專利名稱：表面處理用噴嘴裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于向被處理物吹送處理氣體以便進行表面處理的噴嘴裝置。
背景技術：
例如在專利文獻1中，在覆蓋等離子表面處理裝置的電極的電介質的板(供給槽形成部件)上設置有樹狀的槽。樹狀槽構成為從一個槽部分岔成兩個(多個)槽部，分岔的各槽部再分岔成兩個(多個)，多次反復進行該分岔，從而作為整體而形成為樹狀(淘汰賽程表形狀)。在上述電介質板(供給槽形成部件)的形成有上述樹狀槽的面上重疊有另一電介質板(覆蓋部件)。由此，上述樹狀槽構成處理氣體的通路。處理氣體沿上述樹狀槽的枝部分散后，經(jīng)過與樹狀槽的前端側相連的開口槽被吹出。由此，可以增大處理氣體的吹出寬度。該處理氣體與被處理物接觸而進行表面處理。專利文獻1 日本特開2004-127853號公報專利文獻2 日本特開2002-75692號公報專利文獻3 日本實開平5-89451號公報(圖3(b))在上述專利文獻1等的裝置中，根據(jù)供給槽形成部件和覆蓋部件的緊貼狀態(tài)以及在處理氣體的壓力等的作用下，可認為通過樹狀槽內(nèi)部時的處理氣體的一部分經(jīng)過供給槽形成部件和覆蓋部件之間泄漏到外部。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述狀況而作出的，其目的在于提供一種表面處理裝置，該表面處理裝置彼此重疊的兩個板狀部件中的一個板狀部件的重疊面上形成有處理氣體的供給槽， 可以防止處理氣體自這些板狀部件之間泄漏，從而防止對氣氛氣體的污染及對周邊裝置的腐蝕等。為了解決上述課題，在本發(fā)明的向被處理物供給處理氣體的噴嘴裝置中，其特征在于，具有供給槽形成部件，其呈板狀并具有形成有處理氣體供給槽的主面和與所述主面交叉的前端面，所述處理氣體供給槽到達所述前端面；以及覆蓋部件，其具有以覆蓋所述主面的方式與所述主面重疊的覆蓋面，所述處理氣體供給槽與處理氣體的供給機構連接，在所述主面和所述覆蓋面中的任一方的所述處理氣體供給槽的外側部分形成有外側槽，所述外側槽與(第一)氣體吸引機構連接。根據(jù)該特征結構，氣體吸引機構的吸引壓力被導入外側槽。利用該吸引壓力，可以使供給槽形成部件和覆蓋部件牢固地緊貼，從而可以防止處理氣體自處理氣體供給槽泄漏到供給槽形成部件和覆蓋部件的抵接面之間。即便產(chǎn)生了如上所述的泄漏，也可以在外側槽捕獲該泄漏氣體并自外側槽由氣體吸引機構進行吸引。因此，可以防止處理氣體自噴嘴裝置泄漏到氣氛氣體中，可以防止污染氣氛氣體、腐蝕周邊裝置。
優(yōu)選所述外側槽設置成跨在所述主面或所述覆蓋面的所述外側部分的基端部和前端部之間。由此，可以利用外側槽可靠地捕獲自上述處理氣體供給槽泄漏的處理氣體，從而能夠可靠地防止處理氣體漏出到氣氛氣體中。優(yōu)選所述外側槽延伸成將所述處理氣體供給槽的比所述前端面靠基端側的部分局部地包圍。由此，可以利用外側槽更可靠地捕獲自上述處理氣體供給槽泄漏的處理氣體，從而能夠更可靠地防止處理氣體漏出到氣氛氣體中。所述外側槽的所述前端面?zhèn)鹊亩瞬靠梢噪x開所述前端面而位于更靠基端側的位置。所述外側槽可以到達所述前端面的位于所述處理氣體供給槽外側的部分。在所述前端面的位于所述處理氣體供給槽外側的部分，可以形成有與所述外側槽相連且沿所述前端面的寬度方向(第二方向)延伸的端槽。由此，可以使自被處理部位向所述長度方向的外側流動的已處理氣體進入所述端槽，經(jīng)過所述外側槽，由所述氣體吸引機構吸引并將其排出。優(yōu)選所述表面處理用噴嘴裝置還具有第二覆蓋部件，該第二覆蓋部件覆蓋所述供給槽形成部件的與所述主面相反一側的背面，在所述背面形成有沿所述前端面的長度方向(第一方向)延伸且到達所述前端面的背側吸引槽。由此，可以自所述背側吸引槽吸引從被處理部位向背面?zhèn)确较蛄鲃拥囊烟?br> 理氣體?？梢栽谒龉┙o槽形成部件形成有將所述外側槽和所述背側吸引槽相連的連通孔。由此，可以使自被處理部位向背面?zhèn)确较蛄鲃拥囊烟幚須怏w進入所述背側吸引槽，經(jīng)過所述外側槽，由所述氣體吸引機構吸引并將其排出。所述處理氣體供給槽可以包含樹狀的槽部并到達所述前端面，所述槽部與處理氣體的供給機構連接且以隨著靠近所述前端面而朝所述前端面的長度方向擴展的方式進行分岔。根據(jù)該結構，可以利用樹狀的槽部使處理氣體朝所述前端面的長度方向分散并噴
出ο優(yōu)選樹狀槽部的分岔的級數(shù)為1以上。所述表面處理用噴嘴裝置可以構成為利用罩覆蓋基端部及外周部，并在所述罩上連接第二氣體吸引機構。由此，即便氣體自噴嘴裝置泄漏，也可以將該泄漏氣體封閉在罩和噴嘴裝置之間的空間內(nèi)，防止該泄漏氣體自罩向外部泄漏，并且，可以利用所述第二吸引機構吸引該泄漏氣體并將其排出。由此，可以更可靠地防止污染氣氛氣體、腐蝕周邊裝置。所述第一氣體吸引機構和所述第二氣體吸引機構可以由共用的吸引機構構成。根據(jù)本發(fā)明，可以防止處理氣體自噴嘴裝置泄漏到氣氛氣體中，從而可以防止污染氣氛氣體、腐蝕周邊裝置。


圖1是沿圖4的I-I線看本發(fā)明第一實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的主要是第一槽形成部件的主視圖。圖2是沿圖4的II-II線看上述噴嘴裝置的主要是第一槽形成部件的后視圖。圖3是沿圖4的III-III線看上述噴嘴裝置的主要是第二槽形成部件的主視圖。圖4是沿圖1的IV-IV線的上述噴嘴裝置的側視剖面圖。圖5是沿圖1的V-V線的上述噴嘴裝置的上側部分的側視剖面圖。圖6是沿圖1的VI-VI線的上述噴嘴裝置的上側部分的側視剖面圖。圖7是沿圖1的VII-VII線放大表示上述噴嘴裝置的局部的俯視剖面圖。圖8是上述噴嘴裝置的仰視圖。圖9是表示上述表面處理裝置的簡略結構的講解主視圖。圖10是表示本發(fā)明第二實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的主要是第一槽形成部件(供給槽形成部件)的主視圖。圖11是本發(fā)明第三實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的第二槽形成部件(覆蓋部件)的后視圖。圖12是本發(fā)明第三實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的、對應于圖7的俯視剖面圖。圖13是表示本發(fā)明第四實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的主要是第一槽形成部件的主視圖。圖14是表示本發(fā)明第五實施方式的表面處理裝置的噴嘴裝置的主要是第一槽形成部件的主視圖。圖15(a)是沿圖14的XVa-XVa線的上述第五實施方式的噴嘴裝置的省略了前端板的仰視圖，(b)是沿圖14的XVb-XVb線的上述第五實施方式的噴嘴裝置的省略了前端板的仰視圖。圖16是沿圖14的XVI-XVI線的上述第五實施方式的噴嘴裝置的仰視圖。圖17表示本發(fā)明的第六實施方式，是沿圖19的XVII-XVII線的第一槽形成部件的后視圖。圖18是沿圖19的XVIII-XVIII線的上述第六實施方式的噴嘴裝置的省略了前端板的仰視圖。圖19是沿圖17的XIX-XIX線的上述第六實施方式的噴嘴裝置的下側部分的側視剖面圖。圖20表示本發(fā)明第七實施方式的噴嘴裝置，是沿圖21的XX-XX線的主視剖面圖。圖21表示本發(fā)明第七實施方式的噴嘴裝置，是沿圖20的XXI-XXI線的俯視剖面圖。圖22表示本發(fā)明第七實施方式的噴嘴裝置，是沿圖20的XXII-XXII線的側視剖面圖。圖23表示本發(fā)明第七實施方式的噴嘴裝置，是沿圖20的XXIII-XXIII線的側視剖面圖。
