專利名稱：介電射頻濺射靶上的腐蝕輪廓控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大致與物理氣相沉積(PVD)裝置相關(guān)。更具體而言，與射頻(RF) 磁控管濺射裝置相關(guān)。
背景技術(shù)：
物理氣相沉積處理一般用于在處理腔室中沉積層材料于基材上。材料或靶的主體附接至背板。電源耦合至背板，或直接耦合至濺射靶以提供電流至靶。電流將處理腔室內(nèi)的處理氣體點(diǎn)燃成為等離子體。濺射靶被來自等離子體的離子轟擊，其使濺射靶的原子從濺射靶濺射。
濺射的一種形式為反應(yīng)性濺射。反應(yīng)性濺射處理中，濺射靶可包含諸如金屬的材料，該材料與處理氣體反應(yīng)以在基材上形成與濺射靶具有不同組成的層。舉例而言，當(dāng)用反應(yīng)性濺射沉積氮化鈦時(shí)，包含鈦的濺射靶可以直流電產(chǎn)生電偏壓。處理氣體可含有例如氬的惰性氣體，此外尚可有諸如氮的反應(yīng)性氣體。處理氣體被點(diǎn)燃成等離子體，而鈦從靶濺射。鈦和氮接合并以氮化鈦沉積于基材上。
當(dāng)用反應(yīng)性濺射沉積薄膜時(shí)，難以預(yù)測(cè)沉積薄膜的正確成份。舉例而言，當(dāng)沉積氮化鈦時(shí)，沉積的氮化鈦層在遍布層中具有多變的氮濃度。該多變的氮濃度在多個(gè)基材間無法重復(fù)。
因此，此技術(shù)領(lǐng)域亟需一種濺射靶，該濺射靶可以用于反應(yīng)性濺射材料至基材上而具有預(yù)定且可重復(fù)的成份。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般包括可用于射頻濺射處理的濺射靶組件。濺射靶組件可包括背板以及濺射靶。背板可成形成具有一個(gè)或多個(gè)從背板朝濺射靶延伸的鰭件。濺射靶可接合至背板的鰭件。濺射處理期間使用的射頻電流將可施加至于一個(gè)或多個(gè)鰭件位置的濺射靶。鰭件可于對(duì)應(yīng)于配置在背板后的磁控管所制造的磁場(chǎng)的位置從背板延伸。藉由控制射頻電流耦合至對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)的濺射靶的位置，可控制濺射靶的腐蝕。
在一個(gè)實(shí)施例中，揭露濺射靶組件。該組件包括背板主體，該背板主體具有一個(gè)或多個(gè)置中并耦合其上的鰭件；耦合至背板主體的填充材料、一個(gè)或多個(gè)鰭件的內(nèi)表面、及一個(gè)或多個(gè)鰭件的外表面；以及耦合至填充材料以及一個(gè)或多個(gè)鰭件的底表面的濺射靶。所述一個(gè)或多個(gè)鰭件包括內(nèi)表面、外表面以及底表面。
在另一實(shí)施例中，揭露濺射靶組件。該組件包括背板主體，該背板主體具有一個(gè)或多個(gè)鰭件以及耦合至背板主體的濺射靶。所述一個(gè)或多個(gè)鰭件可裝配以接觸于置中并耦合其上的濺射靶。所述一個(gè)或多個(gè)鰭件包括內(nèi)表面、外表面以及底表面。濺射靶包括一個(gè)或多個(gè)裝配以接收一個(gè)或多個(gè)鰭件的凹部。
在另一實(shí)施例中，一種組裝濺射靶組件的方法包含以下步驟將接合材料施加至一個(gè)或多個(gè)背板主體以及濺射靶，并且將背板主體與濺射靶壓在一起。背板主體包括一個(gè)或多個(gè)鰭件。鰭件從背板主體的第一表面延伸并且大體環(huán)繞背板主體的中心軸線。


參考具有某些繪制在附圖的實(shí)施例，可得到之前簡短總結(jié)的本發(fā)明的更特別的描述，如此，可詳細(xì)了解之前陳述的本發(fā)明的特色。但要注意的是，附圖只示出本發(fā)明的典型實(shí)施例，因本發(fā)明允許其它同等有效的實(shí)施例，故不視為其范圍限制。
圖1為基材處理腔室的實(shí)施例的剖視圖。
圖2A為靶組件的實(shí)施例的剖視圖。
圖2B為帶有示出的磁場(chǎng)的圖2A的靶組件的剖視圖。
