專利名稱：帶有相結(jié)構(gòu)的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的、帶有相結(jié)構(gòu)區(qū)域的邊發(fā)射的 半導(dǎo)體激光器。本專利申請要求德國專利申請10 2008 025 922. 5的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引
用結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
用于高輸出功率的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器通常實施為寬條形激光器，其中有源區(qū) 具有大約ΙΟΟμπι或者更大的寬度。由于有源區(qū)的橫向伸展比較大，所以在這種半導(dǎo)體激光 器的情況下通常有多個橫向的激光模式起振。尤其是在高光功率情況下，會出現(xiàn)光功率的 不希望的強(qiáng)的調(diào)制，其也被稱作絲狀形成(Filamentierimg)。在邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器情 況下，最大的輸出功率密度通過半導(dǎo)體本體在側(cè)棱面的區(qū)域中的熔融(其也稱為COMD(災(zāi) 難性光學(xué)腔面損傷))而受到限制。由此，在具有強(qiáng)的絲狀形成的半導(dǎo)體激光器情況下降低 了最大可能的輸出功率。此外，邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的多模工作使得將所發(fā)射的激光耦 合輸入到隨后的光學(xué)元件中、尤其是光導(dǎo)體中變得困難。為了抑制較高的激光模式，尤其是為了實現(xiàn)在橫向基模中的工作，由出版物WO 01/97349A1中公開了在邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)中構(gòu)建相結(jié)構(gòu)。相結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體本 體的如下區(qū)域在這些區(qū)域中有效的折射率不同于半導(dǎo)體本體的在橫向方向中鄰接的區(qū)域 的折射率，并且構(gòu)建為使得較高的激光模式在激光諧振器中受到比半導(dǎo)體激光器的橫向基 模更大的循環(huán)損耗⑴mlaufVerluste)。在邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的情況下(其中有源層 設(shè)置在兩個波導(dǎo)層之間，而波導(dǎo)層設(shè)置在兩個覆蓋層之間)，相結(jié)構(gòu)例如通過如下方式來產(chǎn) 生波導(dǎo)被薄化直到波導(dǎo)層的區(qū)域中。通過這種方式，例如實現(xiàn)了在被薄化的區(qū)域中針對橫 向方向上傳播的激光輻射的有效的折射率比未被薄化的區(qū)域中小Δη = 0.03。已表明的是，通過構(gòu)建相結(jié)構(gòu)區(qū)域雖然可以抑制在邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器中較高 的橫向模式，然而另一方面在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和鄰接的區(qū)域之間的折射率跳變導(dǎo)致耦合損耗， 這些耦合損耗引起半導(dǎo)體激光器的效率的劣化。尤其是光-電流特性曲線受到這種耦合損 耗的不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個任務(wù)在于，提出一種改進(jìn)的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其帶有波導(dǎo)，在 該波導(dǎo)中構(gòu)建有至少一個相結(jié)構(gòu)區(qū)域，該半導(dǎo)體激光器的特征在于改進(jìn)的效率。該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1、6或7所述的特征的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器來解決。 本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施形式，邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器包含帶有波導(dǎo)區(qū)域的半 導(dǎo)體本體，其中波導(dǎo)區(qū)域具有第一波導(dǎo)層、第二波導(dǎo)層和設(shè)置在第一波導(dǎo)層與第二波導(dǎo)層 之間的用于產(chǎn)生激光輻射的有源層。波導(dǎo)區(qū)域設(shè)置在第一覆蓋層與第二覆蓋層之間，該第二覆蓋層在半導(dǎo)體本體的生長方向上跟隨在波導(dǎo)區(qū)域之后。半導(dǎo)體本體具有主區(qū)域和至少 一個在橫向方向上與主區(qū)域相鄰的相結(jié)構(gòu)區(qū)域，在該相結(jié)構(gòu)區(qū)域中構(gòu)建有相結(jié)構(gòu)，用于選 擇由有源層所發(fā)射的激光輻射的橫向模式。在一個有利的實施形式中，相結(jié)構(gòu)區(qū)域構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū)域之外。在該情況中，第一波 導(dǎo)層、第二波導(dǎo)層和有源層分別不包含相結(jié)構(gòu)。在第一覆蓋層和第二覆蓋層之間的波導(dǎo)區(qū) 域于是有利地沒有相結(jié)構(gòu)。通過這種方式，實現(xiàn)了在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和半導(dǎo)體本體的主區(qū)域之 間僅僅出現(xiàn)非常小的耦合損耗，由此改進(jìn)了半導(dǎo)體激光器的效率，尤其是光-電流特性曲 線。相結(jié)構(gòu)區(qū)域優(yōu)選構(gòu)建在半導(dǎo)體本體的第二覆蓋層中。