專利名稱：為小直徑、高密度晶片貫通孔裸片堆疊形成對準/對心導(dǎo)引件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體裝置，且更明確地說，涉及使用晶片貫通孔的可堆疊裸 片。
背景技術(shù)：
微處理器控制的電路用于各種各樣的應(yīng)用中。此些應(yīng)用包括個人計算機、蜂窩式 電話、數(shù)字相機、控制系統(tǒng)以及其它消費類產(chǎn)品的主機。個人計算機、數(shù)字相機等一般包括 為系統(tǒng)處置不同功能的各種組件，例如微處理器。通過組合這些組件，可將各種消費類產(chǎn)品 和系統(tǒng)設(shè)計成滿足特定需要。微處理器本質(zhì)上是在軟件程序的控制下執(zhí)行特定功能的通用 裝置。這些軟件程序一般存儲在耦合到微處理器和/或其它外圍設(shè)備的一個或一個以上存 儲器裝置中。例如微處理器和存儲器裝置等電子組件常常包括制造于半導(dǎo)體襯底上且一起耦 合在封裝中的眾多集成電路。為增加所述電路的密度，所述電路可經(jīng)垂直堆疊，從而減少電 路的“占用面積”。為進一步減少電路的占用面積并改進裸片之間的電連接性，裸片可通過 晶片貫通孔(例如，硅貫通孔或TSV)而互連，其中通孔穿過裸片的硅，以提供垂直互連。通 過用TSV代替通常位于裸片的邊緣上的條帶、焊線或其它連接技術(shù)，可減小電路的長度和 寬度。另外，使用TSV進行互連可消除對裸片之間的插入件的需要。然而，因為TSV必須貫 穿電路的整個經(jīng)堆疊裸片而對準，所以裸片在制造期間的對準可能存在挑戰(zhàn)性，尤其是相 對于直徑小且/或密度較高的TSV來說。


圖1說明根據(jù)本發(fā)明實施例的基于處理器的裝置的框圖；圖2A到圖2D說明根據(jù)本發(fā)明實施例的對準凹座和突起的形成；圖3A到圖3B說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的對準凹座和突起的形成；圖4A到圖4C說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的對準凹座和突起的形成；圖5A到圖5B說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的對準凹座和突起的形成；圖6說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的對準突起的形成；圖7描繪根據(jù)本發(fā)明實施例的用于形成對準特征的工藝；圖8描繪根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于在鈍化處理期間形成對準特征的工藝；以 及圖9描繪根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于在鈍化處理期間形成對準特征的工藝。
具體實施例方式圖1是含有可使用本發(fā)明的實施例的集成電路裝置的電子系統(tǒng)的框圖。由參考標(biāo) 號10概括指示的所述電子裝置或系統(tǒng)可為多種類型中的任一者，例如計算機、數(shù)字相機、蜂窩式電話、個人備忘記事本等。在典型的基于處理器的裝置中，處理器12(例如微處理器)控制系統(tǒng)功能和請求的操作。依據(jù)系統(tǒng)10所執(zhí)行的功能，各種裝置可耦合到處理器12。舉例來說，輸入裝置14 可耦合到處理器12以接收來自用戶的輸入。輸入裝置14可包含用戶接口，且可包括按鈕、 開關(guān)、鍵盤、光筆、鼠標(biāo)、數(shù)字轉(zhuǎn)換器、語音識別系統(tǒng)或許多其它輸入裝置中的任一者。音頻 或視頻顯示器16也可耦合到處理器12以將信息提供給用戶。顯示器16可包括(例如) IXD顯示器、CRT顯示器或LED。另外，系統(tǒng)10可包括電源18，其可包含(例如)電池、電池 接受器、交流電源適配器或直流電源適配器。電源18可將電力提供給系統(tǒng)10的一個或一 個以上組件。射頻(RF)子系統(tǒng)/基帶處理器20可耦合到處理器12，以提供無線通信能力。RF 子系統(tǒng)/基帶處理器20可包括天線，其耦合到RF接收器且耦合到RF發(fā)射器(未圖示)。 