圖3為靶組件的另一實(shí)施例的剖視圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的靶組件的仰視圖。
圖5示出含有磁場(chǎng)的靶組件的另一實(shí)施例的剖視圖。
圖6為靶組件的另一實(shí)施例的剖視圖。
為有助于了解，如可能，使用同一組件符號(hào)以指定共通于各圖的同一組件。應(yīng)認(rèn)知到在實(shí)施例中公開的組件可有利于在其它實(shí)施例中使用，而不再特別詳述。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明一般包括可用于射頻濺射處理的濺射靶組件。濺射靶組件可包括背板以及濺射靶。背板可成形以具有一個(gè)或多個(gè)從背板朝濺射靶延伸的鰭件。濺射靶可接合至背板的鰭件。濺射處理期間利用的射頻電流將施加至位于一個(gè)或多個(gè)鰭件位置的濺射靶。鰭件可于對(duì)應(yīng)于配置在背板后的磁控管所制造的磁場(chǎng)的位置從背板延伸。藉由控制射頻電流耦合至對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)的濺射靶的位置，可控制濺射靶的腐蝕。
本發(fā)明將以參考至PVD腔室的形式于下進(jìn)行描述。可利用于施行本發(fā)明的PVD腔室可從美國加州Santa Clara的Applied Materials, Inc.購得。應(yīng)了解，本發(fā)明在其它腔室中有利用性，包括其它制造商所販賣的腔室。
圖1為基材處理腔室100的實(shí)施例的剖視圖。處理腔室100可包含容納處理區(qū)域的腔室壁109。可將腔室壁109接地。在實(shí)施例中，腔室壁109可包含鋁、鋁合金或其它適合的材料。在實(shí)施例中，腔室壁109可包含不銹鋼。配置在處理區(qū)域內(nèi)的基材支架102可配置于靶組件101對(duì)面以支撐其上的基材103?；闹Ъ?02可耦合至地面、直流電源、交流電源或射頻電源?；闹Ъ?02可裝設(shè)在可旋轉(zhuǎn)及/或可線性致動(dòng)的軸104上。
靶組件101可藉由絕緣的間隔物或密封件110在電性上與腔室壁隔離。靶組件 101可包含耦合至濺射靶106的背板105。在實(shí)施例中，背板105可包含鋁。在另一實(shí)施例中，背板105可包含銅。在另一實(shí)施例中，背板105可包含不銹鋼。
濺射靶106可接合至背板105。在實(shí)施例中，濺射靶106可包含絕緣材料。在另一實(shí)施例中，濺射靶106可包含氮化鈦。在另一實(shí)施例中，濺射靶106可包含氮化鉭。可用的適合的接合材料包含彈性體。在實(shí)施例中，接合材料可包含金屬材料。在另一實(shí)施例中，接合材料可包含焊料材料。在另一實(shí)施例中，接合材料可包含低熔點(diǎn)材料。當(dāng)接合材料在處理期間曝露于真空時(shí)，其可為兼容于真空。
磁控管107可配置在背板105之后。磁控管107可具有多個(gè)磁體108，其可產(chǎn)生延伸進(jìn)入濺射靶106前方的處理區(qū)域的磁場(chǎng)111。該磁場(chǎng)111可集中等離子體中的離子至磁場(chǎng)111，如此最大量的靶腐蝕發(fā)生在包含于磁場(chǎng)111中的靶106的區(qū)域。
當(dāng)射頻電流從電源112施加至背板105時(shí)，射頻電流沿著導(dǎo)電的背板105的外側(cè)表面行進(jìn)。因此，射頻電流可沿整個(gè)濺射靶106的后面行進(jìn)。在背板105接合至濺射靶106 的每一位置，射頻電流能夠透過對(duì)應(yīng)至背板105每一處的標(biāo)靶以電容式耦合，而射頻電流能夠透過濺射靶106以更大量發(fā)射。射頻電流將有助于于等離子體生成，生成等離子體云 113，以及藉由在非需求的區(qū)域造成更高濃度的等離子體以減少磁場(chǎng)的幫助。等離子體的非一致性可導(dǎo)致非致的濺射靶106腐蝕。
