專利名稱：絕緣柵雙極性晶體管、以及絕緣柵雙極性晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本說明書中所公開的技術(shù)涉及一種絕緣柵雙極性晶體管、以及絕緣柵雙極性晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
在日本特許公開公報平11-251573中，公開了一種絕緣柵雙極性晶體管，其具有被形成于P型的體區(qū)內(nèi)的N型的浮置區(qū)(與發(fā)射區(qū)以及漂移區(qū)分離的區(qū)域)。當在體區(qū)內(nèi)設(shè)置浮置區(qū)時，將抑制在絕緣柵雙極性晶體管導通時載流子從漂移區(qū)流入體區(qū)的現(xiàn)象。因此，成為在漂移區(qū)內(nèi)存在大量的載流子的狀態(tài)，從而漂移區(qū)的電阻被降低。因此，能夠使絕緣柵雙極性晶體管的通態(tài)電壓下降。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題由于在制造絕緣柵雙極性晶體管時通過向半導體基板注入雜質(zhì)而形成N型或者P 型的雜質(zhì)區(qū)，所以在半導體基板內(nèi)部的雜質(zhì)濃度上將產(chǎn)生制造誤差。在具有浮置區(qū)的絕緣柵雙極性晶體管中，由于浮置區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)濃度的制造誤差，從而浮置區(qū)的寬度(深度方向上的寬度)將發(fā)生變動。當浮置區(qū)的寬度產(chǎn)生誤差時，絕緣柵雙極性晶體管的溝道長度將產(chǎn)生誤差。其結(jié)果為，存在絕緣柵雙極性晶體管的通態(tài)電壓的誤差增大的問題。本說明書中所公開的技術(shù)是鑒于上述情況而創(chuàng)作的，其提供一種絕緣柵雙極性晶體管，該絕緣柵雙極性晶體管具有即使產(chǎn)生雜質(zhì)濃度的制造誤差，通態(tài)電壓也不易產(chǎn)生誤差的結(jié)構(gòu)。并且，提供一種具有此結(jié)構(gòu)的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法。用于解決問題的方法被本說明書所公開的絕緣柵雙極性晶體管為垂直型的絕緣柵雙極性晶體管。該絕緣柵雙極性晶體管具備發(fā)射區(qū)、體區(qū)、漂移區(qū)、集電區(qū)、浮置區(qū)、柵電極。發(fā)射區(qū)為第1導電型的區(qū)域。體區(qū)為相對于發(fā)射區(qū)在較深的位置處鄰接于發(fā)射區(qū)的第2導電型的區(qū)域。漂移區(qū)為相對于體區(qū)在較深的位置處鄰接于體區(qū)，并通過體區(qū)而與發(fā)射區(qū)分離的第1導電型的區(qū)域。集電區(qū)為相對于漂移區(qū)在較深的位置處鄰接于漂移區(qū)，并通過漂移區(qū)而與體區(qū)分離的第2導電型的區(qū)域。浮置區(qū)為被形成于體區(qū)內(nèi)，并通過體區(qū)而與發(fā)射區(qū)以及漂移區(qū)分離的第1導電型的區(qū)域。柵電極隔著絕緣膜而與將發(fā)射區(qū)和漂移區(qū)分離的范圍內(nèi)的體區(qū)對置。在浮置區(qū)與其上側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布。在浮置區(qū)與其下側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布。在浮置區(qū)與其上側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布。在浮置區(qū)與其下側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布。圖4圖示了本說明書中所公開的技術(shù)的一個示例中所涉及的、絕緣柵雙極性晶體管的浮置區(qū)附近的N型雜質(zhì)濃度以及P型雜質(zhì)濃度的分布。而且，在圖4中，實線的曲線圖Al表示絕緣柵雙極性晶體管的設(shè)計值的N型雜質(zhì)濃度，虛線的曲線圖A2、A3表示從設(shè)計值產(chǎn)生了一定量的偏差時的N型雜質(zhì)濃度。如圖4所示，在此絕緣柵雙極性晶體管中，在浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)(以下，有時稱為頂部體區(qū))與浮置區(qū)之間的邊界部附近，N型雜質(zhì)濃度從上側(cè)(頂部體區(qū)一側(cè))到下側(cè)(浮置區(qū)一側(cè))趨于上升，而P型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于下降。并且，在浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)(以下，有時稱為底部體區(qū))與浮置區(qū)之間的邊界部附近，N 型雜質(zhì)濃度從上側(cè)(浮置區(qū)一側(cè))到下側(cè)(底部體區(qū)一側(cè))趨于下降，而P型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于上升。在圖4所例示的絕緣柵雙極性晶體管中，當N型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生了曲線圖A2、A3所示的誤差時，浮置區(qū)的寬度將在寬度Wl與寬度W2之間變動。此外，圖5圖示了現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的浮置區(qū)附近的N型雜質(zhì)濃度以及 P型雜質(zhì)濃度的分布。在圖5中，實線的曲線圖Bl表示現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的設(shè)計值的N型雜質(zhì)濃度，虛線的曲線圖B2、B3表示從設(shè)計值產(chǎn)生了一定量的偏差時的N型雜質(zhì)濃度。在圖5所示的現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，P型雜質(zhì)濃度以從頂部體區(qū)到底部體區(qū)平緩下降的方式分布。P型雜質(zhì)濃度以此種方式分布是由于，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，首先向與半導體基板的體區(qū)以及浮置區(qū)對應(yīng)的全部范圍內(nèi)注入P型雜質(zhì)，之后，向?qū)?yīng)于浮置區(qū)的范圍內(nèi)以高濃度(高于P型雜質(zhì)濃度的濃度)注入N型雜質(zhì)。如圖5所示， 在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管內(nèi)，當N型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生如曲線圖B2、B3所示的誤差(與圖4中的曲線圖A2、A3相同量的誤差)時，浮置區(qū)的寬度將在寬度W3與寬度W4之間變動。通過比較圖4與圖5可以明顯地發(fā)現(xiàn)，在根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管中，由于在浮置區(qū)的邊界部處雜質(zhì)濃度以上述方式分布，所以N型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生誤差時的、浮置區(qū)的寬度上的誤差(寬度Wl與寬度W2的差)，小于現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的浮置區(qū)的寬度上的誤差(寬度W3與寬度W4的差)。S卩，即使在產(chǎn)生了 N型雜質(zhì)濃度上的誤差的情況下，根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，浮置區(qū)的寬度上也更不易產(chǎn)生誤差。因此，根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管不易產(chǎn)生通態(tài)電壓的誤差。而且， 雖然在上述的說明中，對于N型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生了誤差時的情況進行了說明，但是由于浮置區(qū)的寬度通過N型雜質(zhì)濃度以及P型雜質(zhì)濃度雙方的分布而確定，所以可以說在P型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生了制造誤差時也是相同的情況。當P型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生了制造誤差時，根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，也更不易產(chǎn)生浮置區(qū)的寬度上的誤差，從而通態(tài)電壓也不易產(chǎn)生誤差。