此外，通信端口 22可適合于提供電子系統(tǒng)10與外圍裝置24之間的通信接口。外圍裝置24 可包括筆記型計算機擴展塢(docking station)、擴充塢(expansion bay)或其它外部組 件。處理器12可耦合到各種類型的存儲器裝置以便利其操作。舉例來說，處理器12 可連接到存儲器26，存儲器26可包括易失性存儲器、非易失性存儲器或兩者。存儲器26的 易失性存儲器可包含多種存儲器類型，例如靜態(tài)隨機存取存儲器(“SRAM”)；動態(tài)隨機存取 存儲器(“DRAM”)；第一代、第二代或第三代雙數(shù)據(jù)速率存儲器(分別為“DDR1”、“DDR2”或 “DDR3”)等。存儲器26的非易失性存儲器可包含各種類型的存儲器，例如電可編程只讀存 儲器(“EPR0M”)或快閃存儲器。另外，非易失性存儲器可包括高容量存儲器，例如磁帶或 磁盤驅(qū)動器存儲器。系統(tǒng)10可包括多個半導(dǎo)體裝置。舉例來說，除處理器12和存儲器26之外，系統(tǒng) 10還可包括耦合到處理器12以提供數(shù)字成像功能性的圖像傳感器或成像器28。成像器28 可包括電荷耦合裝置(CCD)傳感器或互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器，其具有經(jīng)配置 以受光子沖擊且經(jīng)由光電效應(yīng)將此沖擊轉(zhuǎn)換成電流的光感受器或像素單元的陣列。雖然成 像器28可(例如借助于電路板)從處理器12遠程耦合，但成像器28和處理器12可改為 一體成形(例如)于共用襯底上。系統(tǒng)10的處理器12、存儲器26、成像器28和任何其它裝置或組件可為根據(jù)下文 進一步描述的技術(shù)而制造的集成電路或封裝。舉例來說，處理器12可為具有以垂直布置堆 疊的兩個或兩個以上裸片的集成電路。如上文所論述，裸片可借助穿過每一裸片的晶片貫 通孔而電互連。然而，隨著間距和直徑的大小減小以適應(yīng)較小裸片和集成電路的較小占用 面積，裸片在裸片堆疊處理期間的對準對于晶片貫通孔的對準和集成電路的恰當(dāng)操作來說 是至關(guān)重要的。圖2到圖6說明根據(jù)本發(fā)明實施例的對準凹座和突起的形成以促進裸片堆疊期間 晶片貫通孔的對準。如將了解，晶片可包括可根據(jù)下文所描述的技術(shù)來處理的任何數(shù)目的 裸片。舉例來說，盡管本文中所揭示的技術(shù)是在例如底部裸片和頂部裸片等一個或一個以 上裸片的情形中加以論述，但是所述處理可對一個或一個以上晶片，對從晶片切除之后的 一個或一個以上個別裸片，或其任何組合執(zhí)行。轉(zhuǎn)向圖2A到圖2D，圖2A說明可放置在集成電路的裸片堆疊的“底部”上的裸片100。裸片100包括背側(cè)表面101。裸片100可具有蝕刻到裸片100中且延伸穿過襯底的多 個晶片貫通孔102，且還可包括接合襯墊103。舉例來說，在例如光刻和蝕刻等深通孔圖案 化處理期間，可能已形成晶片貫通孔102。另外，在通孔圖案化處理期間，多個對準凹座104 可經(jīng)圖案化且蝕刻到裸片100的襯底中。可用選定的特殊布置來圖案化對準凹座104。舉 例來說，在一個實施例中，可在晶片上的裸片街(die street)和交叉處或附近圖案化和蝕 刻對準凹座104。對準凹座104可為任何大小、形狀或深度。然而，為確保對準凹座104在 裸片100的后續(xù)處理期間保持開放，在一實施例中，對準凹座104可被蝕刻至少或大于晶片 貫通孔102的深度?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2B，一旦已圖案化和蝕刻了晶片貫通孔102和對準凹座104，就可用銅 或例如多晶硅或鎢等其它互連材料來填充通孔102。填充有銅的通孔105和裸片100可經(jīng) 由例如載體附接、背研磨、硅凸版蝕刻等各種工藝來處理。舉例來說，可通過背研磨裸片100 的背側(cè)來使TSV在表面101上暴露。另外，可在未蝕刻TSV的情況下蝕刻裸片100的表面 101，使得TSV延伸超過裸片100的表面101。為促進裸片堆疊中的堆疊，裸片100可首先 經(jīng)翻轉(zhuǎn)，使得背側(cè)表面101現(xiàn)在暴露以供處理。