例如，邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光 器具有襯底，在該襯底上在半導(dǎo)體層序列的生長方向中首先是第一覆蓋層，隨后是第一波 導(dǎo)層，接著是用于產(chǎn)生激光輻射的有源層，隨后是第二波導(dǎo)層，并且接下來是第二覆蓋層。 在此，相結(jié)構(gòu)區(qū)域僅僅構(gòu)建在與襯底對置的第二覆蓋層中，而第一覆蓋層、有源層和波導(dǎo)層 分別不具有相結(jié)構(gòu)區(qū)域。因為在橫向方向上在半導(dǎo)體本體中傳播的激光輻射基本上在有 源層以及在第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層中傳播，并且僅僅輕微地侵入第一覆蓋層和第二覆蓋 層中，所以在半導(dǎo)體本體中的垂直的模式分布僅僅輕微地受第二覆蓋層中產(chǎn)生的相結(jié)構(gòu)影 響。這對于半導(dǎo)體激光器的效率是有利的，尤其是由此與其中相結(jié)構(gòu)區(qū)域構(gòu)建在波導(dǎo)層中 的至少一個中的半導(dǎo)體激光器相比可以實現(xiàn)對光-電流特性曲線的改進(jìn)。在半導(dǎo)體本體中的相結(jié)構(gòu)例如可以通過如下方式來制造第二覆蓋層在相結(jié)構(gòu)區(qū) 域中至少部分地被剝離。第二覆蓋層于是在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中優(yōu)選具有比在橫向方向上相鄰的 主區(qū)域中更小的厚度。在此有利的是，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和主區(qū)域之間構(gòu)建有過渡區(qū)域，在該過渡區(qū)域中第 二覆蓋層的厚度分級地或者連續(xù)地變化，以便避免在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和半導(dǎo)體本體的主區(qū)域之 間的折射率的跳躍變化。通過這種方式，可以降低耦合損耗。例如，第二覆蓋層在相結(jié)構(gòu)區(qū) 域中可以具有厚度Cl1，并且在主區(qū)域中具有厚度(I2)Cl1，其中第二覆蓋層的厚度在過渡區(qū) 域中連續(xù)地、優(yōu)選線性地從厚度Cl1升高到厚度d2?？商孢x地，在過渡區(qū)域中的厚度也可以 階梯式地以多個階梯從Cl1升高到d2。通過至少部分地剝離在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的第二覆蓋層來產(chǎn)生相結(jié)構(gòu)尤其是可以借 助刻蝕工藝來實現(xiàn)。在此有利的是，第二覆蓋層在其中它被至少部分地剝離的區(qū)域中設(shè)置 有鈍化層。鈍化層例如可以包含氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，或者由其組成。在另一有利的實施形式中，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的有效的折射率通過引入摻雜劑而相 對于在橫向方向上相鄰的主區(qū)域來改變。特別地，摻雜劑可以擴(kuò)散到或者注入到半導(dǎo)體本 體的相結(jié)構(gòu)區(qū)域中。例如可以進(jìn)行將附加的摻雜劑引入第二覆蓋層中，使得相結(jié)構(gòu)區(qū)域構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū) 域之外。在該實施形式中，相結(jié)構(gòu)區(qū)域不必一定構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū)域之外。更確切地說，可以有 利的是，附加的摻雜劑不僅引入第二覆蓋層，而且也引入位于其下的層、即尤其是第一覆蓋 層、第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層以及有源層。這具有的優(yōu)點是，垂直的模式分布僅僅未明顯地 受到由于引入摻雜劑而出現(xiàn)的折射率改變影響，因為激光輻射在其中傳播的所有層都在相 結(jié)構(gòu)區(qū)域和主區(qū)域之間具有折射率跳變。
在另一有利的實施形式中，半導(dǎo)體本體在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中具有混勻結(jié)構(gòu)。為此，優(yōu)選 的是半導(dǎo)體本體的一個或者多個層、即第一覆蓋層和/或第二覆蓋層、有源層、第一波導(dǎo)層 和/或第二波導(dǎo)層分別實施為多重層，其中多重層分別具有多個部分層，這些部分層在其 材料組分方面彼此不同。為了制造相結(jié)構(gòu)區(qū)域，一個或者多個多重層在半導(dǎo)體本體中被混 勻，以便在該區(qū)域中引起折射率的變化。例如，第二覆蓋層可以實施為多重層并且隨后被混勻，使得相結(jié)構(gòu)區(qū)域構(gòu)建在波 導(dǎo)區(qū)域之外。然而在該實施形式中，相結(jié)構(gòu)區(qū)域不必構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū)域之外，而是也可以將一個 或者多個位于其下的層、即尤其是第一覆蓋層、第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層以及有源層混勻。在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中一個或者多個多重層的混勻例如可以通過本身已知的擴(kuò)散引起 的混勻來實現(xiàn)，其中例如ai或者Si擴(kuò)散或者注入到多重層結(jié)構(gòu)中并且隨后實施熱處理。另 一變形方案在于，在最上部的半導(dǎo)層中產(chǎn)生晶體缺陷，這些晶體缺陷在隨后的熱處理中擴(kuò) 散到位于其下的半導(dǎo)體層中。相結(jié)構(gòu)區(qū)域的有效折射率nP, eff優(yōu)選與半導(dǎo)體本體的在橫向上同相結(jié)構(gòu)區(qū)域相鄰 的主區(qū)域的有效折射率nH,eff偏差不超過1*10_2。于是有利地適用|nH, eff_nP, eff| ≤ 0. 01。已證明的是，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和半導(dǎo)體本體的橫向方向上相鄰的主區(qū)域之間的折射 率的這種小的跳變已經(jīng)適于抑制較高的橫向激光模式。