專利名稱：用于半導(dǎo)體芯片的復(fù)合襯底的制作方法
用于半導(dǎo)體芯片的復(fù)合襯底提出了一種復(fù)合襯底，其適于作為生長襯底或者支承體襯底，用于施加半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列。本專利申請要求德國專利申請102008057348. 5和102009007625. 5的優(yōu)先權(quán)，其
公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。例如硅襯底可以作為生長襯底用于基于氮化鎵的半導(dǎo)體層序列的生長。在此，硅 (在室溫下為2. 6*10_6/K)和GaN(在室溫下為4. 2*10_6/K)的不同的熱膨脹系數(shù)會在生長期間和之后引起半導(dǎo)體層序列和生長襯底的彎曲。其后果為半導(dǎo)體層序列的不均勻的晶體質(zhì)量和在半導(dǎo)體層序列中形成裂縫的危險提高。相同的問題會在將半導(dǎo)體層序列轉(zhuǎn)接合 (Umbonden)到由硅構(gòu)成的替代襯底上時出現(xiàn)。用于避免這些問題的措施涉及使用緩沖結(jié)構(gòu)，緩沖結(jié)構(gòu)在生長溫度的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體層序列的壓縮性張緊的生長，使得可以在冷卻至室溫時通過不同的熱膨脹系數(shù)而補(bǔ)償壓縮性的張緊并且僅僅構(gòu)建半導(dǎo)體層序列的小的拉伸性張緊。緩沖結(jié)構(gòu)例如可以由 AIN/AWaN/GaN的層序列形成。然而，帶有這種緩沖結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層序列的缺點尤其是在制成的半導(dǎo)體芯片中的減小的垂直導(dǎo)電能力和橫向?qū)щ娔芰ΑＲ虼?，一個要解決的任務(wù)在于提出一種復(fù)合襯底，其能夠?qū)崿F(xiàn)具有改進(jìn)的電學(xué)特性的半導(dǎo)體芯片。該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1所述或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合襯底來解決。此外，一個要解決的任務(wù)在于，提出一種具有改進(jìn)的電學(xué)特性的光電子半導(dǎo)體芯片。該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求13所述或者根據(jù)權(quán)利要求14所述的光電子半導(dǎo)體芯片來解決。復(fù)合襯底以及光電子半導(dǎo)體芯片的有利的擴(kuò)展方案和解決方案在相應(yīng)的從屬權(quán)利要求中予以說明。根據(jù)一個優(yōu)選實施形式，復(fù)合襯底包括包含半導(dǎo)體材料的第一蓋層、第二蓋層和設(shè)置在第一蓋層和第二蓋層之間的芯層，其中芯層具有比蓋層更大的熱膨脹系數(shù)。復(fù)合襯底的層有利地材料配合和形狀配合地彼此連接。本發(fā)明基于如下基本構(gòu)思在具有帶有與蓋層不同的熱膨脹系數(shù)的芯層的復(fù)合襯底的情況下，可以在總和上實現(xiàn)如下熱膨脹系數(shù)，該熱膨脹系數(shù)比由第一蓋層的材料構(gòu)成的襯底更好地與半導(dǎo)體層序列的熱膨脹系數(shù)匹配。如果半導(dǎo)體層序列具有比傳統(tǒng)使用的生長襯底或支承體襯底更大的熱膨脹系數(shù)， 則有利的是為襯底設(shè)置有如下芯層，該芯層具有比傳統(tǒng)的生長襯底或支承體襯底更大的熱膨脹系數(shù)，以便于是實現(xiàn)如下復(fù)合襯底，該復(fù)合襯底比傳統(tǒng)的生長襯底或支承體襯底更好地與半導(dǎo)體層序列的熱膨脹系數(shù)匹配。然而也可能的是，半導(dǎo)體層序列具有比傳統(tǒng)使用的生長襯底或支承體襯底更小的熱膨脹系數(shù)。在該情況下，生長襯底或支承體襯底有利地設(shè)置有如下芯層，該芯層具有比傳統(tǒng)的生長襯底或支承體襯底更小的熱膨脹系數(shù)，以便于是同樣實現(xiàn)如下復(fù)合襯底，該復(fù)合襯底比傳統(tǒng)的生長襯底或支承體襯底更好地與半導(dǎo)體層序列的熱膨脹系數(shù)匹配。根據(jù)復(fù)合襯底的一個優(yōu)選擴(kuò)展方案，蓋層和芯層通過共晶連接來保持在一起。