專利名稱：多行引線框架的結(jié)構(gòu)及其半導體封裝及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多行引線框架的結(jié)構(gòu)及其半導體封裝及其制造方法，更具體的是涉及一種技術(shù)，其能夠在電鍍圖形頂面上形成保護圖形，以防止引線框架圖形形成過程中刻蝕溶液對電鍍層造成損害從而提高產(chǎn)品可靠性，并且能夠通過省略掉常規(guī)制造工序中去除電鍍毛刺(plating burr)的步驟來縮短制造工序并降低材料損失成本。
背景技術(shù)：
一般而言，半導體芯片封裝單獨無法從外部接收電力來發(fā)送或接收電信號，使得必須對半導體芯片進行封裝，從而允許該半導體芯片從外部接收電信號及向外部發(fā)送電信號。近來，出于減少芯片尺寸、發(fā)熱率以及改善電性能、提高穩(wěn)定性及制造成本方面的考慮，利用多種部件以多種配置來制造半導體芯片封裝，所述部件例如引線框架、印刷電路板和薄膜電路。隨著近來半導體芯片朝更高集成度和更快處理速度的發(fā)展而來的是，必須增加半導體芯片與外部電路基板之間的輸入/輸出端(電引線)數(shù)量。為此，由裝有分別將芯片與外部電路相連的兩行或多行引線的多行引線框架構(gòu)成的半導體芯片封裝備受關(guān)注。圖1表示了根據(jù)韓國專利特許公開第10-2008-00387121中公開的現(xiàn)有技術(shù)的制造半導體器件的實例。根據(jù)常規(guī)半導體封裝工序的次序，在由銅、銅合金或鐵鎳合金(例如42合金)構(gòu)成的引線框架材料10全部正、反表面上涂覆了光刻膠膜11之后，使該光刻膠膜11曝光而具有預(yù)定的引線圖形，然后顯影，從而形成了電鍍掩模的刻蝕圖形12。然后，使引線框架材料10整體電鍍，如果去除了光刻膠膜11，則在正、反表面上形成了電鍍掩模13、14(參見圖 1(a)到圖 1(d))。隨后，在將整個底面(即反面?zhèn)?涂覆了另一光刻膠膜15之后，利用電鍍掩模13 作為光刻膠掩模，使頂面?zhèn)?即正面?zhèn)?半刻蝕。在這種情況下，因為引線材料10表面覆蓋有電鍍掩模13的部分未被刻蝕，所以由于光刻膠膜最終突出而預(yù)先形成了元件安放部分16和引線焊接部分17。應(yīng)當注意，元件安放部分16與引線接合部分17的表面覆蓋有電鍍掩模13 (參見圖1(e)和(f))。接著，在去除了底面?zhèn)壬系墓饪棠z膜15之后，將半導體元件18安放在元件安放部分16上，并且將半導體元件18的電極極板部分與引線接合部分17引線接合在一起，將半導體元件18、焊線20和引線接合部分17樹脂封裝。附圖標記21表示了封裝樹脂(參見圖 1 的(g)和(h))。隨后，使反面?zhèn)劝肟涛g。此時，引線框架材料10形成電鍍掩模14的部分仍未被刻蝕，這是因為該電鍍掩模14起到光刻膠掩模的作用。因此，外部連接端部分22和元件安放部分16的反面突出。因為外部連接端部分22與引線接合部分17相連通，所以各個外部連接端22 (以及與其相連通的引線接合部分17)獨立于半導體元件18的各個電極極板部分，并且與這些電極極板部分電連接。因為這些半導體器件23 —般是網(wǎng)格形排列并且同時制造的，所以將它們切割成小塊并且剝離開，由此制造出單個的半導體器件23(參見圖1的 ⑴和(j))。然而，在上述常規(guī)半導體制造工序中的(e)步驟中，當使用頂面上的電鍍層13作為刻蝕掩模在引線框架材料部分10上進行刻蝕時，在刻蝕過程中會由于對引線框架材料頂面上的電鍍層的撞擊導致?lián)p壞，這種損壞會導致對引線接合和產(chǎn)品穩(wěn)定性的致命影響?，F(xiàn)在，參照圖2，該圖是根據(jù)上述工序的(g)步驟的電鍍圖形部分(A部分)的放大圖，其中圖2的(Al)表示了圖1中電鍍層17的常規(guī)結(jié)構(gòu)。