也可將裸片100放置到例如硅載體等載體 106上，且借助粘合劑108而緊固。在形成TSV的背研磨步驟期間，對準凹座104可在裸片 100的背側(cè)110上暴露。圖2C說明可耦合到集成電路中的“底部”裸片100的例如“頂部”裸片的另一裸 片112。裸片112可包括多個接合襯墊114，其經(jīng)配置以耦合到第二或底部裸片(例如裸片 100)的晶片貫通孔。為促進頂部裸片112的接合襯墊114與底部裸片100的經(jīng)填充的通孔 105的對準，頂部裸片可包括從裸片112的襯底延伸的多個對準突起116。對準突起116可 通過例如光刻、立體平版印刷等任何合適處理來形成。舉例來說，突起可為有角度的結(jié)構(gòu)， 且可具有任何斜度或垂直度，如由平版印刷處理期間的光致抗蝕劑圖案化決定。另外，對準 突起116可具有任何形狀、大小或形貌，例如錐形、矩形、四面體等。另外，可將對準突起116 的形狀、大小或形貌選擇為較好地匹配底部裸片100上的對準凹座104。為形成裸片堆疊，頂部裸片112可如圖2D中所說明那樣堆疊在底部裸片100上。 在堆疊處理之前，頂部裸片112和底部裸片100可經(jīng)歷鈍化處理。舉例來說，鈍化層118可 形成于底部裸片上，且鈍化層120也可形成于頂部裸片上。鈍化層118和120還可分別安 置于對準凹座104上和對準突起116的頂部上。有利的是，在鈍化步驟期間無需額外的處 理來適應(yīng)對準凹座104和突起116。如圖2D中所說明，底部裸片100可首先已放置到例如硅載體等載體106上，且借 助于粘合劑層108而緊固。如上文所論述，為確保頂部裸片112與底部裸片100之間的電互 連，頂部裸片112的接合襯墊114應(yīng)與底部裸片100的經(jīng)填充的晶片貫通孔105對準。為 確保頂部裸片112的接合襯墊114與底部裸片100的晶片貫通孔105對準，頂部裸片的對 準突起116可嚙合底部裸片100上的凹座104。因此，在裸片堆疊處理期間，接合襯墊114 與晶片貫通孔102的對準并不受限于執(zhí)行堆疊操作的工具的準確度。代替的是，在更準確 的平版印刷和蝕刻處理期間形成的對準突起116和凹座104提供較好的對準準確度，且確 保底部裸片100與頂部裸片112以特定對準堆疊。一旦裸片已堆疊，就可接著移動經(jīng)堆疊的裸片以進行進一步處理，例如接合襯墊 與晶片貫通孔連接的回焊、底部填充等?？赏ㄟ^任何合適的技術(shù)來促進接合襯墊與晶片貫
6通孔之間的電連接。舉例來說，可將焊球安置在接合襯墊114上以接觸經(jīng)填充的通孔105。 對于較小間距的通孔和接合襯墊，可通過任何其它合適的技術(shù)來促進所述接觸，例如在通 孔105和接合襯墊114上沉積例如鎳/鈀/金金屬等凸塊底部金屬層(UBM)材料；在接合 襯墊114和/或通孔105上沉積例如錫、銦/金或其它金屬等金屬；熱超聲波接合；和/或 在接合襯墊114上鍍焊接掩模。接著必須將裸片堆疊從堆疊位置(例如，取放工具)移到工藝中的下一步驟。底 部裸片100相對頂部裸片112的任何移動都可能影響接合襯墊114與晶片貫通孔102之間 的接觸，從而導(dǎo)致連接不佳或無連接，且影響裸片堆疊的良率。對準凹座104和突起116可 提供額外的“互鎖”功能，以防止底部裸片100和頂部裸片112在裸片堆疊的重定位期間的 移動。舉例來說，頂部裸片112的對準突起116與底部裸片100的對準凹座104之間的接 觸防止裸片100和112的移動，以及提供堆疊期間的對準功能。圖3A和圖3B說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的對準凹座和突起的形成。圖3A描繪第 一裸片200 (例如底部裸片)，其具有多個晶片貫通孔202，安置于硅載體204上且由粘合層 206緊固。如圖3A中所說明，裸片200已經(jīng)受必要處理以形成和填充晶片貫通孔202。在 此實施例中，多個對準凹座208可在背側(cè)鈍化處理期間形成，例如在晶片貫通孔的形成和 填充之后形成。鈍化層210可在對準凹座208形成之前已形成。在鈍化層210形成之后， 對準凹座208可例如通過干式或濕式蝕刻或任何合適的工藝而圖案化和蝕刻。