同時，在這種小的折射率跳變的情 況下僅僅出現(xiàn)小的耦合損耗。此外，垂直的模式分布由于在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和相鄰的主區(qū)域之 間的小的折射率差而僅僅受到輕微的影響。優(yōu)選的是，相結(jié)構(gòu)區(qū)域的有效折射率nP, eff與半導(dǎo)體本體的主區(qū)域的有效折射率 nH,rff偏差至少1*10-3。針對半導(dǎo)體本體的相結(jié)構(gòu)區(qū)域和相鄰的主區(qū)域之間的有效折射率的 差的該有利的下限如下得到折射率跳變應(yīng)當(dāng)大于偶然的折射率波動，該偶然的折射率波 動可能由于在半導(dǎo)體本體內(nèi)溫度和/或載流子密度的偶然的偏差而出現(xiàn)。于是優(yōu)選地適用0.001 ≤ | nH, eff_nP, eff | ≤ 0· 01。有效折射率的該選擇尤其是對于其中通過剝離第二覆蓋層的至少一部分來制造 相結(jié)構(gòu)的實施形式是有利的。然而在其中通過摻雜或者混勻工藝來產(chǎn)生相結(jié)構(gòu)的實施形式 中，可替選地也可以選擇更大的有效折射率的差，因為在該情況中垂直的模式分布僅僅輕 微地受到在主區(qū)域和相結(jié)構(gòu)區(qū)域之間的折射率差影響。在一個有利的擴(kuò)展方案中，相結(jié)構(gòu)區(qū)域與半導(dǎo)體激光器的至少一個側(cè)棱面鄰接。 特別地，第一相結(jié)構(gòu)區(qū)域可以與半導(dǎo)體激光器的第一側(cè)棱面鄰接，并且第二相結(jié)構(gòu)區(qū)域可 以與半導(dǎo)體激光器的第二側(cè)棱面鄰接。通過將相結(jié)構(gòu)區(qū)域與半導(dǎo)體激光器的側(cè)棱面鄰接， 朝著側(cè)棱面的方向傳播的激光僅僅一次耦合輸入到相結(jié)構(gòu)區(qū)域中并且在側(cè)棱面上反射之 后的回程中又一次地從相結(jié)構(gòu)區(qū)域耦合輸出。與此不同，激光輻射在相結(jié)構(gòu)區(qū)域并未達(dá)到 半導(dǎo)體激光器的側(cè)棱面的情況下首先耦合輸入到相結(jié)構(gòu)區(qū)域中并且又耦合輸出，并且在側(cè) 棱面上反射之后重新耦合輸入到相結(jié)構(gòu)區(qū)域中并且隨后又從相結(jié)構(gòu)區(qū)域耦合輸出。通過相結(jié)構(gòu)區(qū)域與半導(dǎo)體激光器的側(cè)棱面鄰接，因此在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和相應(yīng)的側(cè)棱 面上的主區(qū)域之間的過耦合過程(Ueberkoppelvorgaenge)的數(shù)目減少了 2。當(dāng)在半導(dǎo)體激 光器的兩個側(cè)上分別有一個相結(jié)構(gòu)區(qū)域與側(cè)棱面鄰接，則減少了在激光輻射在通過側(cè)棱面構(gòu)建的激光諧振器中的一個完整循環(huán)中的過耦合過程的數(shù)目(也即去程和回程)從八個過 耦合過程減少到四個過耦合過程。通過這種方式，減少了在半導(dǎo)體本體中的耦合損耗，由此 改進(jìn)了半導(dǎo)體激光器的效率。在激光輻射從相結(jié)構(gòu)區(qū)域轉(zhuǎn)入到半導(dǎo)體本體的相鄰的主區(qū)域中以及相反過程中 出現(xiàn)的耦合損耗的進(jìn)一步有利的減少可以通過如下方式來實現(xiàn)在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和主區(qū)域之 間構(gòu)建過渡區(qū)域，在該過渡區(qū)域中有效的折射率以多級方式或者連續(xù)地變化。在該情況中， 相結(jié)構(gòu)區(qū)域于是并不直接地與相鄰的主區(qū)域鄰接，而是通過過渡區(qū)域與其分離。通過這種 方式，實現(xiàn)了在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和相鄰的主區(qū)域之間的折射率并不突然改變，而是連續(xù)地或者 以多個子階梯地改變，這些子階梯分別小于在主區(qū)域和相結(jié)構(gòu)區(qū)域之間的折射率差。在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和主區(qū)域之間的折射率的連續(xù)過渡的情況中有利的是，梯度、即每 單位長度的有效折射率的變化Anrff不大于0. 01 μ πΓ1。下面借助實施例結(jié)合附

圖1至6進(jìn)一步闡述本發(fā)明。其中圖IA示出了邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的一個實施例的橫截面的示意圖，圖IB示出了圖IA中示出的實施例的俯視圖的示意圖，圖2Α示出了邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的另一實施例的橫截面的示意圖，圖2Β示出了圖2Α中示出的實施例的俯視圖的示意圖，圖3A、3B、3C、3D和3E借助中間步驟示出了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的方 法的一個實施例的示意圖，圖4A、4B、4C、4D和4E借助中間步驟示出了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的方 法的另一實施例的示意圖，圖5A、5B、5C、5D和5E借助中間步驟示出了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的方 法的另一實施例的示意圖，以及圖6示出了在邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的另一實施例的半導(dǎo)體本體中折射率η以及 電場強(qiáng)度E的曲線分布的圖形表示。在附圖中，相同或者作用相同的組成部分設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。所示的組成部 分以及組成部分彼此間的大小關(guān)系不能視為合乎比例的。