S卩，如圖所示的用作常規(guī)電鍍掩模的電鍍掩模17常規(guī)上是通過在引線框架材料10頂面上提供例如鎳底涂層M，進而提供貴金屬鍍層25而形成的。然而，當利用電鍍圖形作為電鍍掩模進行刻蝕時，該貴金屬鍍層 25不會在刻蝕過程中被腐蝕，但是由銅或銅合金制成的引線框架材料10及鎳底涂層M會被刻蝕溶液腐蝕，如圖2 (A》和(??； )所示。因此，貴金屬鍍層25邊緣呈現(xiàn)薄片狀，并且粘附到每個引線接合部分17、元件安放部分16和外部連接端部分22的邊緣，由此形成電鍍毛刺26(電鍍薄片)。如果出現(xiàn)所述電鍍毛刺沈，該電鍍毛刺沈在引線接合步驟、樹脂封裝步驟(即模制步驟)等步驟中剝落，由此造成半導體器件缺陷，包括引線接合缺陷以及連接端之間的短路等。常規(guī)的半導體制造工序不可避免地產(chǎn)生電鍍毛刺，因此必須增加去毛刺和清洗步驟，以便增強可靠性。更具體地講，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導體封裝制造方法存在以下缺陷必須實施額外的步驟，在這些步驟中，將中間產(chǎn)品(即半刻蝕之后的產(chǎn)品)浸入具有刷子或超聲換能器的水槽中，以使電鍍毛刺剝落，隨之進行清洗步驟，由此使得該制造方法很不經(jīng)濟。另一個缺陷在于由于產(chǎn)生了電鍍毛刺，使得材料損失增加。再一個缺陷在于，將利用貴金屬的電鍍層用作刻蝕掩模，這又使得片料貴金屬的邊緣被電鍍，增加了材料成本。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況提出了本發(fā)明，其目的是提供多行引線框架的結(jié)構(gòu)及其半導體封裝及其制造方法，其能夠在電鍍圖形頂面上形成保護圖形，以防止引線框架圖形形成過程中刻蝕溶液對電鍍層造成損害從而提高產(chǎn)品可靠性，并且能夠通過省略掉常規(guī)制造工序中去除電鍍毛刺(plating burr)的步驟來縮短制造工序并降低材料損失成本。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種多行引線框架制造方法，其特征在于在引線框架材料上形成電鍍圖形(第一步)；在該電鍍圖形上形成保護圖形(第二步)；以及利用該保護圖形作為掩模形成納米圖形(第三步)，由此省去了現(xiàn)有技術(shù)的多行引線框架制造工序中所需的抑制或消除電鍍毛刺生成的附加步驟，從而簡化了制造工序并且降低了制造成本。在本發(fā)明的某些示例性實施例中，所述第一步可以包括在該引線框架材料的雙面或單面上涂覆光敏材料，曝光并顯影以形成引線框架圖形(a步驟)；以及在該引線框架圖形上實施電鍍(b步驟)，由此能夠預(yù)先防止在刻蝕過程中對引線框架材料最上部表面上的電鍍層的損害并且能夠增強該產(chǎn)品的可靠性。在本發(fā)明的某些示例性實施例中，第一步中形成電鍍圖形的工序所采用的材料可以使用鎳、鈀、金、錫、銀、鈷和銅中的一種的單合金或者雙合金或三合金，并且可以是單層或雙層的。在本發(fā)明的某些示例性實施例中，第一步優(yōu)選還包括在形成電鍍圖形之后剝離光敏材料的(C)步驟。在本發(fā)明的某些實施例中，在電鍍圖形的頂面形成保護圖形的第二步是通過在形成有電鍍圖形的引線框架材料的雙面或單面上涂覆光敏材料而利用光刻方法的步驟。更具體地講，第二步可以包括在引線框架材料的雙面上涂覆光敏材料，其中在引線框架材料頂面上對圖形進行曝光/顯影，以形成上部保護圖形，在引線框架材料的底面進行整體曝光，以形成下部保護圖形。