而且，圖4所示的絕緣柵雙極性晶體管只不過是根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管的雜質(zhì)濃度分布的一個示例。只要浮置區(qū)的邊界部附近的雜質(zhì)濃度以上文敘述的方式分布，則具有圖4所示以外的雜質(zhì)濃度分布的絕緣柵雙極性晶體管也包括于本說明書中所公開的技術(shù)中。此外，雖然在圖4中，浮置區(qū)為N型且頂部體區(qū)以及底部體區(qū)為P型，但是，在浮置區(qū)為P型且頂部體區(qū)以及底部體區(qū)為N型時也能夠獲得相同的效果。上述的根據(jù)本發(fā)明的說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管優(yōu)選為，浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度，以在深度方向上具有極大值的方式分布。 并且，該極大值為浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值對絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓影響較大。即，當此最大值的制造誤差較大時，絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓將產(chǎn)生較大誤差。當頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值存在于頂部體區(qū)與發(fā)射區(qū)之間的邊界部、或者頂部體區(qū)與浮置區(qū)之間的邊界部上時，該最大值將受到第1導電型雜質(zhì)濃度和第2導電型雜質(zhì)濃度雙方的誤差的影響從而產(chǎn)生較大誤差。例如，即使第2導電型雜質(zhì)濃度的分布固定，但當?shù)?導電型雜質(zhì)濃度的分布發(fā)生變化時，發(fā)射區(qū)與浮置區(qū)之間的邊界部的位置也將發(fā)生變化，從而頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值也將發(fā)生變化。另一方面，當頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的極大值成為頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值時，最大值不會受到第1導電型雜質(zhì)濃度的誤差的影響。所以，頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值不易產(chǎn)生誤差。因此，此絕緣柵雙極性晶體管不易產(chǎn)生柵極閾值電壓的誤差。上述的根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管優(yōu)選為，浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度，以在深度方向上具有極大值的方式分布。并且，該極大值為浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。底部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值也對絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓影響較大。如上文所述，當?shù)撞矿w區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的極大值成為底部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值時，最大值將不受第1導電型雜質(zhì)濃度的誤差的影響。 所以，底部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值不易產(chǎn)生誤差。因此，此絕緣柵雙極性晶體管不易產(chǎn)生柵極閾值電壓的誤差。上述的根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管優(yōu)選為，浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值，高于浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓受頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值、和底部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值中較大一方的值的影響最大。通過以上文敘述的方式設(shè)置最大值，從而使柵極閾值電壓根據(jù)頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值而確定，由此抑制了柵極閾值電壓的制造誤差。并且，與提高底部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值時的情況相比，不需要向半導體基板的較深位置注入較多的雜質(zhì)。 所以，在制造絕緣柵雙極性晶體管時，能夠抑制在半導體基板內(nèi)形成晶體缺陷的現(xiàn)象。并且，本說明書提供一種新的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法。在此絕緣柵雙極性晶體管的制造方法中，制造垂直型的絕緣柵雙極性晶體管，該絕緣柵雙極性晶體管具有 發(fā)射區(qū)、體區(qū)、漂移區(qū)、集電區(qū)、浮置區(qū)、柵電極。發(fā)射區(qū)為第1導電型的區(qū)域。體區(qū)為相對于發(fā)射區(qū)在較深的位置處鄰接于發(fā)射區(qū)的第2導電型的區(qū)域。漂移區(qū)為相對于體區(qū)在較深的位置處鄰接于體區(qū)，并通過體區(qū)而與發(fā)射區(qū)分離的第1導電型的區(qū)域。集電區(qū)為相對于漂移區(qū)在較深的位置處鄰接于漂移區(qū)，并通過漂移區(qū)而與體區(qū)分離的第2導電型的區(qū)域。浮置區(qū)為被形成于體區(qū)內(nèi)，并通過體區(qū)而與發(fā)射區(qū)以及漂移區(qū)分離的第1導電型的區(qū)域。柵電極隔著絕緣膜而與將發(fā)射區(qū)和漂移區(qū)分離的范圍內(nèi)的體區(qū)對置。此制造方法具備頂部體區(qū)注入工序、底部體區(qū)注入工序、浮置區(qū)注入工序。在頂部體區(qū)注入工序中，向半導體基板中對應(yīng)于浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)的深度處注入第2導電型雜質(zhì)。在底部體區(qū)注入工序中，向所述半導體基板中對應(yīng)于浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)的深度處注入第2導電型雜質(zhì)。在浮置區(qū)注入工序中，向半導體基板中對應(yīng)于浮置區(qū)的深度處注入第1導電型雜質(zhì)。
而且，上述的頂部體區(qū)注入工序、底部體區(qū)注入工序以及浮置區(qū)注入工序，可以通過任意的順序來實施。在此制造方法中，分別實施向頂部體區(qū)的第2導電型雜質(zhì)的注入和向底部體區(qū)的第2導電型雜質(zhì)的注入。所以，所制造的絕緣柵雙極性晶體管內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度呈如下分布狀態(tài)，即，在浮置區(qū)與頂部體區(qū)之間的邊界部附近以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布，而在浮置區(qū)與底部體區(qū)之間的邊界部附近以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布。并且，由于向浮置區(qū)注入第1導電型雜質(zhì)，所以所制造的絕緣柵雙極性晶體管內(nèi)的第1導電型雜質(zhì)濃度呈如下分布狀態(tài)，即，在浮置區(qū)與頂部體區(qū)之間的邊界部附近以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布，而在浮置區(qū)與底部體區(qū)之間的邊界部附近以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布。所以，能夠在抑制產(chǎn)生通態(tài)電壓的制造誤差的同時，制造絕緣柵雙極性晶體管。在上述制造方法中，優(yōu)選為，在頂部體區(qū)注入工序中，以高于底部體區(qū)注入工序中的濃度注入第2導電型雜質(zhì)。由此，能夠使頂部體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值高于底部體區(qū)內(nèi)的第2 導電型雜質(zhì)濃度的最大值。所以，能夠在抑制產(chǎn)生柵極閾值電壓的誤差的同時，制造絕緣柵雙極性晶體管。