具體實施例方式以下，說明本發(fā)明的實施方式。圖1 圖9表示本發(fā)明第一實施方式。如圖9所示，表面處理裝置1具有被處理物配置部2和噴嘴裝置3。配置部2由工作臺或輸送裝置構成。在配置部2上配置有被處理物9。被處理物9例如由平板顯示器用玻璃基板或半導體晶片構成，但并不限于此。作為表面處理的內(nèi)容，例舉蝕刻、成膜、清洗、防水化、親水化等，但并不限于上述處理內(nèi)容。配置部2上的被處理物9利用未圖示的移動機構或配置部2所裝配的移動機構， 相對于噴嘴裝置3向與圖9的紙面正交的方向(后述第二方向)相對移動。但并不限于使被處理物9移動，也可構成為使噴嘴裝置3移動。另外，相對移動既可以是僅移動一次的單程移動，也可以是往復移動，還可以使往復移動多次反復。如圖9所示，表面處理裝置1具有處理氣體源4。處理氣體源4將對應于處理內(nèi)容的處理氣體供給到噴嘴裝置3。例如，在進行硅的蝕刻時，處理氣體包含氟系反應成分及氧化性反應成分。作為氟系反應成分，例舉HF、C0F2、F2等。作為氧化性反應成分，例舉03、 0自由基等。作為氧化性反應成分的03，可以利用臭氧發(fā)生器生成。0自由基等氧化性反應成分可以通過將包含氧的氧系原料氣體等離子化來生成。HF、COF2等氟系反應成分可以通過在一對電極之間對添加了 H2O的氟系原料進行等離子化(包含分解、激發(fā)、活化、離子化)來生成。作為氟系原料，例舉全氟碳化物(PFC)、 氫氟碳化物(HFC)、SF6、NF3、XeF2 等。作為 PFC，例舉 CF4、C2F6、C3F6、C3F8 等。作為 HFC，例舉 CHF3、C2H2F2、CH3F等。也可以替代H2O而使用含OH化合物。作為含OH基化合物，例舉過氧化氫水、乙醇等。上述氟系原料可以在用稀釋氣體進行了稀釋的基礎上進行等離子化。作為稀釋氣體，除Ar、He等稀有氣體之外，例舉隊等。上述等離子化優(yōu)選在大氣壓附近進行。大氣壓附近指的是1.013X104 50. 663 X IO4Pa的范圍，若考慮壓力調(diào)節(jié)的便利性和裝置結構的簡化，則優(yōu)選1. 333 X IO4 10. 664 X IO4Pa,更優(yōu)選 9. 331 X IO4 10. 397 X IO4Pa0噴嘴裝置3配置在被處理物配置部2的上方。噴嘴裝置3沿水平的第一方向(在圖9中為左右方向)延伸。噴嘴裝置3在第一方向上的長度與被處理物9在第一方向上的長度大致相同或比其稍大。如圖9所示，噴嘴裝置3的上側部(基端部)及外周部由帽狀的罩8覆蓋。吸引路徑h自罩8和噴嘴裝置3之間的空間延伸。吸引路徑7a與第二氣體吸引機構7連接。如圖9所示，在噴嘴裝置3的上端部設置有集管部( ,義部)30。集管部30具有三個集管路徑31、32、33。三個集管路徑31 33在噴嘴裝置3的長度方向(第一方向) 上隔著間隔地排列。在集管部30的中央部配置有供給集管路徑31。隔著集管部30的供給集管路徑31，在一側(在圖9中為左側)配置有背面?zhèn)任苈窂?2，在另一側(在圖 9中為右側)配置有正面?zhèn)任苈窂?3。在集管部30的正面(在圖9中為紙面跟前)，設置有與供給集管路徑31相連的供給口 34、與背面?zhèn)任苈窂?2相連的背面?zhèn)任?35、與正面?zhèn)任苈窂?3相連的正面?zhèn)任?36。供給路徑如自處理氣體源4延伸，并且該供給路徑如經(jīng)由供給口 34與供給集管路徑31相連。
背面?zhèn)任窂絝e自背面?zhèn)任?35延伸。正面?zhèn)任窂?d自正面?zhèn)任?36延伸。這些吸引路徑fe、5d彼此匯合。匯合后的共用吸引路徑5g與包含吸引泵的第一氣體吸引機構5相連。雖省略圖示，但在氣體吸引機構5上附設有廢氣的除害設備。另外，第一氣體吸引機構5和上述第二氣體吸引機構7也可以由一個共用的吸引機構構成。進一步詳述噴嘴裝置3的結構。如圖4所示，噴嘴裝置3具有第一、第二槽形成部件11、12和外壁部件21、22。噴嘴構成部件11、12、21、22分別構成使長度方向朝向第一方向、使寬度方向朝向上下、使厚度方向朝向與第一方向正交的水平的第二方向(在圖4中為左右方向)的板狀。板狀部件11、12、21、22的材質并未特別限定，既可以是樹脂或陶瓷等絕緣體，也可以是金屬，但優(yōu)選具有相對于處理氣體的耐受性。例如，當處理氣體包含氟化氫等氟系反應成分時，作為槽形成部件11、12的材質，優(yōu)選使用聚偏二氟乙烯(PVDF)等氟系樹脂。另外，作為槽形成部件11、12的材質，也可以使用氧化鋁等的陶瓷。外壁部件21、22例如由鋁等金屬構成。自第二方向(圖9的紙面正交方向)看到的板狀部件11、12、21、22的輪廓形狀及大小彼此相等。這些板狀部件11、12、21、22自背面?zhèn)?圖4的左側、圖9的紙面里側)按照背面?zhèn)韧獗诓考?1、第一槽形成部件11、第二槽形成部件12、正面?zhèn)韧獗诓考?2的順序沿第二方向重疊，并利用軸線朝向第二方向的多根螺栓(省略圖示)連結。板狀部件11、 12、21、22的下端面(前端面)彼此共面。如圖4所示，上述供給集管路徑31貫穿第一槽形成部件11、第二槽形成部件12和正面?zhèn)韧獗诓考?2。在正面?zhèn)韧獗诓考?2的正面設置有上述供給口 34。供給集管路徑31 的里端部(與供給口 34連接的連接部的相反側)被背面?zhèn)韧獗诓考?1堵住。雖省略圖示，但同樣地，上述吸引集管路徑32、33貫穿第一槽形成部件11、第二槽形成部件12和正面?zhèn)韧獗诓考?2。在正面?zhèn)韧獗诓考?2的正面設置有上述吸引口 35、36。 吸引集管路徑32、33的里端部被背面?zhèn)韧獗诓考?1堵住。如圖1 圖4所示，在噴嘴裝置3形成有處理氣體供給槽40、背側吸引槽50和正面?zhèn)任?0。供給槽40配置在噴嘴裝置3的第二方向上的中央部。在該供給槽40的背面?zhèn)?在圖4中為左側)配置有上述背側吸引槽50，在正面?zhèn)?