專利名稱：用于低溫pecvd應用的基座加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例大體上是關(guān)于半導體處理腔室，更具體地，是關(guān)于用于半導體處 理腔室的加熱支撐基座。
背景技術(shù)：
半導體處理牽涉到一些不同的化學和物理工藝，藉此在基板上產(chǎn)生微小的集成電 路。構(gòu)成集成電路的材料層藉由化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等而產(chǎn)生。某些材 料層使用光刻膠屏蔽以及濕或干蝕刻技術(shù)來圖案化。用于形成集成電路的基板可以是硅、 砷化鎵、磷化銦、玻璃或其它適當?shù)牟牧?。在集成電路的制造中，等離子體處理常用于不同材料層的沉積或蝕刻。等離子體 處理提供許多優(yōu)于熱處理的優(yōu)點。舉例來說，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)允許沉 積處理在比類似熱處理中可達到的更低溫度以及更高沉積率下執(zhí)行。因此，PECVD對具有 嚴格熱預算的集成電路制造來說是有利的，例如，非常大型或超大規(guī)模集成電路(VLSI或 ULSI)裝置的制造。用在這些處理中的處理腔室典型包含配置在其中的基板支撐件或基座，以于處理 期間支撐基板。在某些工藝中，基座可包含嵌入式加熱器，其適于控制基板溫度及/或提供 可用在處理中的高溫。通常，基座可由陶瓷材料制成，其通常提供所需的裝置制造結(jié)果。不過，陶瓷基座產(chǎn)生許多挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)之一在于由于基座制造成本占工具成本 相當大的一部分，而使經(jīng)營成本升高。此外，使用陶瓷封裝加熱器無法屏蔽加熱器免于可用 在裝置制造過程中的射頻(RF)功率。因此，如果在裝置制造過程中使用射頻功率，則必須 設置射頻濾波器以屏蔽加熱器，其也增加工具成本。因此，需要用成本較低且制造花費較低、同時提供嵌入式加熱器的射頻屏蔽的材 料所制成的基座。

發(fā)明內(nèi)容
提供用于提供功率給加熱支撐基座的方法和設備。在一實施例中，敘述一種處理 套組。該處理套組包含空心軸，其由導電材料制成，并在一端耦合至基板支撐件，而在相對 端耦合至基底組件，該基底組件適于耦合至配置在半導體處理工具上的功率箱。在一實施 例中，該基底組件包含至少一個暴露的電連接器，其配置在由介電材料(例如，塑料樹脂) 制成的嵌件中。在一實施例中，敘述一種用于半導體處理腔室的基座。該基座包含基板支撐件， 其包含導電材料；加熱組件，其封裝在該基板支撐件內(nèi)；及空心軸，其包含導電材料，并在 第一端耦合至該基板支撐件，且在相對端耦合至配合接口，該配合接口包含介電插頭，介電 插頭包含至少一個暴露的電連接器，該電連接器適于耦合至功率出口，該功率出口配置在 該處理腔室上并與該空心軸電絕緣。在另一實施例中，敘述一種用于半導體處理腔室的基座。該基座包含基板支撐件，其包含導電材料；加熱組件，其封裝在該基板支撐件內(nèi)；空心軸，其包含導電材料，并在 第一端耦合至該基板支撐件，且在相對端耦合至基底組件。該基底組件包含開槽導電部 分，其具有內(nèi)部容積；及介電插頭，其配置在該內(nèi)部容積中，該介電插頭包含一或多個導電 構(gòu)件縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構(gòu)件的每一個與該開槽導電部分電絕緣。