上述制造方法優(yōu)選為，在頂部體區(qū)注入工序、底部體區(qū)注入工序以及浮置區(qū)注入工序之前，實施以下工序，即溝槽形成工序，在半導體基板的上表面上形成溝槽；氧化膜形成工序，通過熱處理而在溝槽的壁面上形成氧化膜；柵電極形成工序，在溝槽內(nèi)形成柵電極。在氧化膜形成工序以及柵電極形成工序中，需要對半導體基板進行熱處理。所以， 如果在雜質(zhì)注入工序(即，頂部體區(qū)注入工序、底部體區(qū)注入工序以及浮置區(qū)注入工序) 之后實施溝槽結(jié)構(gòu)形成工序(即，溝槽形成工序、氧化膜形成工序以及柵電極形成工序)， 則溝槽結(jié)構(gòu)形成工序中的熱處理將導致所注入的雜質(zhì)發(fā)生熱擴散。由此，絕緣柵雙極性晶體管內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布的誤差將變大，從而成為絕緣柵雙極性晶體管的特性誤差的主要原因。在上述的制造方法中，由于在雜質(zhì)注入工序之前實施溝槽結(jié)構(gòu)形成工序，所以不會產(chǎn)生這種問題。故能夠在抑制由于雜質(zhì)的熱擴散而導致的特性誤差的同時，制造絕緣柵雙極性晶體管。在上述的于雜質(zhì)注入工序之前實施溝槽結(jié)構(gòu)形成工序的制造方法中，優(yōu)選為，在柵電極形成工序中，將柵電極的上表面和半導體基板的上表面之間的深度方向上的距離設(shè)為大于等于0. 2 μ m。在形成溝槽結(jié)構(gòu)時，通過柵電極的上表面部分將在半導體基板的上表面上形成凹部。當在溝槽結(jié)構(gòu)形成工序之后實施雜質(zhì)注入時，被注入到溝槽附近的雜質(zhì)的停止位置將受到此凹部的影響而發(fā)生變動。在這里，當凹部較淺時(小于0.2μπι時)，雜質(zhì)的停止位置將根據(jù)凹部的深度而發(fā)生較大變動。另一方面，當凹部較深時(大于等于0. 2 μ m時)，即使凹部的深度發(fā)生變動，雜質(zhì)的停止位置也幾乎不會發(fā)生變動。所以，如上文所述，通過將柵電極的上表面與半導體基板的上表面之間的深度方向上的距離(即，凹部的深度)設(shè)為大于等于0. 2μπι，從而能夠抑制被注入到溝槽附近的雜質(zhì)的停止位置的誤差。由此，能夠抑制絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓的誤差。在上述的于雜質(zhì)注入工序之前實施溝槽結(jié)構(gòu)形成工序的制造方法中，優(yōu)選為，在溝槽形成工序中，在半導體基板的上表面上形成相對于半導體基板的011晶體取向垂直延伸的溝槽。并且，優(yōu)選為，在頂部體區(qū)注入工序、底部體區(qū)注入工序以及浮置區(qū)注入工序中， 以將半導體基板的011晶體取向作為軸，而在雜質(zhì)注入方向與半導體基板的100晶體取向之間設(shè)置角度的方式，注入雜質(zhì)。通過將溝槽與雜質(zhì)注入方向的關(guān)系設(shè)為上述的關(guān)系，從而能夠相對于溝槽的壁面平行地注入雜質(zhì)。并且，通過將半導體基板的晶體取向與雜質(zhì)注入方向的關(guān)系設(shè)為上述的關(guān)系，從而能夠抑制在雜質(zhì)注入時產(chǎn)生溝道效應(yīng)的現(xiàn)象。由此，能夠進一步抑制絕緣柵雙極性晶體管的特性上的制造誤差。根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的絕緣柵雙極性晶體管，具有不易產(chǎn)生特性上的制造誤差的結(jié)構(gòu)。并且，通過根據(jù)本說明書中所公開的技術(shù)而提供的制造方法，能夠在抑制特性上的制造誤差的同時，制造絕緣柵雙極性晶體管。


圖1為絕緣柵雙極性晶體管10的剖視圖。圖2為表示沿著圖1中的II-II線觀察時的絕緣柵雙極性晶體管10內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布的曲線圖。圖3為表示現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的、對應(yīng)于圖2的區(qū)域內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布的曲線圖。圖4為圖2的放大圖(浮置區(qū)沈的雜質(zhì)濃度分布的放大圖)。圖5為圖3的放大圖(浮置區(qū)的雜質(zhì)濃度分布的放大圖)。圖6為用于絕緣柵雙極性晶體管10的制造的半導體晶片70的剖視圖。圖7為下表面一側(cè)以及外周部擴散層形成工序之后的半導體晶片70的剖視圖。圖8為溝槽形成工序之后的半導體晶片70的剖視圖。圖9為溝槽35的朝向的說明圖。圖10為溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序之后的半導體晶片70的剖視圖。圖11為溝槽凹槽深度Hl = 0. 3 μ m時的半導體晶片70的剖視圖。圖12為底部體區(qū)注入工序、浮置區(qū)注入工序以及頂部體區(qū)注入工序中的半導體晶片70的剖視圖。圖13為發(fā)射區(qū)注入工序中的半導體晶片70的剖視圖。圖14為體接觸區(qū)注入工序中的半導體晶片70的剖視圖。圖15為離子注入方向的說明圖。圖16為溝槽凹槽深度Hl = 0 μ m時的半導體晶片70的剖視圖。圖17為溝槽凹槽深度Hl = 0. 6 μ m時的半導體晶片70的剖視圖。圖18為表示溝槽凹槽深度Hl與溝道40內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的峰值之間的關(guān)系的曲線圖。圖19為表示溝槽凹槽深度Hl與絕緣柵雙極性晶體管10的柵極閾值電壓之間的關(guān)系的曲線圖。圖20為表示調(diào)節(jié)了離子注入方向時的、溝槽凹槽深度Hl與絕緣柵雙極性晶體管 10的柵極閾值電壓之間的關(guān)系的曲線圖。
圖21為表示在改變例的制造方法中，從晶錠92切割半導體晶片的方向的說明圖。
具體實施例方式
首先，列出將在下文進行詳細說明的實施例的結(jié)構(gòu)。(特征1)浮置區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度從上端到下側(cè)趨于下降而達到極小值， 并從該極小值的深度起到下端趨于上升。(特征2、浮置區(qū)內(nèi)的第1導電型雜質(zhì)濃度從上端到下側(cè)趨于上升而達到極大值， 并從該極大值的深度起到下端趨于上升。(特征幻浮置區(qū)上側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度從上端到下側(cè)趨于上升而達到極大值，并從該極大值的深度起到下端趨于下降。(特征4)浮置區(qū)下側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度從上端到下側(cè)趨于上升而達到極大值，并從該極大值的深度起到下端趨于下降。(實施例)下面參照附圖對實施例的絕緣柵雙極性晶體管進行說明。圖1圖示了本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10的剖視圖。絕緣柵雙極性晶體管10具有發(fā)射區(qū)20、體接觸區(qū)22、 頂部體區(qū)對、浮置區(qū)沈、底部體區(qū)觀、漂移區(qū)30、緩沖區(qū)32、集電區(qū)34、柵電極36以及外周耐壓區(qū)38。發(fā)射區(qū)20為N型區(qū)域。發(fā)射區(qū)20選擇性地形成于面對半導體基板12的上表面的范圍內(nèi)。體接觸區(qū)22為含有高濃度的P型雜質(zhì)的P型區(qū)域。體接觸區(qū)22選擇性地形成于面向半導體基板12的上表面的范圍內(nèi)。體接觸區(qū)22以鄰接于發(fā)射區(qū)20的方式而形成。頂部體區(qū)M SP型區(qū)域，并被形成于發(fā)射區(qū)20以及體接觸區(qū)22的下側(cè)。浮置區(qū)沈為N型區(qū)域，并被形成于頂部體區(qū)M的下側(cè)。浮置區(qū)沈通過頂部體區(qū)M而與發(fā)射區(qū)20 分離。并且，浮置區(qū)沈通過底部體區(qū)觀而與漂移區(qū)30分離。底部體區(qū)觀為？型區(qū)域，并被形成于浮置區(qū)26的下側(cè)。漂移區(qū)30為含有低濃度的N型雜質(zhì)的N型區(qū)域。漂移區(qū)30 被形成于底部體區(qū)觀的下側(cè)。緩沖區(qū)32為含有高濃度的N型雜質(zhì)的N型區(qū)域。緩沖層 32被形成于漂移區(qū)30的下側(cè)。集電區(qū)34為含有高濃度的P型雜質(zhì)的P型區(qū)域。集電區(qū) 34被形成于面向半導體基板12的下表面的整個范圍內(nèi)。在半導體基板12的上表面上，形成有貫穿發(fā)射區(qū)20、頂部體區(qū)M、浮置區(qū)沈以及底部體區(qū)28而到達漂移區(qū)30的溝槽35。 溝槽35的內(nèi)表面被溝槽絕緣膜37所覆蓋。在溝槽35內(nèi)，形成有柵電極36。即，柵電極36 隔著絕緣膜37而與對發(fā)射區(qū)20與漂移區(qū)30之間進行了分離的范圍內(nèi)的、頂部體區(qū)M、浮置區(qū)沈、以及底部體區(qū)觀對置。