在圖4中為右側)配置有上述正面?zhèn)任?0。這些槽40、50、60平行地排列。如圖1及圖4所示，供給槽40的上端部與供給集管路徑31相連。如圖2及圖5所示，背側吸引槽50的上端部與吸引集管路徑32相連。如圖3及圖6所示，正面?zhèn)任?0的上端部與吸引集管路徑33相連。進一步詳述上述槽結構。如圖1所示，在第一槽形成部件11正面?zhèn)鹊闹髅鍵lf形成有上述處理氣體供給槽 40。供給槽40包含樹狀槽部41和開口槽部42。第一槽形成部件11構成供給槽形成部件。樹狀槽部41以越到下方(前端)越朝第一方向擴展的方式分岔并構成樹狀(淘汰賽程表形狀)。詳細論述如下，即樹狀槽部41自供給集管路徑31以構成1條的狀態(tài)向下方延伸并分支成兩個(多個)一次分支槽41a。這些分支槽41a以自彼此的分支部離開的方式沿第一方向延伸且前端向下方彎折。自各一次分支槽41a的前端朝第一方向的兩側分支成兩個(多個)二次分支槽41b。各二次分支槽41b的前端向下方彎折并自該二次分支槽41b的前端朝第一方向的兩側分支成兩個三次分支槽41c。各三次分支槽41c的前端向下方彎折并自該三次分支槽41c的前端朝第一方向的兩側分支成兩個(多個)末次分支槽 41e。末次分支槽41e的前端向下方彎折。在末次分支槽41e的下側設置有開口槽部42。開口槽部42沿第一槽形成部件11 的長度方向(第一方向)延伸。開口槽部42在第一方向上的長度與被處理物9在該方向上的尺寸大致相等或比其稍大。各末次分支槽41e的前端部(樹狀槽部41的末端)與開口槽部42相連。如圖4所示，開口槽部42到達第一槽形成部件11的下端面(前端面)。在第一槽形成部件11正面?zhèn)鹊闹髅鍵lf上重疊有第二槽形成部件12的背面?zhèn)鹊闹髅?2r，第二槽形成部件12覆蓋第一槽形成部件11。由此，供給槽40的主面Ilf側的開口被堵住，供給槽40構成與供給集管路徑31相連的氣體路徑。第一槽形成部件11構成權利要求中的供給槽形成部件。第二槽形成部件12構成將供給槽形成部件11正面?zhèn)鹊闹髅鍵lf覆蓋的覆蓋部件，背面?zhèn)鹊闹髅?2r構成覆蓋面。如圖1及圖4所示，在開口槽部42的上下方向(與槽形成部件的前端面正交的方向)上的中間部的內(nèi)面形成有凸條47。凸條47沿第一槽形成部件11的長度方向(第一方向)延伸。凸條47的長度方向的兩端部到達開口槽部42的長度方向的端緣。凸條47的突出高度(在第二方向上的尺寸)比開口槽部42的深度(在第二方向上的尺寸)小。在凸條47和槽形成部件12之間，形成有由窄間隙構成的節(jié)流部48。節(jié)流部48沿第一槽形成部件11的長度方向(第一方向)延伸。如圖2所示，在第一槽形成部件11背面?zhèn)鹊闹髅鍵lr形成有上述背側吸引槽50。 背側吸引槽50包含樹狀槽部51和開口槽部52。樹狀槽部51以越到下方(前端)越朝第一方向擴展的方式分岔并構成樹狀。詳細論述如下，即樹狀槽部51自背面?zhèn)任苈窂?2以構成1條的狀態(tài)向下方延伸并分支成多個(在此為8個)分支槽51e。這些分支槽51e在第一槽形成部件11的長度方向 (第一方向)上相互隔著間隔地配置且分別向下方延伸。在分支槽5Ie的下側設置有開口槽部52。開口槽部52沿第一槽形成部件11的長度方向(第一方向)延伸。開口槽部52的長度與上述開口槽部42的長度大致相等。各分支槽51e的前端部(樹狀槽部51的末端)與開口槽部52相連。如圖4所示，開口槽部52 到達第一槽形成部件11的下端面(前端面)。如圖4所示，背面?zhèn)韧獗诓考?1覆蓋第一槽形成部件11的背面llr，因此，背側吸引槽50的面Ilr側的開口被堵住。由此，背側吸引槽50構成與背面?zhèn)任苈窂?2相連的氣體路徑。背面?zhèn)韧獗诓考?1構成將第一槽形成部件11背面?zhèn)鹊闹髅鍵lr覆蓋的第二覆蓋部件。如圖2及圖4所示，在開口槽部52的上下方向上的中間部的內(nèi)面形成有凸條57。 凸條57沿第一槽形成部件11的長度方向(第一方向)延伸。凸條57的延伸方向的兩端部到達開口槽部52的端緣。凸條57的突出高度(在第二方向上的尺寸)比背側吸引槽50 的深度(在第二方向上的尺寸)小。在凸條57和外壁部件21之間，形成有由窄間隙構成的節(jié)流部58。節(jié)流部58沿第一槽形成部件11的長度方向(第一方向)延伸。
如圖3所示，在第二槽形成部件12正面?zhèn)鹊闹髅?2f形成有上述正面?zhèn)任?60。正面?zhèn)任?0具有與上述背側吸引槽50同樣的結構，其包含樹狀槽部61和開口槽部62。樹狀槽部61以越到下方(前端)越朝第一方向擴展的方式分岔并構成樹狀。詳細論述如下，即樹狀槽部61自正面?zhèn)任苈窂?3以構成1條的狀態(tài)向下方延伸并分支成多個(在此為8個)分支槽61e。這些分支槽61e在第二槽形成部件12的長度方向 (第一方向)上相互隔著間隔地配置，并分別向下方延伸。在分支槽61e的下側設置有開口槽部62。開口槽部62沿第二槽形成部件12的長度方向(第一方向)延伸。開口槽部62的長度與上述開口槽部42的長度大致相等。各分支槽61e的前端部(樹狀槽部61的末端)與開口槽部62相連。如圖4所示，開口槽部62 到達第二槽形成部件12的下端面(前端面)。如圖4所示，正面?zhèn)韧獗诓考?2覆蓋第二槽形成部件12的正面12f，因此，第二槽形成部件12的正面?zhèn)任?0的面12f側的開口被堵住。由此，正面?zhèn)任?0構成與正面?zhèn)任苈窂?3相連的氣體路徑。正面?zhèn)韧獗诓考?1構成將第二槽形成部件12正面?zhèn)鹊闹髅?2f覆蓋的覆蓋部件。如圖3及圖4所示，在開口槽部62的上下方向上的中間部的內(nèi)面形成有凸條67。 凸條67沿第二槽形成部件12的長度方向(第一方向)延伸。凸條67的長度方向的兩端部到達開口槽部62的長度方向的端緣。凸條67的突出高度(在第二方向上的尺寸)比正面?zhèn)任?0的深度(在第二方向上的尺寸)小。在凸條67和正面?zhèn)韧獗诓考?2之間， 形成有由窄間隙構成的節(jié)流部68。節(jié)流部68沿第二槽形成部件12的長度方向(第一方向)延伸。作為在槽形成部件11、12上形成槽40、50、60、82、83的方法，除基于切削加工的方法之外，也可以適用使用了槽40、50、60、82、83的模型的真空成形法或注塑成形法。根據(jù)真空成形法或注塑成形法，可以減輕部件重量，并可以削減制造成本。如圖8所示，噴嘴裝置3還具有前端板70。如圖4及圖6所示，前端板70構成使長度方向朝向第一方向、使寬度方向朝向第二方向的平板狀。前端板70的材質并未特別限定，既可以是樹脂或陶瓷等絕緣體，也可以是金屬，但優(yōu)選具有相對于處理氣體的耐受性。 在此，前端板70由氧化鋁的陶瓷構成。前端板70整體構成一體部件。如圖4所示，前端板70被板狀層疊部件11、12、21、22的共面的下端面(前端面) 覆蓋。雖省略圖示，但前端板70利用多根螺栓固定于各部件11、12、21、22。上述省略圖示的螺栓以頭部朝上的方式穿過各部件11、12、21、22，并將其根部擰入前端板70。上述螺栓用的內(nèi)螺紋孔自前端板70的頂面形成至厚度方向的中途。內(nèi)螺紋孔未到達前端板70的底 如圖8所示，在前端板70上形成有三個狹縫71 73。狹縫71 73分別沿前端板70的長度方向(第一方向)呈直線狀延伸，并在前端板70的寬度方向(第二方向)上相互隔著間隔地平行配置。在前端板70的寬度方向(第二方向)的中央部配置有供給狹縫71。在該供給狹縫71的背面?zhèn)?在圖6中為左側)配置有背面?zhèn)任M縫72，在正面?zhèn)?在圖6中為右側)配置有正面?zhèn)任M縫73。