具體實施例方式在圖IA和IB中示出了邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的第一實施例。圖IA示出了沿著 圖IB中示出的俯視圖的線A-B的橫截面。邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器具有半導(dǎo)體本體10，在該半導(dǎo)體本體中包含波導(dǎo)區(qū)域4。 波導(dǎo)區(qū)域4包括第一波導(dǎo)層2Α、第二波導(dǎo)層2Β和在第一波導(dǎo)層2Α與第二波導(dǎo)層2Β之間設(shè) 置的有源層3，其用于產(chǎn)生激光輻射。邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的有源層3尤其可以是單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)。 在本申請的范圍中，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)包括其中載流子通過限制(“confinement”)而經(jīng)歷其 能量狀態(tài)的量子化的任何結(jié)構(gòu)。術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)尤其是不包含關(guān)于量子化的維度的說明。 由此，其尤其是包含量子槽、量子線和量子點以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。波導(dǎo)區(qū)域4設(shè)置在第一覆蓋層IA和第二覆蓋層IB之間，該第二覆蓋層在半導(dǎo)體本體10的生長方向上跟隨在波導(dǎo)區(qū)域4之后。第一覆蓋層Ia于是設(shè)置在朝向半導(dǎo)體本體 10的襯底11的側(cè)上，而第二覆蓋層IB設(shè)置在從有源層3出發(fā)來看的半導(dǎo)體本體10的背離 襯底11的側(cè)上。在半導(dǎo)體本體10的襯底11和第一蓋層IA之間可以設(shè)置一個或者多個中間層12。 邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的電接觸例如通過在襯底11的背離有源層3的背側(cè)上的第一電接 觸層13和在半導(dǎo)體本體10的背離襯底的上側(cè)上的第二電接觸層14來進(jìn)行。在第二蓋層 IB和電接觸層14之間可以設(shè)置一個或者多個另外的中間層12。覆蓋層1A、1B有利地具有比波導(dǎo)層2A、2B更小的折射率，由此在橫向方向上傳播 的激光輻射基本上被包圍在波導(dǎo)區(qū)域4中。然而由于在波導(dǎo)層2A、2B和覆蓋層1A、1B之間 的有限的折射率差，激光模式也至少部分地傳播直到覆蓋層1A、1B中。激光輻射在橫向方 向上的傳播因此可以通過有效折射率來描述，該有效折射率取決于該覆蓋層1A、1B、波導(dǎo)層 2A、2B和有源層3的折射率。半導(dǎo)體本體10在與半導(dǎo)體激光器的側(cè)棱面9鄰接的區(qū)域中分別具有相結(jié)構(gòu)區(qū)域 6，這些相結(jié)構(gòu)區(qū)域用于選擇由有源層3所發(fā)射的激光輻射的橫向模式。在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中， 有效折射率nP, eff與半導(dǎo)體本體10的在橫向方向上相鄰的主區(qū)域5中的有效折射率nH, eff 不同。相結(jié)構(gòu)區(qū)域6例如通過如下方式產(chǎn)生第二覆蓋層IB在與半導(dǎo)體本體10的側(cè)棱 面9鄰接的區(qū)域中至少部分被剝離。這例如可以通過刻蝕工藝來進(jìn)行，其中例如中間層12 和第二接觸層14也在這些區(qū)域中被剝離。第二覆蓋層IB于是在與側(cè)棱面9鄰接的區(qū)域中 比在主區(qū)域5中更薄，或者甚至被完全去除。因為激光模式在其在半導(dǎo)體本體10中在橫向 方向上的傳播時也至少部分地延伸直到第二覆蓋層IB中，所以第二覆蓋層IB在相結(jié)構(gòu)區(qū) 域6中的薄化引起有效折射率相對于主區(qū)域5的變化。在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主區(qū)域5之間的耦合損耗有利地是小的，因為相結(jié)構(gòu)區(qū)域6并 未構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū)域4中(在該波導(dǎo)區(qū)域中在橫向方向上傳播的激光輻射具有最大的強(qiáng)度)， 而是僅僅構(gòu)建在第二覆蓋層IB中。通過相結(jié)構(gòu)區(qū)域6可以有針對性地影響模式在橫向方向中的傳播，其中尤其是可 以實現(xiàn)的是，較高的橫向模式在設(shè)置于側(cè)棱面9之間的激光諧振器中具有比半導(dǎo)體激光器 的橫向基模更強(qiáng)的循環(huán)損耗。通過合適地構(gòu)建相結(jié)構(gòu)6，因此尤其是可以實現(xiàn)半導(dǎo)體激光 器的單模工作，在該單模工作中僅僅橫向基模起振。此外，通過相結(jié)構(gòu)6也可能的是，形成 橫向基模的射束輪廓(Strahlprofil)。例如，基模的典型的高斯形射束輪廓可以通過合適 的相結(jié)構(gòu)與矩形形狀接近。至少近似矩形的射束輪廓相對于高斯形的射束輪廓具有的優(yōu)點 是，在較高的輸出功率情況下才會出現(xiàn)在側(cè)棱面的區(qū)域中的熔融(C0MD-災(zāi)難性光學(xué)腔面 損傷)。相結(jié)構(gòu)區(qū)域6的三維結(jié)構(gòu)的計算由出版物WO 01/97349A1中公開，該出版物的公 開內(nèi)容就此而言通過引用結(jié)合于此，其中該計算使得實現(xiàn)對橫向模式頻譜的所希望的影 響。其中第二覆蓋層IB被至少部分地剝離的相結(jié)構(gòu)區(qū)域6的寬度在第二覆蓋層IB的平面 中不是恒定的，而是遵循預(yù)先給定的函數(shù)，該函數(shù)在考慮到半導(dǎo)體層序列的材料的參數(shù)、幾 何尺寸以及所發(fā)射的輻射的波長的情況下事先計算為使得較高的橫向激光模式在通過側(cè) 棱面9構(gòu)建的激光諧振器中經(jīng)歷比較低的橫向模式、尤其是半導(dǎo)體激光器的橫向基模更大的循環(huán)損耗。例如，在第二覆蓋層IB的平面中在半導(dǎo)體激光器的相應(yīng)的側(cè)棱面9和第二覆 蓋層IB中的刻蝕邊緣8 (通過其產(chǎn)生相結(jié)構(gòu)區(qū)域6)之間的距離具有波浪形的變化曲線，如 在圖IB的俯視圖中所示的那樣。