參照一些示出在附圖中的實施例來提供在上文扼要總結(jié)的本發(fā)明的更具體敘述， 以詳細了解本發(fā)明的上述的特征結(jié)構(gòu)。不過，須注意附圖僅示出此發(fā)明的典型實施例，且因 此不應視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可容許其它等效實施例。圖1為等離子體系統(tǒng)的一實施例的部分橫剖面圖。圖2A為圖1所示的基座的一實施例的等角頂視圖。圖2B為圖2A所示的基座的一實施例的等角底視圖。圖3A為基座的另一實施例的一部分的橫剖面圖。圖;3B為基座的另一實施例的等角分解圖。圖3C為基底組件的一實施例的底部等角視圖。圖4為基底組件的另一實施例的橫剖面圖。圖5為此處所述的基座的基板支撐件表面的示意頂視圖。圖6A至6C為從此處所述的基座的三個各自的加熱輪廓所取得的數(shù)據(jù)的圖表。為了幫助了解，已盡可能地使用相同組件符號來標明各圖中共享的相同組件。在 無需具體詳述的情況下，可預期一實施例中所揭示的組件能有利地用在其它實施例上。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例在下文參照等離子體腔室進行說明敘述。在一實施例中，等離 子體腔室是用在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)中?？蛇m于從本發(fā)明得利的 PECVD系統(tǒng)的范例包含PRODUCER SE化學氣相沉積系統(tǒng)、PRODUCER GT 化學氣相沉積 系統(tǒng)或DXZ 化學氣相沉積系統(tǒng)，所有系統(tǒng)商業(yè)上都可購自加州圣克拉拉的應用材料公司。 Producer SE化學氣相沉積系統(tǒng)(例如，200mm或300mm)具有兩個隔離的處理區(qū)域，其 可用于在基板上沉積薄膜，例如，導電膜、硅烷、碳摻雜氧化硅和其它材料，并在美國專利第 5，855，681和6，495，233號中敘述，該兩專利合并在此以供參照。DXZ勒化學氣相沉積腔室 在美國專利第6，364，954號中揭示，其也并入在此以供參照。雖然示范實施例包含兩個處 理區(qū)域，可預期本發(fā)明利于用在具有單一處理區(qū)域或多于兩個處理區(qū)域的系統(tǒng)中。也可預 期本發(fā)明能夠利于用在其它等離子體腔室中，包含蝕刻腔室、離子注入腔室、等離子體處理 腔室和剝離腔室等等。進一步可預期本發(fā)明能夠利于用在購自其它制造商的等離子體處理 腔室中。圖1為等離子體系統(tǒng)100的部分橫剖面圖。等離子體系統(tǒng)100通常包含處理腔室 主體102，其具有側(cè)壁112、底壁116和內(nèi)側(cè)壁101以界定一對處理區(qū)域120A和120B。處理 區(qū)域120A-B各自為類似的配置，為了簡潔起見，將僅敘述處理區(qū)域120B中的部件。基座128在處理區(qū)域120B中配置通過形成在系統(tǒng)100的底壁116中的通道122。 基座1 適于在其上表面支撐基板(未顯示)。基座1 可包含加熱組件，舉例來說，電阻性組件，以加熱并控制基板溫度為所需的處理溫度。或者，基座1 可通過遠程加熱組件 (例如，燈組件)來加熱?；?28藉由桿126耦合至功率出口或功率箱103，其可包含驅(qū)動系統(tǒng)，該驅(qū)動系 統(tǒng)控制基座1 在處理區(qū)域120B內(nèi)部的高度和移動。桿1 也包含電功率接口，以提供電 功率給基座128。功率箱103也包含電功率接口和溫度指示器，例如，熱電偶接口。桿1 也 包含基底組件129，其適于可拆卸地耦合至功率箱103。圓周環(huán)135示出為位于功率箱130 上方。在一實施例中，圓周環(huán)135為肩部，其用作機械性止動或閥面，并配置為在基底組件 129和功率箱130的上表面之間提供機械接口。棒130配置通過形成在底壁116中的通道124，并用于啟動配置通過基座1 的基 板舉升銷161?；迮e升銷161選擇性地隔開基板和基座，以幫助與用來通過基板移送端口 160移送基板進出處理區(qū)域120B的機器人(未顯示)交換基板。腔室蓋104耦合至腔室主體102的頂部。蓋104容納耦合至其上的一或多個氣體 分配系統(tǒng)108。氣體分配組件108包含氣體入口通道140，其通過噴淋頭組件142傳送反應 物和清潔氣體進入處理區(qū)域120B。噴淋頭組件142包含環(huán)形底板148，其具有阻隔板144 配置在其和面板146中間。射頻(RF)源165耦合至噴淋頭組件142。射頻源165提供功率 給噴淋頭組件142，以幫助在噴淋頭組件142的面板146和加熱過的基座1 之間產(chǎn)生等 離子體。