如圖4所示，中央的供給狹縫71與供給槽40的開口槽部42下端的開口相連。背面?zhèn)任M縫72與背側吸引槽50的開口槽部52下端的開口相連。正面?zhèn)任M縫73與正面?zhèn)任?0的開口槽部62下端的開口相連。各狹縫71 73的長度與上述開口槽部 42、52、62的長度大致相等。各狹縫71 73的寬度(在第二方向上的尺寸)比上述開口槽部42、52、62的深度(在第二方向上的尺寸)小。說明本發(fā)明的最具有特征性的結構。如圖1所示，在第一槽形成部件即供給槽形成部件11的正面Ilf形成有外側槽 80。外側槽80配置在第一槽形成部件11正面?zhèn)鹊闹髅鍵lf的比處理氣體供給槽40靠外側的部分。外側槽80將比供給槽40下端(前端)的開口更靠上側(基端側)的部分局部地包圍。外側槽80包含有一對外側槽部82、83。外側槽部82、83隔著供給槽41的上端部， 分開地配置在槽形成部件11的長度方向的兩側。在圖1中，配置在供給槽形成部件11長度方向的中央部的左側的外側槽部82，與朝左側分支的分支槽41a及與該左側分支槽41a的前端相連的分支槽41b 41e相比，配置在正面Ilf的外側部分(上側及左側)，該外側槽部82以沿著這些分支槽41a 41e的外緣的方式，自正面Ilf的左外側部分的上端部(基端部)至下端部(前端部)呈階梯狀延伸。如圖1及圖5所示，外側槽部82的上端部配置在背面?zhèn)任苈窂?2和上述左側分支槽41a之間，并與背面?zhèn)任苈窂?2相連。 如圖1所示，外側槽部82的下端部配置在供給槽形成部件11左側的外端面和開口槽部42 的左端緣之間，并且該外側槽部82的下端部離開供給槽形成部件11的下端面(前端面)而位于該供給槽形成部件11的下端面(前端面)的稍上方(基端側)。如圖5及圖7所示， 作為覆蓋部件的第二槽形成部件12覆蓋供給槽形成部件11，因此，外側槽部82的面Ilf側的開口被堵住。由此，外側槽部82構成與背面?zhèn)任苈窂?相連的氣體路徑。在圖1中，配置在供給槽形成部件11長度方向的中央部的右側的外側槽部83，與朝右側分支的分支槽41a及與該右側分支槽41a的前端相連的分支槽41b 41e相比配置在正面Ilf的外側部分(上側及右側)，該外側槽部83以沿著這些分支槽41a 41e的外緣的方式，自正面Ilf的右外側部分的上端部(基端部)至下端部(前端部)呈階梯狀延伸。如圖1及圖6所示，外側槽部83的上端部配置在正面?zhèn)任苈窂?3和上述右側分支槽41a之間，并與正面?zhèn)任苈窂?3相連。如圖1所示，外側槽部83的下端部配置在供給槽形成部件11右側的外端面和開口槽部42的右端緣之間，并且該外側槽部83的下端部離開供給槽形成部件11的下端面(前端面)而位于該供給槽形成部件11的下端面 (前端面)的稍上方(基端側)。如圖6所示，同樣地，外側槽部83的面Ilf側的開口被覆蓋部件12堵住，外側槽部83構成與正面?zhèn)任苈窂?3相連的氣體路徑。說明利用上述結構的表面處理裝置1對被處理物9進行表面處理的方法。處理氣體自處理氣體源4通過供給路徑如導入噴嘴裝置3的供給口 34。處理氣體通過供給集管路徑31進入樹狀槽部41內(nèi)。該處理氣體按照一次分支槽41a、二次分支槽 41b、三次分支槽41c、末次分支槽41e的順序流動，從而沿第一方向擴散。并且，處理氣體自各末次分支槽41e的下端(樹狀槽部41的末端)輸送到開口槽部42。在該開口槽部42 的凸條47的上側部分，來自各分支槽41e的處理氣體彼此混合。接著，處理氣體在通過節(jié)流部48的同時被節(jié)流，此后，流到凸條47下側的開口槽部42并膨脹。進而，處理氣體在通過供給狹縫71的同時被節(jié)流。由此，可以使處理氣體在第一方向上充分地均質化。接著， 處理氣體自供給狹縫71向下方噴出。與此同時，配置在配置部2上的被處理物9以橫穿噴嘴裝置3下方的方式沿第二方向移動。向該被處理物9吹送處理氣體，以便對被處理物9進行表面處理。由于處理氣體在第一方向上構成均質，因此，可以均勻地對被處理物9進行表面處理。在供給處理氣體的同時驅動吸引機構5。由此，噴嘴裝置3和被處理物9之間的已處理氣體或氣氛氣體被吸入吸引狹縫72、73。背面?zhèn)任M縫72及開口槽部52構成與開口槽部42及供給狹縫71同樣的結構， 因此，根據(jù)與上述噴出時同樣的作用，可以使自背面?zhèn)任M縫72吸入的氣體的流通狀態(tài)在第一方向上均勻化。同樣地，由于正面?zhèn)任M縫73及開口槽部62構成與開口槽部42 及供給狹縫71同樣的結構，因此，可以使自正面?zhèn)任M縫73吸入的氣體的流通狀態(tài)在第一方向上均勻化。由此，可以進一步提高表面處理的均勻性。進入開口槽部52的氣體此后經(jīng)過多個分支槽51e并在樹狀槽部51匯合，接著經(jīng)過背面?zhèn)任苈窂?2、背面?zhèn)任?35輸送到背面?zhèn)任窂饺?。同樣地，進入開口槽部62的氣體經(jīng)過分支槽6Ie、正面?zhèn)任苈窂?3、正面?zhèn)任?36輸送到正面?zhèn)任窂?d。來自這些吸引路徑fe、5d的氣體在共用吸引路徑5g匯合并被吸引機構5吸引。 吸引氣體在利用附設于吸引機構5的除害設備實施除害處理后被排出。在此，也假設在供給槽40內(nèi)流過時的處理氣體的一部分欲沿著槽形成部件11、12 之間漏到外部。如上所述的泄漏氣流在中途被任一個外側槽部82或83捕獲。吸引機構5 的吸引壓力經(jīng)由背面?zhèn)任苈窂?2、背面?zhèn)任?35及吸引路徑fe、5g導入到外側槽部82。因此，進入外側槽部82的泄漏氣體依次經(jīng)過上述吸引壓力導入路32、35、fe、5g輸送到吸引機構5，在實施除害處理后被排出。同樣地，吸引機構5的吸引壓力經(jīng)由正面?zhèn)任苈窂?3、正面?zhèn)任?36及吸引路徑5d、5g導入到外側槽部83。因此，進入外側槽部 83的泄漏氣體依次經(jīng)過上述吸引壓力導入路33、36、5d、5g輸送到吸引機構5，在實施除害處理后被排出。