可以任何所 要深度或角度來蝕刻對準凹座208，且對準凹座208可為任何大小、形狀或形貌。舉例來說， 可使用各向同性(無方向性)或各向異性(方向性)來蝕刻凹座208，以控制凹座208的形 狀和角度。各向同性蝕刻可提供具有傾斜或有角度側(cè)面的凹座208，而各向異性蝕刻可提供 具有垂直側(cè)面的凹座208。在圖3B中，展示裸片堆疊212，其包括具有多個接合襯墊215和多個對準突起216 的頂部裸片214，以及具有如上文所論述而形成的對準凹座208的底部裸片200。頂部裸片 214上的對準突起216可通過任何合適工藝而形成，例如通過如上文在圖2C中所描述的光 刻或立體平版印刷而形成。為確保頂部裸片214的接合襯墊215與底部裸片200的晶片貫 通孔202對準，頂部裸片214的對準突起216可與底部裸片200的凹座208耦合。如上文所 論述，這些對準特征216和208可提供優(yōu)于堆疊工具的對準準確度，從而確保頂部裸片214 的接合襯墊215與晶片貫通孔202的充分對準。類似地，如上文所論述，對準凹座208與對 準突起216的嚙合也可防止頂部裸片214和底部裸片200在裸片堆疊212重定位到下游處 理區(qū)域期間移位。圖4A到圖4C說明本發(fā)明的又一實施例。如圖4A中所說明，多個對準突起300可 形成于底部裸片302上。如圖4A中所說明，底部裸片302已經(jīng)歷眾多處理步驟，例如用以形 成晶片貫通孔304的光刻和蝕刻，以及使經(jīng)填充的晶片貫通孔304外露的背研磨。另外，將 底部裸片302展示為準備好進行堆疊，且借助粘合層308緊固到硅載體306。對準突起300 可在底部裸片302的背側(cè)鈍化處理期間或之后圖案化，因為裸片302可包括鈍化層310。舉 例來說，對準突起300可在此處理期間使用光刻和掩模(例如衰減式鉻掩模)來形成。有 利的是，在此實施例中，對準突起300的形成在平版印刷和蝕刻期間未添加額外處理步驟， 因為對準突起300是在背側(cè)鈍化處理期間或之后形成。圖4B說明頂部裸片312，其具有經(jīng)配置以耦合到底部裸片302的晶片貫通孔304的接合襯墊314。頂部裸片312還包括多個對準凹座316，其經(jīng)配置以嚙合底部裸片302的 對準突起300。在圖4B中所描繪的實施例中，在鈍化處理之后圖案化和蝕刻頂部裸片312 的對準凹座316，如由鈍化層318的描繪所說明。在一實施例中，可在鈍化處理期間或之后 圖案化和蝕刻對準凹座316，如上文所描述。圖4C說明包括底部裸片302和頂部裸片312的裸片堆疊320。如上文所論述，底 部裸片302的晶片貫通孔304與頂部裸片312的接合襯墊314的對準可由對準特征300和 316的嚙合來促進。舉例來說，底部裸片302的對準突起300可嚙合頂部裸片312的對準凹 座316。另外，對準突起300與對準凹座316的嚙合可防止裸片302和312在裸片堆疊320 重定位到另一區(qū)域以供進一步處理期間滑動或移動。圖5A和圖5B描繪底部裸片400和頂部裸片402，其具有與圖4A和圖4B中所描述 相類似的對準特征。在圖5A中，將底部裸片400展示為具有多個晶片貫通孔404，且展示為 借助于粘合層408緊固到硅載體406。底部裸片400可包括多個對準突起410，其是通過上 文所描述的技術(shù)中的任一者而形成，例如在光刻處理期間、在前側(cè)或背側(cè)鈍化期間等通過 圖案化和蝕刻而形成。在所說明的實施例中，對準突起可在背側(cè)鈍化處理期間或之后形成， 如由鈍化層412的存在所說明。圖5B描繪頂部裸片402，其具有經(jīng)配置以耦合到底部裸片400的多個晶片貫通孔 404的多個接合襯墊414。另外，頂部裸片402包括在頂部裸片402的鈍化期間或之后形成 的多個對準凹座416，如由鈍化層418的描繪所說明。與上文在圖4B中所描繪的實施例形 成對比，對準凹座416經(jīng)蝕刻以使得其僅延伸到頂部裸片402的鈍化層418中，且不延伸到 硅中。有利的是，將對準凹座416蝕刻到鈍化層418中防止對頂部裸片402的硅的任何意 外損傷，且可降低將凹座蝕刻到裸片402的通孔或其它關(guān)鍵區(qū)域中的可能性。底部裸片400 和頂部裸片402可一起堆疊在(例如)圖4C所描繪的裸片堆疊中。底部裸片400的對準 突起410可嚙合頂部裸片402的鈍化層418中的對準凹座416，從而提供如上文所描述的對 準優(yōu)勢。