在根據(jù)本發(fā)明的形成保護圖形過程中，在引線框架材料頂面上形成的上部保護圖形的寬度Tl比電鍍圖形的寬度T2寬，由此抑制或消除現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的電鍍毛刺或底切現(xiàn)象的發(fā)生。該保護圖形優(yōu)選可以形成為包圍電鍍圖形的頂部和側(cè)部的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的某些示例性實施例中，在引線框架材料上形成納米圖形的第三步是刻蝕引線框架除上部保護圖形部分之外的已曝光頂面的步驟。在本發(fā)明的某些示例性實施例中，該引線框架制造工序中，在第三步之后還包括剝離保護圖形的步驟。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種利用多行引線框架制造半導體封裝的方法，其特征在于在引線框架材料上形成電鍍圖形(第一步)；在電鍍圖形上形成保護圖形 (第二步)；利用保護圖形作為掩模形成納米圖形(第三步)；以及剝離保護圖形，和實施半導體芯片安放、引線接合和環(huán)氧樹脂模制，并且通過背面刻蝕完成半導體封裝。在根據(jù)本發(fā)明的引線框架形成工序過程中形成保護圖形時，優(yōu)選以形成在引線框架材料頂面上的上部保護圖形的寬度Tl比電鍍圖形的寬度T2寬的方式實施第二步。在根據(jù)本發(fā)明的引線框架制造方法中的多行引線框架的結(jié)構(gòu)可以包括在引線框架材料的頂面或底面上形成至少一個或多個納米圖形；以及在未形成有納米圖形的一個或多個部分上形成包括電鍍圖形的引線框架，其中在該電鍍圖形的頂面上形成光敏保護圖形。特別是，引線框架的上部圖形表面的寬度T3比電鍍圖形的寬度T2寬。當然，優(yōu)選在形成半導體封裝時剝離該保護圖形。在上述根據(jù)本發(fā)明的引線框架的制造方法中，引線框架片料的邊緣未形成有電鍍圖形，而是形成有已曝光結(jié)構(gòu)構(gòu)成的引線框架，由此節(jié)約了材料成本。該電鍍圖形可以采用鎳、鈀、金、錫、銀、鈷和銅中的一種的單合金或者雙合金或三合金，并且可以是單層或雙層的。本發(fā)明的有益效果是，在電鍍圖形頂面上形成了保護圖形，從而防止了引線框架圖形形成過程中刻蝕溶液對電鍍層造成損害，從而提高了產(chǎn)品可靠性。另一個有益效果是，省略掉了利用電鍍層作為刻蝕掩模時必須實施的去除電鍍毛刺的步驟，由此縮短了制造工序并降低了材料損失成本。再一個有益效果是，消除了涉及對用于制造引線框架的片料邊緣進行電鍍而帶來的不必要的材料成本增加的誘因，由此節(jié)約了制造成本。


圖1和2表示了說明根據(jù)常規(guī)技術(shù)的半導體封裝制造方法及其存在的問題的工序圖及概念圖；圖3和4表示了根據(jù)本發(fā)明的多行引線框架制造方法的工序流程；圖5和6是表示根據(jù)本發(fā)明的多行引線框架制造方法的概念圖；圖7和8是通過與現(xiàn)有技術(shù)進行比較說明根據(jù)本發(fā)明的制造工序重點的比較圖；圖9和10表示了根據(jù)本發(fā)明的利用多行引線框架制造半導體封裝的工藝流程圖和概念圖。
具體實施例方式以下將參照附圖具體說明多行引線框架的結(jié)構(gòu)及其半導體封裝及其制造方法的示例性實施例。為了清楚起見，與本公開有關(guān)的各技術(shù)領(lǐng)域中已知的技術(shù)資料未進行具體說明， 并非故意使之模糊。此外，考慮到本發(fā)明的構(gòu)造和使用，說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語和短語可以根據(jù)操作者的意圖或習慣用法被解釋或改變。因此，應(yīng)當根據(jù)整個說明書上下文來定義這些術(shù)語和短語。