因此，即便處理氣體的一部分自供給槽40泄漏，也可以防止該處理氣體自噴嘴裝置3的上側部或外周部泄漏到氣氛氣體中。由此，可以防止污染氣氛氣體或腐蝕周邊裝置， 從而可以提高安全性。而且，通過將吸引壓力導入外側槽部82，可以使供給槽形成部件11 和覆蓋部件12牢固地緊貼。因此，可以充分抑制處理氣體自處理氣體供給槽40泄漏這種不良情況。萬一處理氣體泄漏到噴嘴裝置3的外部，由于噴嘴裝置3被罩8包圍，因此，也可以將上述泄漏氣體封閉在罩8和噴嘴裝置3之間的空間8a內(nèi)，從而防止該泄漏氣體自罩8 向外部泄漏?？臻g8a內(nèi)的氣體可以經(jīng)由吸引路徑7a由吸引機構7吸引并排出。由此，可以更可靠地防止污染氣氛氣體或腐蝕周邊裝置，從而可以進一步提高安全性。接著，說明本發(fā)明的其他實施方式。在以下的實施方式中，對與已經(jīng)敘述的實施方式重復的結構，在圖中標注同一附圖標記而省略說明。圖10表示本發(fā)明的第二實施方式。在該實施方式中，兩個外側槽部82、83由連通外側槽部81相連，整體構成一個外側槽80。詳細論述如下。即在供給槽形成部件11的主面Ilf上側的中央部設置有連通外側槽部81。連通外側槽部81以包圍供給集管路徑31上側部分的方式構成倒U形。連通外側槽部81的一側(在圖10中為左側)的下端部與外側槽部82相連，另一側(在圖10中為右側)的下端部與外側槽部83相連。利用這些槽部81 83，構成一個外側槽80。根據(jù)第二實施方式，比處理氣體供給槽40的前端(下端)更靠基端側(上側)的部分被一個外側槽80不中斷地包圍，因此，可以更可靠地防止處理氣體泄漏。特別是，可以利用中央的外側槽部81將自供給集管路徑31或槽41的上端部附近泄漏的處理氣體捕獲， 從而能夠可靠地防止處理氣體泄漏到噴嘴裝置3的外部。圖11及圖12表示本發(fā)明的第三實施方式。在該實施方式中，替代在供給槽形成部件11正面?zhèn)鹊闹髅鍵lf而在覆蓋部件12背面?zhèn)鹊母采w面12r形成外側槽80。外側槽 80配置于圖11中由假想線所示的處理氣體供給槽40的外側，這一點與第一、第二實施方式相同。另外，第三實施方式的外側槽80與第二實施方式同樣地，具有將兩個外側槽部82、83 相連的連通外側槽部81，但也可以與第一實施方式同樣地使兩個外側槽部82、83分離。如圖12所示，由于供給槽形成部件11和覆蓋部件12重疊，因此，形成于覆蓋部件 12的外側槽80的面12r側的開口被供給槽形成部件11的主面Ilf堵住。由此，外側槽80 的內(nèi)部構成吸引通路。圖13表示本發(fā)明的第四實施方式。第四實施方式是使噴嘴裝置3與被處理物9的大型化對應的實施方式，在該實施方式中，第一槽形成部件11沿長度方向(第一方向)分割成兩個(多個)分割板13、13。換言之，第一槽形成部件11由兩個(多個)分割板13、 13構成。鄰接的兩個分割板13、13的側端面(分割端面)1；^、1；^彼此對接在一起。兩個分割板13、13在第一方向上的合計長度與被處理物9在該方向上的尺寸對應。以下，在彼此區(qū)分兩個分割板13、13時，在圖13中左側的分割板13的附圖標記上標上“A”，在右側的分割板13的附圖標記上標上“B”。在圖13中，左側的分割板13A除右側的分割板13B附近的部分之外，與第一實施方式(圖1)的槽形成部件11的形狀相同。右側的分割板13B除左側的分割板13A附近的部分之外，構成將第一實施方式(圖1)的槽形成部件11左右翻轉而形成的形狀。因此，分割板13B的背面?zhèn)任苈窂?2及外側槽部82配置在該分割板13B的右側部分。分割板13B的正面?zhèn)任苈窂?3及外側槽部83配置在該分割板13B的左側部分。供給槽形成部件11的外側槽80作為整體而具有四個外側槽部82、83。進一步詳述分割板13的形狀。左側的分割板13A比開口槽部42的凸條47更靠下側的部分到達向右側的分割板 13B對接的對接端面13e。右側的分割板13B的比開口槽部42的凸條47更靠下側的部分到達向左側的分割板13A對接的對接端面13e。由此，鄰接的兩個分割板13A、13B的開口槽部42、42彼此相連。這些開口槽部42、42的連通部49到達槽形成部件11的下端面(前端面)°各分割板13的外側槽部83的下端部位于端面13e附近且處于開口槽部42的上側。雖省略圖示，但兩個分割板13、13的背側吸引槽50、50的開口槽部52、52彼此也
同樣地相互連通。并且，雖省略圖示，但在第四實施方式中，對于第二槽形成部件12而言，也同樣地由兩個(多個)分割板構成，這些分割板的開口槽部62彼此相連。外壁部件21、22構成將兩個(多個)分割板一體相連的形狀。前端板70的狹縫71、72、73分別具有與兩個開口槽部42、42 ；52,52 ；62、62對應的長度，并與兩個開口槽部42、42 ；52,52 ；62、62相連。供給路徑如分支成兩個(多個)，并與各分割板的供給集管路徑31連接。自各分割板導出的正面?zhèn)任窂饺绫舜藚R合，并與氣體吸引機構5連接。同樣地，自各分割板導出的背面?zhèn)任窂?d彼此匯合，并與氣體吸引機構5連接。根據(jù)第四實施方式，處理氣體分別導入兩個供給集管路徑31、31，并通過各分割板 13的樹狀槽部40沿第一方向擴散，從而流入各開口槽部42。進入分割板13A的開口槽部 42的處理氣體的靠近分割板13B的部分處理氣體和進入分割板13B的開口槽部42的處理氣體的靠近分割板13A的部分處理氣體，分別流入連通部49并彼此匯合。此后，處理氣體自供給狹縫71的長度方向的整個區(qū)域吹出。由此，即便被處理物9是大型被處理物，也可以將處理氣體一下子吹送到該被處理物9在第一方向上的整個部分并進行表面處理。而且， 由于處理氣體在第一方向上被均質化，因此可以均勻地進行表面處理。特別是，由于在使處理氣體在連通部49匯合之后將其吹出，因此，可以防止遺漏對被處理物9表面的對應于分割板13、13連接處的部位的處理，從而可以充分確保處理的均勻性。第四實施方式的噴嘴裝置3對應于被處理物9的大型化，將樹狀槽部41、51、61分別分割成兩個(多個)并沿第一方向排列。由此，與在噴嘴裝置整體僅設置一個樹狀槽部 41、51、61來應對大型被處理物的情況相比，可以減少樹狀槽部41、51、61的分岔的級數(shù)。因此，可以減小槽形成部件11、12的高度(在上下方向上的尺寸)。其結果是，可以避免噴嘴裝置3的重量過重。圖14 圖16表示本發(fā)明的第五實施方式。如圖14所示，在該實施方式中，外側槽部82的下端部相比第一實施方式向更下方延伸，并到達槽形成部件11的下端面。如圖15(a)所示，在槽形成部件11下端面(前端面)的左端部的開口槽部42、52的外側部分形成有端槽84。端槽84沿槽形成部件11下端面(前端面)的寬度方向(第二方向，在該圖中為上下方向)延伸。端槽84正面?zhèn)?面 Ilf側)的端部與外側槽部82的下端部相連。端槽84背面?zhèn)?面Ilr側)的端部到達面 Ilr并開口，該開口被背面?zhèn)韧獗诓考?1堵住。