圖6描繪用于對準經(jīng)堆疊的裸片的對準特征的又一實施例。圖中所說明的裸片堆 疊500可包括頂部裸片502和底部裸片504，底部裸片504借助粘合層508緊固到硅載體 506。在所說明的實施例中，多個對準突起510可形成于底部裸片504中，且第二多個對準 突起512可形成于頂部裸片502中。對準突起510和512可促進底部裸片504的多個晶片 貫通孔511與頂部裸片502的接合襯墊513的對準。舉例來說，如圖5中所示，底部裸片504上的對準突起510可經(jīng)布置以使得頂部裸 片502上的對準突起512在對準突起510之間滑動。如上文所論述，頂部裸片502的對準突 起512和底部裸片504的對準突起510可在形成鈍化層514和516的鈍化處理期間或之后 形成。對準突起510和512可為任何大小、形狀和形貌，且底部裸片504上的對準突起510 可為與頂部裸片502上的對準突起512相同或不同的大小、形狀和形貌。有利的是，底部裸 片504或頂部裸片502上的對準突起510和512的形成無需蝕刻到頂部裸片502或底部裸 片504的硅中。如上文所論述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，各種對準特征可形成于兩個或兩個以上裸 片上以促進裸片堆疊的形成期間的對準。如下文進一步更詳細地描述，這些對準特征的形 成可在裸片的處理期間在額外步驟中執(zhí)行，或?qū)侍卣鞯男纬煽烧系揭延刑幚聿襟E中。用以形成對準特征的技術(shù)的選擇可視對準特征的大小、形狀和類型以及處理晶片時所需的 額外成本或時間而定。舉例來說，與特別針對對準特征的形成而添加新的處理步驟相對比， 通過將對準特征的形成整合于裸片的已有處理步驟中來使成本減到最小可能是有利的。另 外，為對準特征的形成而選擇的處理步驟對于堆疊中的每一裸片可為不同的，且此些技術(shù) 可應(yīng)用于具有兩個、三個、四個或任何數(shù)目的裸片的多裸片堆疊。圖7到圖9說明根據(jù)本發(fā)明實施例的形成各種對準特征的工藝。應(yīng)了解，圖7到 圖9中所說明的工藝可包括在對準特征的形成之前或之后進行的任何額外處理步驟，且裸 片的處理不限于所示的處理步驟。另外，所說明的工藝可應(yīng)用于任何數(shù)目的裸片，且在一些 實施例中，可使用不同工藝來形成不同裸片或裸片的組合?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖7，展示根據(jù)本發(fā)明實施例的用于形成對準特征的工藝600。在圖7中， 可在用以形成晶片貫通孔的平版印刷和蝕刻處理期間形成對準凹座，例如圖2A到圖2D中 所說明。起初，可通過光刻、蝕刻和/或任何其它合適的工藝將晶片貫通孔圖案化到底部裸 片中(步驟602)。還可在晶片貫通孔的圖案化和蝕刻期間圖案化和蝕刻對準凹座(步驟 604)。在其它實施例中，可在晶片貫通孔的圖案化和蝕刻之后圖案化和蝕刻對準凹座。在 已圖案化和蝕刻晶片貫通孔和對準凹座之后，底部裸片可經(jīng)歷例如載體附接、背研磨、硅凸 版等進一步處理。在例如用銅、聚合物或其它合適的材料填充晶片貫通孔之后，裸片可經(jīng)歷 背研磨處理以使通孔暴露且使對準凹座暴露(步驟606)。為嚙合對準凹座，可將對準突起圖案化到第二或頂部裸片中(步驟608)。在對準 特征形成之后，可對頂部和底部裸片執(zhí)行鈍化處理以形成鈍化層(步驟610)。因此，在此實 施例中，鈍化層形成于底部裸片和頂部裸片的對準凹座和對準突起上。底部裸片和頂部裸 片可經(jīng)堆疊，從而依靠對準突起的嚙合來使頂部裸片與底部裸片準確地對準(步驟612)。 一旦形成裸片堆疊，就可移動裸片堆疊以供進一步處理(步驟614)。如上文所論述，當(dāng)移動 堆疊時，對準特征還防止裸片堆疊中的裸片移位或移動，從而確保任何接合襯墊和通孔在 處理的持續(xù)時間內(nèi)保持對準。圖8描繪根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于在鈍化處理期間形成對準特征的工藝 700，例如圖3A到圖3B以及圖4A到圖4C中所說明。