有利地，共晶連接保證了復(fù)合襯底的穩(wěn)定的溫度特性，使得既不用在半導(dǎo)體層序列的生長和轉(zhuǎn)接合時又不用在冷卻至室溫時擔(dān)心復(fù)合襯底損壞。尤其是，共晶連接具有比在半導(dǎo)體層序列的生長和轉(zhuǎn)接合時出現(xiàn)的溫度更高的共晶溫度。優(yōu)選地，共晶連接具有大于1100°C的共晶溫度。這尤其在半導(dǎo)體層序列生長時占優(yōu)勢的生長溫度方面是有利的，該生長溫度可以為直至1200°c。在復(fù)合襯底的一個優(yōu)選改進(jìn)方案中，包含半導(dǎo)體材料的第一蓋層是用于生長半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列的生長層。由此，可以通過第一蓋層確定在半導(dǎo)體層序列中所需的長距有序O^rnordrumg)。有利地，通過選擇適于生長半導(dǎo)體層序列的第一蓋層并非自動確定膨脹特性。更確切地說，可以通過恰當(dāng)?shù)剡x擇芯層來改進(jìn)復(fù)合襯底的膨脹特性。適于第一蓋層的材料尤其是硅。在這種蓋層上可以有利地生長有基于GaN的半導(dǎo)體層序列。由于硅的電學(xué)特性和熱學(xué)特性，該材料也適于作為用于薄膜半導(dǎo)體芯片的替代襯底。芯層優(yōu)選地包含金屬或者金屬化合物。通常，金屬或者金屬化合物具有比半導(dǎo)體材料更高的熱膨脹系數(shù)。由此，可以在如下復(fù)合襯底中在總和上實現(xiàn)比第一蓋層的熱膨脹系數(shù)更大的熱膨脹系數(shù)，該復(fù)合襯底具有包含金屬或者金屬化合物的芯層以及包含半導(dǎo)體材料的蓋層。根據(jù)一個有利的變型方案，將來自過渡金屬、尤其難熔金屬的金屬用于芯層。芯層尤其可以包含鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、釕、錸、鋨、銥、鈦、鐵、鈷、鈧、釔、鉺、銩、镥、鋱、 鏑或者鈥。這些材料一方面可以滿足在共晶連接的高溫度穩(wěn)定性方面的要求。另一方面， 這些材料具有相對小的蒸汽壓，使得可以避免半導(dǎo)體層序列的所不希望的摻雜。有利地，第二蓋層具有與第一蓋層對應(yīng)的熱膨脹系數(shù)。以該方式，可以阻止復(fù)合襯底的彎曲。因為如果僅僅使用具有不同的熱膨脹系數(shù)的第一蓋層和芯層，則這等同為雙金屬并且將導(dǎo)致復(fù)合襯底彎曲。第二蓋層優(yōu)選地包含半導(dǎo)體材料或者陶瓷材料。特別優(yōu)選地，第二蓋層包含硅、碳化硅或者氮化鋁。根據(jù)一個優(yōu)選的實施形式，復(fù)合襯底具有比蓋層更大的熱膨脹系數(shù)。這尤其在設(shè)計用于生長半導(dǎo)體層序列的第一蓋層具有比半導(dǎo)體層序列更小的熱膨脹系數(shù)時是特別有利的。于是，復(fù)合襯底在總體上與僅僅由第一蓋層的材料形成的生長襯底相比在熱學(xué)上更好地與半導(dǎo)體層序列匹配。根據(jù)一個可替選的實施形式，復(fù)合襯底具有比蓋層更小的熱膨脹系數(shù)。這尤其在設(shè)計用于生長半導(dǎo)體層序列的第一蓋層具有比半導(dǎo)體層序列更大的熱膨脹系數(shù)時是特別有利的。于是，復(fù)合襯底在總體上與僅僅由第一蓋層的材料形成的生長襯底相比在熱學(xué)上更好地與半導(dǎo)體層序列匹配。復(fù)合襯底并不確定到確定數(shù)目的蓋層或芯層上。尤其是，在第二蓋層之后在背離芯層的側(cè)上可以設(shè)置有至少一個另外的芯層和至少一個另外的蓋層。光電子半導(dǎo)體芯片的一個優(yōu)選實施形式包括對應(yīng)于上面提及的擴(kuò)展方案的復(fù)合襯底以及半導(dǎo)體層序列，該半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底的第一蓋層上并且具有比第一蓋層更大的熱膨脹系數(shù)。因為復(fù)合襯底優(yōu)選地包括如下芯層，該芯層的熱膨脹系數(shù)比第一蓋層的熱膨脹系數(shù)更大，所以復(fù)合襯底在總和上具有比第一蓋層更大的熱膨脹系數(shù)并且由此當(dāng)半導(dǎo)體層序列具有比第一蓋層更大的熱膨脹系數(shù)時，復(fù)合襯底與僅僅由第一蓋層的材料形成的襯底相比在熱學(xué)上更好地與半導(dǎo)體層序列匹配。