用表面形成有氧化膜 的單晶硅基板便于制造SOI基板。此外，為了制造具有GaN等的化合物半導體薄膜而非具 有硅薄膜的貼合基板，所述第一基板10可以是GaN等的化合物半導體基板。依照本發(fā)明，可高產(chǎn)率地制造近年來需求量很高的、具有優(yōu)質(zhì)硅薄膜的高品質(zhì)貼 合基板(如SOI基板)，同時降低其中帶有空隙的次品發(fā)生率。另外，依照本發(fā)明，除硅薄膜外，還可高產(chǎn)率地制造具有由GaN等化合物半導體構(gòu) 成的優(yōu)質(zhì)薄膜的貼合基板，同時降低其中帶有空隙的次品發(fā)生率。此外，第二基板20可選自石英基板、藍寶石(氧化鋁)基板、SiC基板、硼硅玻璃 (borosilicate glass)基板、微晶玻璃(crystallized glass)基板、氮化鋁基板等任一種 絕緣性基板；或者是單晶硅基板、表面形成有氧化膜的單晶硅基板及SiGe基板的任一種。 所述第二基板20可根據(jù)制造半導體器件的目的，從上述基板中適當?shù)剡x取。當然，也可使 用上述以外的材料。下一步，如圖4(b)所示，在第一基板10的表面(離子注入面)12注入氫離子，形 成離子注入層11(工序《。為了形成離子注入層11，除注入氫離子外，還可注入稀有氣體離子，或同時注入氫 離子和稀有氣體離子。也可適當選擇注入能量、注入劑量及注入溫度等其它離子注入條件， 從而得到具有預(yù)定厚度的薄膜。盡管以下具體實例中列舉了注入時基板溫度為250-400°C、 離子注入深度為0. 5 μ m、注入能量為20-100keV、注入劑量為1 X IO16-I X IO1Vcm2,但所述 離子注入條件并不限于此。此外，選用表面形成有氧化膜的單晶硅基板、通過氧化膜實施離子注入時，可抑制 注入離子的溝道(channeling)效應(yīng)，從而進一步減小離子注入深度的差異。由此可形成膜
厚均一性高的薄膜。接下來，如圖4 (c)所示，第一基板10的離子注入面12和第二基板20的貼合面22 均被施以表面活化處理(工序c)。另外，第二基板20的貼合面22是指在接下來的貼合工 序d中與第一基板進行貼合的表面。當然，可只對第一基板10的離子注入面12和第二基板20的貼合面22之一施以 表面活化處理。此時，表面活化處理可為等離子體處理。在這種情況下，以等離子體處理施以表面 活化處理時，施予表面活化處理的基板表面由于OH基團增加等方式進行活化。因此，在該 狀態(tài)下，當?shù)谝换宓碾x子注入面12和第二基板20的貼合面22以這一狀態(tài)緊密接觸時， 所述基板通過氫鍵等可更牢固地貼合。或者，可進行臭氧處理等作為表面活化處理，或可進 行若干種處理的組合。另外，依照本發(fā)明制造貼合基板的方法，即使如上所述的表面活化處理是等離子體處理，也可抑制貼合終端部的空隙。在用等離子體處理的情況下，可將通過RCA清洗等清洗的基板置于真空室中。在 其中導入等離子體用氣體后，將基板暴露于約100W的高頻等離子體約5-30秒，從而對表面 進行等離子體處理?？捎玫牡入x子體用氣體的實例包括氧氣等離子體，用于處理表面上形 成有氧化膜的單晶硅基板；氫氣、氬氣、氫氣與氬氣的氣體混合物、或氫氣與氦氣的氣體混 合物，用于處理表面上未形成有氧化膜的單晶硅基板。或者，也可使用非活性氣體氮氣。臭氧處理時，將通過RCA清洗等清洗的基板置于已經(jīng)導入空氣的室中，導入例如 氮氣或氬氣的等離子體用氣體后，產(chǎn)生高頻等離子體，從而將空氣中的氧氣轉(zhuǎn)化為臭氧，對 表面進行臭氧處理。隨后，如圖4(d)所示，使第一基板的離子注入面12和第二基板20的貼合面22彼 此緊密接觸，從而彼此貼合(工序d)。如上所述，采用經(jīng)表面活化處理的表面作為貼合面，例如在減壓或常壓及室溫條 件下，將基板彼此緊密接觸時，即使不施以高溫熱處理，兩個基板可以足夠牢固地貼合，能 承受接下來的機械性剝離。此外，在本發(fā)明中，實施貼合工序的氣氛的濕度在30 %以下和/或水分含量在6g/ m3以下。另外，此處的術(shù)語“濕度”指的是相對濕度，也就是，在某溫度下，水分含量與飽和 水分含量的比值。表示相對濕度為100°C。鑒于并未具體限定貼合時的溫度，上述濕度和/或水分含量的范圍優(yōu)選應(yīng)滿足各 個貼合溫度。此外，鑒于如上所述的濕度很低，便容易在基板表面產(chǎn)生靜電，也容易吸附異物。 因此，需要用電離器(ionizer)等來抑制靜電的產(chǎn)生。再者，在第一基板和第二基板的貼合工序后，可以對貼合基板施以100-400°C熱處 理的熱處理工序。在將第一基板和第二基板貼合后，對貼合基板施以100-400°C的熱處理，可以提高 第一基板和第二基板間的貼合強度。