在一實施例中，射頻源165可為高頻射頻(HFRF)功率源，例如，13. 56MHz射頻產(chǎn) 生器。在另一實施例中，射頻源165可包含高頻射頻功率源和低頻射頻(LFRF)功率源，例 如300kHz射頻產(chǎn)生器?；蛘?，射頻源可耦合至處理腔室主體102的其它部分(例如，基座 128)，以幫助等離子體產(chǎn)生。電介質(zhì)絕緣體158配置在蓋104和噴淋頭組件142之間，以防 止射頻功率導向蓋104。陰影環(huán)106可配置在基座1 的周邊上，其在基座1 的所需高度 上接合基板。可選擇地，冷卻槽道147形成在氣體分配系統(tǒng)108的環(huán)形底板148中，以在操作期 間冷卻環(huán)形底板148。傳熱流體(例如，水、乙二醇、氣體等)可循環(huán)通過冷卻槽道147，以 致底板148維持預定的溫度。腔室襯墊組件127以非常緊密相鄰腔室主體102的側(cè)壁101、112的方式配置在處 理區(qū)域120B內(nèi)部，以防止側(cè)壁101、112暴露至處理區(qū)域120B內(nèi)部的處理環(huán)境。襯墊組件 127包含圓周泵空腔125，其耦合至泵系統(tǒng)164，泵系統(tǒng)164配置為從處理區(qū)域120B排出氣 體和副產(chǎn)物，以及控制處理區(qū)域120B內(nèi)部的壓力。多個排氣埠131可形成在腔室襯墊組件 127上。排氣端口 131配置為允許氣流以促進系統(tǒng)100內(nèi)部處理的方式從處理區(qū)域120B到 圓周泵空腔125。圖2A為用在等離子體系統(tǒng)100中的基座128的一實施例的等角頂視圖。基座1 包含桿1 和基底組件129，其相對圓形基板支撐件205。在一實施例中，桿1 配置為管 狀構(gòu)件或空心軸。在一實施例中，基底組件1 是用作可拆卸的配合接口，其具有配置在功 率出口或功率箱103之中或之上的電連接?；逯渭?05包含本質(zhì)上為平面的基板接收 表面或支撐表面210。支撐表面210可適于支撐200mm的基板、300mm的基板或450mm的基 板。在一實施例中，支撐表面210包含多個結(jié)構(gòu)215，其可為在支撐表面210的平面上方延 伸的凸塊或突出部。多個結(jié)構(gòu)215的每一個的高度本質(zhì)上相等，以提供本質(zhì)上平面的基板 接收平面或稍微上升(或從支撐表面210隔開)的表面。在一實施例中，每一個結(jié)構(gòu)215是由不同于支撐表面210的材料的材料形成或以其涂布?；逯渭?05也包含通過其中 形成的多個開口 220，該多個開口 220適于容納舉升銷161(圖1)。在一實施例中，基板支撐件205的主體和桿1 是由導電金屬材料制成，而基底組 件1 是由導電金屬材料和絕緣材料的組合制成。和陶瓷制成的基板支撐件相比，以導電 金屬材料制造基板支撐件205降低經(jīng)營成本。此外，導電金屬材料足以屏蔽嵌入式加熱器 (在此圖中未顯示)使其免于射頻功率。此增加基板支撐件205的效率和壽命，并因而減少 經(jīng)營成本。在一實施例中，基板支撐件205的主體和桿1 完全以鋁材料(例如，鋁合金)制 成。在一特定實施例中，基板支撐件205和桿兩者用6061鋁制成。在一實施例中，基底組 件1 包含鋁部分和配置在其中的絕緣部分(例如，聚醚醚酮(PEEK)樹脂)，以使部分的基 底組件1 和基板支撐件205以及桿126的導電部分電絕緣。在一實施例中，基板支撐件 205的主體以鋁材料制成，而配置在支撐表面210上的每一個結(jié)構(gòu)215是以陶瓷材料(例 如，氧化鋁)制成或涂布。圖2B為基座128的一實施例的等角底視圖。桿1 包含第一端，其耦合至基板支 撐件205，且基底組件1 位于相對基板支撐件205的第二端。在此實施例中，基底組件1 包含開槽導電部分225，其耦合至介電插頭230及/或包含介電插頭230。在一實施例中， 開槽導電部分225可配置為插頭或公接口，其適于配合功率箱103(圖1)。在此實施例中， 導電部分225可為圓形橫剖面，其具有至少部分形成穿過外部表面或壁的狹槽。介電插頭 230可配置如插口或母接口，或者，包含配置為適于容納或配合與功率箱103內(nèi)電連接的插 口或母接口的一部分或多個部分。