然而，如果半導(dǎo)體層序列具有比第一蓋層更小的熱膨脹系數(shù)，則有利地使用如下復(fù)合襯底，該復(fù)合襯底具有比第一蓋層更小的熱膨脹系數(shù)。尤其是，這種光電子半導(dǎo)體芯片包括對應(yīng)于上面提及的擴(kuò)展方案的復(fù)合襯底以及半導(dǎo)體層序列，該半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底的第一蓋層上并且具有比第一蓋層更小的熱膨脹系數(shù)。根據(jù)半導(dǎo)體芯片的一個優(yōu)選擴(kuò)展方案，半導(dǎo)體層序列和復(fù)合襯底的熱膨脹系數(shù)的差別比半導(dǎo)體層序列和第一蓋層的熱膨脹系數(shù)的差別大很少。半導(dǎo)體層序列可以在復(fù)合襯底的第一蓋層上生長。可替選地，半導(dǎo)體層序列可以在與復(fù)合襯底不同的生長襯底上生長。所使用的生長襯底優(yōu)選地遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層序列或者至少強(qiáng)烈薄化。可替選地，半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底上。以該方式制造的半導(dǎo)體芯片稱為薄膜半導(dǎo)體芯片。薄膜半導(dǎo)體芯片很近似于朗伯特表面輻射器并且因此特別良好地適于應(yīng)用在大燈中。半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列優(yōu)選地包含基于氮化物的半導(dǎo)體材料。這意味著， 半導(dǎo)體層序列或者其中至少一個層尤其包括AlnG^Jni_n_mN，其中0 < η < 1、0 < m < 1且 n+m^ I0在此，該材料不必一定具有根據(jù)上式的在數(shù)學(xué)上精確的組分。更確切地說，該材料可以具有一種或多種摻雜材料以及附加的組成部分，其基本上不改變AlnGamIni_n_mN材料的物理特性。然而，出于簡單性原因，上式僅僅包含晶格的主要組成部分(Al、fe、In、N)，即使這些組成部分可以部分地通過少量另外的材料來替代。根據(jù)一個優(yōu)選的變型方案，光電子半導(dǎo)體芯片是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片具有帶有Pn結(jié)的有源區(qū)，用于產(chǎn)生輻射。在最簡單的情況下，該pn結(jié)可以借助于直接彼此鄰接的P導(dǎo)電的半導(dǎo)體層和η導(dǎo)電的半導(dǎo)體層來形成。優(yōu)選地，在P導(dǎo)電的層和η導(dǎo)電的層之間構(gòu)建有產(chǎn)生實際輻射的結(jié)構(gòu)，如摻雜或未摻雜的量子結(jié)構(gòu)的形式的結(jié)構(gòu)。量子結(jié)構(gòu)可以構(gòu)建為單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW，Single Quantum Well)或多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW，Multiple Quantum Well)或者量子線或量子點結(jié)構(gòu)。有源區(qū)尤其包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。另外的優(yōu)點和有利的擴(kuò)展方案從下面結(jié)合

圖1至8的闡述中得出。其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合襯底的透視圖，圖2至4示出了不同的材料系的相圖，圖5至7為示出了不同材料系的熱膨脹系數(shù)的溫度相關(guān)性的曲線圖，圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的光電子半導(dǎo)體芯片的示意性橫截面。在實施例和附圖中，相同的或者作用相同的組成部分設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。圖1示出了復(fù)合襯底1的一個優(yōu)選實施形式。復(fù)合襯底1具有第一蓋層2、芯層3 和第二蓋層4。芯層3設(shè)置在兩個蓋層2、4之間。優(yōu)選地，第一蓋層包含半導(dǎo)體材料。此外，芯層3可以具有比蓋層2、4更大的熱膨脹系數(shù)。尤其是，蓋層2、4包含硅，而芯層3包 3 ^riM ο
