專利名稱：直接結(jié)合方法中的氮-等離子體表面處理的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及兩塊各自在其表面包含硅或氧化硅薄層的板的直接結(jié)合(bonding) 方法。
背景技術(shù)：
通過(guò)分子粘附或直接結(jié)合進(jìn)行結(jié)合的原理是基于兩個(gè)表面之間的直接接觸，而不 使用特殊的材料例如粘合劑、蠟、低熔融溫度金屬等。被設(shè)計(jì)為接觸在一起的表面可以是親 水的或疏水的。疏水表面可例如為兩塊硅晶片(或基材)的不含氧化硅的自由表面，而親水表面 可例如為兩塊硅晶片的各自包含氧化硅薄層的自由表面。分子結(jié)合方法還要求待結(jié)合的表面充分光滑、沒(méi)有顆?；蛭廴疚?，呈現(xiàn)出合適的 表面化學(xué)和彼此充分地接近以使得能夠引發(fā)接觸。在這種情況下，兩個(gè)表面之間的吸引力 高到足以引起分子結(jié)合。結(jié)合過(guò)程通常在表面的化學(xué)清潔之后在環(huán)境溫度下和在環(huán)境壓力下進(jìn)行。然而， 常常進(jìn)行后續(xù)的熱處理，例如在約1000°c的溫度下的熱處理，以增強(qiáng)結(jié)合能。然而，在非常 大量的應(yīng)用中，在這樣的溫度下的熱處理步驟是不能允許的。已經(jīng)提出了不需要高溫?zé)崽幚淼慕Y(jié)合方法。它們通常包括表面活化步驟。例 如，P. Amirfeiz 等在文 章 “Formation of Silicon structures by plasma-activated wafer bonding，， (Journal of the Electrochemical Society, 147(7)2693-2698)中研究了硅、氧化硅和晶體石英通過(guò)氧等離子體或通過(guò)氬等離子體進(jìn) 行的活化對(duì)實(shí)現(xiàn)在環(huán)境溫度下的直接結(jié)合的影響。結(jié)合的通過(guò)氧等離子體或氬等離子體 活化的結(jié)構(gòu)體呈現(xiàn)出可與在結(jié)合之前通過(guò)常規(guī)的濕法進(jìn)行活化并且在接觸之后在高溫 (600°C 800°C)下進(jìn)行熱處理的結(jié)合結(jié)構(gòu)體所獲得的表面能相比的高的表面能。通過(guò) RIE/ICP (反應(yīng)性離子蝕刻/電感耦合等離子體)型設(shè)備進(jìn)行暴露于氧等離子體或氬等離子 體。在 T. Suni 等的文章 “Effects of Plasma Activation on Hydrophilic Bonding of Si and SiO2” (Journal of the Electrochemical Society,149(6)G348-G651(2002)) 中，反應(yīng)性離子蝕刻模式(也稱作RIE)與通過(guò)氮、氬或氧等離子體進(jìn)行的活化聯(lián)合使用以 進(jìn)行硅晶片的低溫結(jié)合。在活化期間，在硅晶片與接地(ground)之間測(cè)得在125￥與觀抓 之間變化的極化電壓。該電壓的存在造成等離子體的帶電物種朝所述晶片的方向的加速和 這些帶電物種對(duì)晶片表面的轟擊。此外，在活化處理之后且在結(jié)合之前，在RCA-I型溶液 (NH3 H2O2 H20，70°C)中和/或在去離子水中清潔晶片，并將其干燥。在它們已經(jīng)接觸 之后，對(duì)結(jié)合的結(jié)構(gòu)體在100°C的溫度下進(jìn)行熱處理2小時(shí)。該文章中報(bào)道的結(jié)果顯示，根 據(jù)包括在先的與反應(yīng)性離子蝕刻聯(lián)用的等離子體處理步驟的方法結(jié)合的結(jié)構(gòu)體的表面能 高于在化學(xué)清潔之后直接結(jié)合的結(jié)構(gòu)體的表面能。在專利US5503704中，通過(guò)如下獲得兩個(gè)表面的結(jié)合在兩個(gè)表面中的一個(gè)表面上形成氮化物層以使該表面是親水的并且在低溫下是反應(yīng)性的。