在槽形成部件12下端面的左端部的開口槽部62的外側部分形成有端槽86。端槽 86沿槽形成部件12下端面(前端面)的寬度方向(第二方向，在該圖中為上下方向)延伸。端槽86正面?zhèn)?面12f側)的端部到達面12f并開口，該開口被正面?zhèn)韧獗诓考?2堵住。端槽86背面?zhèn)鹊亩瞬康竭_槽形成部件12的背面(與槽形成部件11抵接的抵接面)， 并與外側槽部82及端槽84相連。端槽86和端槽84沿第二方向呈一直線地相連。同樣地，如圖14所示，外側槽部83的下端部相比第一實施方式向更下方延伸并到達槽形成部件11的下端面。如圖15(b)所示，在槽形成部件11下端面的右端部的開口槽部42、52的外側部分形成有端槽85。端槽85沿槽形成部件11下端面(前端面)的寬度方向(第二方向，在該圖中為上下方向)延伸。端槽85正面?zhèn)?面Ilf側)的端部與外側槽部83的下端部相連。端槽85背面?zhèn)?面Ilr側)的端部到達面Ilr并開口，該開口被背面?zhèn)韧獗诓考?1堵住。在槽形成部件12下端面的右端部的開口槽部62的外側部分形成有端槽87。端槽87沿槽形成部件12下端面(前端面)的寬度方向(第二方向，在該圖中為上下方向)延伸。端槽87正面?zhèn)?面12f側)的端部到達面12f并開口，該開口被正面?zhèn)韧獗诓考?2 堵住。端槽87背面?zhèn)鹊亩瞬康竭_槽形成部件12的背面(與槽形成部件11抵接的抵接面) 并與外側槽部83及端槽85相連。端槽87和端槽85沿第二方向呈一直線地相連。如圖16所示，第五實施方式的前端板70具有四個(多個)狹縫劃分板74和一對端板75。這些板74、75例如由氧化鋁等的陶瓷構成。六個板74、75分別構成分體結構， 彼此能夠分離。各狹縫劃分板74構成沿第一方向延伸且使寬度方向朝向第二方向的長的平板狀。四個狹縫劃分板74沿第二方向隔著間隔地平行排列。四個狹縫劃分板74分別與板狀層疊部件11、12、21、22—一對應，并覆蓋對應的部件11、12、21、22的底面(前端面)，由螺栓(省略圖示)連結在一起。上述螺栓以頭部朝上 (圖16的紙面里側)的方式穿過各部件11、12、21、22，并將根部擰入狹縫劃分板74。上述螺栓用的內(nèi)螺紋孔自狹縫劃分板74的頂面形成至厚度方向的中途。內(nèi)螺紋孔未到達狹縫劃分板74的底面。在四個狹縫劃分板74中的、除與正面?zhèn)韧獗诓考?2對應的狹縫劃分板之外的三個狹縫劃分板74的長度方向的兩端部，分別設置有朝相鄰的狹縫劃分板74突出的凸部76。 各凸部76抵靠在相鄰的狹縫劃分板74上。在與第一槽形成部件11和第二槽形成部件12 對應的兩個(一對)狹縫劃分板74、74彼此之間形成有供給狹縫71。在與背面?zhèn)韧獗诓考?21和第一槽形成部件11對應的兩個(一對)狹縫劃分板74、74彼此之間形成有背面?zhèn)任M縫72。在與第二槽形成部件12和正面?zhèn)韧獗诓考?2對應的兩個(一對)狹縫劃分板 74、74彼此之間形成有正面?zhèn)任M縫73。由凸部76劃分出狹縫71、72、73的延伸方向的端部。根據(jù)凸部76的抵靠，可以準確且容易將狹縫劃分板74彼此沿第二方向定位。根據(jù)凸部76的突出量，可以設定狹縫71 73的開口寬度。如圖15(a)及圖16所示，四個狹縫劃分板74左側的端緣彼此共面，而且與端槽 84、86內(nèi)側(開口槽部42、52、62的一側)的邊緣剛好一致。如圖15(b)及圖16所示，四個狹縫劃分板74右側的端緣彼此共面，而且與端槽85、87內(nèi)側(開口槽部42、52、62的一側)的緣剛好一致。如圖16所示，前端板70的一對端板75配置于噴嘴裝置3底面(前端面)在第一方向上的兩端部，并分別構成沿第二方向延伸的平板狀。各端板75橫跨板狀層疊部件11、 12、21、22并覆蓋這些部件11、12、21、22的長度方向的端部。雖省略圖示，但端板75利用螺栓固定在部件11、12、21、22上。端板75的固定用螺栓以頭部朝上(圖9的紙面里側)的方式穿過各部件11、12、21、22，并將根部擰入端板75。上述螺栓用的內(nèi)螺紋孔自端板75的頂面形成至厚度方向的中途。內(nèi)螺紋孔未到達端板75的底面。各端板75的兩端部分別抵靠在與背面?zhèn)韧獗诓考?1對應的狹縫劃分板74的端面和與正面?zhèn)韧獗诓考?2對應的狹縫劃分板74的端面上。在端板75內(nèi)側(朝向狹縫劃分板74的一側)的邊緣形成有細長凹部75a。細長凹部7 沿第二方向延伸。細長凹部 7 的延伸方向的一端部，從底面看與背面?zhèn)韧獗诓考?1和槽形成部件11的分界一致。細長凹部75a的延伸方向的另一端部從底面看與槽形成部件12和正面?zhèn)韧獗诓考?2的分界一致。
在圖16中，在左側的端板75的細長凹部7 的內(nèi)緣和狹縫劃分板74的端面之間， 劃分出沿第二方向延伸的外端吸引狹縫78。外端吸引狹縫78從底面看剛好與端槽84、86 重疊，并與這些端槽84、86相連。外端吸引狹縫78的長度方向(第二方向)的中央部與外側槽部82直接相連。在圖16中，在右側的端板75的細長凹部7 的內(nèi)緣和狹縫劃分板74的端面之間， 劃分出沿第二方向延伸的外端吸引狹縫79。外端吸引狹縫79從底面看剛好與端槽85、87 重疊，并與這些端槽85、87相連。外端吸引狹縫79的長度方向(第二方向)的中央部與外側槽部83直接相連。根據(jù)第五實施方式，由于吸引壓力被導入外側槽80的各槽部82、83，因此，不僅可以在外側槽部82、83捕獲自供給槽40泄漏的處理氣體，而且，向一側的外側槽部82導入的吸引壓力也被導入端槽84、86，向另一側的外側槽部83導入的吸引壓力也被導入端槽85、 87。由此，噴嘴裝置3和被處理物9之間的已處理氣體欲向噴嘴裝置3的左外側流動時，該已處理氣體被吸入外端吸引狹縫78。該已處理氣體經(jīng)過端槽84、86被吸入外側槽部82，進而經(jīng)過集管路徑32、吸引路gfe、5g被吸引機構5吸引。同樣地，欲自噴嘴裝置3和被處理物9之間向右外側流動的已處理氣體被吸入外端吸引狹縫79，經(jīng)過端槽85、87進入外側槽部83，進而經(jīng)過集管路徑33、吸引路徑5d、5g被吸引機構5吸引。由此，可以防止已處理氣體自噴嘴裝置3的長度方向(第一方向)的兩端向外側泄漏。圖17 圖19表示本發(fā)明的第六實施方式。如圖17所示，在該實施方式中，在槽形成部件11背面?zhèn)鹊拿鎙lr，替代第一實施方式(圖2、的背側吸引槽50而形成有背側吸引槽53。背側吸引槽53沿槽形成部件11的長度方向(第一方向)筆直延伸，且到達槽形成部件11的下端面(前端面)。如圖19所示，背面?zhèn)韧獗诓考?1覆蓋槽形成部件11的背面llr，因此，背側吸引槽53的面Ilr側的開口被堵住。如圖17 圖19所示，在槽形成部件11形成有將外側槽部82與背側吸引槽53相連的連通孔M。