例如，蓋層2、4可以由硅片形成。可以將金屬板用于芯層3。由鉭或者鉬構(gòu)成的板尤其為廉價的變型方案。此外，這些材料形與硅片達(dá)到穩(wěn)定連接。板放置在兩個硅片之間并且與這兩個硅片擠壓在一起，用于制造復(fù)合襯底1。該擠壓優(yōu)選地在壓力在0. IMpa到IMpa的范圍中的情況下進(jìn)行。在最終溫度下，有利的擠壓時間在Is到5min之間。此外，在擠壓時，尤其存在共晶溫度以上的溫度。然而不必要的是，實現(xiàn)帶有伴隨其的熔融物形成的共晶溫度，以便接合復(fù)合結(jié)構(gòu)。 更確切地說，擴(kuò)散過程和硅化物形成在較低的溫度的情況下也可以實現(xiàn)想要得到的持續(xù)性連接。在此，接合溫度優(yōu)選地為最高的生長溫度或者接合溫度(Bondtemperatur)，其在半導(dǎo)體層序列的生長或者轉(zhuǎn)接合時出現(xiàn)。由此可以減小由于出現(xiàn)拉伸張力而損壞硅片的危險。 此外，接合壓力優(yōu)選地選擇得與在接合溫度在共晶溫度以上的情況下相比更高。接合壓力尤其在IMpa到IOOMpa的范圍中。此外，接合時間優(yōu)選地延長并且在5min到500min之間。優(yōu)選地，擠壓過程在由氬氣、氮?dú)饣蛘咂渌栊詺怏w構(gòu)成的惰性氣體氣氛中進(jìn)行。 在擠壓之前，氣氛壓力可以降至20mbar以下。有利地，在擠壓之前清潔硅片的表面和金屬板的表面。在此，表面沒有涂層，尤其是氧化物層。清潔可以在復(fù)合物的擠壓之前通過濕化學(xué)方法或者干化學(xué)方法來進(jìn)行。硅片和金屬板可以共同或者獨(dú)立地來處理。可替選地，清潔可以在接合處理期間進(jìn)行。例如，可以通過添加氫來提供有助于減小表面的氣氛。在此要注意的是，并不出現(xiàn)氫脆
化 (WasserstoffversprSduiig )。此夕卜，通過選擇區(qū)熔融硅
(Zonenschmelz-Silizium)替代 Czochralski 硅可以明顯提高剩余氧化物(Restoxiden)在硅中的可溶性。在圖2中所示的相圖示出了兩材料系Si-Mo的溫度特性。在縱坐標(biāo)上繪出了溫度T[°C ]。在下方的橫坐標(biāo)上根據(jù)硅比例繪出了兩材料系Si-Mo中的鉬和硅的物質(zhì)量比例]。在上方的橫坐標(biāo)上根據(jù)硅比例繪出了兩材料系Si-Mo中的鉬和硅的質(zhì)量比例 ff[% ]。在通過L表示的區(qū)域中，化合物是液態(tài)的。當(dāng)硅被加熱至1400°C時(參照A = 98.3%)，可以實現(xiàn)固態(tài)的共晶化合物。在此，在壓力下形成固態(tài)的MoSi2。有利地，該具有 1400°C的共晶溫度的化合物相對于通常的生長溫度和結(jié)合溫度是穩(wěn)定的。兩材料系Si-Ta (參照圖3)表現(xiàn)出與結(jié)合圖2所闡述的兩材料系Si-Mo相似的溫度特性。當(dāng)硅被加熱至1400°C時(參照A = 99% )，在此也可以實現(xiàn)固態(tài)的共晶化合物。 在壓力下形成固態(tài)的TaSi2?；衔锞哂?400°C的共晶溫度。不僅在Si-Mo的情況下而且在Si-Ta的情況下，通過相應(yīng)的金屬造成的污染風(fēng)險是相對小的。因為Mo的蒸汽壓在1592 °C的情況下僅僅為10_8托(Torr)，Ta的蒸汽壓在 1957°C的情況下同樣僅僅為10_8托。圖4所示的兩材料系Si-Ti情況并非如此。在此，雖然僅僅需要將硅加熱至 1330°C，以便構(gòu)建固態(tài)TiSi2。然而，蒸汽壓在1227°C的情況下已經(jīng)為10_6托。由此，在該兩材料系情況下的污染風(fēng)險大于Si-Mo或者Si-Ta的情況?？傊梢哉f兩材料系Si-Mo、Si-Ta和Si-Ti由于其在通常的生長溫度和結(jié)合溫度之上的高共晶溫度而適于在根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合襯底中使用。相應(yīng)地，復(fù)合襯底可以具有由硅構(gòu)成的第一蓋層和第二蓋層以及由鉬、鉭或者鈦構(gòu)成的芯層。從圖5的視圖中得出材料GaN、Si、Ta和Mo的熱膨脹系數(shù)α [10_6/Κ]的溫度相關(guān)性。在所示的溫度范圍300°C彡T ( 1500°C中，GaN具有比Si顯著更大的熱膨脹系數(shù)α。 Ta又具有比GaN顯著更大的熱膨脹系數(shù)α。