柵電極36的上表面被蓋絕緣膜39所覆蓋。但是，在未圖示的位置處，柵電極36被構(gòu)成為能夠與外部相連接。外周耐壓區(qū)38為含有高濃度的P型雜質(zhì)的P型區(qū)域。外周耐壓區(qū)38被形成于，從半導體基板12的上表面起至深于溝槽35下端的位置為止的深度范圍內(nèi)。外周耐壓區(qū)38沿著半導體基板12外周而形成。S卩，外周耐壓區(qū)38以包圍絕緣柵雙極性晶體管區(qū)(形成有發(fā)射區(qū)20、體接觸區(qū)22、頂部體區(qū)M、浮置區(qū)沈、底部體區(qū)觀以及柵電極36的區(qū)域)的周圍的方式而形成。當絕緣柵雙極性晶體管10工作時，在形成于發(fā)射區(qū)20以及體接觸區(qū)22的表面上的發(fā)射極(省略圖示)、與形成于集電區(qū)34的表面上的集電極(省略圖示)之間施加電壓。 并且，對柵電極36施加電壓。通過對柵電極36的電壓施加，從而在頂部體區(qū)M的與溝槽絕緣膜37接觸的范圍內(nèi)形成溝道40，且在底部體區(qū)28的與溝槽絕緣膜37接觸的范圍內(nèi)形成溝道42。于是，電子從發(fā)射區(qū)20起經(jīng)由溝道40、浮置區(qū)沈、溝道42、漂移區(qū)30以及緩沖區(qū)32，而流向集電區(qū)34。此外，空穴從集電區(qū)34起，經(jīng)由緩沖區(qū)32、漂移區(qū)30、底部體區(qū)觀、浮置區(qū)沈以及頂部體區(qū)M，而流向體接觸區(qū)22。但是，由于浮置區(qū)沈成為空穴流動的勢壘，所以漂移區(qū)30內(nèi)積蓄有較多的空穴。因此，在漂移區(qū)30內(nèi)空穴的濃度上升，從而漂移區(qū)30的電阻由于電導率調(diào)制減少而下降。所以，絕緣柵雙極性晶體管10將以較低的通態(tài)電壓(集電極-發(fā)射極之間的電壓)工作。即，絕緣柵雙極性晶體管10在工作時的電力損耗較小。圖2圖示了沿著圖1中的II-II線觀察時的絕緣柵雙極性晶體管10中的N型雜質(zhì)濃度以及P型雜質(zhì)濃度的分布。如圖2所示，N型雜質(zhì)濃度在發(fā)射區(qū)20上端為最大。N型雜質(zhì)濃度從發(fā)射區(qū)20的上端到下側(cè)趨于下降，且在頂部體區(qū)Μ內(nèi)達到極小值m。Ν型雜質(zhì)濃度從極小值m的深度起到下側(cè)趨于上升，且在浮置區(qū)26內(nèi)達到極大值N2。N型雜質(zhì)濃度從極大值N2的深度起到下側(cè)趨于下降，且在漂移區(qū)30內(nèi)成為大致固定值。另一方面，P型雜質(zhì)濃度從發(fā)射區(qū)20的上端到下側(cè)趨于上升，且在頂部體區(qū)M內(nèi)達到極大值PI。P型雜質(zhì)濃度從極大值Pl的深度起到下側(cè)趨于下降，且在浮置區(qū)26內(nèi)達到極小值P2。P型雜質(zhì)濃度從極小值P2的深度起到下側(cè)趨于上升，且在底部體區(qū)觀內(nèi)達到極大值P3。P型雜質(zhì)濃度從極大值P3的深度起到下側(cè)趨于下降，且在漂移區(qū)30內(nèi)大致成為零。雖然將在后文進行詳細敘述，但是P型雜質(zhì)濃度具有極大值P1、P3以及極小值P2 的理由在于，在制造絕緣柵雙極性晶體管10，分別實施對頂部體區(qū)M的P型雜質(zhì)注入工序、 和對底部體區(qū)28的P型雜質(zhì)注入工序。并且，圖3圖示了具有浮置區(qū)的現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的、對應(yīng)于圖2的雜質(zhì)濃度。在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，N型雜質(zhì)濃度以與本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10大致相等的曲線而分布。另一方面，P型雜質(zhì)濃度在發(fā)射區(qū)的上端為最大，從發(fā)射區(qū)上端到下側(cè)平緩地趨于下降，且在漂移區(qū)內(nèi)大致成為零。如此，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，P型雜質(zhì)濃度不具有極大值和極小值而平緩地分布。P型雜質(zhì)濃度平緩地分布的理由在于，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法中，向絕緣柵雙極性晶體管區(qū)(即，發(fā)射區(qū)、體接觸區(qū)、頂部體區(qū)、 浮置區(qū)以及底部體區(qū))的整體比較均勻地注入P型雜質(zhì)，之后，通過熱處理而使P型雜質(zhì)擴散。圖2所示的本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10與圖3所示的現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，在浮置區(qū)沈的寬度上更不易產(chǎn)生制造誤差。以下，對其理由進行說明。圖4圖示了圖2中的浮置區(qū)沈內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布的放大圖。此外，圖5圖示了圖 3中的浮置區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布的放大圖。而且，在圖4中，實線的曲線圖Al表示絕緣柵雙極性晶體管10的設(shè)計值的N型雜質(zhì)濃度，虛線的曲線圖A2、A3表示從設(shè)計值產(chǎn)生了一定量的偏差時的N型雜質(zhì)濃度。同樣地，在圖5中，實線的曲線圖Bl表示現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的設(shè)計值的N型雜質(zhì)濃度，虛線的曲線圖B2、B3表示從設(shè)計值產(chǎn)生了一定量的偏差時的N型雜質(zhì)濃度。如圖4所示，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，當N型雜質(zhì)濃度下降而成為曲線圖A2所示的分布時，浮置區(qū)沈的寬度(即，N型雜質(zhì)濃度高于P型雜質(zhì)濃度的區(qū)域的寬度)將變窄(參照圖4中的寬度Wl)。另一方面，當N型雜質(zhì)濃度升高而成為曲線圖 A3所示的分布時，浮置區(qū)沈的寬度將變寬(參照圖4中的寬度W2)。所以，在制造絕緣柵雙極性晶體管10時，如果在曲線圖A2以及曲線圖A3之間產(chǎn)生N型雜質(zhì)濃度的誤差，則絕緣柵雙極性晶體管10的浮置區(qū)沈的寬度將在寬度Wl和寬度W2之間產(chǎn)生誤差。如圖5所示，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，當N型雜質(zhì)濃度下降(參照曲線圖似)時，浮置區(qū)的寬度將成為寬度W3。當N型雜質(zhì)濃度上升時(參照曲線圖B3)，浮置區(qū)的寬度將成為寬度 W4。通過比較圖4以及圖5可以明顯地看出，寬度Wl與寬度W2的差小于寬度W3與寬度W4 的差。即，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，即使在N型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相同程度的誤差時，與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，也更不易在浮置區(qū)的寬度上產(chǎn)生誤差。如此，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，更不易在浮置區(qū)的寬度上產(chǎn)生誤差，對此可以通過以下敘述進行理解。在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，由于P型雜質(zhì)濃度比較均勻地分布，因此在浮置區(qū)的兩個邊界部(頂部體區(qū)一側(cè)邊界部和底部體區(qū)一側(cè)邊界部)的附近，P型雜質(zhì)濃度均不會發(fā)生較大變化。相對于此，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，如圖5所示，在浮置區(qū)沈與頂部體區(qū)M之間的邊界部附近，P型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于下降，而N型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于上升。換句話說，P型雜質(zhì)濃度的曲線圖與N型雜質(zhì)濃度的曲線圖以較陡的角度而交叉。因此，即使N型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生誤差，浮置區(qū)沈與頂部體區(qū)M之間的邊界部的位置也不會發(fā)生較大變動。同樣地，在浮置區(qū)沈與底部體區(qū)觀之間的邊界部處，P型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于上升，而N型雜質(zhì)濃度從上側(cè)到下側(cè)趨于下降。