相結(jié)構(gòu)區(qū)域6的有效折射率nP,eff有利地與半導(dǎo)體本體10的在橫向方向上同相結(jié) 構(gòu)區(qū)域6鄰接的主區(qū)域5的有效折射率nH, eff偏差不超過1*10_2。通過這種方式實現(xiàn)了在 激光輻射從主區(qū)域5轉(zhuǎn)入相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中時以及相反情況下出現(xiàn)的耦合損耗被減小。在垂 直方向上的、即垂直于半導(dǎo)體本體10的層的層平面的模式輪廓由于在主區(qū)域5和相結(jié)構(gòu)區(qū) 域6之間的有效折射率的小的差別而僅僅輕微受影響。而與此相對，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主 區(qū)域5之間較大的、突然的折射率跳變情況下，在這些區(qū)域之間的邊界面處會出現(xiàn)不希望 的反射，通過這些反射降低了半導(dǎo)體激光器的效率。此外有利的是，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主區(qū)域5之間的折射率差為至少1*10_3。通過 這種方式，實現(xiàn)了在主區(qū)域5和相結(jié)構(gòu)區(qū)域6之間的折射率差相對于半導(dǎo)體本體10內(nèi)的不 希望的折射率波動占主導(dǎo)地位，其中例如由于在半導(dǎo)體本體10內(nèi)的溫度變化或者載流子 密度的變化而會出現(xiàn)在半導(dǎo)體本體內(nèi)的折射率波動。在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主區(qū)域5之間的折 射率差于是有利地在1*10_3到1*10_2之間，其中包括邊界值。此外有利的是，相結(jié)構(gòu)區(qū)域6延伸直到半導(dǎo)體激光器的側(cè)棱面9上。在通過半導(dǎo) 體本體10的側(cè)棱面9構(gòu)建的激光諧振器中的完整的循環(huán)的情況下，激光輻射于是分別一次 耦合輸入到兩個相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中并且一次從兩個相結(jié)構(gòu)區(qū)域6耦合輸出。而當(dāng)相結(jié)構(gòu)區(qū)域 6并不與半導(dǎo)體本體10的側(cè)棱面9鄰接，而是與側(cè)棱面9間隔為使得在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和側(cè) 棱面之間分別有主區(qū)域5的另一部分時，激光輻射必須兩次耦合輸入到相結(jié)構(gòu)的每個中并 且又兩次耦合輸出，使得在激光輻射在激光諧振器中的完整循環(huán)情況下總共會進(jìn)行八次過 耦合過程。通過與側(cè)棱面9鄰接的相結(jié)構(gòu)區(qū)域6實現(xiàn)的將過耦合過程降低到4次具有的優(yōu) 點是，減少了在激光諧振器中的損耗并且由此改進(jìn)了半導(dǎo)體激光器的效率。在圖2A和2B中示出了邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的另一實施例。圖2A示出了沿著 圖2B中示出的俯視圖的線AB的橫截面。半導(dǎo)體本體10具有與前面描述的第一實施例相同的層序列。如在前面描述的實 施例中那樣，半導(dǎo)體本體10具有主區(qū)域5和相結(jié)構(gòu)區(qū)域6，其中在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中的有效折 射率不同于主區(qū)域5中的有效折射率，因為第二覆蓋層IB在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中被部分剝離。與前面描述的實施例的不同在于，第二覆蓋層IB的厚度在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主區(qū)域 5之間并不突然變化，而是在主區(qū)域5和相結(jié)構(gòu)區(qū)域6之間分別有過渡區(qū)域7，在該過渡區(qū) 域中第一覆蓋層IB的厚度并且由此有效折射率在橫向方向上連續(xù)變化。如在圖2A中所示的橫截面中可以看到的那樣，第二覆蓋層IB的厚度在過渡區(qū)域 7中分別線性地從相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中的小的厚度增加到主區(qū)域5中的較大的厚度。在第二覆蓋層IB在過渡區(qū)域7中的厚度線性增加的情況下，有效折射率的增加的 梯度優(yōu)選不超過0.01 μ πΓ1。通過第二實施例的第二覆蓋層IB在過渡區(qū)域7中的厚度連續(xù)地或者分級地增加， 實現(xiàn)了在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6和主區(qū)域5之間并不出現(xiàn)折射率的突然跳變，由此進(jìn)一步降低了在 主區(qū)域5和相結(jié)構(gòu)區(qū)域6之間的耦合損耗。在該情況中，在垂直方向上的模式輪廓受相結(jié) 構(gòu)區(qū)域6僅僅輕微地影響，由此減少了在激光諧振器中的損耗并且由此進(jìn)一步改進(jìn)了半導(dǎo)體激光器的效率。在圖3A至3E中借助中間步驟示出了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的方法的第 一實施例。如在圖3A中所示，將第一覆蓋層1A、波導(dǎo)區(qū)域4和第二覆蓋層IB在襯底11上。 波導(dǎo)區(qū)域4如在前面描述的實施例中那樣包含有源層，該有源層包含在至少兩個波導(dǎo)層之 間。波導(dǎo)區(qū)域4的各層為了簡化表示并未分別示出。此外，必要時所插入的中間層(其例 如可以設(shè)置在襯底11和第一覆蓋層IA之間)為了簡化視圖也沒有示出。在圖;3B中所示的中間步驟中，在第二覆蓋層IB中在與半導(dǎo)體本體的側(cè)棱面鄰接 的區(qū)域中分別產(chǎn)生相結(jié)構(gòu)區(qū)域6。