專(zhuān)利名稱(chēng)：具有帶中心凹部的托座的led模塊的制作方法
具有帶中心凹部的托座的LED模塊本發(fā)明涉及固態(tài)照明領(lǐng)域。本發(fā)明尤其涉及具有托座(platform)的LED模塊的領(lǐng)域，該托座上安裝有至少一 個(gè)LED芯片(LED裸片)。所述LED芯片尤其可以是諸如藍(lán)光照明LED芯片的單色LED芯 片。正如公知的，假使在上述芯片頂部放置包括色彩變換顆粒的層，則色彩變換顆粒將會(huì)變 換(通常是降頻變換(d0Wn-C0nvert))LED芯片所發(fā)射的光中的至少一部分，使得原來(lái)由 LED芯片所發(fā)射的光譜與通過(guò)色彩變化顆粒的變換而產(chǎn)生的光譜的混合將從LED模塊發(fā)射 出來(lái)。借助此技術(shù)，可以制造例如白光照明LED模塊。近來(lái)已發(fā)展出了用于LED封裝設(shè)計(jì)的表面安裝技術(shù)(SMT)。所述SMT法具有可將 LED元件尺寸最小化的優(yōu)點(diǎn)。為了將垂直型LED芯片和面朝上(FU)水平型LED芯片安裝到封裝(package)(例 如由硅制成)上，通常要在托座的刻蝕凹部中形成金屬焊盤(pán)，以便安裝LED芯片。另外，至 少一條鍵合線(xiàn)(通常由金制成)用于將LED芯片的頂表面電極與通常通向托座的反面的電 通道連接。安裝有LED芯片的晶片的正面與通常放置電源和控制電路的晶片的反面之間的 電連接，是通過(guò)表面金屬化為電路來(lái)實(shí)現(xiàn)的。一般而言，LED封裝的元件尺寸的最小化，對(duì)于諸如在移動(dòng)電話(huà)中、便攜式顯示器， IXD的背光等現(xiàn)代的LED應(yīng)用而言是重要的因素。此外，光學(xué)方面，例如使用透鏡的情況，也 需要光源其自身的最小化。因此，本發(fā)明意在實(shí)現(xiàn)此目的提供一種特別用于使具有處于托座的凹部中的芯 片的LED模塊最小化的技術(shù)。此目的借助于獨(dú)立權(quán)利要求中的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)，從屬權(quán)利要求進(jìn)一步深化了本發(fā)明 的中心思想。根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種在托座內(nèi)具有至少一個(gè)穿通孔的LED模塊， 所述LED模塊包括托座，所述托座具有凹部，所述凹部具有帶底部的中心部分和包圍中心部分的階 梯式擴(kuò)展部分；至少一個(gè)LED芯片，所述LED芯片布置在中心部分的底部上；鍵合線(xiàn)，所述鍵合線(xiàn)從LED芯片通向擴(kuò)展部分的底部，以便與LED芯片的第一電 極接觸。鍵合線(xiàn)借助于從擴(kuò)展部分的底部起穿過(guò)托座而通向托座的反面的穿通接觸件 (through contact)，與托座的反面電連接。LED模塊還可以包括在中心部分的底部?jī)?nèi)的穿通接觸件，所述穿通接觸件與LED 芯片的第二電極接觸。托座可以由硅制成?？梢蕴峁┥首儞Q介質(zhì)而用來(lái)填充凹部的中心部分，其中，色彩變換介質(zhì)的頂表 面基本上可以與所述凹部的擴(kuò)展部分的底部齊平。凹部的擴(kuò)展部分可以填充有透明介質(zhì)，優(yōu)選地，所述透明介質(zhì)不具有色彩顆粒和/
4或散射顆粒。替代地，凹部的擴(kuò)展部分可以填充有包括色彩變換顆粒和/或散射顆粒的透明介 質(zhì)?？梢赃x擇凹部的擴(kuò)展部分中的色彩變換顆粒，使得擴(kuò)展部分中的色彩變換顆粒將 光變換為第一光譜，而中心部分中的色彩變化顆粒將光變換為與第一光譜不同的第二光