即，P型雜質(zhì)濃度的曲線圖與N型濃度的曲線圖以較陡的角度而交叉。因此，即使N型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生誤差，浮置區(qū)沈與底部體區(qū)觀之間的邊界部的位置也不會產(chǎn)生較大的誤差。所以，當產(chǎn)生N型雜質(zhì)濃度的制造誤差時，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，更不易產(chǎn)生浮置區(qū)26的寬度上的誤差。而且，在圖4、5中，對N型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生制造誤差的情況進行了說明。但是，浮置區(qū)26的寬度是由P型雜質(zhì)濃度和N型雜質(zhì)濃度雙方的分布而確定的。因此，可以說在P 型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生制造誤差時也是相同的情況。當P型雜質(zhì)濃度上產(chǎn)生制造誤差時，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，也更不易產(chǎn)生浮置區(qū) 26的寬度上的誤差。浮置區(qū)沈的寬度較大程度地影響絕緣柵雙極性晶體管10的通態(tài)電壓。S卩，如圖1 所示，當絕緣柵雙極性晶體管10導通時，在浮置區(qū)沈上側(cè)以及下側(cè)形成有溝道40、42。當浮置區(qū)沈的寬度產(chǎn)生誤差時，溝道40、42的長度將產(chǎn)生誤差。因此，絕緣柵雙極性晶體管 10的通態(tài)電壓將產(chǎn)生誤差。在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，由于浮置區(qū)沈的寬度不易產(chǎn)生誤差，所以在批量生產(chǎn)絕緣柵雙極性晶體管時，不易產(chǎn)生通態(tài)電壓上的制造誤差。并且，絕緣柵雙極性晶體管10的通態(tài)電壓也會由于浮置區(qū)沈內(nèi)的P型雜質(zhì)以及N 型雜質(zhì)的濃度差的影響而發(fā)生變化。也就是說，由于浮置區(qū)沈內(nèi)的濃度差，空穴向體接觸區(qū)22流入時的勢壘的大小將發(fā)生變動。由于勢壘的大小發(fā)生變動，從而在絕緣柵雙極性晶體管10導通時漂移區(qū)30內(nèi)積蓄空穴的能力將發(fā)生變動。因此，絕緣柵雙極性晶體管10的通態(tài)電壓將發(fā)生變化。如圖2所示，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，在浮置區(qū)沈內(nèi)存在N型雜質(zhì)濃度的極大值N2和P型雜質(zhì)濃度的極小值P2。因此，通過比較圖2與圖3 可明顯地看出，與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10的浮置區(qū)沈內(nèi)的N型雜質(zhì)與P型雜質(zhì)的濃度差更大。因此，即使浮置區(qū)沈內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度以及N型雜質(zhì)濃度產(chǎn)生誤差，對濃度差的影響也較小?；谏鲜鲈颍彩沟媒^緣柵雙極性晶體管10在批量生產(chǎn)時不易產(chǎn)生通態(tài)電壓上的誤差。此外，用于形成溝道40所需的最小限度的柵電壓(以下，稱為柵極閾值電壓)較大程度地關(guān)聯(lián)于頂部體區(qū)M內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值。頂部體區(qū)M內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值越大，相對于溝道40的柵極閾值電壓越大。如圖3所示，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，頂部體區(qū)內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值P4存在于與發(fā)射區(qū)之間的邊界部上。因此， 最大值P4受P型雜質(zhì)濃度的制造誤差和N型雜質(zhì)濃度的制造誤差雙方的影響而產(chǎn)生較大的誤差。另一方面，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，頂部體區(qū)M內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值為極大值P1。極大值Pl不受N型雜質(zhì)濃度的制造誤差的影響。因此，極大值 Pl與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的最大值P4相比更不易產(chǎn)生誤差。因此，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10在批量生產(chǎn)時，不易產(chǎn)生相對于溝道40的柵極閾值電壓上的誤差。此外，用于形成溝道42所需的柵極閾值電壓較大程度地關(guān)聯(lián)于底部體區(qū)觀內(nèi)的 P型雜質(zhì)濃度的最大值。底部體區(qū)觀內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值越大，相對于溝道42的柵極閾值電壓越大。如圖3所示，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，底部體區(qū)內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值P5存在于與浮置區(qū)之間的邊界部上。因此，最大值P5受P型雜質(zhì)濃度的制造誤差和N型雜質(zhì)濃度的制造誤差雙方的影響而產(chǎn)生較大的誤差。另一方面，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，底部體區(qū)觀內(nèi)的P型雜質(zhì)濃度的最大值為極大值P3。極大值P3不受N型雜質(zhì)濃度的制造誤差的影響。因此，極大值P3與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管的最大值P5相比更不易產(chǎn)生誤差。因此，本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10在批量生產(chǎn)時，不易產(chǎn)生相對于溝道42的柵極閾值電壓上的誤差。并且，用于使發(fā)射區(qū)20-漂移區(qū)30之間導通所需要的最終的柵極閾值電壓，由相對于溝道40的柵極閾值電壓與相對于溝道42的柵極閾值電壓中較大的一方確定。由于在相對于溝道40的柵極閾值電壓較大的情況下，與在相對于溝道42的柵極閾值電壓較大的情況下，穿過溝道40、42時的電子的動作將產(chǎn)生差異，所以絕緣柵雙極性晶體管10的特性將會不同。因此，當相對于溝道40的柵極閾值電壓(即，極大值Pl)和相對于溝道42的柵極閾值電壓(即，極大值P； )為相同程度的值時，由于制造誤差，將會使極大值Pl較大、或者極大值P3較大，進而導致絕緣柵雙極性晶體管10的特性上產(chǎn)生誤差。在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，由于極大值Pl大于極大值P3，所以最終柵極閾值電壓由極大值 Pl (即，相對于溝道40的柵極閾值電壓)確定。所以，能夠進一步降低絕緣柵雙極性晶體管 10的特性誤差。并且，在增大頂部體區(qū)M內(nèi)的極大值Pl的情況下，當制造絕緣柵雙極性晶體管10時，與底部體區(qū)28相比會向頂部體區(qū)M內(nèi)注入更多的P型雜質(zhì)。由于頂部體區(qū)M 被形成在淺于底部體區(qū)觀的位置上，所以與向底部體區(qū)觀注入較多的P型雜質(zhì)的情況相比，更能夠抑制在注入雜質(zhì)時于半導體基板12中形成晶體缺陷的現(xiàn)象。此外，當向底部體區(qū)觀注入較多的P型雜質(zhì)時，底部體區(qū)觀下端的位置(深度方向上的位置)的誤差也將變大。所以，從底部體區(qū)觀的下端起至溝槽35的下端為止的距離(圖1中的距離F1，即， 溝槽35從底部體區(qū)觀的下端突出的距離)將產(chǎn)生誤差，從而導致絕緣柵雙極性晶體管10 的耐壓特性產(chǎn)生誤差。當使極大值Pl大于極大值P3時，由于無需在底部體區(qū)觀中注入較多的P型雜質(zhì)，所以不會產(chǎn)生這樣的問題。并且，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，在頂部體區(qū)M內(nèi)存在P型雜質(zhì)濃度的極大值Pi和N型雜質(zhì)濃度的極小值m。由此，頂部體區(qū)M內(nèi)的P型雜質(zhì)與N型雜質(zhì)的濃度差增大。如此，由于濃度差較大，所以頂部體區(qū)M內(nèi)的P型雜質(zhì)以及N型雜質(zhì)的濃度的誤差的影響變小。