(示例性實施例)本發(fā)明的主題是，在多行引線框架的制造方法中，利用抗蝕劑膜涂覆引線框架材料的全部正、反表面，從而形成引線框架圖形，并且將光致抗蝕劑用作電鍍圖形的保護圖形，使得頂面上的電鍍層免受損害，由此增強產(chǎn)品可靠性?，F(xiàn)在，將參照附圖具體描述配置和操作。圖3和4表示了根據(jù)本發(fā)明的多行引線框架制造方法的工序流程。參照圖3，根據(jù)本發(fā)明的多行引線框架制造方法包括第一步，在引線框架材料上形成電鍍圖形(Si)；第二步，在電鍍圖形上形成保護圖形(S2)；以及第三步，利用保護圖形作為掩模形成納米圖形(S3)。當然，該方法還可以包括為半導體封裝剝離保護圖形的附加步驟(S4)。如圖4所示，在引線框架材料上形成電鍍圖形的第一步(Si)可以包括準備引線框架材料(Sll)，在引線框架材料上涂覆光敏材料(S12)，曝光并顯影以形成引線框架圖案 (S13)，以及剝離光致抗蝕劑而留下電鍍圖形(S14)。形成保護圖形的第二步(S》可以包括在形成有電鍍圖形的引線框架材料頂面上再次涂覆光致抗蝕劑(S21)，并且在引線框架頂面和底面上進行曝光，以形成各個圖形及整體曝光(S22)。然后，利用保護圖形作為掩模對引線框架頂面進行半刻蝕，以完成多行引線框架。 優(yōu)選在之后剝離該保護圖形。以下將參照圖5具體說明上述工序。首先，為了形成電鍍圖形準備引線框架材料IlO(Rl)。形成電鍍圖形步驟所采用的材料可以使用例如銅或銅合金或者鐵/鎳合金。接著，在引線框架材料110的頂面和底面上涂覆光敏材料120(似)。該光敏材料可以利用光致抗蝕劑(PR)、干膜抗蝕劑(DFR)、光致阻焊劑(PSR)等。此時，可以在引線框架材料110的雙面或單面上涂覆該光敏材料(PR、DFR、PSR)。本發(fā)明的本示例性實施例將圍繞在引線框架材料110的雙面上涂覆展開。然后，利用預(yù)定的引線框架作為掩模130使所涂覆的光敏材料曝光并顯影(R3、 R4)。在這種情況下，如R4所示，在引線框架材料110的頂面上形成電鍍掩模圖形120。接著，利用電鍍掩模圖形120作為掩模，實施單層或雙層電鍍步驟以形成多行引線框架(R5)。在電鍍之后剝離電鍍掩模圖案120從而形成了電鍍圖形140(R6)。用于電鍍的材料可以是鎳、鈀、金、錫、銀、鈷和銅中的一種的單合金或者雙合金或三合金，并且可以是單層或雙層的。隨后，在R7步驟中，實施上述步驟R6以形成用于形成引線圖形的納米圖形，并且在引線框架的頂面和底面上涂覆光敏材料。在引線框架的頂面上實施曝光/顯影，以形成用于形成刻蝕掩模的保護圖形，并且在底面上實施整體曝光。本工序步驟最重要的內(nèi)容是形成保護圖形，以防止刻蝕工序中對電鍍層的撞擊，從而保護電鍍圖形?，F(xiàn)在參照步驟R8，在引線框架材料110頂面上的電鍍圖形140上形成保護圖形 160，從而基于整體曝光對電鍍圖形140的底面提供整體保護。在步驟R9中，利用保護圖形作為掩模實施刻蝕，以形成納米圖形P1。然后，去除該保護圖形，以完成根據(jù)本發(fā)明的多行引線框架(RlO)?，F(xiàn)在，參照圖6說明改進的工序及其產(chǎn)生的優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的效果。在引線框架材料上形成電鍍圖形的工序基本上與圖5和6中所示的R1-R6相同?，F(xiàn)在，參照比較性工序，所示出的(A)工序是形成納米圖形的常規(guī)工序，(B)工序是根據(jù)本發(fā)明的形成納米圖形的工序。在(A)工序中，在引線框架材料110底面上涂覆光敏材料160(R7’)，利用頂面上形成的電鍍圖形作為刻蝕掩模形成納米圖形(R8’)。然后，在R9’步驟，剝離光敏材料從而形成引線框架。然而，如常規(guī)方法中那樣利用電鍍圖形作為刻蝕掩模形成納米圖形將產(chǎn)生電鍍毛刺，從而引起電鍍圖形的寬度變得比形成有電鍍圖形的引線框架的寬度大的問題。