當(dāng)表面材料為基于非氮的 材料，例如為硅時(shí)，通過(guò)在RCA型的標(biāo)準(zhǔn)清潔、用去離子水清洗和干燥之后進(jìn)行NH3等離子 體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)而形成氮化物層。然后使以這種方式處理的材料與另一親水 且反應(yīng)性的表面接觸，然后整個(gè)在約300°C的溫度下進(jìn)行熱處理。雖然以上提及的活化技術(shù)使得能夠獲得內(nèi)聚能(cohesion energies)至少與高 溫結(jié)合方法的內(nèi)聚能相等的低溫結(jié)合方法，但是它們未使得能夠獲得無(wú)缺陷的分子結(jié)合界 面。特別地，專利US5503704提到了基材中由Si3N4膜的沉積產(chǎn)生的缺陷的存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供將兩塊各自在其表面包含氧化硅或硅薄層的板直接結(jié)合的 方法，以便能夠獲得與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)合方法相比呈現(xiàn)出顯著減少數(shù)量的缺陷的結(jié)合表 面，有利地獲得無(wú)缺陷的表面，特別是不論施加到由兩塊結(jié)合的板所形成的結(jié)構(gòu)體上的溫 度如何(特別地包括在環(huán)境溫度與1300°C之間)。根據(jù)本發(fā)明，該目的通過(guò)所附權(quán)利要求實(shí)現(xiàn)。特別地，該目的通過(guò)如下事實(shí)實(shí)現(xiàn) 在兩塊板各自的薄層的接觸步驟之前，通過(guò)由電感耦合等離子體源產(chǎn)生的基于氮的等離子 體和在所述等離子體與支撐所述板的基材支持器(substrate holder)之間的小于50V的 電勢(shì)差的存在下，對(duì)至少一塊板的薄層進(jìn)行單一的表面處理步驟，該表面處理步驟形成具 有小于5nm的厚度的氧氮化硅表面薄膜。


由本發(fā)明的具體實(shí)施方式
的下列描述，其它優(yōu)點(diǎn)和特征將變得更清楚明晰，本發(fā) 明的具體實(shí)施方式
只是給出用于非限制性例子的目的并且示于附圖中，其中-圖1以方塊圖形式表示根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合方法的具體實(shí)施方式
的不同步驟。-圖2 4以橫截面示意性地表示根據(jù)圖1中所示的具體實(shí)施方式
制造結(jié)合結(jié)構(gòu) 體的不同步驟。-圖5和6分別表示在通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合的具體實(shí)施方式
和通過(guò)根據(jù)現(xiàn)有技 術(shù)的結(jié)合方法獲得的兩塊硅晶片的結(jié)合結(jié)構(gòu)體中，在環(huán)境溫度下，Δ ρ /p Si隨深度ζ的變 化。-圖7表示在根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
中形成的氧氮化硅薄膜在環(huán)境溫度下的 紅外光譜和以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)合方法形成的氧化硅薄膜在環(huán)境溫度下的紅外光譜。
具體實(shí)施例方式根據(jù)圖1 4中所示的具體實(shí)施方式
，通過(guò)相繼進(jìn)行下列步驟將兩塊硅基材1和 1，(也稱作硅晶片)結(jié)合-步驟F1，由此在基材1和1’的表面通過(guò)濕法形成氧化硅薄層2和2’；-表面處理步驟F2，其將之前在步驟Fl中形成的氧化硅薄層的至少一部分轉(zhuǎn)化為 氧氮化硅表面薄膜3和3’ ；和-步驟F3，其使兩個(gè)基材1和1’接觸。各表面薄層2和2’的形成通過(guò)如下有利地進(jìn)行進(jìn)行CARO型清潔，隨后進(jìn)行RCA型清潔，RCA型清潔包括SCl型的第一階段和SC2型的第二階段。CARO清潔是在稱作CARO 的酸浴(H2S04+H202)中的清潔。