在此實施例中，開槽導電部分225可為桿126的整合延 伸部分并以鋁材料制成，而介電插頭230則以PEEK樹脂制成?；捉M件1 也包含圓周環(huán)135，其適于容納接合與圖1的功率箱103接合的0形 環(huán)240。在此實施例中，開槽導電部分225包含開口，其適于容納介電插頭230，且介電插頭 230緊固至開槽導電部分225。介電插頭230也包含形成在其中的開口或插口，以容納來自 功率箱103的電引線。圖3A為基座128的一實施例的一部分的橫剖面圖，其具有耦合至如圖1所示的功 率出口或功率箱103的桿126?；逯渭?05包含嵌入式加熱組件(例如，電阻性加熱器 305)，其配置或封裝在導電主體300中。在一實施例中，主體300是以由導電金屬(例如， 鋁)構(gòu)成的材料制成。電阻性加熱器305耦合至功率源310，功率源310藉由配置在桿126 中的導電引線315而配置在功率箱103中。桿1 也包含縱向槽道或孔350，其適于容納熱 電偶(未顯示)。在此實施例中，介電插頭230包含一或多個配置在其中的導電插頭320， 以耦合導電引線315和配置在功率箱103中的各插口 3 。在一實施例中，導電插頭320為 多接點插頭。導電引線315和導電插頭320可在操作期間電偏壓，但藉由介電插頭230的 周邊壁325與開槽導電部分225、桿1 和基板支撐件205電絕緣。在一實施例中，桿1 和基板支撐件205是以鋁制成且電接地。鋁材料封裝加熱組 件，并作用為電阻性加熱器305的有效射頻屏蔽。藉由鋁材料屏蔽射頻免除以帶通濾波器 濾除耦合至電阻性加熱器305的射頻的需求，而這在以不同材料(例如，陶瓷)制成的加熱 基座中是必須的。使用導電插頭320作為電阻性加熱器305的功率端子的電接口設計能夠 使用來自功率箱103的標準線規(guī)線和連接器，而不需使用定制設計的電連接器。導電插頭320是裝配在包含PEEK樹脂的獨特基底設計上。導電插頭320包含功率端子組件，其由介 電插頭230機械地支撐，介電插頭230插頭緊固至基底組件129的導電部分225上。PEEK 樹脂將通電的功率端子(導電插頭320)和接地的加熱器主體(基板支撐件205和桿126) 電絕緣。因此，基座1 藉由免除帶通濾波器和利用較便宜的鋁材料來最小化成本，其顯著 降低經(jīng)營成本。進一步地，在不需要大規(guī)模重新設計及/或停機時間的情況下，如此處所述 的基座1 可翻新改進以取代現(xiàn)存腔室中的原始基座。圖;3B為基座128的另一實施例的等角分解圖。如所示，多個可以陶瓷材料制成的 套筒或嵌件360可容納于配置在基板支撐件205中的開口 220 (圖2A和2B)。嵌件360適 于容納舉升銷161(圖1)。基底組件1 包含開槽導電部分225和介電插頭230。開槽導 電部分225包含徑向狹槽，其適于容納配置在介電插頭230的下部之上的延伸構(gòu)件或耳部 362。開槽導電部分225和介電插頭230彼此通過緊固件365(例如，螺釘或螺栓)耦合。 在一實施例中，緊固件365和各螺紋嵌件370耦合，螺紋嵌件370耦合至或配置在導電部分 225中。在一實施例中，螺紋嵌件370包含HELIC0IL 嵌件。導電插頭320(僅顯示一個)包含軸，其具有肩部段363，其用作止動或耦合段，并 適于將導電插頭320羈留在介電插頭230的帽蓋段中。導電插頭320也可包含螺紋末端 364，其適于轉(zhuǎn)進具有母螺紋的導電嵌件375中。在一實施例中，導電插頭320是以黃銅材 料制成并鍍銀(Ag)，且導電嵌件375是以黃銅材料制成。導電嵌件375可插入絕緣套380 中，絕緣套380可以介電材料(例如，PEEK樹脂)制成。用于熱電偶(未顯示)的導引和 裝配的導引構(gòu)件385可耦合至或鄰接套380配置以從此處開始延伸。導引構(gòu)件385可以鋁 材料制成。圖3C為基底組件129的底部等角視圖。介電插頭230包含本質(zhì)上圓形的主體，其 適于緊密安裝在開槽導電部分225之中。在一實施例中，每一個耳部362從主體朝外徑向延 伸，且本質(zhì)上為均等間隔。在一實施例中，每一個耳部362是以相等的角增量(例如，120度 間隔)放置。