與之相比，參照根據(jù)本發(fā)明的(B)工序，在形成有電鍍圖形的引線框架材料的頂面和底面上涂覆光敏材料(R7)，并且通過曝光/顯影工序形成保護圖形160 (R8)。圖6的 R8工序中提出的上部保護圖形的結(jié)構(gòu)形狀與圖7的R8中提出的保護圖形160 (引線框架的上部保護圖形)的結(jié)構(gòu)形狀略有不同。即，顯而易見，保護圖形可以形成在電鍍圖形的頂面上，并且該保護圖形可以按照包覆電鍍圖形140頂面和側(cè)面的方式構(gòu)建，如圖7的R8所示。特別是，在(A)工序和(B)工序下方的附圖表示了主要部分的放大圖，電鍍圖案的一部分被放大了。參照該放大圖，保護圖案160的寬度Tl比電鍍圖形的寬度T2大。因此， 即使在所實施的刻蝕到達了保護圖形的底面的情況下，也可以實施刻蝕，使得形成有電鍍圖形的引線框架的圖形表面的寬度T3大于或等于電鍍圖形的寬度T2，由此產(chǎn)生了防止電鍍毛刺或底切現(xiàn)象的有益效果(即T3 = T2)。
特別是，將參照圖8說明本發(fā)明的另一個重點。圖8表示了根據(jù)本發(fā)明的形成引線框架時以片料(strip)為單位的形成工序。在引線框架材料上形成電鍍圖形的工序基本上與圖5和6中所示的R1-R6相同。圖(C)表示常規(guī)工序圖，而下部的附圖表示主要部分的放大圖Q’。圖(D)表示根據(jù)本發(fā)明的工序圖，而下部的附圖表示了 Q部分的放大圖。參照常規(guī)的(C)工序，在形成有電鍍圖形的引線框架材料底面上涂覆光敏材料 (R7’)，利用電鍍圖形作為刻蝕掩模形成納米圖形(R8’)，并且剝離底面上的光敏材料以完成引線框架(R9’)。然而，該工序不可避免的不得不對片料的邊緣(Q)進行電鍍操作。更具體地講，在利用引線框架頂面上的電鍍層作為刻蝕掩模的常規(guī)工序的情況下，在刻蝕工序過程中存在損壞頂面上的電鍍層的風險，由此會造成引線接合和產(chǎn)品可靠性的下降。此外，在利用電鍍層的常規(guī)方法中，使用貴金屬作為刻蝕掩模，如果僅電鍍了引線和芯片安裝區(qū)(die pad)部分，則在用于形成納米圖形的半刻蝕過程中，片料的整個邊緣被完全刻蝕，從而難以保持片料形狀，并且由于對片料邊緣進行的電鍍是必須包含在內(nèi)的區(qū)域Q’，因此對不必要部分進行的貴金屬電鍍不可避免地增大了材料成本。同時，參照(D)工序，通過在引線框架材料上涂覆用于形成保護圖形的光敏材料來形成保護圖形(R7、R8)，實施刻蝕以形成納米圖形，由此能夠省略對片料邊緣Q的電鍍。 因此，引線框架片料的邊緣Q并未形成有電鍍圖形，從而具有曝露的結(jié)構(gòu)。也就是說，本發(fā)明消除了常規(guī)工序中實施的在除引線和芯片安裝區(qū)部分之外的引線框架片料邊緣上實施貴金屬電鍍以防止片料邊緣部分被刻蝕的問題，從而能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)約材料成本的效果。此外，根據(jù)本發(fā)明，同時在頂面和底面上進行光敏抗蝕劑第二次涂覆能夠防止刻蝕過程中對頂面上的電鍍層的損害，由此增強產(chǎn)品可靠性。此外，能夠省略掉現(xiàn)有技術(shù)的多行引線框架制造方法中去除電鍍毛刺的附加工序，由此獲得減少工序成本的效果?，F(xiàn)在參照圖9和10，說明根據(jù)本發(fā)明的利用多行引線框架的半導體封裝的制造工序。如圖9所示，半導體封裝工序可以包括引線框架上的芯片安放(S5)，引線接合 (S6)，環(huán)氧樹脂模制(S7)以及在底面上刻蝕(S8)。參照圖10給出更詳細的闡述。