RCA清潔的第一階段(SCl或標(biāo)準(zhǔn)清潔1)和第二階段(SC2 或標(biāo)準(zhǔn)清潔2、分別在于通過(guò)堿性溶液例如ΝΗ40Η+Η202+Η20進(jìn)行清潔和通過(guò)強(qiáng)氧化劑例如 HC1+H202+H20進(jìn)行清潔。由此形成的氧化硅薄層2和2’呈現(xiàn)出這樣的優(yōu)點(diǎn)沒(méi)有缺陷。在 所述方法的該階段，各基材1和1’的由氧化硅層2和2’的自由表面形成的表面因而是親 水的。如圖1和3中所示，在清潔步驟Fl與使基材1和1’接觸的步驟F3之間進(jìn)行處理 所述表面的單一步驟F2，其也稱作活化步驟。這使得能夠在各基材1和1’的氧化硅薄層2 和2’中形成厚度小于5nm、和有利地為約2nm的氧氮化硅表面薄膜3和3’。為此，將各基材1和1’的氧化硅薄層2和2’的自由表面以單一步驟暴露于由電 感耦合等離子體源(也稱作ICP)產(chǎn)生的氮等離子體?；?和1’可同時(shí)或者相繼暴露于氮等離子體。在后一種情況下，兩個(gè)基材1和 1’所經(jīng)歷的表面處理?xiàng)l件可相同或不同。此外，一個(gè)或多個(gè)基材1和1’暴露于氮等離子體 可以一個(gè)或多個(gè)步驟進(jìn)行。氮等離子體是指純的氮等離子體。然而，在更一般的意義上，基材2和2’暴露于其 的等離子體也可以是基于氮的等離子體，即，這樣的等離子體，其反應(yīng)性氣體為氮?dú)?，其?排除殘余量的載氣例如氬氣或另外的氣體在該等離子體中存在的可能性。特別地，另外的 氣體可以小的量存在于基于氮的等離子體中，只要它們不妨礙氧氮化硅表面薄膜的形成。 等離子體可例如含有氧氣、氫氣和/或水。這些另外的氣體的濃度為約幾個(gè)百分比，更特別 地小于5%。通常，氧氮化硅表面薄膜可含有少量的化學(xué)物種例如氫或氧。因此，氧氮化硅的通 式有利地為Siz0xNyHw。這些化學(xué)物種可以殘留方式存在于表面處理腔室中，或者以等離子 體中的氣體的形式引入，或者此外存在于經(jīng)處理的表面薄膜的水平面處。在圖3和4中，氧化硅薄層2和2’的氧氮化(oxynitridation)是部分的。因此 表面薄膜3和3’的厚度小于氧化硅薄層2和2’的初始厚度。然而，在替換實(shí)施方式中，至 少一個(gè)氧化硅薄層2和/或2’的氧氮化可為完全的。此外，一部分下面的硅也可在該步驟 期間被消耗。因此，基材1和1’的位于氧化硅薄層2和2’下面的一部分硅也可被轉(zhuǎn)化為 氧氮化硅。此外，等離子體與基材支持器之間的電勢(shì)差是小的。其特別地小于50V、有利地小 于15V、更特別地為零或幾乎為零。該電勢(shì)差特別對(duì)應(yīng)于特別小于50eV、有利地小于MeV、 更特別地為零或幾乎為零的在晶片水平面處的帶電物種能量。因此氮等離子體或基于氮的 等離子體的帶電物種不朝著待處理的一個(gè)或多個(gè)基材的表面加速。根據(jù)本發(fā)明，氧氮化硅表面薄膜的形成通過(guò)單一等離子體(基于氮的等離子體) 以單一的短的表面處理步驟進(jìn)行。然而，該步驟確實(shí)使得能夠獲得厚度小于5nm的氧氮 化物薄膜，即，不僅含有氮和硅還含有氧的膜。根據(jù)本發(fā)明形成的表面薄膜中存在的氧可 特別源自基于氮的等離子體中所含的一些氧和/或可存在于下面的薄層中的氧和/或 用于進(jìn)行表面處理步驟的腔室中的殘留的氧。因此，根據(jù)本發(fā)明的表面薄膜不是像Ming Zhu 等的文章"Formation of Silicon on plasma synthesized SiOxNy and reaction mechanism”(Applied Surface Science 243 (2005)89-95)中那樣以兩個(gè)相繼的分別由氮化(通過(guò)氮等離子體進(jìn)行)和氧化(例如通過(guò)氧等離子體進(jìn)行)組成的步驟形成的。這使 得能夠獲得精細(xì)的氧氮化硅，該氧氮化硅呈現(xiàn)出具有良好的電子學(xué)性質(zhì)和良好的表面氮化 的與硅的界面。然而，在Ming Zhu等的文章中，提出制造厚度為約SOnm的氧氮化硅來(lái)代替 絕緣體上硅(SOI)基材的隱埋氧化物(buried oxide)和通過(guò)該基材改善熱消散。