■i並 曰O擴(kuò)展部分可以填充有在托座的頂表面上方延伸的水滴形頂部。替代地，擴(kuò)展部分可以填充有與托座的頂表面齊平的介質(zhì)。凹部的中心部分可以具有正方形或矩形的剖面形狀。擴(kuò)展部分可以具有圓形的形狀。中心部分的底部可以具有小于300μπι、優(yōu)選地介于50μπι至150μπι之間的厚度。擴(kuò)展部分可以具有介于2mm至4mm之間、優(yōu)選地介于2. Omm至3. Omm之間的直徑。在俯視時(shí)，所述托座可以具有正方形或矩形的剖面形狀。界定擴(kuò)展部分的壁可以例如與托座的界定中心凹部的部分整體地形成。在此情況 下，可以通過(guò)兩步刻蝕工藝，例如在硅中的各向異性刻蝕工藝，來(lái)形成凹部的擴(kuò)展部分和中 心部分。替代地，界定擴(kuò)展部分的壁可以作為單獨(dú)的部件而安裝至托座的界定中心凹部的 部分。為了將LED芯片的電極與穿通接觸件連接，可以在中心凹部的底部上提供金屬化層。在凹部的中心部分的底部?jī)?nèi)的穿通接觸件相對(duì)于芯片偏離，即從上方看去時(shí)在 LED芯片的輪廓外部。鍵合線(xiàn)可以借助于從擴(kuò)展部分的底部起穿過(guò)托座而通向托座的反面的另外的穿 通接觸件，與托座的反面電連接。本發(fā)明的另一方面涉及一種具有帶中心部分和擴(kuò)展部分的凹部的硅托座，所述硅 托座設(shè)計(jì)用于LED模塊中。本發(fā)明的又一方面涉及一種LED模塊，在所述LED模塊中，經(jīng)由橫向金屬化通道來(lái) 接觸LED芯片的一個(gè)或更多個(gè)電極，所述LED模塊包括托座，所述托座具有凹部；至少一個(gè)LED芯片，所述LED芯片布置在凹部的底部上；第一導(dǎo)電通道(金屬化通道)，所述第一導(dǎo)電通道從LED芯片的第一電極起穿越凹 部的側(cè)壁而通向托座的表面，并從此處穿越托座的橫壁而到達(dá)托座的反面；以及與第一導(dǎo)電通道電隔離的第二導(dǎo)電通道，所述第二導(dǎo)電通道從LED芯片的第二電 極起穿越凹部的側(cè)壁而通向托座的表面，并從此處穿越托座的橫壁而到達(dá)托座的反面。在結(jié)合附圖而理解以下對(duì)本發(fā)明的多個(gè)不同實(shí)施例的描述后，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人 員而言，進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯。

圖1示出本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，其中置于托座的凹部中的LED芯片分別經(jīng)由橫 向?qū)щ娡ǖ?金屬化通道)和鍵合線(xiàn)來(lái)電接觸，圖2是分別示出圖1的LED模塊的正面(FS)和背面(BS)的視圖，
圖3是示出具有垂直型LED芯片(一個(gè)電極位于LED芯片的頂表面，而另一電極 位于其底表面)的本發(fā)明的另一實(shí)施例的立體圖，圖4示出圖3的實(shí)施例的側(cè)面剖面圖，圖5示出本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中托座的凹部中的LED芯片分別經(jīng)由穿通孔和 位于頂表面的鍵合線(xiàn)來(lái)接觸，圖6示出本發(fā)明的又一實(shí)施例，其中托座的凹部中的FU(面朝上)安裝LED芯片 經(jīng)由兩條鍵合線(xiàn)來(lái)接觸，圖7示出垂直型LED芯片的電極分別由金屬化通道和鍵合線(xiàn)來(lái)接觸的實(shí)施例，圖8示出圖7的實(shí)施例的剖面圖，并且圖9示出對(duì)圖7和圖8的實(shí)施例的修改。B 1，B 2 ‘棚0 馳誦i首(表面·誦i首)__丨現(xiàn)在將結(jié)合圖1和圖2來(lái)說(shuō)明這樣的實(shí)施例在所述實(shí)施例中，布置在(例如硅) 托座的凹部中的LED芯片的至少一個(gè)電極并且優(yōu)選地甚至是兩個(gè)電極，經(jīng)由構(gòu)成表面電流 通道的至少一個(gè)橫向金屬化通道而與托座的反面的電接觸件連接。圖1大體示出了設(shè)計(jì)用來(lái)產(chǎn)生具有確定光譜的光的LED模塊1。