圖2A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的靶組件200的剖視圖。靶組件200 —般包括背板主體201、從背板主體201延伸出的鰭件202、填充材料203以及待濺射的靶204。鰭件202 可提供在濺射靶204以及背板主體201之間的電性接觸。實(shí)施例中，鰭件202可具有介于背板主體201的寬度的50%至90%之間的厚度。鰭件202的厚度與濺射靶204的厚度相關(guān)。在實(shí)施例中，濺射靶204在耦合到鰭件202的位置中是最薄的。
諸如黏著性或含焊料的接合層可用于將靶204耦合至填充材料203、鰭件202或兩者。含有許多磁體206的磁控管205可定位在來自靶204的背板主體201的對(duì)面并且繞背板主體201的中央軸線旋轉(zhuǎn)。電源208可耦合至背板主體201。在實(shí)施例中，電源208可為射頻電源208。
在實(shí)施例中，背板主體201和鰭件202可由大體相同的材料制成。適合于背板主體201以及鰭件202的材料可包括銅、銅合金、不銹鋼、鋁、鋁合金或其它導(dǎo)電材料。在實(shí)施例中，背板主體201可用機(jī)器加工形成鰭件202。在另一實(shí)施例中，鰭件202可為耦合至背板主體201的單獨(dú)片。鰭件202可大體對(duì)稱并且置中于背板主體201上。鰭件202可大體上呈圓形。在實(shí)施例中，鰭件202可包含單式的片材料。在另一實(shí)施例中，鰭件202可包含繞背板主體201的軸線大體上呈圓形布置的多個(gè)片。在實(shí)施例中，靶204包含介電材料，諸如氧化鋁(Al2O3)、氮化鈦、氮化鉭、二氧化硅、硅介電材料或其它材料。
顯示于圖2A的實(shí)施例，濺射靶204藉由填充材料203與背板主體201相隔。在實(shí)施例中，填充材料203可為具有介電常數(shù)在大約2至50之間的介電材料。在另一實(shí)施例中， 填充材料203可包含石英。在另一實(shí)施例中，填充材料203可具有低于靶204的介電常數(shù)， 以減少在覆蓋于填充材料203的靶204的區(qū)域內(nèi)被傳遞到靶204的功率量。
鰭件202 —般可用于助于從射頻電源208發(fā)射射頻信號(hào)至靶204上的特定位置。 射頻信號(hào)行進(jìn)穿過背板主體201至鰭件202。鰭件202隨后發(fā)射射頻信號(hào)至靶204。由于填充材料203的低電容，其提供射頻信號(hào)電阻，并且限制發(fā)射射頻信號(hào)至靶204的其它區(qū)域。 填充材料203降低由未耦合至鰭件202的靶204區(qū)域所形成的等離子體量。鰭件202容許正確發(fā)射射頻信號(hào)至靶204的特定區(qū)域。
發(fā)射射頻信號(hào)至靶204上的特定位置可集中等離子體至增強(qiáng)等離子體耦合207的區(qū)域。藉由生成增強(qiáng)等離子體耦合207的區(qū)域，對(duì)等離子體而言較不可能行進(jìn)且在靶204 的其它區(qū)域較不可能變得集中。不容許等離子體行進(jìn)將會(huì)限制靶204不預(yù)期的腐蝕的量并且傷害處理腔室。集中等離子體至特定區(qū)域也可幫助促進(jìn)更有效且完整使用靶204并且限制對(duì)靶204的期望區(qū)域的腐蝕。增強(qiáng)等離子體耦合的區(qū)域可為大部分材料從靶204被濺射出來的位置。磁控管205可協(xié)助控制等離子體濃度以及增加等離子體耦合207的區(qū)域的位置。鰭件202可設(shè)計(jì)其尺寸，如此定位增強(qiáng)等離子體耦合207的區(qū)域以促進(jìn)材料均勻分布于進(jìn)行處理的基板上。
在實(shí)施例中，靶組件200可不包含填充材料203。可在背板主體201和靶204之間生成間隙，并且靶204可耦合至鰭件202的末端。在實(shí)施例中，可抽空間隙或以氣體填充。 在另一實(shí)施例中，填充材料203可在背板主體201的中心附近從鰭件202環(huán)繞的區(qū)域移出且將填充材料203留在背板主體201的邊緣附近。此外，在另一實(shí)施例中，填充材料203可在背板主體201邊緣附近移出，同時(shí)保留背板主體201的中心附近的填充材料203。