由此，也不易產(chǎn)生絕緣柵雙極性晶體管10的特性上的誤差。并且，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，在底部體區(qū)觀內(nèi)存在P型雜質(zhì)濃度的極大值P3。由此，底部體區(qū)觀內(nèi)的P型雜質(zhì)與N型雜質(zhì)的濃度差變大。如此，由于濃度差較大，所以底部體區(qū)觀內(nèi)的P型雜質(zhì)以及N型雜質(zhì)的濃度的誤差的影響變小。基于上述原因，也使得不易產(chǎn)生絕緣柵雙極性晶體管10的特性上的誤差。特別是，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，如圖3所示，P型雜質(zhì)濃度平緩地分布。因此，當欲提高底部體區(qū)的 P型雜質(zhì)濃度從而確保與N型雜質(zhì)濃度之間的濃度差時，底部體區(qū)將被形成至相當深的位置。因此，溝槽也需要形成至較深的位置，從而存在制造效率較差的問題。在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，在底部體區(qū)觀內(nèi)，P型雜質(zhì)濃度局部性地上升(即，極大值P3)。 因此，底部體區(qū)觀內(nèi)的P型雜質(zhì)與N型雜質(zhì)的濃度差較大，而且底部體區(qū)觀未被形成至較深的位置(參考圖2以及圖幻。具體來說，在現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管中，底部體區(qū)的下端的位置為距半導體基板的上表面約4. 5μπι的位置，相對于此，在本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10中，底部體區(qū)觀的下端的位置為距半導體基板12的上表面3. 3 μ m的位置。 如此，由于底部體區(qū)觀未被形成至較深的位置，所以溝槽35的深度也能夠設(shè)置得較淺。所以，絕緣柵雙極性晶體管10與現(xiàn)有的絕緣柵雙極性晶體管相比，能夠以更高的效率來進行制造。接下來，對絕緣柵雙極性晶體管10的制造方法進行說明。絕緣柵雙極性晶體管10 通過圖6所示的半導體晶片70而進行制造。半導體晶片70的上表面70a為，相對于100 晶體取向垂直的100面。半導體晶片70具有與漂移區(qū)30相等的N型雜質(zhì)濃度。(下表面一側(cè)以及外周部擴散層形成工序)首先，如圖7所示，通過進行離子注入、熱擴散，從而在半導體晶片70的下表面70b 一側(cè)形成緩沖區(qū)32和集電區(qū)34。同樣地，在半導體晶片70的上表面70a —側(cè)形成外周耐壓區(qū)38。(溝槽形成工序)接著，如圖8所示，通過應(yīng)用RIE (Reactive ion etching 反應(yīng)離子腐蝕)法的蝕刻，從而在半導體晶片70的上表面70a上形成溝槽35。而且，如圖9所示，在半導體晶片 70的上表面70a上，以相對于半導體晶片70的011晶體取向垂直延伸的方式(即，以沿著 0-11晶體取向延伸的方式)而形成溝槽35。(溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序)在形成了溝槽35之后，對半導體晶片70進行熱處理，從而在半導體晶片70的表面和溝槽35的內(nèi)表面上形成犧牲氧化膜。之后，通過蝕刻而除去犧牲氧化膜。在除去了犧牲氧化膜之后，再次對半導體晶片70進行熱處理，從而在半導體晶片70的表面和溝槽35的內(nèi)表面上形成硅氧化膜。溝槽35內(nèi)的硅氧化膜成為溝槽絕緣膜37。在形成了溝槽絕緣膜37之后，通過CVD(化學汽相淀積)法而在半導體晶片70上堆積多晶硅。此時，在溝槽 35內(nèi)填充有多晶硅。在堆積了多晶硅之后，通過CDE (化學干蝕刻)法等的蝕刻來除去溝槽 35外部的多晶硅。由此，殘存于溝槽35內(nèi)的多晶硅成為柵電極36。在形成了柵電極36之后，通過對半導體晶片70進行熱處理，從而在柵電極36的上表面上形成蓋絕緣膜39。由此，半導體晶片70的剖面結(jié)構(gòu)成為圖10所示的結(jié)構(gòu)。圖11圖示了圖10的剖視圖中的柵電極36的上表面附近的放大圖。如圖11所示， 柵電極36被形成為，其上表面36a位于半導體晶片70的上表面70a的下側(cè)。所以，在半導體晶片70的上表面70a上形成有凹部。在本實施例中，以柵電極36的上表面36a與半導體晶片70的上表面70a之間的階梯差的高度Hl (以下，稱為溝槽凹槽深度Hl)為約0. 3 μ m 的方式，形成柵電極36。(離子注入工序)接著，如圖12所示，在半導體晶片70的上表面70a的外周耐壓區(qū)38的外側(cè)形成抗蝕膜72。即，形成在絕緣柵雙極性晶體管區(qū)開口的抗蝕膜72。并且，從上表面70a—側(cè)向半導體晶片70注入離子。首先，在對應(yīng)于底部體區(qū)觀的深度處注入P型雜質(zhì)(底部體區(qū)注入工序)。即，以使所注入的P型雜質(zhì)在對應(yīng)于底部體區(qū)觀的深度范圍內(nèi)停止的方式，調(diào)節(jié)加速電壓從而注入P型雜質(zhì)，。更加詳細來說，以使所注入的P型雜質(zhì)的停止位置的峰值成為圖2中的極大值P3的深度的方式來進行注入。之后，在對應(yīng)于浮置區(qū)沈的深度處注入N型雜質(zhì)(浮置區(qū)注入工序)。即，以使所注入的N型雜質(zhì)在對應(yīng)于浮置區(qū)沈的深度范圍內(nèi)停止的方式，調(diào)節(jié)加速電壓從而注入N型雜質(zhì)。更加詳細來說，以使N型雜質(zhì)的停止位置的峰值成為圖2中的極大值N2的深度的方式來進行注入。之后，在對應(yīng)于頂部體區(qū)M的深度處注入P型雜質(zhì)(頂部體區(qū)注入工序)。即，以使所注入的P型雜質(zhì)在對應(yīng)于頂部體區(qū)M的深度范圍內(nèi)停止的方式，調(diào)節(jié)加速電壓從而注入P型雜質(zhì)。更加詳細來說，以使P型雜質(zhì)的停止位置的峰值成為圖2中的極大值Pl的深度的方式來進行注入。而且，在頂部體區(qū)注入工序中，以高于底部體區(qū)注入工序中的濃度而注入P型雜質(zhì)。之后，除去抗蝕膜72，且如圖13所示，形成新的抗蝕膜74?？刮g膜74以覆蓋外周耐壓區(qū)38的外側(cè)區(qū)域、和對應(yīng)于體接觸區(qū)22的區(qū)域的方式而形成。并且，從上表面70a — 側(cè)向?qū)?yīng)于發(fā)射區(qū)20的深度(即，最表層部)注入N型雜質(zhì)(發(fā)射區(qū)注入工序)。之后，除去抗蝕膜74，且如圖14所示，形成新的抗蝕膜76?？刮g膜76以覆蓋外周耐壓區(qū)38的外側(cè)區(qū)域、和對應(yīng)于發(fā)射區(qū)20的區(qū)域的方式形成。并且，從上表面70a—側(cè)向?qū)?yīng)于體接觸區(qū)22的深度(即，最表層部)注入P型雜質(zhì)(體接觸區(qū)注入工序)。圖15圖示了上述的離子注入工序(S卩，底部體區(qū)注入工序、浮置區(qū)注入工序、頂部體區(qū)注入工序、發(fā)射區(qū)注入工序以及體接觸區(qū)注入工序)中的、離子注入方向與半導體晶片70的晶體取向之間的位置關(guān)系。圖15中的箭頭80為離子注入方向。如上文所述，半導體晶片70的上表面70a為100面。并且，溝槽35被形成為相對于011晶體取向垂直。在離子注入工序中，使011晶體取向與中心軸82相一致，以該中心軸82為中心，使半導體晶片70的上表面70a相對于離子注入方向80傾斜而注入離子。即，在以中心軸82為中心， 于離子注入方向80與100晶體取向之間設(shè)置角度θ 1(以下，稱為傾斜角θ 1)的狀態(tài)下， 進行離子注入。在本實施例中，傾斜角θ 1為7.1°。(熱擴散工序)在離子注入結(jié)束之后，對半導體晶片70進行熱處理。在進行熱處理時，所注入的雜質(zhì)將擴散并活性化。由此，如圖1所示，形成了發(fā)射區(qū)20、體接觸區(qū)22、頂部體區(qū)Μ、浮置區(qū)26以及底部體區(qū)觀。如上文所述，由于分別對頂部體區(qū)Μ、浮置區(qū)沈以及底部體區(qū)觀進行離子注入，所以在這些區(qū)域內(nèi)的雜質(zhì)濃度分布成為圖2所示的分布。即，在頂部體區(qū)M 內(nèi)形成有極大值Ρ1，在浮置區(qū)26內(nèi)形成有極大值Ν2，在底部體區(qū)觀內(nèi)形成有極大值Ρ3。 而且，由于沒有實施以在浮置區(qū)沈內(nèi)停止的方式而注入P型雜質(zhì)的工序，所以在浮置區(qū)沈內(nèi)形成有極小值Ρ2。在熱擴散工序結(jié)束之后，在半導體晶片70的表面上形成必要的布線、絕緣膜等 (省略圖示)。其后，通過切割而將半導體晶片70進行分割。由此，完成了絕緣柵雙極性晶體管10。如上述說明中所述，根據(jù)上述的制造方法，能夠以圖2所示的濃度分布來制造圖1 中的絕緣柵雙極性晶體管10。并且，在上述制造方法中，在溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序之后，實施離子注入工序。