特別地，當熱處理溫度在100-300°C時，即使貼合基 板是由不同材料制成，由于熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生的熱應(yīng)力、裂縫、剝離等也可被進一步降 低。貼合強度的提高可減少剝離工序中發(fā)生的不良狀況。另一方面，當將同種材料貼合，例如第一基板和第二基板都采用了硅基板時，熱處 理便可在直至400°C的溫度進行，由此進一步提高貼合強度。然后，如圖4(e)所示，進行在離子注入層11處分離第一基板10、使第一基板10薄 膜化的剝離工序(工序e)。所述第一基板的分離(剝離、薄膜化)可以通過采取施加機械性外力的方式完成。 特別地，優(yōu)選采取以下方式完成剝離從第一基板的一端施以外部沖擊，沿施加外部沖擊的 一端向另一端進行劈開，由于向一個方向的劈開比較容易控制，便可以獲得膜厚均一性出 色的薄膜。另外，在這種情況下，施加外部沖擊的一端與貼合工序d貼合時的貼合起始部并 無特定關(guān)聯(lián)，它們的位置可由制造工序中的條件等來決定。于是，通過上述工序(圖4(a)_4(e))，如圖4(f)所示，制成第二基板20上具有薄 膜31的貼合基板30。如上所述，本發(fā)明提供了在進行貼合工序d時，由于濕度在30 %以下和/或水分含量在6g/m3以下，因此降低了緊密貼合部的擴散速度，使得貼合終端部的附著物可被有效去除，防止了附著物堵塞在內(nèi)部。因此，進行接下來的剝離工序(工序e)等，便可制成防止貼 合終端部空隙產(chǎn)生的貼合基板。此外，在本發(fā)明中，當濕度盡可能低(水分含量盡可能少) 時，對貼合終端部空隙產(chǎn)生的抑制效果也較強，在這種情況下，希望通過采用電離器或其類 似的方式來加強消除靜電的對策。實施例下面參照本發(fā)明的實施例與比較例對本發(fā)明進行更具體的說明。但是，本發(fā)明并 不限于此。(實施例1)依照圖4所示的貼合方法對應(yīng)的貼合基板制造方法，制造貼合基板。首先，制備經(jīng)鏡面拋光的單晶硅基板作為第一基板10，所述硅基板直徑為150mm。 然后，在第一基板的表面通過熱氧化形成IOOnm的硅氧化膜層。此外，制備直徑為150mm的 合成石英基板作為第二基板20 (工序a)。接下來，通過形成的二氧化硅膜層將氫離子注入第一基板10，從而形成微氣泡層 (離子注入層)11 (工序b)，所述微氣泡層平行于離子平均行進深度處的表面。離子注入的 條件為注入能量為35keV、注入劑量為9 X IOlfVcm2、注入深度為0. 3 μ m。接下來，將注入離子的第一基板10置于等離子體處理裝置中，在其中導入氮氣作 為等離子體用氣體后，在2Torr(270Pa)的減壓條件下，高頻功率為50W，通過在直徑300mm 的平行平板電極之間施加13. 56MHz的高頻，在注入離子的表面進行10秒的高頻等離子體 處理。以此方式，對第一基板10的離子注入表面12進行了表面活化處理。同時，將第二基板20置于等離子體處理裝置中，在電極之間的窄隙中導入氮氣作 為等離子體用氣體后，通過在電極之間施加高頻以產(chǎn)生等離子體，進行10秒的高頻等離子 體處理。以此方式，在接下來的貼合工序中，在第二基板20的貼合面22上也進行了表面活 化處理(工序c)。如上所述，在室溫下，對施以表面活化處理的第一基板10和第二基板20加壓以使 其彼此緊密接觸，其中，作為經(jīng)表面活化處理的貼合面，以基板上的一點作為貼合起始部， 隨后沿厚度方向?qū)蓚€基板的背面施加強壓(工序d)。另外，通過放置除濕器，將貼合時氣氛的溫度控制在20°C，將水分含量控制在6g/ m3。更具體地說，相對濕度是33 %。此外，在該情況下，從第二基板(透明的合成石英基板)一側(cè)觀察緊密貼合部的擴 散方式。在貼合終端部附近，觀察到如圖1(a)所示的擴散方式。下一步，為了提高貼合強度，對第一基板10和第二基板20的貼合基板在300°C的 條件下施以6小時的熱處理。接下來，為了形成劈開起點，用劈紙刀的刀刃向第一基板的離子注入層11 一端施 加外部沖擊。之后，第一基板10和第二基板彼此相對保持分離，第一基板10和第二基板20 便在離子注入層11從施加外部沖擊的一端向另一端逐漸分離(工序e)。以上述方式，制成第二基板20上具有薄膜31的貼合基板30。從第二基板(透明 合成石英基板)一側(cè)觀察，所述貼合基板30的基板表面內(nèi)幾乎沒有空隙，另外，在貼合終端 部觀察到大約2個空隙。