圖2B示出帶有磁場(chǎng)213的圖2A的靶組件200的剖視圖。磁控管205可由二個(gè)或更多個(gè)磁體206組成，該磁體一般由北極212與南極211所組成。在實(shí)施例中，第一磁體 206以磁體206的南極211面對(duì)背板主體201定位。鄰近的第二磁體206大體上環(huán)繞第一磁體206定位，如此磁體206的北極212面向背板主體201。由于磁體206的接近而生成磁場(chǎng)213。在實(shí)施例中，磁場(chǎng)213可行進(jìn)穿過靶組件200。磁場(chǎng)213定位于第一磁體206的北極212以及第二磁體206的南極211之間。磁場(chǎng)213可具有分量，指向平行于靶濺射表面 214的χ方向以及垂直于靶濺射表面214的y方向。鰭件202的中心可大體上對(duì)準(zhǔn)并置中于磁場(chǎng)，此處磁場(chǎng)在χ方向的分量的量級(jí)大于y方向的分量，如圖2B所示。在另一實(shí)施例中，鰭件202的中心可大體上對(duì)準(zhǔn)并置中于磁場(chǎng)中心，此處平行背板主體201的寬度的磁場(chǎng)分量大于垂直于背板主體201的寬度的磁場(chǎng)分量。
圖3為靶組件300的實(shí)施例的剖視圖。靶組件300包含背板301，具有由其表面延伸并與濺射靶304接合的鰭件302。適合背板主體301以及鰭件302的材料包括銅、銅合金、不銹鋼、鋁、鋁合金或其它導(dǎo)電材料。在實(shí)施例中，背板301可用機(jī)器加工形成鰭件302。 在另一實(shí)施例中，鰭件302可為耦合至背板主體301的單獨(dú)片。鰭件302可大體上對(duì)稱并且置中于背板主體301。鰭件302可大體上呈圓形。在實(shí)施例中，鰭件302可包含單式的片材料。在另一實(shí)施例中，鰭件302可包含繞背板主體301的軸線大體上呈圓形布置的多個(gè)片。
濺射靶304可成形以耦合至背板301以及鰭件302。當(dāng)靶304的介電常數(shù)足夠低以致無法使用填充材料時(shí)，使用成形靶304是有幫助的。成形靶304可機(jī)器加工，或另一方面形成以匹配于背板主體301以及鰭件302的外觀。既然射頻信號(hào)以電容式傳輸，該射頻信號(hào)更可能透過成形靶304較薄的處發(fā)射，因其于該區(qū)域的更高的電容?？捎谏漕l信號(hào)更容易透過靶304發(fā)射的位置生成等離子體耦合303的增加的區(qū)域。
圖4為靶組件400的實(shí)施例的仰視圖，其中靶系被移除以為了清晰起見。在此實(shí)施例中，背板401大體上為圓形。鰭件402大體上為圓柱狀，具有第一半徑404界定內(nèi)表面， 并且具有第二半徑405界定外表面。在實(shí)施例中，第一半徑404可小于第二半徑405。填充材料403可耦合至背板主體401、鰭件402的內(nèi)表面以及鰭件402的外表面。在背板主體 401的邊緣附近的背板主體401的一部分大體上可無填充材料。盡管圖上顯示鰭件402為連續(xù)的材料片，須了解到鰭件402可包含一個(gè)或多片耦合的材料。
圖5示出含有磁場(chǎng)506的靶組件500的另一實(shí)施例的剖視圖。在圖5所顯示的實(shí)施例中，鰭件502可具有約50%至90%的背板主體501寬的厚度。鰭件502可包納磁控管所生成的多于個(gè)的磁場(chǎng)的區(qū)域。鰭件502也可生成增強(qiáng)等離子體耦合507的更大的區(qū)域， 其可生成靶504的更大區(qū)域，在該區(qū)域材料將極可能由此濺射。鰭件502的中心可大體上定位于鄰近的磁場(chǎng)506之間。在實(shí)施例中，填充材料503可在背板主體501以及鰭件502 之間耦合以大體上填充靶504以及背板主體501之間的空間。