LED模塊1包括 可以由例如硅(硅晶片)制成的托座。所述托座具有處于底部4的凹部3，在所述凹部3放 置有能夠發(fā)射具有確定光譜的光的LED芯片5。由凹部3所確定的腔室可以填充有可包括 色彩變換顆粒和/或散射顆粒的透明介質(zhì)6。在圖1所示的實(shí)施例中，凹部3中的填充物6的頂表面7與硅托座的頂表面8基 本齊平。凹部3的側(cè)壁9，包括側(cè)壁19，在圖1中都示出為垂直的，但其也可以是傾斜的，從 而使凹部3朝著圖1所見(jiàn)的頂框架開(kāi)口。如果需要的話(huà)，可以使側(cè)壁9為可反光的(通過(guò)表面處理和/或諸如Al或Ag的 金屬涂覆)。為了與處于LED芯片的頂表面11的第一電極10和設(shè)置于LED芯片5的底表面的 第二電極12接觸，可以采用不同的方法。在圖1所示的實(shí)施例中，經(jīng)由鍵合線(xiàn)14來(lái)接觸處 于LED芯片5的頂表面11的電極10，所述鍵合線(xiàn)14可例如由金制成，并以在凹部3的填 充物6的頂表面7上方延伸的方式通向布置在托座2的頂表面8上的接合焊盤(pán)(landing pad) 15。隨后，導(dǎo)電通道從接合焊盤(pán)15起穿越托座2的側(cè)壁16而通向托座2的反面(背 面)17。經(jīng)由導(dǎo)電金屬化層48來(lái)接觸布置在LED芯片5的底面13的電極12，所述導(dǎo)電金 屬化層48可以是具有導(dǎo)電金屬化通道18的平板，所述導(dǎo)電金屬化通道18從托座2的底部 4起穿越腔室(凹部)3的側(cè)壁19而通向托座2的頂表面8，并隨后穿越側(cè)壁49 (不同于首 次提到的電極的側(cè)壁16)而到達(dá)布置于硅托座2的反面(背面)的電接觸件20。電接觸 件20、21經(jīng)由隔離間隙22而彼此分離。導(dǎo)電金屬化通道18和導(dǎo)電金屬化層48可以由導(dǎo) 電的各種材料制成，例如也可以是半金屬。要注意的是，對(duì)于LED芯片5的頂表面11上的第一電極10而言，也可以替代使用 鍵合線(xiàn)14而使用與金屬化通道18相似但將其電隔離的另外的金屬化通道。為了以物理的方式來(lái)保護(hù)鍵合線(xiàn)14，通常將第二透明層(圖1中未示出)涂覆到LED模塊1的頂部，從而使其封閉鍵合線(xiàn)14。在圖1的實(shí)施例中，硅托座2不具有穿通孔。圖2是示出圖1的實(shí)施例的模塊1 的正面(FS)和背面(反面(BS))的視圖。正如可以看出的，凹部3可以具有大體矩形或正方形的剖面形狀。而且硅托座的 外輪廓也可以是正方形或矩形。正面圖示出用于鍵合線(xiàn)14(圖2中未示出)的接合焊盤(pán) 15。在圖2 (正面)中還示意性地示出了具有導(dǎo)電通道18導(dǎo)電金屬化層48和的側(cè)壁19。用于鍵合線(xiàn)14的接合焊盤(pán)15可以通過(guò)可由例如硅氧化物形成的隔離層23而與 金屬化通道18隔離。圖3至圖9 在ffi座內(nèi)H有穿誦孔他t施徹丨現(xiàn)在將結(jié)合圖3至圖9來(lái)描述這樣的實(shí)施例在所述實(shí)施例中，布置在(例如硅) 托座的凹部中的LED芯片的電接觸件經(jīng)由橫穿托座的穿通孔而與位于托座的背面的電接 觸件連接。每個(gè)穿通孔可以經(jīng)由金屬化通道或鍵合線(xiàn)而與LED芯片的相關(guān)電極連接。穿通 孔可以設(shè)置于托座中的凹部的中心部分和/或擴(kuò)展部分，這為設(shè)計(jì)選擇提供了自由度。穿通孔，也稱(chēng)作通孔，是在半導(dǎo)體制造即集成電路設(shè)計(jì)和LED托座的領(lǐng)域中經(jīng)常 使用的技術(shù)。(穿通硅通孔(through-silicon via)是完全穿過(guò)基板或晶片的垂直電連接 (通孔))。在例如絕緣氧化層的基板層中，穿通孔是允許不同的層之間的有導(dǎo)電連接的小 開(kāi)口。例如通過(guò)電鍍或通過(guò)將所述、孔填充孔環(huán)或小鉚釘，使得所述孔可導(dǎo)電。