連通孔M自外側槽部82沿槽形成部件11的厚度方向(第二方向)延伸， 并貫通至背側吸引槽53的內(nèi)面。如圖17及圖18所示，同樣地，在槽形成部件11形成有將外側槽部83與背側吸引槽53相連的連通孔55。連通孔55自外側槽部83沿槽形成部件 11的厚度方向(第二方向)延伸，并貫通至背側吸引槽53的內(nèi)面。在第六實施方式中，吸引壓力被導入外側槽80的各槽部82、83，因此，不僅可以在外側槽部82、83捕獲自供給槽40泄漏的處理氣體，而且，也可以經(jīng)由連通孔M將向外側槽部82導入的吸引壓力導入背側吸引槽53，并且，可以經(jīng)由連通孔55將向外側槽部83導入的吸引壓力導入背側吸引槽53。由此，可以自背側吸引槽53吸引欲從供給狹縫71的正下方朝第二方向的外側流出的已處理氣體，從而可以利用吸引機構5經(jīng)過連通孔M、55、外側槽部82、83吸引上述已處理氣體并將其排出。圖20 圖23表示本發(fā)明的第七實施方式。在該實施方式中，在噴嘴裝置3上裝配有一對電極90、90，處理氣體在噴嘴裝置3內(nèi)被等離子化。詳細論述如下。即如圖20及圖22所示，噴嘴裝置3具有框架94?？蚣?4例如由鋁等金屬構成?？蚣?4構成沿第一方向延伸且底部敞開的容器狀。如圖21及圖22所示，在框架94的內(nèi)部收納有供給槽形成部件91和覆蓋部件92。這兩個部件91、92例如由氧化鋁等的陶瓷構成。這些部件91、92分別構成沿第一方向延伸的容器狀且彼此沿第二方向對接在一起。供給槽形成部件91及覆蓋部件92起到收納電極90的收納部件的作用。即，在供給槽形成部件91上，形成有朝與覆蓋部件92的對置方向相反的一側開口的收納凹部91a。 在覆蓋部件92上形成有朝與供給槽形成部件91的對置方向相反的一側開口的收納凹部 92a。在這些收納凹部91a、92a內(nèi)分別收納有電極90。收納凹部91a、92a的開口分別被蓋 93堵住。如圖21所示，各電極90沿第一方向延伸。如圖22所示，一側的電極90與電源PW 連接而構成電場施加電極。另一側的電極90電接地而構成接地電極。在此，收納在供給槽形成部件91內(nèi)的電極90構成電場施加電極，收納在覆蓋部件92內(nèi)的電極90構成接地電極，但也可以使收納在供給槽形成部件91內(nèi)的電極90構成接地電極而使收納在覆蓋部件 92內(nèi)的電極90構成電場施加電極。如圖21 圖23所示，在供給槽形成部件91的覆蓋部件92側的主面91f形成有處理氣體供給槽40。處理氣體供給槽40沿第一方向延伸成比電極90稍短。處理氣體供給槽40的上端部到達供給槽形成部件91的頂面，處理氣體供給槽40的下端部到達供給槽形成部件91的底面。處理氣體供給槽40的俯視截面在上下方向上恒定。在第七實施方式的處理氣體供給槽40未設置樹狀槽部41。覆蓋部件92的覆蓋面92r覆蓋供給槽形成部件 91的主面91f，因此，處理氣體供給槽40的主面91f側的開口被堵住。如圖20及圖22所示，在框架94的頂面，以沿第一方向延伸的方式形成有導入狹縫94a。導入狹縫9 與處理氣體供給槽40的上端部相連。在框架94之上配置有整流部 95。整流部95構成沿第一方向延伸的容器狀。在整流部95的內(nèi)部形成有整流室95a。如圖20所示，整流室95a由整流板96上下分隔為兩個室。如圖22所示，在整流板96的第二方向上的兩端部和整流部95的內(nèi)壁之間，形成有將整流室95a的上下室相連的間隙。如圖20及圖22所示，在整流部95的上部，經(jīng)由供給口 34連接有處理氣體供給路徑4a。 處理氣體自供給路徑如導入整流室％a而被整流。整流后的處理氣體經(jīng)過導入狹縫9 導入處理氣體供給槽40。與此同時，根據(jù)來自電源PW的電壓供給，在電極90、90之間施加有電場，從而產(chǎn)生大氣壓輝光放電。由此，處理氣體在供給槽40內(nèi)向下方流動的過程中被等離子化，從而生成反應成分。該被等離子化的處理氣體自供給槽40的下端噴出， 并吹送到被處理物9。該處理氣體的反應成分與被處理物9接觸，從而可以對被處理物9進行表面處理。由陶瓷(電介質)構成的部件91、92配置在電極90的放電面并作為使放電穩(wěn)定的固體電介質層起作用。并且，在第七實施方式中，如圖20及圖21所示，在供給槽形成部件91的主面91f 的處理氣體供給槽40的第一方向上的兩外側部分，分別形成有外側槽部82、83。由外側槽部82和外側槽部83構成外側槽80。外側槽部82、83沿上下方向延伸。外側槽部82、83的上端部到達供給槽形成部件91的頂面，外側槽部82、83的下端部到達供給槽形成部件91 的底面。覆蓋部件92的覆蓋面92r覆蓋供給槽形成部件91的主面91f，因此，外側槽部82、 83的主面91f側的開口被堵住。如圖20所示，在框架94頂面的第一方向上的兩側部，分別形成有吸引連通孔94b、 94c。一側的連通孔94b與外側槽部82的上端部相連。另一側的連通孔Mc與外側槽部83的上端部相連。在整流部95內(nèi)部的第一方向上的兩側部，分別設置有隔壁97。利用隔壁97將整流部95的內(nèi)部分隔為整流室9 和該整流室95a的第一方向上的兩側的吸引室95b、95c。 連通孔94b進而外側槽部82與一側的吸引室9 相連。連通孔Mc進而外側槽部83與另一側的吸引室95c相連。吸引室9 經(jīng)由吸引口 35與吸引路徑相連。吸引室95c經(jīng)由吸引口 36與吸引路徑5d相連。并且，如圖20及圖21的虛線所示，在供給槽形成部件91底面的處理氣體供給槽 40的第一方向上的兩外側，以沿第二方向延伸的方式分別形成有端槽84、85。在覆蓋部件 92底面的處理氣體供給槽40的第一方向上的兩外側，以沿第二方向延伸的方式分別形成有端槽86、87。如圖23所示，端槽84和端槽86沿第二方向呈一直線地相連且與外側槽部 82的下端相連。同樣地，端槽85和端槽87沿第二方向呈一直線地相連且與外側槽部83的下端相連。吸引機構5 (未圖示)的吸引壓力依次經(jīng)過路徑fe、卯b、94b導入外側槽部82。由此，在處理氣體自供給槽40泄漏到槽部82側的情況下，可以在外側槽部82捕獲該處理氣體并由吸引機構5對其進行吸引。另外，吸引機構5的吸引壓力也依次經(jīng)過路徑5d、95c、 94c導入外側槽部83。由此，在處理氣體自供給槽40泄漏到槽部83側的情況下，可以在外側槽部83捕獲該處理氣體并由吸引機構5對其進行吸引。并且，上述吸引壓力也經(jīng)過外側槽部82的下端部導入端槽84、86，并且也經(jīng)過外側槽部83的下端部導入端槽85、87。由此，當噴嘴裝置3和被處理物9之間的已處理氣體欲朝噴嘴裝置3的長度方向的外側流動時，可以將已處理氣體吸入端槽84 87并由吸引機構5對其進行吸引。