此外，通過(guò)選擇等離子體與基材支持器之間小于50V、有利地小于15V、優(yōu)選為零 的電勢(shì)差，結(jié)合界面處出現(xiàn)的缺陷數(shù)量顯著減少或者甚至為零。最后，圖1中所示的步驟F3在于使兩個(gè)表面薄膜3和3’的自由表面直接接觸。該 步驟可原位進(jìn)行，即，在其中進(jìn)行步驟F2的表面處理的腔室中進(jìn)行，或者該步驟可離位進(jìn) 行。該步驟F3可進(jìn)一步在步驟F2之后直接進(jìn)行，即，在兩個(gè)步驟F2和F3之間沒(méi)有任何中 間步驟。在替換實(shí)施方式中，可在步驟F2和F3之間進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)中間步驟，例如以除去 在步驟F2期間或者在步驟F2之后可能已經(jīng)沉積的顆粒或任何污染物(金屬性的或碳?xì)浠?合物等)。這些中間步驟可例如包括表面處理步驟，所述表面處理步驟可為化學(xué)性的或者為 微電子學(xué)領(lǐng)域中常規(guī)使用的步驟。例如，可將具有表面薄膜3和3’的基材1和1’浸漬在 兆聲輔助(megasonic-assisted)化學(xué)浴或者無(wú)兆聲輔助化學(xué)浴中，或者可使它們經(jīng)歷一 次或多次刷擦(brushing)操作、一次或多次在受控氣氛中的熱處理和/或一次或多次紫外 線輻射/臭氧處理。在圖1 4中所示的實(shí)施方式中，通過(guò)在兩個(gè)基材各自的表面形成氧氮化硅表面 薄膜3和3’來(lái)進(jìn)行兩個(gè)塊狀硅基材的結(jié)合。然而，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合方法不限于圖1 4 中所示的實(shí)施方式。特別地，在圖1 4中所示的具體實(shí)施方式
中，通過(guò)濕法、特別是通過(guò)濕法清潔步 驟在基材1和1’的表面形成氧化硅表面薄層。然而，氧化硅表面薄層中的至少一個(gè)可通過(guò) 單獨(dú)的或組合的其它技術(shù)形成。其可例如通過(guò)熱氧化形成。其也可通過(guò)沉積例如化學(xué)氣相 沉積(CVD)、離子束濺射(IBS)或者通過(guò)電感耦合等離子體沉積(ICP)形成。其也可為本 征(native)氧化硅薄層，例如通過(guò)RCA處理或通過(guò)UV輻射-臭氧處理或通過(guò)臭氧化水處 理產(chǎn)生的本征氧化硅薄層。兩塊基材或兩塊晶片的接觸可由此例如以下列初始氧化硅表面 薄層的組合實(shí)現(xiàn)-通過(guò)濕法得到的SiA結(jié)合在通過(guò)濕法得到的SiA上，-本征SiA結(jié)合在通過(guò)濕法得到的SiA上，-本征SiA結(jié)合在本征SiA上，-熱(thermal)SiO2 (例如厚度為約2. 5nm 約1微米的薄層)結(jié)合在通過(guò)濕法得 到的SiO2上，和-熱SW2(例如厚度為約2. 5nm 約25nm的薄層)結(jié)合在本征SW2上，-熱SW2(例如厚度為約2. 5nm 約25nm的薄層)結(jié)合在熱SW2 (例如厚度為約 2. 5nm 約25nm的薄層)上。此外，結(jié)合也可通過(guò)僅在兩個(gè)硅基材之一即1的表面形成單一的氧氮化硅表面薄 膜來(lái)實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，在接觸步驟之前，設(shè)計(jì)成與基材1的氧氮化硅表面薄膜2接觸的 另一基材1’的表面可通過(guò)產(chǎn)生氧化硅表面薄層而使其是親水的，或者可使其是疏水的。實(shí)際上，盡管圖1 4中所示的實(shí)施方式在于將兩個(gè)親水表面結(jié)合，但是使用通過(guò) 基于氮的等離子體進(jìn)行的活化的直接結(jié)合也可利用至少一個(gè)疏水表面進(jìn)行。當(dāng)僅在兩塊基材之一的表面形成單一的氧氮化硅表面薄膜時(shí)，疏水表面可因此是基材中不進(jìn)行基于氮的 等離子體活化步驟的一塊基材的自由表面。疏水表面也可以是設(shè)計(jì)成進(jìn)行基于氮的等離子 體活化步驟的基材或其中至少之一的自由表面。