(實施例2)按照實施例1相同的方式制造貼合基板，但貼合工序(工序d)貼合時的氣氛的溫 度為20°C及水分含量為5g/m3，即相對濕度為27%。當用與實施例1相同的方式觀察所述制造的貼合基板中空隙的發(fā)生狀況時，在基 板表面內(nèi)幾乎未發(fā)現(xiàn)空隙，另外，在貼合終端部未發(fā)現(xiàn)空隙。(實施例3)按照實施例1相同的方式制造貼合基板，但貼合工序(工序d)貼合時的氣氛的溫 度為25°C及水分含量為6g/m3，即相對濕度為24%。當用與實施例1相同的方式觀察所述制造的貼合基板中空隙的發(fā)生狀況時，在基 板表面內(nèi)幾乎未發(fā)現(xiàn)空隙，另外，在貼合終端部未發(fā)現(xiàn)空隙。(比較例)按照實施例1相同的方式制造貼合基板，貼合工序(工序d)貼合時的氣氛的溫度 為20°C及水分含量為10g/m3，即相對濕度為55%。當用與實施例1相同的方式觀察緊密貼合部的擴散方式時，發(fā)現(xiàn)貼合終端部附近 的擴散方式如圖1(b)所示。當用與實施例1相同的方式觀察所述制造的貼合基板中空隙的發(fā)生狀況時，在貼 合終端部發(fā)現(xiàn)很多空隙。上述結(jié)果表明，作為本發(fā)明的有益效果，貼合時的氣氛的濕度為30%以下和/或 水分含量為6g/m3以下時，可防止貼合終端部空隙的產(chǎn)生。應(yīng)該注意到，本發(fā)明并不限于上述實施方式。上述實施方式為例示，任何與本發(fā) 明的權(quán)利要求書中所記載的技術(shù)思想具有實質(zhì)上相同的構(gòu)成、起到相同作用效果的技術(shù)方 案，均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。符號說明10 第一基板；11 離子注入層；12 離子注入面20 第二基板；22 貼合面30 貼合基板；31 薄膜
權(quán)利要求
一種制造貼合基板的方法，其特征在于，使第一基板和第二基板貼合，將所述第一基板進行薄膜化，所述第二基板上具有薄膜的貼合基板的制造方法，所述方法至少包含以下工序在作為半導體基板的所述第一基板的表面，通過注入氫離子和/或稀有氣體離子形成離子注入層的工序；對所述第一基板的離子注入面及所述第二基板的貼合面中的至少一面施以表面活化處理的工序；在濕度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的氣氛中，將所述第一基板的離子注入面和所述第二基板的貼合面進行貼合的貼合工序；將所述第一基板在所述離子注入層分離，以使所述第一基板薄膜化的剝離工序；通過上述方法制造所述第二基板上具有薄膜的貼合基板。
2.如權(quán)利要求1所述的制造貼合基板的方法，其特征在于，所述第一基板為以下任一 種基板單晶硅基板、表面形成有氧化膜的單晶硅基板及化合物半導體基板。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制造貼合基板的方法，其特征在于，所述第二基板為以下任 一種基板石英基板、藍寶石(氧化鋁)基板、SiC基板、硼硅玻璃基板、微晶玻璃基板、氮化 鋁基板、單晶硅基板、表面形成有氧化膜的單晶硅基板及SiGe基板。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的制造貼合基板的方法，其特征在于，所述方法還包 括在所述貼合工序后，對貼合基板進行100-400°C的熱處理的熱處理工序，然后進行所述剝 離工序。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的制造貼合基板的方法，其特征在于，所述表面活化 處理通過等離子體處理進行。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的制造貼合基板的方法，其特征在于，所述剝離工序 中，所述第一基板在所述離子注入層的分離是通過對所述第一基板的一端施以外部沖擊， 從施加所述外部沖擊的一端向另一端劈開來進行。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制造貼合基板的方法，所述基板在整個基板表面、特別是貼合終端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的貼合基板的制造方法至少包含以下工序在作為半導體基板的所述第一基板的表面，通過注入氫離子和/或稀有氣體離子形成離子注入層的工序；對所述第一基板的離子注入面及所述第二基板的貼合面中的至少一面施以表面活化處理的工序；在濕度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的氣氛中，將所述第一基板的離子注入面和所述第二基板的貼合面進行貼合的貼合工序；將所述第一基板在所述離子注入層分離，以使所述第一基板薄膜化的剝離工序。
文檔編號H01L27/12GK101990697SQ20098011267
公開日2011年3月23日 申請日期2009年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者久保田芳宏, 伊藤厚雄, 川合信, 田中好一, 田村博, 秋山昌次, 飛坂優(yōu)二 申請人:信越化學工業(yè)株式會社