相反，Mo的熱膨脹系數(shù)α至少局部地與GaN 的熱膨脹系數(shù)α近似，這就是說Mo的膨脹特性比Ta的膨脹特性更類似于GaN的膨脹特性。該認(rèn)識在圖6至8的曲線圖中反映出來。在這些曲線圖中示出了不同的復(fù)合襯底的熱膨脹系數(shù)α，其中所示的曲線為仿真的結(jié)果。在圖6的情況中，復(fù)合襯底由Si構(gòu)成的第一蓋層和第二蓋層形成，第一蓋層和第二蓋層分別具有500 μ m的厚度。芯層包含Mo，其中厚度為50 μ m、100 μ m、200 μ m或者 300 μ m。根據(jù)芯層的厚度得出針對復(fù)合襯底的不同的熱膨脹系數(shù)α。一般性地適用熱膨脹系數(shù)α隨著上升的溫度T增加。此外，在圖6中可看到的是在較高的溫度下，復(fù)合襯底的熱膨脹系數(shù)α隨著芯層的厚度增加而越來越近似于GaN的熱膨脹系數(shù)α。由此，這解釋為復(fù)合襯底的膨脹特性在芯層的厚度增加的情況下越來越多地通過芯層而越來越少地通過蓋層來確定。因為Mo的溫度特性比較接近GaN的溫度特性，如已經(jīng)結(jié)合圖5的曲線圖所闡述的那樣，所以在具有由Mo構(gòu)成的芯層的復(fù)合襯底的情況下也可以實現(xiàn)接近GaN的溫度特性的溫度特性。與具有由Mo構(gòu)成的芯層的復(fù)合襯底相比，具有由Ta構(gòu)成的芯層的復(fù)合襯底的溫度特性強(qiáng)烈地不同于GaN的溫度特性(參照圖7)?；趫D7的復(fù)合襯底具有分別帶有 500 μ m的厚度的由Si構(gòu)成的第一蓋層和第二蓋層以及由Ta構(gòu)成的芯層，其厚度為50 μ m、 100 μ m、200 μ m或者300 μ m。在圖中也可看到的是在較高的溫度的情況下，復(fù)合襯底的熱膨脹系數(shù)α隨著芯層的厚度增加而越來越近似于GaN的熱膨脹系數(shù)α，這由此可以解釋為在芯層的厚度增加的情況下，復(fù)合襯底的膨脹特性越來越多地通過芯層而越來越少地通過蓋層來確定。圖8示出了光電子半導(dǎo)體芯片6，其具有如圖1中所示的復(fù)合襯底1和半導(dǎo)體層序列5，該半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底1的第一蓋層2上。半導(dǎo)體層序列5可以生長到第一蓋層2上或者在薄膜處理中可替選地施加到復(fù)合襯底1的第一蓋層2上。半導(dǎo)體層序列5具有第一導(dǎo)電類型的區(qū)域5Α和第二導(dǎo)電類型的區(qū)域5Β，其中在兩個區(qū)域5Α、5Β之間構(gòu)建有有源區(qū)5C。在有源區(qū)5C中優(yōu)選地產(chǎn)生輻射。有利地，半導(dǎo)體層序列5包含基于氮化物的半導(dǎo)體材料。復(fù)合襯底1有利地具有如下熱膨脹系數(shù)，該熱膨脹系數(shù)與在僅僅由第一蓋層2的材料形成襯底的情況下的熱膨脹系數(shù)相比更好地與半導(dǎo)體層序列5的熱膨脹系數(shù)匹配。基于復(fù)合襯底1的改進(jìn)的膨脹特性可以實現(xiàn)半導(dǎo)體層序列5的更均勻的晶體質(zhì)量。此外，可以減小在半導(dǎo)體層序列5中形成裂縫的危險。由此可以省去緩沖結(jié)構(gòu)，這又對半導(dǎo)體芯片6中的垂直導(dǎo)電能力和橫向?qū)щ娔芰τ姓嬗绊?。本發(fā)明不通過借助于實施例的描述而受限。更確切地說，本發(fā)明包括任意新特征以及特征的任意組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身在權(quán)利要求或者實施例中未予以明確說明。
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權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體芯片(6)的復(fù)合襯底(1)，其具有 -第一蓋層O)，該第一蓋層包含半導(dǎo)體材料，-第二蓋層⑷，以及-芯層(3)，該芯層設(shè)置在第一蓋層(2)和第二蓋層(4)之間，其中芯層(3)具有比蓋層(2，4)更大的熱膨脹系數(shù)。