如上文所論述，可通過光刻、蝕刻和/ 或任何其它合適的工藝將晶片貫通孔圖案化和蝕刻到底部裸片中(步驟702)。裸片可經(jīng) 歷例如背研磨處理等進一步處理，以使晶片貫通孔打開(步驟704)。為促進裸片堆疊的對 準，可將對準插入件圖案化到頂部裸片中(步驟706)。接下來，可對底部和頂部裸片執(zhí)行鈍 化處理(步驟708)。為在底部裸片中形成對準特征，可在鈍化處理期間將對準凹座圖案化 和蝕刻到底部裸片中(步驟710)。一旦兩個裸片都具有對準特征，就可使用對準特征的嚙 合以使裸片的接合襯墊與晶片貫通孔準確地對準來堆疊裸片以形成裸片堆疊(步驟712)。 也可繼續(xù)移動裸片堆疊以供進一步處理，其中經(jīng)嚙合的對準特征防止裸片在堆疊的移動期 間移位(步驟714)?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖9，說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的用于在鈍化處理期間形成對準特征 的工藝800，例如圖3A到圖3B以及圖4A到圖4C中所描繪。起初，可將晶片貫通孔圖案化和 蝕刻到底部裸片中(步驟802)，且裸片可經(jīng)歷例如背研磨處理等進一步處理以使晶片貫通 孔暴露(步驟804)。接下來，底部裸片和頂部裸片兩者都可經(jīng)歷鈍化處理(步驟806)。在底 部裸片的背側(cè)鈍化期間或之后，可將對準突起圖案化和蝕刻到底部裸片上(步驟808)。類似地，在頂部裸片的前側(cè)鈍化期間或之后，可將對準凹座圖案化和蝕刻到頂部裸片上(步 驟810)。在鈍化處理期間相應(yīng)對準特征的形成之后，可使用對準突起與對準凹座的嚙合以 使裸片準確地對準來堆疊頂部和底部裸片以形成裸片堆疊(步驟812)?？山又苿勇闫?疊以供進一步處理，其中經(jīng)嚙合的對準特征使堆疊進一步穩(wěn)定(步驟814)。
雖然本發(fā)明可容易存在各種修改和替代形式，但已在圖式中作為實例展示了特定 實施例，且本文中已詳細描述了所述特定實施例。然而，應(yīng)理解，本發(fā)明無意限于所揭示的 特定形式。相反，本發(fā)明將覆蓋屬于由所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的 所有修改、均等物和替代方案。
權(quán)利要求
1.一種形成裸片堆疊的方法，其包含 在第一裸片中形成多個晶片貫通孔；以及 在第一裸片中形成一個或一個以上對準特征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含在第二裸片中形成一個或一個以上對準特征。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含將所述第二裸片堆疊在所述第一裸片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對準特征包含多個開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個開口延伸至少與所述多個晶片貫通孔離 所述裸片的表面一樣遠的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對準特征包含從所述裸片延伸的多個突起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述一個或一個以上對準特征包含通過光 刻、立體平版印刷、濕式蝕刻、干式蝕刻、鈍化或其組合來形成所述對準特征。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含拾取所述第一裸片和將所述第一裸片放置到所 述第二裸片上，使得所述第一裸片的所述對準特征嚙合所述第二裸片的所述對準特征。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含將所述裸片堆疊放置在固化爐中。