一般來說，溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序在擴散區(qū)形成之后(即，實施離子注入工序和熱擴散工序之后)進行。但是，當在擴散區(qū)形成之后實施溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序時，會產(chǎn)生以下的問題。如上文所述，在溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序中，實施高溫的熱處理。當在擴散區(qū)形成后進行溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序的熱處理時，擴散區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)將進一步擴散。由此，將出現(xiàn)擴散區(qū)擴大、或者雜質(zhì)向外擴散、或者雜質(zhì)向溝槽絕緣膜內(nèi)等偏析(堆積) 的現(xiàn)象。由于這些現(xiàn)象的產(chǎn)生，所以會產(chǎn)生所制造的絕緣柵雙極性晶體管的特性不穩(wěn)定的問題。并且，當在離子注入之后進行半導體晶片的熱氧化處理(犧牲氧化膜、溝槽絕緣膜37 的形成)時，將容易以在離子注入時被形成的晶體缺陷為起點而形成0SF(氧化誘生層錯 Oxidation Induced Stacking Fault)。OSF為以下的缺陷，S卩，在熱氧化處理時于硅層和氧化硅層的界面上形成自間隙硅，該自間隙硅在硅層內(nèi)擴散，而與硅層內(nèi)的晶體缺陷聯(lián)合生長。當OFS被形成于硅層內(nèi)時，將產(chǎn)生絕緣柵雙極性晶體管變得容易裂隙的問題。在本實施例的制造方法中，由于在溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序之后實施離子注入工序，所以不會產(chǎn)生上述問題。因而能夠使所制造的絕緣柵雙極性晶體管10的特性穩(wěn)定，且能夠抑制在絕緣柵雙極性晶體管10上產(chǎn)生裂隙缺陷的現(xiàn)象。而且，如上述實施例所示，當在實施了溝槽絕緣膜以及柵電極形成工序之后實施離子注入工序時，向溝槽絕緣膜37附近的頂部體區(qū)即，溝道40)的離子注入濃度將受柵電極36的形狀的影響。由于上述的溝槽凹槽深度Hl上會產(chǎn)生制造誤差，所以由于溝槽凹槽深度Hl的誤差將導致向溝槽絕緣膜37附近的頂部體區(qū)M的離子注入濃度產(chǎn)生誤差。 由此，存在絕緣柵雙極性晶體管10的柵極閾值電壓產(chǎn)生誤差的問題。但是，在本實施例的制造方法中，將由于溝槽凹槽深度Hl的誤差所導致的柵極閾值電壓的誤差抑制在了最小限度。以下，對其理由進行說明。圖16表示將溝槽凹槽深度Hl (參考圖11)設(shè)為Ομπι時的、頂部體區(qū)注入工序之前的半導體晶片70的剖視圖。圖16中的范圍M在此時(以溝槽凹槽深度Hl為Ομπι的狀態(tài)進行離子注入工序、熱擴散工序時)表示形成有頂部體區(qū)M的范圍。此時，由于在溝槽凹槽部分沒有形成凹部，所以在頂部體區(qū)注入工序中，在溝槽絕緣膜37附近和其他部分被注入的P型雜質(zhì)的停止位置幾乎不變。所以，如圖16所示，頂部體區(qū)M以固定的寬度被形成在大致固定的深度處。如上文所述，在本實施例的制造方法中，如圖11所示，將溝槽凹槽深度Hl設(shè)為約 0.3μπι。在將溝槽凹槽深度Hl設(shè)為0.3μπι而形成了絕緣柵雙極性晶體管10時，圖11中的區(qū)域M表示形成有頂部體區(qū)M的范圍。當溝槽凹槽深度Hl為0. 3 μ m時，在頂部體區(qū)注入工序中，將受到溝槽凹槽部分的形狀的影響。所以，越靠近溝槽絕緣膜37的位置，被注入的P型雜質(zhì)越容易停止于較深的位置。因此，如圖11所示，頂部體區(qū)對以越靠近溝槽絕緣膜37的位置越向較深的位置位移的形狀而形成。如此，由于頂部體區(qū)M在溝槽絕緣膜 37附近發(fā)生位移，所以溝槽絕緣膜37附近的頂部體區(qū)M的寬度Dl寬于其他部分的頂部體區(qū)對的寬度D2。因此，寬度Dl的部分(即，形成有圖1中的溝道40的區(qū)域(以下，稱為溝道區(qū)40))的P型雜質(zhì)濃度降低。圖17圖示了將溝槽凹槽深度Hl設(shè)為0. 6 μ m時的、頂部體區(qū)注入工序之前的半導體晶片的剖視圖。圖17中的范圍M在此時表示形成有頂部體區(qū)M的范圍。比較圖11與圖17可以明顯看出，當將溝槽凹槽深度Hl從0. 3 μ m增大為0. 6 μ m時，雖然頂部體區(qū)M的寬度Dl的部分將變寬(在圖17的橫向方向上變寬)，但寬度Dl并未以較大程度擴大。所以，溝槽凹槽深度Hl為0. 6 μ m時的情況與溝槽凹槽深度為0. 3 μ m時的情況相比，寬度Dl 的部分(即，圖1中的溝道區(qū)40)的P型雜質(zhì)濃度并未以較大程度下降。圖18圖示了對溝槽凹槽深度Hl進行各種變化而制造絕緣柵雙極性晶體管時的、 溝槽絕緣膜37附近的頂部體區(qū)M (S卩，圖1中的溝道區(qū)40)的P型雜質(zhì)濃度的峰值。并且， 圖19圖示了對溝槽凹槽深度Hl進行各種變化而制造絕緣柵雙極性晶體管時的、絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓。如圖18所示，在溝槽凹槽深度Hl小于0. 2 μ m的區(qū)間內(nèi)曲線圖的斜率較大，而溝槽凹槽深度Hl大于等于0. 2 μ m的區(qū)間內(nèi)曲線圖的斜率變小。因此，在圖19中，在溝槽凹槽深度Hl小于0.2μπι的區(qū)間內(nèi)曲線圖的斜率約為-6. 3V/ym，相對于此，在溝槽凹槽深度Hl大于等于0. 2 μ m的區(qū)間內(nèi)曲線圖的斜率約為-0. 39V/ μ m。S卩，以 0. 2 μ m的溝槽凹槽深度Hl為界，曲線圖的斜率急劇變化。如上述說明中所述，當溝槽凹槽深度Hl大于等于0. 2 μ m時，即使產(chǎn)生溝槽凹槽深度Hl上的誤差，溝道40的P型雜質(zhì)濃度上也不易產(chǎn)生誤差。因此，不易產(chǎn)生柵極閾值電壓的誤差。如上文所述，在本實施例的制造方法中，將溝槽凹槽深度Hl設(shè)為約0. 3 μ m。所以， 根據(jù)本實施例的制造方法，能夠在抑制柵極閾值電壓的誤差的同時，制造絕緣柵雙極性晶體管10。而且，如圖19所示，由于將溝槽凹槽深度Hl設(shè)為大于等于0. 3 μ m時曲線圖的斜率大致固定，故為優(yōu)選。并且，上述的柵極閾值電壓的誤差還根據(jù)相對于半導體晶片70的離子注入角度而發(fā)生變化。當溝槽35的壁面不與離子注入方向平行時，在溝槽35的右側(cè)(圖1中的右側(cè))和溝槽35的左側(cè)(圖1中的左側(cè))所注入的雜質(zhì)的分布將不同(不對稱)。當溝槽 35的右側(cè)和左側(cè)在雜質(zhì)的分布上存在不同時，將導致柵極閾值電壓的誤差。因此，在離子注入工序中，優(yōu)選將離子注入方向與溝槽35的壁面設(shè)為平行。
另一方面，當向半導體晶片70進行離子注入時，需要以不產(chǎn)生溝道效應(yīng)的角度進行離子注入。溝道效應(yīng)的產(chǎn)生量根據(jù)傾斜角θ 1的中心軸82與半導體晶片70的001晶體取向之間的角度θ 2(參照圖15;以下，稱為扭轉(zhuǎn)角θ 2)、和傾斜角θ 1的雙方而發(fā)生變化。 一般來說，傾斜角Θ1為7°左右時，不易產(chǎn)生溝道效應(yīng)。但是，傾斜角θ 1是根據(jù)需要而被適當改變的。另一方面，扭轉(zhuǎn)角θ 2為45°、或者225°時，不易產(chǎn)生溝道效應(yīng)。而且，當將扭轉(zhuǎn)角θ 2設(shè)為45°、或者225°時，中心軸82與011晶體取向相一致。所以，在離子注入工序中，優(yōu)選為，以離子注入方向與溝槽35的壁面平行，并且中心軸82與011晶體取向相一致的位置關(guān)系來實施離子注入。在本實施例的制造方法中， 半導體晶片70的上表面70a為100面，以與011晶體取向相一致的中心軸82為中心設(shè)置 7.1°的傾斜角而進行離子注入。因此，防止了溝道效應(yīng)。此外，溝槽35被形成為，在半導體晶片70的上表面70a(即，100面)上相對于011晶體取向垂直地延伸。所以，離子注入方向80與溝槽35的壁面平行。所以，在溝槽35的兩側(cè)以大致相等的分布而注入雜質(zhì)。由此，進一步抑制了柵極閾值電壓的誤差。圖20中的曲線圖El表示將傾斜角Θ1設(shè)為7.1°，將扭轉(zhuǎn)角Θ2設(shè)為45°，并對溝槽凹槽深度Hl進行各種變動來制造絕緣柵雙極性晶體管時的、絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓的變化。圖20中的曲線圖E2表示將傾斜角θ 1設(shè)為7.1°，將扭轉(zhuǎn)角θ 2設(shè)為135°，并對溝槽凹槽深度Hl進行各種變動來制造絕緣柵雙極性晶體管時的、絕緣柵雙極性晶體管的柵極閾值電壓的變化。如圖20所示，在曲線圖El中，與曲線圖Ε2相比斜率變小。由此可以看出，通過使溝槽35的壁面與離子注入方向80平行，并且以不易產(chǎn)生溝道效應(yīng)的角度進行離子注入，從而能夠進一步減少由溝槽凹槽深度Hl引起的柵極閾值電壓的誤差。