第二覆蓋層IB為此例如借助刻蝕工藝在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中 被部分剝離。如在圖3C中所示，在隨后的方法步驟中，將鈍化層15施加到第一覆蓋層IB的被 薄化的區(qū)域上、刻蝕邊緣8上以及第一覆蓋層IB的主區(qū)域5的與刻蝕邊緣8鄰接的部分區(qū) 域上。鈍化層15的材料尤其可以是二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。鈍化層15的折射率 影響相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的有效折射率。鈍化層15的折射率(其在氮氧化硅的情況中例如為2) 因此在計算相結(jié)構(gòu)時予以考慮。在圖3D中所示的中間步驟中，接觸金屬化物14被施加到第二覆蓋層IB的主區(qū)域 5上。接觸金屬化物14優(yōu)選包含金屬或者金屬化合物構(gòu)成的一個或者多個層。尤其是，接 觸金屬化物14可以為鈦層、鉬層和金層構(gòu)成的層序列。這種接觸層序列14尤其是適于電 接觸P型半導(dǎo)體材料，例如第二覆蓋層IB由該半導(dǎo)體材料形成。在圖3E中所示的方法步驟中，襯底11被薄化。該方法步驟以及前面描述的方法 步驟可以在晶片復(fù)合結(jié)構(gòu)中進(jìn)行，其中晶片隨后可以被分割為單個的激光二極管器件。通 過襯底11的薄化，可以將晶片更容易地分離為單個的器件。此外，在圖3E中所示的方法步 驟中，另一接觸金屬化物13被施加到襯底11的背側(cè)上。在圖4A至4E中借助中間步驟闡述了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的方法的另
一實施例。如在前面描述的實施例中那樣，如在圖4A中所示，首先將第一覆蓋層1A、波導(dǎo)區(qū) 域4和第二覆蓋層IB生長到生長襯底11上。隨后，如在圖4B中所示的那樣，在第二覆蓋層IB中產(chǎn)生相結(jié)構(gòu)區(qū)域6。第二覆蓋 層IB為此在與半導(dǎo)體本體的側(cè)棱面鄰接的區(qū)域中被薄化。第二覆蓋層IB的薄化優(yōu)選通過 刻蝕工藝來進(jìn)行。然而與前面描述的實施例不同，并不產(chǎn)生垂直于第二覆蓋層IB的層平面 走向的刻蝕邊緣，而是傾斜于第二覆蓋層IB走向的刻蝕邊緣16。傾斜走向的刻蝕邊緣16的制造例如可以通過如下方式進(jìn)行首先將用作刻蝕掩 膜的光刻膠施加到相結(jié)構(gòu)區(qū)域6上，并且隨后在提高的溫度情況下液化，使得由于表面張 力而成形平坦的邊緣。帶有傾斜下降的側(cè)邊緣的這種光刻膠層的結(jié)構(gòu)在隨后的刻蝕工藝 中、尤其是干刻蝕工藝中轉(zhuǎn)移到第二覆蓋層IB中?？涛g邊緣16的陡度可以通過選擇性、即 第二覆蓋層IB和光刻膠的刻蝕速率關(guān)系來調(diào)節(jié)。如在圖4C中所示，隨后將鈍化層15施加到第二覆蓋層IB的被薄化的部分區(qū)域、 傾斜的刻蝕邊緣16和主區(qū)域5的與刻蝕邊緣16鄰接的部分區(qū)域上。如在前面的實施例中那樣，如在圖4D中所示，將接觸金屬化物14、例如鈦-鉬-金層序列施加到第二覆蓋層IB上。此外，可以如在前面描述的實施例中那樣將襯底11薄化并且將另一接觸金屬化 物13施加到襯底11的背側(cè)上，如在圖4E中所示。在圖5A至5E中借助中間步驟示出了用于制造邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的另一實施 例。在圖5A中所示的中間步驟中，如在前面描述的實施例中那樣將第一覆蓋層1A、波 導(dǎo)區(qū)域4和第二覆蓋層IB施加到襯底11上。不同于前面描述的實施例，在半導(dǎo)體本體中的相結(jié)構(gòu)區(qū)域6的制造并非通過將第 二覆蓋層IB的部分區(qū)域薄化來實現(xiàn)。更確切地說，相結(jié)構(gòu)區(qū)域6如在圖5B中示意性地示 出的那樣通過如下方式來產(chǎn)生在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中將至少一種附加的摻雜劑注入或者擴(kuò)散到 半導(dǎo)體層序列中。通過激活附加的摻雜劑，由此在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中產(chǎn)生的附加的載流子通過等離子 體效應(yīng)降低了半導(dǎo)體層的折射率并且由此也降低了相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中的有效折射率。于是， 相結(jié)構(gòu)區(qū)域6實施為注入?yún)^(qū)域或者擴(kuò)散區(qū)域。相結(jié)構(gòu)區(qū)域6有利地與邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光 器的側(cè)棱面9鄰接。此外有利的是，擴(kuò)散區(qū)域或者注入?yún)^(qū)域通過所有如下層延伸在所述層 中激光輻射在橫向方向上傳播。例如，擴(kuò)散或者注入可以通過第二覆蓋層1B、波導(dǎo)區(qū)域4和 第一覆蓋層IA直到襯底11的部分區(qū)域中，如在圖5B中所示的那樣。附加的摻雜劑在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中的濃度優(yōu)選調(diào)節(jié)為使得在相結(jié)構(gòu)區(qū)域6中的有效 折射率與主區(qū)域5中的有效折射率相差不超過IX 10_2，并且優(yōu)選至少為1X10_3。替代擴(kuò)散區(qū)域或者注入?yún)^(qū)域，相結(jié)構(gòu)區(qū)域6可替選地也可以是混勻區(qū)域。在該實 施形式中，覆蓋層1A、1A和/或在波導(dǎo)區(qū)域4中包含的有源層和波導(dǎo)層分別構(gòu)建為多個單 個層構(gòu)成的層序列。例如，覆蓋層、有源層和/或波導(dǎo)層可以由多個具有不同的Al濃度的 AlGaAs層或者InGaAlP層組成。通過將這種多層結(jié)構(gòu)混勻，改變帶隙并且由此也改變混勻 區(qū)域中的有效折射率。用于將多層結(jié)構(gòu)混勻以改變帶隙的方法本身已知，例如由出版物 DE102004040518A1中公開。例如，多層結(jié)構(gòu)的混勻可以通過Si或者Si的擴(kuò)散或者注入來 進(jìn)行，其中隨后優(yōu)選進(jìn)行熱處理。