介電插頭230的主體也包含多個凹部或開口，例如，開口 390和開口 392。在 一實施例中，開口 390為母接口，其具有梯形形狀，并用于容納配置在功率箱103上的公插 頭(未顯示)。一或多個導電插頭320是容納在開口 390內(nèi)部。開口 392可用作母接口，以 容納一部分的熱電偶(未顯示)及/或和熱電偶耦合的信號線。導電部分的底表面也包含 一或多個凹部或開口 394，其可適于引導銷或裝配接口。在一實施例中，至少一個開口 394 適于容納接地裝置，例如，以導電材料制成的銷。圖4為基底組件129的一實施例的橫剖面圖。圓周環(huán)135包含形成在其中的溝槽， 以容納密封件410，例如，0形環(huán)。密封件410可以絕緣材料或?qū)щ姴牧现瞥?，以幫助開槽導 電部分225接地。在此實施例中，導電插頭320顯示為耦合至各導電嵌件375。在一實施例 中，每一個導電嵌件375是藉由絕緣套380而與基底組件129的其它導電部分以及彼此電 絕緣。每一個絕緣套380可以絕緣材料制成，例如，PEEK樹脂。在一實施例中，至少一部分 的導電引線315至少部分延伸進入絕緣套380和導電嵌件375兩者，以使導電引線315和 導電插頭320電連通。在一實施方式中，導電插頭320并未接觸導電引線315。圖5為此處所述的基座128的基板支撐件205的示意頂視圖?；逯渭?05示 范性地將尺寸定在用于300mm的基板應用中。為了幫助解釋本發(fā)明和范例，基板支撐件205 的支撐表面210圖形化地劃分為七個分開的同心圓。各同心圓的內(nèi)部半徑稱為方位角。方位角位于半徑23讓、46111111、69111111、92111111、115111111和137mm。圖5進一步圖形化地劃分為多個輻。
輻從圓中心向外輻射。輻每30度出現(xiàn)一次，總共產(chǎn)生12個。包含中心點，在支撐表面210 上存在有73個交點(12個輻與6個方位角相交，包含中心半徑)。圖6A為環(huán)繞各方位角的平均溫度輪廓的圖表(R0 =支撐表面210的中心、R6 = 最外部的方位角)。環(huán)繞方位角的溫度量測是在輻的交點處取得。在此范例中，基座1 是 用來支撐具有7mm厚度的300mm的碳化硅晶圓。加熱器溫度設定在400°C，且壓力設定在 4Torr0氬以每分鐘2標準公升QSLM)的速度流過腔室。標準基底溫度維持在75士 1°C。 在每一方位角的基座平均溫度是介于389°C和392°C之間。圖6B是環(huán)繞6個方位角的每一個的溫度范圍的圖表。圖6B中的數(shù)據(jù)是在三個個 別操作(操作A、B和C)期間在和上述范例相同的處理參數(shù)下所收集而得的。范圍由環(huán)繞 各方位角的12個點(30°、60°、90°、…、330° )構(gòu)成，其中方位角和輻相交。方位角Rl 至R6的個別溫度范圍典型小于7°C。舉例來說，在一范例中，第二方位角上的溫度范圍約為 5°C。為了范例目的，溫度范圍是定義為任何數(shù)據(jù)組的最大值和最小值之間的差。圖6C是沿著12個輻的每一個的溫度范圍的圖表。圖6C的資料是在和上述范例 相同的處理參數(shù)下所收集而得的。針對三個個別操作(操作A、B和C)，計算在方位角交點 的沿著每一輻的長度的溫度范圍。三個操作的沿著每一輻的溫度范圍介于約3°C和約8°C 之間。舉例來說，在一操作中，60°輻上的溫度范圍約為5°C。在一實施例中，使用雙重處理區(qū)域120A、120B敘述在基板上沉積薄膜的方法。該 方法包含在處理腔室的每一處理區(qū)域中在配置在其中的各基座1 上提供至少一個基板。 基座1 包含基板支撐件205，其包含導電材料；電阻性加熱器305，其封裝在該基板支撐 件內(nèi)部；及桿126，其包含導電材料，并在第一端耦合至該基板支撐件。該基板支撐件在相 對端也包含作為配合接口的基底組件129。該配合接口包含介電插頭230，其包含至少一個 暴露的電連接器，該電連接器適于耦合至功率出口，該功率出口配置在該處理腔室上，并和 該空心軸電絕緣。該方法也包含使一或多個反應氣體流到處理區(qū)域120A、120B的至少一 個，以及在噴淋頭組件142和基板支撐件205之間使用射頻能量產(chǎn)生等離子體。在一實施 例中，該反應器體可在載氣(例如氫)中流動。雖然以上內(nèi)容已揭示本發(fā)明的多個實施例，但可在不偏離本發(fā)明基本范圍的情況 下做出本發(fā)明的其它及進一步實施例，且本發(fā)明范圍當由后附權(quán)利要求書決定。