2.一種用于半導(dǎo)體芯片(6)的復(fù)合襯底(1)，其具有 -第一蓋層O)，該第一蓋層包含半導(dǎo)體材料，-第二蓋層，以及-芯層(3)，該芯層設(shè)置在第一蓋層(2)和第二蓋層(4)之間，其中芯層(3)具有比蓋層(2，4)更小的熱膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中第二蓋層(4)包含半導(dǎo)體材料或者陶瓷材料。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中第二蓋層(4)包含Si、SiC或者A1N。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中在第二蓋層(4)之后在背離芯層 (3)的側(cè)上設(shè)置有至少一個另外的芯層和至少一個另外的蓋層。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中蓋層(2，4)和芯層C3)通過共晶連接來保持在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合襯底(1)，其中共晶連接具有大于1100°C的共晶溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7之一所述的復(fù)合襯底(1)，其具有比蓋層(2，4)更小的熱膨脹系數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或者引用權(quán)利要求1的權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中芯層C3)包含金屬或者金屬化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或者引用權(quán)利要求1的權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中第一蓋層( 包含硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或者引用權(quán)利要求1的權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其中芯層C3)包含以下材料的至少一種鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、釕、錸、鋨、銥、鈦、鐵、鈷、鈧、 釔、鉺、銩、镥、鋱、鏑、鈥。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或者引用權(quán)利要求1的權(quán)利要求之一所述的復(fù)合襯底(1)，其具有比蓋層(2，4)更大的熱膨脹系數(shù)。
13.一種光電子半導(dǎo)體芯片(6)，其具有-根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求9至12之一所述的復(fù)合襯底(1)， -半導(dǎo)體層序列(5)，該半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底(1)的第一蓋層( 上并且具有比第一蓋層( 更大的熱膨脹系數(shù)。
14.一種光電子半導(dǎo)體芯片(6)，其具有-根據(jù)權(quán)利要求2至8之一所述的復(fù)合襯底(1)，-半導(dǎo)體層序列(5)，該半導(dǎo)體層序列設(shè)置在復(fù)合襯底(1)的第一蓋層( 上并且具有比第一蓋層( 更小的熱膨脹系數(shù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的光電子半導(dǎo)體芯片(6)，其中半導(dǎo)體層序列(5)和復(fù)合襯底(1)的熱膨脹系數(shù)的差別比半導(dǎo)體層序列( 和第一蓋層( 的熱膨脹系數(shù)的差別大很少。
全文摘要
提出了一種用于半導(dǎo)體芯片(6)的復(fù)合襯底(1)。復(fù)合襯底(1)包括包含半導(dǎo)體材料的第一蓋層(2)、第二蓋層(4)和設(shè)置在第一蓋層(2)和第二蓋層(4)之間的芯層(3)，其中芯層(3)具有比蓋層(2，4)大的熱膨脹系數(shù)。此外，提出了一種帶有這種復(fù)合襯底(1)的光電子半導(dǎo)體芯片(6)。
文檔編號H01L21/20GK102217035SQ200980146078
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者于爾根·莫斯布格爾, 安德烈亞斯·普洛斯?fàn)? 彼得·施陶斯 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司