因此，穿通 孔與圖1和圖2所示的橫向金屬化通道(表面通道)有較大的區(qū)別。它們也與例如采用流 動(dòng)成型技術(shù)而嵌入在托座中的橫向金屬化通道(表面通道)有較大的區(qū)別。此處即首先構(gòu) 建導(dǎo)電通道，然后重疊形成托座的覆蓋材料。注意的是，根據(jù)圖3、4、5和7、8、9的實(shí)施例涉及垂直型芯片。垂直型芯片在芯片 的兩個(gè)面上具有兩個(gè)電極。因此，至少一條鍵合線(xiàn)與頂表面負(fù)極連接，而經(jīng)由例如刻蝕凹部 中的金焊盤(pán)來(lái)連接芯片底部的正極。如以下將進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明的，圖3、4、5的實(shí)施例涉及正極接觸穿通孔在凹部?jī)?nèi)的 設(shè)計(jì)，而圖7、8、9的實(shí)施例描述用于LED芯片的兩個(gè)電極的穿通孔橫穿凹部外部的托座而 因此處于托座的較厚部(與托座的凹部底部的減少的厚度相比)的情況?，F(xiàn)在將結(jié)合圖3來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例。提供了具有硅托座2和布置在凹 部3中的LED芯片5的垂直型LED模塊1。正如從圖3和圖4中可以看出的，此凹部3包括 第一中心部分25，LED芯片5布置在所述第一中心部分25的底部4。另外，第二擴(kuò)展部分26布置在中心部分25上方?？梢酝ㄟ^(guò)例如兩步(各向異性)刻蝕工藝來(lái)形成凹部3的第一中心部分25和第 二擴(kuò)展部分26。經(jīng)由鍵合線(xiàn)14而通向位于LED芯片5的頂表面的第一電極10，所述鍵合線(xiàn)14超 過(guò)中心部分25的范圍，并到達(dá)布置在凹部3的第二擴(kuò)展部分26的底表面27上的接合焊盤(pán) 15上。為了將鍵合線(xiàn)14的接合焊盤(pán)15與托座2的背面連接，在此實(shí)施例中，可被金屬化的 至少一個(gè)穿通接觸件穿過(guò)(例如硅)托座2而通向背面接觸件20。此穿通接觸件以及在本發(fā)明的構(gòu)架中所提及的其它所有的穿通接觸件，可以通過(guò) 高深寬比DRIE(深反應(yīng)離子刻蝕)來(lái)形成。同樣經(jīng)由金屬化層48接觸布置于LED芯片5的底面13的LED芯片5的電極12。但是，在圖3和圖4的實(shí)施例中，此金屬化層48還與布置在硅托座2的底部4內(nèi)的第二穿 通接觸件29相接觸。第二穿通接觸件29就其布置在LED芯片5的輪廓外部(在俯視時(shí)) 這個(gè)意義上而言是偏離設(shè)置的。第二穿通接觸件29同樣通向背面接觸件21。
通過(guò)使得第二穿通接觸件29位于LED芯片5的輪廓外部并偏離于金屬化層48，能 夠避免可能由穿通接觸件29帶來(lái)的使LED芯片的金屬化層48不平整并由此妨礙LED芯片 5經(jīng)由金屬化層48與底部4的正確焊接的問(wèn)題。在圖3和圖4的實(shí)施例中，其表明了可以使界定凹部3的第二擴(kuò)展部分的壁30與 托座2的部分31整體地形成，其中，部分31界定凹部3的第一中心部分25，并且部分31也 包括托座2的底部4。但是，要注意的是，硅托座2的包括凹部3的第二擴(kuò)展部分26的壁30的部分也可 以作為單獨(dú)的部件(例如環(huán))而安裝于所述部分31。尤其可從圖1所見(jiàn)的，凹部3的中心部分可以具有矩形或正方形的形狀。第二擴(kuò)展部分26可以具有圓形或橢圓形的形狀。凹部3的第一中心部分25可以填充有色彩變換介質(zhì)，即諸如具有散布于其中的色 彩變換顆粒的樹(shù)脂的基體。優(yōu)選地，用于填充凹部3的第二擴(kuò)展部分26的材料是透明的，但不包括色彩變換顆粒。在圖4的實(shí)施例中，用于第二擴(kuò)展部分26的填充物實(shí)際上是所謂的水滴形頂部 24，所述水滴形頂部24是利用將凹部3的第二擴(kuò)展部分26的側(cè)壁30作為阻擋而涂覆的。