此外，混勻也可以通過用激光輻射的照射來進(jìn)行。隨后的方法步驟對應(yīng)于前面描述的實施例。如在圖5C中所示的那樣，鈍化層15 被施加到相結(jié)構(gòu)區(qū)域6以及在橫向方向上鄰接的主區(qū)域5的部分區(qū)域上。隨后，半導(dǎo)體本 體的主區(qū)域5設(shè)置有電接觸層14，如在圖5D中所示的那樣。在圖5E中所示的另外的方法步驟中，將半導(dǎo)體本體的襯底11薄化并且將第二電 接觸層13施加到襯底11的背離半導(dǎo)體層序列的背側(cè)上。在圖6中示出了針對邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器的另一實施例的、與位置坐標(biāo)ζ相關(guān) 的折射率η以及電場強(qiáng)度E的變化曲線，其中位置坐標(biāo)ζ從半導(dǎo)體本體的表面朝向襯底延 伸。半導(dǎo)體本體包含例如由GaAs構(gòu)成的襯底11，中間層12、例如AlGaAs層施加到該 襯底上。隨后是第一覆蓋層1Α，其尤其可以是InAlP層，并且例如具有大約SOOnm的厚度。在第一覆蓋層IA之后是波導(dǎo)區(qū)域4，其例如具有大約120nm的總厚度。波導(dǎo)區(qū)域 4包括第一波導(dǎo)層2A和第二波導(dǎo)層2B，它們例如包含Ina Aiia3Ala2P,其中在波導(dǎo)層2A、2B之間嵌入有源層3，尤其是^GaP構(gòu)成的量子膜。隨后是可選的大約200nm厚的另外的波導(dǎo) 層2C，其例如具有Ina5Giiai5Ala35P,以及第二覆蓋層1B，其如第一覆蓋層IA那樣可以具有 大約800nm的厚度的InAlP。在第二覆蓋層IB之后是大約50nm厚的中間層12，例如由InGaP構(gòu)成，并且隨后是 接觸層14，尤其是GaAs層。細(xì)虛線18再現(xiàn)了在半導(dǎo)體激光器的主區(qū)域中的折射率η的變化曲線，在該主區(qū)域 中并未構(gòu)建相結(jié)構(gòu)區(qū)域。粗虛線19示出了在半導(dǎo)體激光器的相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的折射率η的 變化曲線。如通過粗虛線19所表明的那樣，第二覆蓋層IB在相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的厚度被薄化到 大約lOOnm，并且例如由SiON構(gòu)成的、折射率為大約2. O的鈍化層15被施加到第二覆蓋層 IB上。在第二覆蓋層IB之下，在主區(qū)域和相結(jié)構(gòu)區(qū)域中的折射率的變化曲線相同。此外，在圖6中分別以任意的單位示出了在主區(qū)域(曲線20)和在相結(jié)構(gòu)區(qū)域(曲 線21)中的電場E的變化曲線。在主區(qū)域中，電場E傳播直到第二覆蓋層IB中。而在相結(jié) 構(gòu)區(qū)域中，電場較少地侵入第二覆蓋層IB和鈍化層15中，這尤其是歸因于在第二波導(dǎo)層IB 的被薄化的區(qū)域和鈍化層15之間的大的折射率跳變，其中在所述相結(jié)構(gòu)區(qū)域中第二覆蓋 層IB被薄化直到大約IOOnm的厚度并且隨后是鈍化層15。總之，相結(jié)構(gòu)區(qū)域?qū)﹄妶鲈诎雽?dǎo)體激光器的垂直方向上的分布的影響只是小的， 由此降低了在相結(jié)構(gòu)區(qū)域和主區(qū)域之間的耦合損耗，并且由此改進(jìn)了半導(dǎo)體激光器的效率。本發(fā)明并不受借助實施例的描述所限。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征以 及特征的任意組合，尤其是在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身 并未明確地在權(quán)利要求或者實施例中予以說明。
權(quán)利要求
1.一種邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其具有帶有波導(dǎo)區(qū)域的半導(dǎo)體本體(10)，其中 -波導(dǎo)區(qū)域(4)具有第一波導(dǎo)層(2A)、第二波導(dǎo)層QB)和設(shè)置在第一波導(dǎo)層以K)與第二波導(dǎo)層(2B)之間的用于產(chǎn)生激光輻射的有源層(3)，-波導(dǎo)區(qū)域(4)設(shè)置在第一覆蓋層(IA)與第二覆蓋層(IB)之間，該第二覆蓋層在半導(dǎo) 體本體(10)的生長方向上跟隨在波導(dǎo)區(qū)域(4)之后，以及-半導(dǎo)體本體(10)具有主區(qū)域( 和至少一個與主區(qū)域( 在橫向方向上相鄰的相結(jié) 構(gòu)區(qū)域(6)，在該相結(jié)構(gòu)區(qū)域中構(gòu)建有相結(jié)構(gòu)，用于選擇由有源層(3)所發(fā)射的激光輻射的 橫向模式，其特征在于，相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)構(gòu)建在波導(dǎo)區(qū)域(4)之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)構(gòu)建在 第二覆蓋層(IB)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，第二覆蓋層(IB)在相 結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)中至少部分地被剝離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)和主 區(qū)域( 之間構(gòu)建有過渡區(qū)域(7)，在該過渡區(qū)域中第二覆蓋層(IB)的厚度分級地或者連 續(xù)地變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，第二覆蓋層(IB)的厚 度在過渡區(qū)域(7)中線性地從相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)中的厚度升高到主區(qū)域(5)中的厚度。