在這種情況下，暴露于由電感耦合等離子 體源產(chǎn)生的基于氮的等離子體的是基材的不含硅的表面。此外，在這種情況下，例如存在 于等離子體中或以殘留方式存在于框架結(jié)構(gòu)中的少量氧或水對(duì)于能夠在硅基材的表面產(chǎn) 生氧氮化硅膜是必需的。在這兩種情況下都可以通過(guò)進(jìn)行CARO清潔、RCA清潔以及用液體 或蒸氣形式的氫氟酸(HF)的清潔使得硅表面是疏水的。該最后的清潔階段則除去在進(jìn)行 CARO和RCA清潔時(shí)產(chǎn)生的氧化硅層。最后，基材不一定需要是塊狀硅基材。因此，在替換實(shí)施方式中，至少所述基材至 少之一可被在其表面上包含硅薄層和/或氧化硅薄層的板代替。例如，所述板可由與硅不 同的半導(dǎo)體材料，特別是鍺形成，由玻璃形成或由金屬形成，并且該板在其表面上包含硅或 氧化硅薄層。硅或氧化硅薄層的厚度優(yōu)選為幾納米到幾微米。例如，鍺基材可在其表面上 包含厚度為3 5mm、有利地為3mm的硅和/或氧化硅薄層。在所有情況下，一旦已經(jīng)使基材(或板)接觸，由至少一個(gè)氧氮化硅表面薄膜形成 的結(jié)合界面便呈現(xiàn)出與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)合方法相比顯著更少數(shù)量的缺陷。結(jié)合界面有利 地為沒(méi)有缺陷的。特別地，結(jié)合界面不含有任何氣泡。而且，即使當(dāng)結(jié)合的結(jié)構(gòu)體在從環(huán)境 溫度到最高達(dá)1300°C的任何溫度下經(jīng)歷熱處理時(shí)，該界面也隨時(shí)間保持良好的質(zhì)量。當(dāng)活化步驟(圖1中的步驟舊)的操作條件使得能夠獲得呈現(xiàn)出下列性質(zhì)的氧氮 化硅薄膜時(shí)，結(jié)合界面的質(zhì)量被進(jìn)一步改善-氮的原子百分?jǐn)?shù)超過(guò)幾個(gè)百分比(例如5% )，特別地超過(guò)15 %，優(yōu)選超過(guò)30 %， 并且小于65%，更特別地小于50%，-對(duì)應(yīng)于值^/^/ =^^1的電子致密化在該層的厚度范圍內(nèi)的最大值大于"Si10%，優(yōu)選大于15%，甚至更優(yōu)選大于18%，其中P代表氧氮化硅的電子密度，Psi代表硅 的電子密度，-厚度大于0.Inm,有利地大于或等于lnm，-OH鍵的非常低的表面和體積濃度，-NH鍵的相當(dāng)大的表面和體積濃度。為了獲得具有以上性質(zhì)的氧氮化硅表面薄膜，通過(guò)氮等離子體進(jìn)行活化步驟的操 作條件有利地如下-將一塊或多塊基材置于ICP腔室中。-表面處理之前腔室內(nèi)的壓力優(yōu)選低于10_3毫托(mT)，即約0.1333mPa。-在低于或等于40mT(即約5.33Pa)、有利地約5mT(即約0. 66Pa)的氮分壓下進(jìn) 行等離子體活化非常短的時(shí)間。因此，表面處理期間的氮分壓優(yōu)選低于或等于6Pa、有利地 低于或等于lPa。此外，表面處理的時(shí)間有利地少于5分鐘、優(yōu)選少于2分鐘。其特別地為 30秒 90秒。-設(shè)計(jì)用以支撐一塊或多塊待處理的基材的基材支持器的溫度有利地高于環(huán)境溫 度。基材支持器可因此保持在處于150°C 350°C范圍內(nèi)的固定溫度下。-電感耦合等離子體源包括射頻功率發(fā)生器，其具有可為幾百瓦特、優(yōu)選500W 800W的功率。為了進(jìn)行說(shuō)明，使用初始呈現(xiàn)出親水的自由表面(水滴的潤(rùn)濕角<5° )的厚度 為750微米且直徑為200mm的硅基材進(jìn)行試驗(yàn)。其一些操作條件列于下表中的實(shí)施例1 7因此各自對(duì)應(yīng)于在接觸之前既經(jīng)歷了清潔又經(jīng)歷了在由ICP源在各種條件下產(chǎn)生的氮等 離子體中的暴露的兩塊基材之間的結(jié)合過(guò)程。其中進(jìn)行實(shí)施例1 7的表面處理的腔室為由Applied Materials以商品名AMAT Centura DPS+銷售的設(shè)備。而且，對(duì)于所有的實(shí)施例1 7，應(yīng)用下面所列的操作條件-基材支持器和接地之間的電勢(shì)差零-等離子體活化步驟之前腔室中的壓力10_3mT-等離子體活化步驟期間的氮分壓5mT-等離子體活化步驟期間的氮流量dOOsccm