在圖5的實(shí)施例中，本質(zhì)的區(qū)別是，將用于填充凹部3的第二擴(kuò)展部分26的材料 41形成為與硅托座2的頂表面8齊平。如從圖3、4和5可以看出，優(yōu)選地凹部3的第一中心部分25的填充物使得用于此 填充物的材料33與凹部3的第二擴(kuò)展部分26的底部27齊平。在任何情況下，根據(jù)圖1-圖6的實(shí)施例，鍵合線(xiàn)14將總是穿過(guò)優(yōu)選地包括色彩變 換顆粒的第一材料33，其中，鍵合線(xiàn)14的彎曲部34由單獨(dú)涂覆的第二透明基體來(lái)保護(hù)。圖6所示的實(shí)施例尤其適合用于FU (面朝上)芯片封裝。FU安裝芯片在LED芯片 的頂部上具有正極和負(fù)極，使得至少有分別用于正極和負(fù)極的兩條鍵合線(xiàn)與芯片頂表面連接。因此，在圖6的實(shí)施例中，取代穿通孔29，經(jīng)由第二鍵合線(xiàn)35來(lái)電接觸LED芯片5 的第二電極，所述第二鍵合線(xiàn)35通向也布置于凹部3的第二擴(kuò)展部分26的底部27的第二 接合焊盤(pán)36。此第二接合焊盤(pán)36經(jīng)由第二穿通接觸件37而與圖6的實(shí)施例中的LED模塊 1的背面接觸件21電連接。圖5所示的兩個(gè)穿通接觸件是相似的，并且具有相同的長(zhǎng)度。 將兩個(gè)穿通孔(穿通接觸件)移出凹部的中心部分，最小化了空間限制，并允許了更緊湊的 LED模塊的生產(chǎn)。現(xiàn)在將結(jié)合圖7至圖9說(shuō)明兩個(gè)穿通孔將所述凹部的擴(kuò)展部分的底部與托座的 背面連接的本發(fā)明的又一實(shí)施例，其中，穿通孔中的一個(gè)經(jīng)由鍵合線(xiàn)而與LED芯片的電極 連接，而另一個(gè)利用穿越所述凹部的中心部分的底部和側(cè)壁的金屬化通道。將兩個(gè)穿通孔 (穿通接觸件)移出凹部的中心部分，最小化了空間限制，并允許了更緊湊的LED模塊的生產(chǎn)。
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優(yōu)選地，圖3至圖6的實(shí)施例中的凹部3的擴(kuò)展部分26 (其具有圓形的剖面形狀) 具有介于2mm至4mm、優(yōu)選地2. Omm至3. Omm之間的直徑。優(yōu)選地，中心部分25的底部4具有小于300 μ m、優(yōu)選地介于50 μ m至150 μ m之間
的厚度。如圖7和圖8所示，在此實(shí)施例中，與圖6的實(shí)施例不同的區(qū)別是，與LED芯片5 的正極相連接的金屬化通道38代替了圖5的鍵合線(xiàn)35。根據(jù)圖9所示的修改，中心部分的側(cè)壁是傾斜的(與圖7和圖8所示的實(shí)施例的 豎直側(cè)壁相比而言)，并且可以通過(guò)例如液相刻蝕來(lái)形成。金屬化通道是穿越所述凹部的中 心部分的傾斜側(cè)壁而應(yīng)用的。附圖標(biāo)記列表1 LED 模塊2 托座3 凹部4 凹部的底部5 LED 芯片6 填充物7 LED芯片的頂表面8 頂表面9 凹部的側(cè)壁10 第一電極11 LED芯片的頂表面14 鍵合線(xiàn)15 接合焊盤(pán)16 托座的側(cè)壁17 托座的反面19 凹部的側(cè)壁20 電接觸件121 電接觸件222 隔離間隙23 隔離層25 凹部的中心部分26 階梯形的擴(kuò)展部分27 第二擴(kuò)展部分的底部28 第一穿通接觸件29 第二穿通接觸件30 界定擴(kuò)展部分的壁31 托座的部32 透鏡33 用于第一部分25的填充物
34彎曲部35鍵合線(xiàn)36第二接合焊盤(pán)37第二穿通接觸件38金屬化通道41用于第二擴(kuò)展部分26的填充物48導(dǎo)電層49托座的側(cè)壁
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權(quán)利要求