在引線框架的芯片安裝區(qū)部分上安放半導體芯片170(R11)，利用導線180實施引線接合以將半導體芯片170與電鍍部分140連接(R12)，以及利用包含環(huán)氧樹脂等的材料實施模制以形成半導體封裝(R13)。還利用預(yù)定圖形P2對該半導體封裝的底面實施背面刻蝕以刻蝕該底面，由此在該底面上實施刻蝕工序，以形成獨立的輸入/輸出端，從而完成半導體封裝(R14)。前述說明書被認為足以使本領(lǐng)域技術(shù)人員實現(xiàn)本發(fā)明。盡管已經(jīng)具體描述了實現(xiàn)本發(fā)明的最佳實施方式，但是本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員會認識到權(quán)利要求所限定的各種可選的實施方式，包括上述的那些實施方式。本文中公開的示例性實施例不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，它們僅作為所能實現(xiàn)的本發(fā)明特定實施例的例證。
因此，功能上與本文中所述相等同的結(jié)構(gòu)和方法也在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)。實際上，除了本文中所示出并說明的實施例之外，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)前面的說明書可以顯而易見地得出本發(fā)明的各種變型，這些變型均在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。在電鍍圖形頂面上形成保護圖形以防止引線框架圖形形成過程中刻蝕溶液對電鍍層的損壞，從而提高產(chǎn)品可靠性。利用電鍍層作為刻蝕掩模時必須實施的去除電鍍毛刺的工序得以省略，由此縮短了制作工序并且降低了損失材料成本。已經(jīng)消除了涉及對用于制造引線框架的片料邊緣進行電鍍而帶來的不必要的材料成本增加的誘因，由此節(jié)約了制造成本。
權(quán)利要求
1.一種多行引線框架制造方法，其特征在于在引線框架材料上形成電鍍圖形(第一步)；在該電鍍圖形上形成保護圖形(第二步)；以及利用該保護圖形作為掩模形成納米圖形(第三步)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述在引線框架材料上形成電鍍圖形的第一步，其特征在于在該引線框架材料的雙面或單面上涂覆光敏材料，曝光并顯影以形成引線框架圖形(a步驟)；以及在該引線框架圖形上實施電鍍(b步驟)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述第一步中形成電鍍圖形的工序所采用的材料是使用鎳、鈀、金、錫、銀、鈷和銅中的一種的單合金或者雙合金或三合金，并且是單層或雙層的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一步的特征還在于在形成電鍍圖形之后剝離光敏材料的(c)步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二步的特征在于通過在形成有電鍍圖形的引線框架材料的雙面或單面上涂覆光敏材料而利用光刻方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二步的特征在于在引線框架材料的雙面上涂覆光敏材料，其中在所述引線框架材料頂面上對圖形進行曝光/顯影，以形成上部保護圖形，在引線框架材料的底面進行整體曝光，以形成下部保護圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其中在引線框架材料頂面上形成的上部保護圖形的寬度Tl比電鍍圖形的寬度T2寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中該保護圖形形成為包圍所述電鍍圖形的頂部和側(cè)部的結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其中所述第三步的特征在于刻蝕引線框架除上部保護圖形部分之外的已曝光頂面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述第三步之后還包括剝離保護圖形的步驟。