權(quán)利要求
1.一種用于半導體處理腔室的基座，其包含 基板支撐件，其包含導電材料；加熱組件，其封裝在所述基板支撐件內(nèi)部；及空心軸，其包含導電材料，并在第一端耦合至所述基板支撐件，以及在相對端耦合至 配合接口，所述配合接口包含介電插頭，所述介電插頭包含至少一個暴露的電連接器，所述 電連接器適于耦合至功率出口，所述功率出口配置在所述處理腔室上并和所述空心軸電絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述配合接口進一步包含 至少部分地穿過其外部表面形成的多個狹槽。
3.如權(quán)利要求2所述的基座，其中所述介電插頭包含多個延伸構(gòu)件，所述多個延伸構(gòu) 件和各自狹槽配合。
4.如權(quán)利要求3所述的基座，其中所述介電插頭包含圓形橫剖面，且所述多個延伸構(gòu) 件的每一個由此徑向延伸。
5.如權(quán)利要求4所述的基座，其中所述多個延伸構(gòu)件為均等間隔。
6.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述配合接口進一步包含 配置在其外部表面上的圓周環(huán)。
7.如權(quán)利要求6所述的基座，其中所述圓周環(huán)包含0形環(huán)，其適于幫助密封所述處理腔室。
8.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述基板支撐件包含基板接收表面，所述基板接收 表面包含多個配置在支撐表面上的突出部，其中所述多個突出部中的每一個是以陶瓷材料 制成或以陶瓷材料涂布。
9.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述至少一個暴露的電連接器是和配置在所述空心 軸中的導電引線電連通。
10.一種用于半導體處理腔室的基座，其包含 基板支撐件，其包含導電材料；加熱組件，其封裝在所述基板支撐件內(nèi)；空心軸，其包含導電材料，并在第一端耦合至所述基板支撐件，且在相對端耦合至基底 組件，所述基底組件包含開槽導電部分，其具有內(nèi)部容積 ’及介電插頭，其配置在所述內(nèi)部容積中，所述介電插頭包含一或多個導電構(gòu)件，所述一或 多個導電構(gòu)件縱向延伸穿過其中，所述一或多個導電構(gòu)件的每一個與所述開槽導電部分電絕緣。
11.如權(quán)利要求10所述的基座，其中所述一或多個導電構(gòu)件的每一個的至少一部分延 伸超出所述基底組件。
12.如權(quán)利要求10所述的基座，其中所述開槽導電部分是所述空心軸的延伸部分。
13.如權(quán)利要求10所述的基座，其中所述介電插頭包含多個延伸構(gòu)件，所述多個延伸 構(gòu)件和位于所述開槽導電部分中的各自狹槽配合。
14.如權(quán)利要求13所述的基座，其中所述介電插頭包含圓形橫剖面，且所述多個延伸 構(gòu)件的每一個由此徑向延伸。
15.如權(quán)利要求14所述的基座，其中所述多個延伸構(gòu)件為均等間隔。
全文摘要
提供一種用于提供功率給加熱支撐基座的方法和設備。在一實施例中，敘述一種處理套組。該處理套組包含空心軸，其由導電材料制成，并在一端耦合至基板支撐件，而在相對端耦合至基底組件，該基底組件適于耦合至配置在半導體處理工具上的功率箱。在一實施例中，該基底組件包含至少一暴露的電連接器，其配置在由介電材料，例如塑料樹脂，制成的嵌件中。
文檔編號H01L21/687GK102077338SQ200980124223
公開日2011年5月25日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月24日
發(fā)明者卡希克·賈納基拉曼, 葉立悠, 周健華, 穆罕默德·阿尤布, 胡安·卡洛斯·羅奇-阿爾維斯, 迪米特里·斯科萊爾 申請人:應用材料股份有限公司