一種LED模塊(1)，包括托座(2)，所述托座(2)具有凹部(3)，所述凹部(3)具有帶有底部(4)的中心部分(25)和包圍所述中心部分(25)的階梯式擴(kuò)展部分(26)；至少一個(gè)LED芯片(5)，所述LED芯片(5)布置在所述中心部分(25)的所述底部(4)上；鍵合線(xiàn)(14)，所述鍵合線(xiàn)(14)從所述LED芯片(5)通向所述擴(kuò)展部分(26)的底部，以便與所述LED芯片(5)的第一電極接觸，其中，所述鍵合線(xiàn)(14)借助于從所述擴(kuò)展部分的底部起穿過(guò)所述托座(2)而通向所述托座(2)的反面的穿通接觸件，與所述托座(2)的反面電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED模塊(1)，還包括所述中心部分(25)的所述底部(4)內(nèi) 的穿通接觸件，所述穿通接觸件與所述LED芯片(5)的第二電極接觸。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述凹部(3)的所述 中心部分(25)填充有色彩變換介質(zhì)，其中，所述色彩變換介質(zhì)的頂表面基本上與所述凹部 (3)的所述擴(kuò)展部分(26)的底部齊平。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述凹部(3)的所述擴(kuò) 展部分(26)填充有透明介質(zhì)，所述透明介質(zhì)優(yōu)選地不具有色彩顆粒和/或散射顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，選擇設(shè)置在所述凹部 (3)的所述擴(kuò)展部分(26)中的第一色彩變換顆粒，從而使所述第一色彩變換顆粒將光變換 為與所述LED芯片所發(fā)射的光譜不同的第一光譜，而所述中心部分(25)中的第二色彩變換 顆粒將光變換為與所述第一光譜不同并與所述LED芯片光譜不同的第二光譜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述凹部(3)的所述 中心部分(25)填充有不具有色彩變換顆粒的透明介質(zhì)，而所述擴(kuò)展部分(26)填充有包括 色彩變換顆粒的介質(zhì)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述擴(kuò)展部分(26)填 充有在所述托座(2)的頂表面(8)上方延伸的水滴形頂部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述擴(kuò)展部分(26) 填充有與所述托座(2)的頂表面齊平的介質(zhì)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述凹部(3)的所述中 心部分(25)具有正方形或矩形的剖面形狀，并具有小于300 μ m、優(yōu)選地介于50至150 μ m 之間的厚度。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述擴(kuò)展部分(26)具 有圓形的剖面形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LED模塊(1)，其中，所述擴(kuò)展部分(26)具有介于2mm至 4mm、優(yōu)選地2. Omm至3. Omm之間的直徑。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，界定所述擴(kuò)展部分 (26)的壁(30)與所述托座(2)的界定所述中心凹部(3)并包括所述底部(4)的部分(31) 整體地形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED模塊(1)，其中，通過(guò)兩步刻蝕工藝來(lái)形成所述凹部 (3)的所述擴(kuò)展部分(26)和所述中心部分(25)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，界定所述擴(kuò)展部分 (26)的所述壁(30)作為單獨(dú)的部件而附接至所述托座(2)的界定所述中心凹部(3)的部 分(31)。