6.一種邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其具有帶有波導(dǎo)區(qū)域的半導(dǎo)體本體(10)，其中 -波導(dǎo)區(qū)域(4)具有第一波導(dǎo)層(2A)、第二波導(dǎo)層QB)和設(shè)置在第一波導(dǎo)層以K)與第二波導(dǎo)層OB)之間的用于產(chǎn)生激光輻射的有源層(3)，-波導(dǎo)區(qū)域(4)設(shè)置在第一覆蓋層(IA)與第二覆蓋層(IB)之間，該第二覆蓋層在半導(dǎo) 體本體(10)的生長方向上跟隨在波導(dǎo)區(qū)域(4)之后，以及-半導(dǎo)體本體(10)具有主區(qū)域( 和至少一個與主區(qū)域( 在橫向方向上相鄰的相結(jié) 構(gòu)區(qū)域(6)，在該相結(jié)構(gòu)區(qū)域中構(gòu)建有相結(jié)構(gòu)，用于選擇由有源層(3)所發(fā)射的激光輻射的 橫向模式，其特征在于，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)中引入摻雜劑，該相結(jié)構(gòu)區(qū)域通過摻雜劑將相結(jié)構(gòu)區(qū) 域(6)的有效折射率nP,rff相對于主區(qū)域(5)改變。
7.—種邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其具有帶有波導(dǎo)區(qū)域的半導(dǎo)體本體(10)，其中 -波導(dǎo)區(qū)域(4)具有第一波導(dǎo)層(2A)、第二波導(dǎo)層QB)和設(shè)置在第一波導(dǎo)層以K)與第二波導(dǎo)層OB)之間的用于產(chǎn)生激光輻射的有源層(3)，-波導(dǎo)區(qū)域(4)設(shè)置在第一覆蓋層(IA)與第二覆蓋層(IB)之間，該第二覆蓋層在半導(dǎo) 體本體(10)的生長方向上跟隨在波導(dǎo)區(qū)域(4)之后，以及-半導(dǎo)體本體(10)具有主區(qū)域( 和至少一個與主區(qū)域( 在橫向方向上相鄰的相結(jié) 構(gòu)區(qū)域(6)，在該相結(jié)構(gòu)區(qū)域中構(gòu)建有相結(jié)構(gòu)，用于選擇由有源層(3)所發(fā)射的激光輻射的 橫向模式，其特征在于，半導(dǎo)體本體(10)在相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)中具有混勻結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，相結(jié)構(gòu)區(qū)域 (6)的有效折射率nP,rff與半導(dǎo)體本體(10)的與相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)在橫向方向上相鄰的主區(qū)域(5)的有效折射率nH,eff偏差不超過1X10_2。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，相結(jié)構(gòu)區(qū)域 (6)的有效折射率11& 與主區(qū)域(5)的有效折射率 #偏差至少1X10_3。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，相結(jié)構(gòu)區(qū)域 (6)與半導(dǎo)體本體(10)的側(cè)棱面(9)鄰接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，第二相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6) 與半導(dǎo)體本體(10)的、同側(cè)棱面(9)對置的第二側(cè)棱面鄰接。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，在相結(jié)構(gòu)區(qū)域 (6)和主區(qū)域( 之間構(gòu)建有過渡區(qū)域(7)，在該過渡區(qū)域中有效折射率以多個級變化或者 連續(xù)變化。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，有效折射率在過渡 區(qū)域(7)中連續(xù)變化，其中有效折射率的梯度不超過0.01 μ πΓ1。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，第二覆蓋層 (IB)在相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)中設(shè)置有鈍化層(15)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，鈍化層(1 包含氧 化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
全文摘要
提出了一種邊發(fā)射的半導(dǎo)體激光器，其具有帶有波導(dǎo)區(qū)域(4)的半導(dǎo)體本體(10)，其中波導(dǎo)區(qū)域(4)具有設(shè)置在第一波導(dǎo)層(2A)與第二波導(dǎo)層(2B)之間的用于產(chǎn)生激光輻射的有源層(3)。波導(dǎo)區(qū)域(4)設(shè)置在第一覆蓋層(1A)與第二覆蓋層(1B)之間。半導(dǎo)體本體(10)具有主區(qū)域(5)和至少一個相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)，在該相結(jié)構(gòu)區(qū)域中構(gòu)建有相結(jié)構(gòu)，用于選擇有源層(3)發(fā)射的激光輻射的橫向模式。為了減少耦合損耗，相結(jié)構(gòu)區(qū)域(6)設(shè)置在波導(dǎo)區(qū)域(4)之外或者通過如下區(qū)域(6)形成在該區(qū)域中引入摻雜劑或者產(chǎn)生混勻結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01S5/20GK102113187SQ200980130080
公開日2011年6月29日 申請日期2009年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者烏韋·D·蔡納, 漢斯-克里斯托弗·?？怂固? 沃爾夫?qū)な┟艿?申請人:弗蘭霍菲爾運輸應(yīng)用研究公司, 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司