圖6為靶組件600的另一實(shí)施例的剖視圖。在此實(shí)施例中，多個(gè)鰭件602從背板主體601延伸。在實(shí)施例中，包含數(shù)磁體606的更寬的磁控管605可用以生成許多對(duì)準(zhǔn)每一鰭件602的磁場(chǎng)。在另一實(shí)施例中，使用多個(gè)磁控管605。多個(gè)磁控管或多個(gè)磁場(chǎng)可生成多個(gè)增強(qiáng)等離子體耦合607的區(qū)域。增強(qiáng)等離子體耦合607的區(qū)域可允許大部分材料從靶604濺射，如此生成多個(gè)腐蝕溝槽608 (顯示成虛線)。具有多個(gè)腐蝕溝槽608可在更換靶604之前用于濺射較大部分的靶604。填充材料603可在背板主體601以及鰭件602之間耦合以大體上填充靶604以及背板主體601之間的空間。
在此描述的濺射靶組件可在需要時(shí)更新。舉例而言，當(dāng)濺射靶已達(dá)其使用年限，濺射靶可由背板及/或填充材料移出。接合材料也可移出。然后，新的濺射靶可接合至背板及/或填充材料。在實(shí)施例中，可移出靶，隨后可置換濺射的材料，如此使用過的靶會(huì)自更新并且重新接合至背板及/或填充材料。此外，在需要時(shí)可置換填充材料。在更新處理期間，從背板及/或填充材料移出使用過的濺射靶。此外，接合的材料也可移出。新的濺射靶或更新過的濺射靶(例如置換具有濺射材料的使用過的濺射靶，如此使用過的靶會(huì)近似于新濺射靶的形狀及/或密度)隨后接合至背板及/或填充材料。
上述的本發(fā)明的實(shí)施例提供了有效的等離子體濃度以及分布管理。使用本發(fā)明的實(shí)施例，沉積與腐蝕輪廓可更一致且容易重復(fù)。
前述為涉及本發(fā)明的實(shí)施例，在不背離基本范圍的情況下，可設(shè)計(jì)其它的本發(fā)明的實(shí)施例，且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求所決定。
權(quán)利要求
1.一種濺射靶組件，包含背板主體，具有一個(gè)或多個(gè)置中且耦合其上的鰭件，所述一個(gè)或多個(gè)鰭件包含 內(nèi)表面； 外表面；以及底表面；填充材料，耦合至該背板主體、所述一個(gè)或多個(gè)鰭件的該內(nèi)表面、以及所述一個(gè)或多個(gè)鰭件的外表面；以及濺射靶，耦合至該填充材料以及所述一個(gè)或多個(gè)鰭件的底表面。
2.如權(quán)利要求1所述的組件，其中該背板主體具有多個(gè)鰭件，其中所述多個(gè)鰭件的每一鰭件與相鄰的鰭件相隔第一距離，其中該第一距離大約為該濺射靶的厚度的2至5倍。
3.如權(quán)利要求1所述的組件，其中該濺射靶包含與該填充材料一樣的材料。
4.如權(quán)利要求1所述的組件，還進(jìn)一步包含接合層，該接合層耦合于該靶、所述一個(gè)或多個(gè)鰭件以及該填充材料之間，其中該濺射靶不包含與該填充材料一樣的材料。
5.一種濺射靶組件，包含背板主體，具有一個(gè)或多個(gè)鰭件，所述鰭件用于接觸置中且耦合其上的濺射靶，所述一個(gè)或多個(gè)鰭件包含 內(nèi)表面； 外表面；以及底表面；以及濺射靶，耦合至該背板主體，該濺射靶具有一個(gè)或多個(gè)用于接收所述一個(gè)或多個(gè)鰭件的凹部。
6.如權(quán)利要求5所述的組件，其中該背板主體具有用于接觸濺射靶的多個(gè)鰭件，每一鰭件包含內(nèi)表面； 外表面；以及底表面，其中所述多個(gè)鰭件的每一鰭件與相鄰的鰭件相隔第一距離，其中該第一距離大約為該濺射靶的一部分的厚度的2至5倍。
7.如權(quán)利要求5所述的組件，還進(jìn)一步包含接合層，該接合層耦合于該靶、所述一個(gè)或多個(gè)鰭件以及該背板主體之間。