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，在所述中心凹部(3) 的所述底部上的金屬化層(48)將所述LED芯片(5)的電極與所述穿通接觸件連接。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，從上方看去時(shí)，所述凹 部(3)的所述中心部分(25)的底部?jī)?nèi)的所述穿通接觸件位于所述LED芯片(5)的輪廓外部。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述鍵合線(xiàn)(14)借助 于從所述擴(kuò)展部分的底部起穿過(guò)所述托座(2)而通向所述托座(2)的反面的另外的穿通接 觸件，與所述托座(2)的反面電連接。
18.—種硅托座(2)，具有帶有中心部分和擴(kuò)展部分(26)的凹部(3)，所述硅托座(2) 設(shè)計(jì)為用在根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)中。
19.一種LED模塊(1)，包括托座(2)，所述托座(2)具有凹部(3)；至少一個(gè)LED芯片(5)，所述LED芯片(5)布置在所述凹部(3)的底部上； 第一導(dǎo)電通道，所述第一導(dǎo)電通道從所述LED芯片(5)的第一電極起穿越所述凹部(3) 的側(cè)壁而通向所述托座(2)的表面，并從此處穿越所述托座(2)的橫壁而到達(dá)所述托座(2) 的反面；以及與所述第一導(dǎo)電通道電隔離的第二導(dǎo)電通道，所述第二導(dǎo)電通道從所述LED芯片(5) 的第二電極起穿越所述凹部(3)的側(cè)壁而通向所述托座(2)的表面，并從此處穿越所述托 座(2)的橫壁而到達(dá)所述托座(2)的反面。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，所述托座(2)由硅制成。
21.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的LED模塊(1)，其中，在俯視時(shí)，所述托座 (2)具有正方形或矩形的剖面形狀。
全文摘要
一種LED模塊(1)，包括具有凹部(3)的托座(2)，其中，凹部(3)具有帶有底部的中心部分和包圍中心部分的擴(kuò)展部分(26)。LED芯片(5)布置在中心部分的底部上。鍵合線(xiàn)(14)從LED芯片(5)通向擴(kuò)展部分(26)的底部，以便與LED芯片(5)的第一電極接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，鍵合線(xiàn)(14)借助于從擴(kuò)展部分的底部起穿過(guò)托座(2)而通向托座(2)的反面的穿通接觸件，與托座(2)的反面電連接。在另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電通道從LED芯片的第一電極起穿越凹部(3)的側(cè)壁而通向托座(2)的表面，并從此處穿越托座(2)的橫壁而到達(dá)托座(2)的反面。與第一導(dǎo)電通道電隔離的第二導(dǎo)電通道，從LED芯片(5)的第二電極起穿越凹部(3)的側(cè)壁而通向托座(2)的表面，并從此處穿越托座(2)的橫壁而到達(dá)托座(2)的反面。
文檔編號(hào)H01L33/48GK101971379SQ200980113439
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2009年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者川口洋明, 弗里德里?！ね吒窦{, 王燕琦 申請(qǐng)人:萊登照明詹納斯多夫股份公司