權(quán)利要求
1.將兩塊各自在其表面包含由氧化硅或硅構(gòu)成的薄層的板直接結(jié)合的方法，其特征在 于，在所述兩塊板各自的薄層之間的接觸步驟之前，通過(guò)由電感耦合等離子體源產(chǎn)生的基 于氮的等離子體和在所述等離子體與支撐所述板的基材支持器之間的小于50V的電勢(shì)差 的存在下，對(duì)至少一塊板的薄層進(jìn)行單一的表面處理步驟，該表面處理步驟形成具有小于 5nm的厚度的氧氮化硅表面薄膜。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述電勢(shì)差小于15V。
3.權(quán)利要求2的方法，其特征在于，所述電勢(shì)差為零。
4.權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述表面處理的時(shí)間少于5分鐘。
5.權(quán)利要求5的方法，其特征在于，所述表面處理的時(shí)間為30秒 90秒。
6.權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，在所述表面處理期間，將所述基材支 持器保持在150°C 350°C的溫度。
7.權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，在所述表面處理期間的氮分壓小于或 等于6Pa。
8.權(quán)利要求7的方法，其特征在于，在所述表面處理期間的氮分壓小于或等于lPa。
9.權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，至少一塊板的由氧化硅構(gòu)成的薄層為 本征氧化硅薄層。
10.權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，至少一塊板的由氧化硅構(gòu)成的薄層 是通過(guò)濕法形成的。
11.權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，一塊板的由氧化硅構(gòu)成的薄層是通 過(guò)熱氧化形成的。
12.權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，一塊板的由氧化硅構(gòu)成的薄層是通 過(guò)沉積形成的。
13.權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)的方法，其特征在于，至少一塊板是通過(guò)在其表面包含由 氧化硅或硅構(gòu)成的薄層的半導(dǎo)體基材形成的。
14.權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基材是基于鍺的。
全文摘要
通過(guò)如下將兩塊各自在其表面上具有硅或氧化硅薄膜的晶片結(jié)合對(duì)至少一塊晶片的薄膜進(jìn)行表面處理，該表面處理形成厚度小于5nm的氧氮化硅表面薄膜。所述薄膜是通過(guò)由電感耦合等離子體源產(chǎn)生的基于氮的等離子體形成的。另外，在所述表面處理期間，所述等離子體與支撐所述晶片的基材支持器之間的電勢(shì)差小于50V、有利地小于15V和優(yōu)選為零。這使得可獲得無(wú)缺陷的結(jié)合界面，而不管在接觸步驟之后實(shí)施的任何熱處理的溫度如何。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102047410SQ200980119383
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日
發(fā)明者休伯特·莫里西奧, 克里斯托夫·莫拉爾斯, 勞爾·利布拉爾索, 卡羅琳·文托薩, 弗朗索瓦·里烏托德, 蒂里·切沃利奧 申請(qǐng)人:原子能和代替能源委員會(huì)