8.一種射頻磁控管濺射裝置，包含背板主體，具有大體平面的第一表面，該背板主體具有一個(gè)或多個(gè)從該背板主體的第二表面延伸的第一鰭件，該第二表面在該第一表面的對(duì)面； 濺射靶，耦合至所述一個(gè)或多個(gè)第一鰭件；以及磁控管，可繞該背板主體的中央軸線旋轉(zhuǎn)并且能夠制造第一磁場(chǎng)，該磁控管被定位成使得所述一個(gè)或多個(gè)第一鰭件的每一鰭件的中心大體上對(duì)準(zhǔn)下述位置，于該位置處，平行于該背板主體的該第一表面的該第一磁場(chǎng)的分量量級(jí)大于垂直于該背板主體的該第一表面的該第一磁場(chǎng)的分量。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，還進(jìn)一步包含耦合至該背板主體的該第二表面的填充材料、所述一個(gè)或多個(gè)第一鰭件的每一鰭件的一部分、以及該濺射靶；以及耦合至該背板的射頻電源，其中所述濺射靶耦合至該背板主體的該第二表面。
10.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中該磁控管產(chǎn)生第二磁場(chǎng)，且其中一個(gè)或多個(gè)第二鰭件被定位成使得所述一個(gè)或多個(gè)第二鰭件的部分鰭件大體上對(duì)準(zhǔn)平行于該背板主體的該第一表面的該第一及第二磁場(chǎng)的分量量級(jí)大于垂直于該背板主體的該第一表面的該第一及第二磁場(chǎng)的分量的位置。
11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中多個(gè)第一鰭件從該背板主體的該第二表面延伸并且耦合至該濺射靶，其中該磁控管產(chǎn)生多個(gè)磁場(chǎng)，且其中該多個(gè)第一鰭件的每一鰭件被定位成使得該鰭件的中心大體上對(duì)準(zhǔn)平行于該背板主體的該第一表面的該多個(gè)磁場(chǎng)的的分量量級(jí)大于垂直于垂直于該背板主體的該第一表面的該多個(gè)磁場(chǎng)的的分量的位置。
12.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中多個(gè)第一鰭件從該背板主體的該第二表面延伸并且耦合至該濺射靶，其中該多個(gè)第一鰭件的每一鰭件與相鄰鰭件相隔第一距離，其中該第一距離大約為該濺射靶的一部分的厚度的2至5倍。
13.如權(quán)利要求8所述的裝置，還進(jìn)一步包含接合層，其耦合于該靶以及所述一個(gè)或多個(gè)第一鰭件之間。
14.一種組裝濺射靶組件的方法，包含以下步驟將接合材料施加至一個(gè)或多個(gè)背板主體以及濺射靶；并且將該背板主體以及該濺射靶壓在一起，該背板主體具有從其第一表面延伸的一個(gè)或多個(gè)鰭件并且大體上環(huán)繞該背板主體的中央軸線。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟耦合填充材料至該背板主體并且鄰近所述一個(gè)或多個(gè)鰭件的一部分，其中該濺射靶被成形以接受所述一個(gè)或多個(gè)鰭件并且耦合至所述一個(gè)或多個(gè)鰭件以及該背板主體。
全文摘要
本發(fā)明一般包括可用于射頻濺射處理的濺射靶組件。濺射靶組件可包括背板以及濺射靶。背板可成形成具有一個(gè)或多個(gè)從背板朝濺射靶延伸的鰭件。濺射靶可接合至背板的鰭件。濺射處理期間使用的射頻電流將可施加至位于一個(gè)或多個(gè)鰭件位置的濺射靶。鰭件可于對(duì)應(yīng)于配置在背板后的磁控管所制造的磁場(chǎng)的位置從背板延伸。藉由控制射頻電流耦合至對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)的濺射靶的位置，可控制濺射靶的腐蝕。
文檔編號(hào)H01L21/203GK102187431SQ200980141150
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
發(fā)明者約翰·C·福斯特, 丹尼爾·J·霍夫曼, 約翰·A·派披托恩, 唐先民, 汪榮軍 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司