10.一種制造裸片堆疊的方法，其包含 在第一裸片上形成多個晶片貫通孔； 在第一裸片上形成多個凹座；以及在第二裸片上形成多個突起，其中所述多個突起經(jīng)配置以嚙合所述多個凹座，以 使所述第二裸片的多個接合襯墊與所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔對準。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其包含將所述第一裸片堆疊到所述第二裸片上，使得 所述多個凹座嚙合所述多個突起。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其包含將所述第二裸片堆疊到所述第一裸片上，使得 所述多個突起嚙合所述多個凹座。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在第一裸片上形成所述多個凹座包含在安置于 第一天上的層中形成多個凹座。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述層包含鈍化層。
15.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含 在晶片中形成多個對準特征；將所述晶片切割成多個裸片，使得每一裸片包含所述多個對準特征中的一者或一者以上；在所述多個裸片中的第一裸片中形成多個晶片貫通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成多個對準特征包含在所述晶片的多個裸片 街處形成所述多個對準特征。
17.一種裸片堆疊，其包含第一裸片，其具有第一多個對準特征和多個晶片貫通孔；以及 第二裸片，其具有第二多個對準特征和多個接合襯墊，其中所述第二裸片的所述第二 多個對準特征經(jīng)配置以嚙合所述第一裸片的所述第一多個對準特征，使得所述第二裸片的 所述多個接合襯墊與所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔對準。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裸片堆疊，其中所述第二裸片的所述多個接合襯墊經(jīng)配置以嚙合所述第一裸片的所述多個晶片貫通孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裸片堆疊，其中所述第一多個對準特征包含多個凹座。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裸片堆疊，其中所述第二多個對準特征包含從所述裸片的 表面延伸的多個突起。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裸片堆疊，其中所述第一多個對準特征和所述第二多個對 準特征包含多個突起。
22.—種系統(tǒng)，其包含 電子裝置，其包含處理器；一個或一個以上半導(dǎo)體裝置，其中所述一個或一個以上半導(dǎo)體裝置包含裸片堆疊，其 中所述裸片堆疊包含第一裸片，其具有第一多個對準特征和晶片貫通孔。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中根據(jù)權(quán)利要求21所述的裸片堆疊，其中所述裸 片堆疊包含第二裸片，其具有第二多個對準特征。
24.一種裸片堆疊，其包含第一裸片，其具有第一多個突起和多個晶片貫通孔；以及第二裸片，其具有第二多個突起，其中所述第二多個突起經(jīng)配置以嚙合所述第一多個 突起。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成裸片堆疊的方法。所述方法包括在第一裸片中形成多個晶片貫通孔(105)和第一多個對準特征(104)。在第二裸片中形成第二多個對準特征(116)，且將所述第一裸片堆疊在所述第二裸片上，使得所述第一多個對準特征嚙合所述第二多個對準特征。還提供一種制造裸片堆疊的方法，其包括在第一裸片上形成多個晶片貫通孔；在第一裸片上形成多個凹座(104)；以及在第二裸片上形成多個突起(116)。還提供一種裸片堆疊和一種系統(tǒng)。
文檔編號H01L23/48GK101999168SQ200980112774
公開日2011年3月30日 申請日期2009年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月11日
發(fā)明者戴維·普拉特 申請人:美光科技公司