11.一種利用多行引線框架制造半導體封裝的方法，其特征在于在引線框架材料上形成電鍍圖形(第一步)；在電鍍圖形上形成保護圖形(第二步)；利用該保護圖形作為掩模形成納米圖形(第三步)；以及剝離該保護圖形，和實施半導體芯片安放、引線接合和環(huán)氧樹脂模制，并且通過背面刻蝕完成半導體封裝。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二步的特征在于在引線框架材料頂面上形成的上部保護圖形的寬度Tl比所述電鍍圖形的寬度T2寬。
13.一種引線框架制造方法中的多行引線框架的結(jié)構(gòu)，其特征在于在引線框架材料的頂面或底面上形成至少一個或多個納米圖形；以及在未形成有納米圖形的一個或多個部分上形成包括電鍍圖形的引線框架，其中該引線框架的上部圖形表面的寬度T3比所述電鍍圖形的寬度T2寬。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于該引線框架片料的邊緣形成有暴露結(jié)構(gòu)。
15.一種引線框架制造方法中的多行引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于在引線框架材料的頂面或底面上形成至少一個或多個納米結(jié)構(gòu)；以及在未形成有納米圖形的一個或多個部分上形成包含電鍍圖形的引線框架，其中該引線框架的邊緣被露出。
16.根據(jù)權(quán)利要求13、14和15中任一項所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于該電鍍圖形采用鎳、 鈀、金、錫、銀、鈷和銅中的一種的單合金或者雙合金或三合金，并且是單層或雙層的。
17.一種半導體封裝，其特征在于在引線框架材料的頂面或底面上形成至少一個或多個納米圖形；以及在未形成有納米圖形的一個或多個部分上形成包含電鍍圖形的引線框架，其中該半導體封裝的特征在于多行引線框架，該引線框架的所述上部圖形表面的寬度 (T3)比所述電鍍圖形的寬度(T2)寬；半導體芯片；引線接合；以及環(huán)氧樹脂模制。
18.一種半導體封裝，其特征在于在引線框架材料的頂面或底面上形成至少一個或多個納米圖形；以及在未形成有納米圖形的一個或多個部分上形成包含電鍍圖形的引線框架，其中該引線框架的邊緣的特征在于被露出的多行引線框架；半導體芯片；引線接合； 以及環(huán)氧樹脂模制。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導體封裝的多行引線框架，其特征在于在引線框架材料上形成電鍍圖形(第一步)；在該電鍍圖形上形成保護圖形(第二步)；以及利用該保護圖形作為掩模形成納米圖形(第三步)，由此在電鍍圖形頂面上形成保護圖形，以防止引線框架圖形形成過程中刻蝕溶液對電鍍層造成損害從而提高產(chǎn)品可靠性，并由此解決了利用電鍍層作為刻蝕掩模的問題。
文檔編號H01L23/495GK102265394SQ200980152298
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者嚴塞蘭, 千賢雅, 崔宰鳳, 李誠遠, 李赫洙, 柳盛旭 申請人:Lg伊諾特有限公司