而且，在上述實施例中，將半導體晶片70的上表面70a設(shè)為了 100面。但是，也可以以下文所說明的方式來制造絕緣柵雙極性晶體管10。如圖21所示，在從晶錠92切割半導體晶片時，以將011晶體取向作為中心而使切割面與傾斜角θ 1傾斜相同的程度的方式， 來切割半導體晶片(圖21中的箭頭94表示相對于半導體晶片的上表面(切割面)的垂線方向)。以此種方式切割出的半導體晶片的上表面相對于100面以011晶體取向為中心而傾斜角度θ 1。在該半導體晶片的上表面上，形成相對于011晶體取向垂直延伸的溝槽35。 并且，相對于半導體晶片的上表面，垂直地進行離子注入。當以此種方式進行離子注入時， 溝槽35的壁面將與離子注入方向平行，并且，在離子注入方向與100晶體取向之間，形成以 Oll晶體取向為中心的角度Θ1。所以，在這種情況下，也能夠減少柵極閾值電壓的誤差。如上述說明中所述，通過采用本實施例的絕緣柵雙極性晶體管10的結(jié)構(gòu)、以及絕緣柵雙極性晶體管10的制造方法，從而在批量生產(chǎn)時，能夠抑制絕緣柵雙極性晶體管10的特性上產(chǎn)生制造誤差的現(xiàn)象。在實施這種技術(shù)時，能夠使通態(tài)電壓的制造誤差為現(xiàn)有技術(shù)的約1/10。并且，能夠使切換速度的誤差為現(xiàn)有技術(shù)的約1/10。而且，能夠使柵極閾值電壓的誤差為現(xiàn)有技術(shù)的約1/2。并且，能夠使飽和電流的誤差為現(xiàn)有技術(shù)的約1/2。在本說明書或附圖中所說明的技術(shù)要素為，以單獨或各種組合的形式而發(fā)揮技術(shù)上的有用性的要素，其不限定于申請時權(quán)利要求中所記載的組合。并且，在本說明書或附圖中所例示的技術(shù)為，可以同時達成多個目的的技術(shù)，且達成其中一個目的本身也具有技術(shù)上的有用性。.
權(quán)利要求
1.一種垂直型的絕緣柵雙極性晶體管，其特征在于，具備 第1導電型的發(fā)射區(qū)；第2導電型的體區(qū)，其相對于所述發(fā)射區(qū)在較深的位置處鄰接于所述發(fā)射區(qū)； 第1導電型的漂移區(qū)，其相對于所述體區(qū)在較深的位置處鄰接于所述體區(qū)，并通過所述體區(qū)而與所述發(fā)射區(qū)分離；第2導電型的集電區(qū)，其相對于所述漂移區(qū)在較深的位置處鄰接于所述漂移區(qū)，并通過所述漂移區(qū)而與所述體區(qū)分離；第1導電型的浮置區(qū)，其被形成于所述體區(qū)內(nèi)，并通過所述體區(qū)而與所述發(fā)射區(qū)以及所述漂移區(qū)分離；柵電極，其隔著絕緣膜而與將所述發(fā)射區(qū)和所述漂移區(qū)分離的范圍內(nèi)的所述體區(qū)對置，其中，在所述浮置區(qū)與其上側(cè)的所述體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度， 以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布，在所述浮置區(qū)與其下側(cè)的所述體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布，在所述浮置區(qū)與其上側(cè)的所述體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布，在所述浮置區(qū)與其下側(cè)的所述體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管，其特征在于，所述浮置區(qū)上側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度，以在深度方向上具有極大值的方式分布，且該極大值為所述浮置區(qū)上側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。
3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵雙極性晶體管，其特征在于，所述浮置區(qū)下側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度，以在深度方向上具有極大值的方式分布，且該極大值為所述浮置區(qū)下側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的絕緣柵雙極性晶體管，其特征在于，所述浮置區(qū)上側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值，高于所述浮置區(qū)下側(cè)的所述體區(qū)內(nèi)的第2導電型雜質(zhì)濃度的最大值。
5.一種垂直型的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其中，所述絕緣柵雙極性晶體管具備第1導電型的發(fā)射區(qū)；第2導電型的體區(qū)，其相對于所述發(fā)射區(qū)在較深的位置處鄰接于所述發(fā)射區(qū)； 第1導電型的漂移區(qū)，其相對于所述體區(qū)在較深的位置處鄰接于所述體區(qū)，并通過所述體區(qū)而與所述發(fā)射區(qū)分離；第2導電型的集電區(qū)，其相對于所述漂移區(qū)在較深的位置處鄰接于所述漂移區(qū)，并通過所述漂移區(qū)而與所述體區(qū)分離；第1導電型的浮置區(qū)，其被形成于所述體區(qū)內(nèi)，并通過所述體區(qū)而與所述發(fā)射區(qū)以及所述漂移區(qū)分離；柵電極，其隔著絕緣膜而與將所述發(fā)射區(qū)和所述漂移區(qū)分離的范圍內(nèi)的所述體區(qū)對置，所述制造方法的特征在于，具備頂部體區(qū)注入工序，向半導體基板中對應(yīng)于所述浮置區(qū)上側(cè)的所述體區(qū)的深度處注入第2導電型雜質(zhì)；底部體區(qū)注入工序，向所述半導體基板中對應(yīng)于所述浮置區(qū)下側(cè)的所述體區(qū)的深度處注入第2導電型雜質(zhì)；浮置區(qū)注入工序，向所述半導體基板中對應(yīng)于所述浮置區(qū)的深度處注入第1導電型雜質(zhì)。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述頂部體區(qū)注入工序中，以高于所述底部體區(qū)注入工序中的濃度注入第2導電型雜質(zhì)。
7.如權(quán)利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，在所述頂部體區(qū)注入工序、所述底部體區(qū)注入工序以及所述浮置區(qū)注入工序之前，實施以下工序，即溝槽形成工序，在所述半導體基板的上表面上形成溝槽；氧化膜形成工序，通過熱處理而在所述溝槽的壁面上形成氧化膜；柵電極形成工序，在所述溝槽內(nèi)形成所述柵電極。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述柵電極形成工序中，將所述柵電極的上表面和所述半導體基板的上表面之間的深度方向上的距離設(shè)為大于等于0. 2 μ m。
9.如權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，在所述溝槽形成工序中，在所述半導體基板的上表面上形成相對于所述半導體基板的 011晶體取向垂直延伸的所述溝槽，在所述頂部體區(qū)注入工序、所述底部體區(qū)注入工序以及所述浮置區(qū)注入工序中，以將所述半導體基板的011晶體取向作為軸，而在雜質(zhì)注入方向與所述半導體基板的100晶體取向之間設(shè)置角度的方式，注入雜質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種即使產(chǎn)生雜質(zhì)濃度的制造誤差，通態(tài)電壓也不易產(chǎn)生誤差的絕緣柵雙極性晶體管及絕緣柵雙極性晶體管的制造方法。一種在第2導電型的體區(qū)內(nèi)形成有第1導電型的浮置區(qū)的垂直型絕緣柵雙極性晶體管，其中，在浮置區(qū)與其上側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布，在浮置區(qū)與其下側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第1導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布，在浮置區(qū)與其上側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于下降的方式分布，在浮置區(qū)與其下側(cè)的體區(qū)之間的邊界部附近的第2導電型雜質(zhì)濃度，以從上側(cè)到下側(cè)趨于上升的方式分布。
文檔編號H01L29/739GK102197487SQ20098014227
公開日2011年9月21日 申請日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月24日
發(fā)明者西脅剛, 齊藤順 申請人:豐田自動車株式會社