本發(fā)明并不限于上述實施方式，在本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可以進行各種變更。例如，外側槽80也可以形成在上述主面Ilf和覆蓋面12r這兩個面。也可以將外側槽部82、83中的任一個形成在主面Ilf而將另一個形成在覆蓋面12r。外側槽80配置在上述主面Ilf或覆蓋面12r的、處理氣體供給槽40的外側部分即可，不一定需要自面llf、12i 的基端部(上端部)至前端部(下端部)延伸，中間部可以中斷，該外側槽80也可以僅設置于面llf、12i 的基端部(上端部)或前端部(下端部)。 外側槽80優(yōu)選配置在處理氣體自供給槽40容易泄漏的部分。外側槽80并不限于一條，也可以排列設置多條外側槽80。也可以在覆蓋部件12、92上設置處理氣體供給槽40。樹狀槽部41以隨著靠近槽形成部件11的下端面(前端面)而朝第一方向擴展的方式分岔即可，自一個干路分支的支路的數(shù)量不限于兩個，也可以是三個以上。而且，分岔的級數(shù)可以適當設定。對樹狀槽部51、61而言也一樣。在上述實施方式中，雖然自一個干路對稱地分支成支路，但也不一定需要對稱地分支。處理氣體供給槽40的形狀不限于樹狀。例如，也可以是自供給集管路徑31朝向供給狹縫使下擺部擴展的三角形狀的槽。在第一 第五實施方式中，噴出路徑00、71)和隔著該噴出路徑的一對吸引路徑 (50,72 ；60,73)所構成的組也可以沿第二方向排列而設置有多組。
在第四實施方式(圖13)中，槽形成部件11也可以由三個以上的分割板13構成。在第四實施方式(圖13)中，可以使各分割板13的外側槽部83在端面1 開口， 并使鄰接的分割板13、13的外側槽部83、83經(jīng)由朝向上述端面13e的開口彼此連通。在第四實施方式(圖13)中，也可以構成為，構成槽形成部件11的兩個(多個) 板13 —體相連，兩個(多個)樹狀槽部41沿第一方向排列而形成在該一體部件的槽形成部件11的正面。也可以將多個實施方式相互組合。例如，在第二 第七實施方式中，與第一實施方式(圖9)同樣地，也可以設置將噴嘴裝置3覆蓋的罩8。在第四實施方式(圖13)中，與第五實施方式(圖14)同樣地，也可以構成為，將在第一方向上的兩端的外側槽部82、83延伸至槽形成部件11的前端面，并在槽形成部件11前端面的第一方向上的外端部分設置端槽 84 87。在第四實施方式(圖13)或第五實施方式(圖14)中，與第二實施方式(圖10) 同樣地，也可以使外側槽部82、83彼此由連通槽81相連。也可以將第七實施方式(圖20)的不具有樹狀槽部的處理氣體供給槽40適用于第一 第六實施方式的不具有電極90的噴嘴裝置3。在第七實施方式中，與第二實施方式同樣地，也可以替代在供給槽形成部件91上設置外側槽80 (82,83)，而將其設置在覆蓋部件92上。工業(yè)實用性本發(fā)明能夠適用于例如平板顯示器(FPD)或半導體晶片的制造。附圖標記說明1表面處理裝置2被處理物配置部3噴嘴裝置4處理氣體源5氣體吸引機構7第二氣體吸引機構8 罩9被處理物11第一槽形成部件(供給槽形成部件)Ilf 主面12第二槽形成部件(覆蓋部件)12r覆蓋面21背面?zhèn)韧獗诓考?第二覆蓋部件)30集管部31供給集管路徑32背面?zhèn)任苈窂?3正面?zhèn)任苈窂?0處理氣體供給槽
42開口槽部
53背側吸引槽
54連通孑L
55連通孑L
70前端板
71供給狹縫
72背面?zhèn)任M縫
73正面?zhèn)任M縫
75a凹部
78外端吸引狹縫
79外端吸引狹縫
80外側槽
81連通外側槽部
82外側槽部
83外側槽部
84端槽
85端槽
90電極
91供給槽形成部件
92覆蓋部件
權利要求
1.一種表面處理用噴嘴裝置，向被處理物供給處理氣體，該表面處理用噴嘴裝置的特征在于，具有供給槽形成部件，其呈板狀并具有形成有處理氣體供給槽的主面和與所述主面交叉的前端面，所述處理氣體供給槽到達所述前端面；以及覆蓋部件，其具有以覆蓋所述主面的方式與所述主面重疊的覆蓋面， 所述處理氣體供給槽與處理氣體的供給機構連接，在所述主面和所述覆蓋面中的任一方的所述處理氣體供給槽的外側部分形成有外側槽，所述外側槽與氣體吸引機構連接。
2.如權利要求1所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，所述外側槽設置成跨在所述主面或所述覆蓋面的所述外側部分的基端部和前端部之間。
3.如權利要求1所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，所述外側槽延伸成將所述處理氣體供給槽的比所述前端面靠基端側的部分局部地包圍。
4.如權利要求1所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，在所述前端面的比所述處理氣體供給槽靠外側的部分，形成有與所述外側槽相連且沿所述前端面的寬度方向延伸的端槽。
5.如權利要求1所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，還具有第二覆蓋部件，該第二覆蓋部件覆蓋所述供給槽形成部件的與所述主面相反一側的背面，在所述背面形成有沿所述前端面的長度方向延伸且到達所述前端面的背側吸引槽。
6.如權利要求5所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，在所述供給槽形成部件形成有將所述外側槽和所述背側吸引槽相連的連通孔。
7.如權利要求1 6中任一項所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，所述處理氣體供給槽包含樹狀的槽部并到達所述前端面，所述槽部與處理氣體的供給機構連接且以隨著靠近所述前端面而朝所述前端面的長度方向擴展的方式進行分岔。
8.如權利要求1 6中任一項所述的表面處理用噴嘴裝置，其特征在于，利用罩覆蓋基端部及外周部，并在所述罩上連接第二氣體吸引機構。
全文摘要
本發(fā)明提供一種表面處理用噴嘴裝置，其可以防止處理氣體自表面處理用噴嘴裝置泄漏。在噴嘴裝置(3)的板狀的供給槽形成部件(11)的主面(11f)形成處理氣體供給槽(40)，利用覆蓋部件(12)覆蓋主面(11f)，并將處理氣體的供給機構(4)與處理氣體供給槽(40)連接。使開口槽部(42)在與供給槽形成部件(11)的主面(11f)交叉的前端面開口。而且，在主面(11f)或覆蓋部件(12)的覆蓋面(12r)的、位于處理氣體供給槽(40)外側的部分，形成外側槽(80)，將外側槽(80)與氣體吸引機構(5)連接。
文檔編號H01L21/205GK102165098SQ200980138209
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月15日 優(yōu)先權日2008年9月29日
發(fā)明者屋代進 申請人:積水化學工業(yè)株式會社